Добірка наукової літератури з теми "Power semicondutor"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Power semicondutor".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "Power semicondutor"
Arif, M. S., S. M. Ayob, and Z. Salam. "Asymmetrical Nine-Level Inverter Topology with Reduce Power Semicondutor Devices." TELKOMNIKA (Telecommunication Computing Electronics and Control) 16, no. 1 (February 1, 2018): 38. http://dx.doi.org/10.12928/telkomnika.v16i1.8520.
Повний текст джерелаZhang Dongyun, 张冬云, 谢印开 Xie Yinkai, 李丛洋 Li Congyang, 曹玄扬 Cao Xuanyang, and 徐仰立 Xu Yangli. "Simulation and Optimization of High Power Semicondutor Laser Microchannel Heat Sink." Chinese Journal of Lasers 44, no. 2 (2017): 0202008. http://dx.doi.org/10.3788/cjl201744.0202008.
Повний текст джерелаChiu, Yu Sheng, Quang Ho Luc, Yueh Chin Lin, Jui Chien Huang, Chang Fu Dee, Burhanuddin Yeop Majlis, and Edward Yi Chang. "Evaluation of AlGaN/GaN metal–oxide–semicondutor high-electron mobility transistors with plasma-enhanced atomic layer deposition HfO2/AlN date dielectric for RF power applications." Japanese Journal of Applied Physics 56, no. 9 (August 24, 2017): 094101. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.56.094101.
Повний текст джерелаZhang, Yuqian. "The Application of Third Generation Semiconductor in Power Industry." E3S Web of Conferences 198 (2020): 04011. http://dx.doi.org/10.1051/e3sconf/202019804011.
Повний текст джерелаTREW, R. J., and M. W. SHIN. "HIGH FREQUENCY, HIGH TEMPERATURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS FABRICATED FROM WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS." International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, no. 01 (March 1995): 211–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156495000067.
Повний текст джерелаRibeiro, Vander Alkmin dos Santos, Valesca Donizete de Oliveira, Rero Marques Rubinger, Adhimar Flávio Oliveira, and Claudiney Sales Pereira Mendonça. "Síntese, caracterização magnética e elétrica da ferrita de aluminato de cobre." Research, Society and Development 10, no. 8 (July 13, 2021): e31210817314. http://dx.doi.org/10.33448/rsd-v10i8.17314.
Повний текст джерелаValentine, Nathan, Diganta Das, Bhanu Sood, and Michael Pecht. "Failure Analyses of Modern Power Semiconductor Switching Devices." International Symposium on Microelectronics 2015, no. 1 (October 1, 2015): 000690–95. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-tha56.
Повний текст джерелаHasan, Md Nazmul, Edward Swinnich, and Jung-Hun Seo. "Recent Progress in Gallium Oxide and Diamond Based High Power and High-Frequency Electronics." International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, no. 01n02 (March 2019): 1940004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400044.
Повний текст джерелаŠtěpánek, Jan, Luboš Streit, and Tomáš Komrska. "Comparison of Si and SiC based Power Converter Module of 150 kVA for Power System Applications." TRANSACTIONS ON ELECTRICAL ENGINEERING 7, no. 1 (March 30, 2020): 10–13. http://dx.doi.org/10.14311/tee.2018.1.010.
Повний текст джерелаChi, Zeyu, Jacob J. Asher, Michael R. Jennings, Ekaterine Chikoidze, and Amador Pérez-Tomás. "Ga2O3 and Related Ultra-Wide Bandgap Power Semiconductor Oxides: New Energy Electronics Solutions for CO2 Emission Mitigation." Materials 15, no. 3 (February 2, 2022): 1164. http://dx.doi.org/10.3390/ma15031164.
Повний текст джерелаДисертації з теми "Power semicondutor"
Ma, Cliff Liewei. "Modeling of bipolar power semiconductor devices /." Thesis, Connect to this title online; UW restricted, 1994. http://hdl.handle.net/1773/6046.
Повний текст джерелаSankin, Igor. "Edge termination and RESURF technology in power silicon carbide devices." Diss., Mississippi State : Mississippi State University, 2006. http://library.msstate.edu/etd/show.asp?etd=etd-12162005-141206.
Повний текст джерелаHuang, Chender 1960. "Characterization of interface trap density in power MOSFETs using noise measurements." Thesis, The University of Arizona, 1988. http://hdl.handle.net/10150/276872.
Повний текст джерелаYen, Chi-min 1949. "Two-dimensional simulation of power MOSFET near breakdown." Thesis, The University of Arizona, 1988. http://hdl.handle.net/10150/276695.
Повний текст джерелаProsyk, Kelvin. "Power and spectral characterization of InGaAsP-InP multi-quantum well lasers." Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 1998. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk1/tape11/PQDD_0008/NQ42759.pdf.
Повний текст джерелаElliott, Stella N. "High power semiconductor lasers." Thesis, Cardiff University, 2010. http://orca.cf.ac.uk/54136/.
Повний текст джерелаWang, Haihong. "Advanced transport models development for deep submicron low power CMOS device design /." Digital version accessible at:, 1999. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.
Повний текст джерелаLinewih, Handoko, and h. linewih@griffith edu au. "Design and Application of SiC Power MOSFET." Griffith University. School of Microelectronic Engineering, 2003. http://www4.gu.edu.au:8080/adt-root/public/adt-QGU20030506.013152.
Повний текст джерелаLinewih, Handoko. "Design and Application of SiC Power MOSFET." Thesis, Griffith University, 2003. http://hdl.handle.net/10072/367638.
Повний текст джерелаThesis (PhD Doctorate)
Doctor of Philosophy (PhD)
School of Microelectronic Engineering
Full Text
Hinchley, David Alistair. "Large area power semiconductor devices." Thesis, University of Cambridge, 1997. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.627019.
Повний текст джерелаКниги з теми "Power semicondutor"
International, Semiconductor Data, ed. Power modules. Rolling Hills Estates, CA: SDI, 1990.
Знайти повний текст джерелаDace, Andrea. Power management: IC components. Norwalk, CT: Business Communications Co., 1999.
Знайти повний текст джерелаBaliga, B. Jayant. Modern power devices. Malabar, Fla: Krieger, 1992.
Знайти повний текст джерелаBaliga, B. Jayant. Modern power devices. New York: Wiley, 1987.
Знайти повний текст джерелаBaliga, B. Jayant. Modern power devices. New York: Wiley, 1987.
Знайти повний текст джерелаLinder, Stefan. Power semiconductors. Lausanne, Switzerland: EPFL Press, 2006.
Знайти повний текст джерелаRectifier, International. Power semiconductors. El Segundo, CA: International Rectifier, 1990.
Знайти повний текст джерелаHoft, R. G. Semiconductor power electronics. Malabar, Fla: Krieger, 1991.
Знайти повний текст джерелаHoft, Richard G. Semiconductor Power Electronics. Dordrecht: Springer Netherlands, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-7015-4.
Повний текст джерелаLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann, and Rik De Doncker. Semiconductor Power Devices. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-70917-8.
Повний текст джерелаЧастини книг з теми "Power semicondutor"
Bradley, D. A. "Power semiconductors." In Power Electronics, 1–38. Boston, MA: Springer US, 1995. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-3039-2_1.
Повний текст джерелаLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann, and Rik De Doncker. "Semiconductor Properties." In Semiconductor Power Devices, 21–99. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-70917-8_2.
Повний текст джерелаLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann, and Rik De Doncker. "Semiconductor Properties." In Semiconductor Power Devices, 17–75. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-11125-9_2.
Повний текст джерелаBose, Bimal K. "Power Semiconductor Devices." In Modern Electrical Drives, 239–70. Dordrecht: Springer Netherlands, 2000. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-015-9387-8_11.
Повний текст джерелаPorst, A. "Power Semiconductor Devices." In Silicon, 293–339. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-09897-4_15.
Повний текст джерелаHeumann, Klemens. "Power Semiconductor Devices." In Basic Principles of Power Electronics, 13–35. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-82674-0_3.
Повний текст джерелаMa, Dongsheng, and Rajdeep Bondade. "Power Semiconductor Devices." In Reconfigurable Switched-Capacitor Power Converters, 23–39. New York, NY: Springer New York, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-4187-8_2.
Повний текст джерелаGupta, K. M., and Nishu Gupta. "Power Semiconductor Devices." In Advanced Semiconducting Materials and Devices, 415–42. Cham: Springer International Publishing, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-19758-6_12.
Повний текст джерелаNeacșu, Dorin O. "Power Semiconductor Devices." In Telecom Power Systems, 23–44. Boca Raton: CRC Press, 2017. http://dx.doi.org/10.4324/9781315104140-2.
Повний текст джерелаYngvesson, Sigfrid. "Power-Combining." In Microwave Semiconductor Devices, 183–206. Boston, MA: Springer US, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3970-4_7.
Повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "Power semicondutor"
Jacob, Peter, Albert Kunz, and Giovanni Nicoletti. "A New Failure Analysis Roadmap for Power Semiconductor Modules and Devices." In ISTFA 2011. ASM International, 2011. http://dx.doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2011p0419.
Повний текст джерелаTsai, Chin-Yi, Chih-Hsiung Chen, Tien-Li Sung, and Chin-Yao Tsai. "Effects of P-Doping on the Hot-Electron Cooling in Semiconductor Lasers: Phonon Bath Sharing and Electron-Hole Starring." In The European Conference on Lasers and Electro-Optics. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1998. http://dx.doi.org/10.1364/cleo_europe.1998.ctui52.
Повний текст джерелаSoto-Crespo, J., E. M. Wright, G. I. Stegeman, S. Wabnitz, and S. Trillo. "Pulse switching in active semiconductor nonlinear directional couplers." In OSA Annual Meeting. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1990. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1990.wv3.
Повний текст джерелаBjorkholm, J. E., L. Eichner, J. C. White, R. E. Howard, and H. G. Craighead. "Direct-writing in self-developing resists using low-power, cw, ultraviolet light." In Microphysics of Surfaces, Beams, and Adsorbates. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1985. http://dx.doi.org/10.1364/msba.1985.mb6.
Повний текст джерелаMiller, A., and R. J. Manning. "Transient Optical Nonlinearities in Multiple Quantum Well Structures: Four Wave Mixing, Anisotropic Carrier Diffusion and the Quantum Confined Stark Effect." In Nonlinear Optical Properties of Materials. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1988. http://dx.doi.org/10.1364/nlopm.1988.tub3.
Повний текст джерелаWang, Peng, Michael Manno, and Avram Bar-Cohen. "Quantum-Well Si/SiC Self-Cooling for Thermal Management of High Heat Flux GaN HEMT Semiconductor Devices." In ASME 2012 Third International Conference on Micro/Nanoscale Heat and Mass Transfer. American Society of Mechanical Engineers, 2012. http://dx.doi.org/10.1115/mnhmt2012-75290.
Повний текст джерелаMiller, D. A. B. "Physics and Applications of Quantum Wells in Optics." In Integrated and Guided Wave Optics. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1989. http://dx.doi.org/10.1364/igwo.1989.waa1.
Повний текст джерелаKarchnak, Martin Francis. "High Power Semiconductor Switching." In Power Systems Conference. 400 Commonwealth Drive, Warrendale, PA, United States: SAE International, 2006. http://dx.doi.org/10.4271/2006-01-3033.
Повний текст джерелаDepatie, David. "Coherent Semiconductor Laser Sources." In Coherent Laser Radar. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1991. http://dx.doi.org/10.1364/clr.1991.md2.
Повний текст джерелаFigueroa, L., C. Morrison, and L. Zinkiewicz. "High Power Semiconductor Lasers." In Cambridge Symposium-Fiber/LASE '86, edited by Elliot G. Eichen. SPIE, 1987. http://dx.doi.org/10.1117/12.937677.
Повний текст джерелаЗвіти організацій з теми "Power semicondutor"
Cui, Hong-Liang. Power Semiconductor Simulation. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, March 2001. http://dx.doi.org/10.21236/ada393508.
Повний текст джерелаHunt, Will, and Remco Zwetsloot. The Chipmakers: U.S. Strengths and Priorities for the High-End Semiconductor Workforce. Center for Security and Emerging Technology, September 2020. http://dx.doi.org/10.51593/20190035.
Повний текст джерелаDas, Sujit, Laura D. Marlino, and Kristina O. Armstrong. Wide Bandgap Semiconductor Opportunities in Power Electronics. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), January 2018. http://dx.doi.org/10.2172/1415915.
Повний текст джерелаKrishna, Sanjay, and Ralph Dawson. High Power Mid Wave Infrared Semiconductor Lasers. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, June 2006. http://dx.doi.org/10.21236/ada463489.
Повний текст джерелаVenkatraman, Prasad, and B. J. Baliga. Fusible Link Technology for Power Semiconductor Devices. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, November 1991. http://dx.doi.org/10.21236/ada244110.
Повний текст джерелаLester, Luke F. High Power Mid-IR Semiconductor Lasers for LADAR. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, November 2003. http://dx.doi.org/10.21236/ada419059.
Повний текст джерелаShakouri, Ali, Nobby Kobayashi, Zhixi Bian, John Bowers, Art Gossard, Arun Majumdar, Rajeev Ram, Tim Sands, Josh Zide, and Lon Bell. Metal-Semiconductor Nanocomposites for High Efficiency Thermoelectric Power Generation. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, December 2013. http://dx.doi.org/10.21236/ada606254.
Повний текст джерелаRediker, Robert H. Communications: Fiber-Coupled External-Cavity Semiconductor High-Power Laser. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, August 1992. http://dx.doi.org/10.21236/ada257386.
Повний текст джерелаKlimov, Victor. Semiconductor Nanocrystals: Tiny Particles with “Quantum Powers”. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), May 2021. http://dx.doi.org/10.2172/1784668.
Повний текст джерелаBennett, Brian R., and J. B. Boos. Antimonide-Based Compound Semiconductors for Low-Power Electronics. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, January 2013. http://dx.doi.org/10.21236/ada595642.
Повний текст джерела