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Добірка наукової літератури з теми "He+/Si"

Автор: Grafiati
Опубліковано: 10 грудня 2022
Оновлено: 29 січня 2023

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Статті в журналах з теми "He+/Si"

1

Pivac, B., B. Rakvin, R. Tonini, F. Corni, and G. Ottaviani. "EPR study of He-implanted Si." Materials Science and Engineering: B 73, no. 1-3 (April 2000): 60–63. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(99)00434-1.

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2

Buca, D., S. F. Feste, B. Holländer, S. Mantl, R. Loo, M. Caymax, R. Carius, and H. Schaefer. "Growth of strained Si on He ion implanted Si/SiGe heterostructures." Solid-State Electronics 50, no. 1 (January 2006): 32–37. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2005.10.042.

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3

Kilpeläinen, S., K. Kuitunen, J. Slotte, F. Tuomisto, E. Bruno, S. Mirabella, and F. Priolo. "He implantation induced nanovoids in crystalline Si." Materials Science and Engineering: B 159-160 (March 2009): 164–67. http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2008.12.010.

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4

Alatalo, M., M. J. Puska, and R. M. Nieminen. "First-principles study of He in Si." Physical Review B 46, no. 19 (November 15, 1992): 12806–9. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.46.12806.

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5

Bruno, E., S. Mirabella, E. Napolitani, F. Giannazzo, V. Raineri, and F. Priolo. "He implantation in Si for B diffusion control." Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 257, no. 1-2 (April 2007): 181–85. http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2007.01.034.

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6

Liu, Changlong, E. Ntsoenzok, R. Delamare, D. Alquier, G. Regula, L. Vincent, C. Filadelfo, and A. Claverie. "The evolution of cavities in Si co-implanted with Si and He ions1." Materials Science and Engineering: B 102, no. 1-3 (September 2003): 75–79. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00632-3.

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7

Zhang, X. D., C. L. Liu, M. K. Li, Y. J. Gao, and D. C. Zhang. "Creation of Si nanocrystals from SiO2/Si by He and H ion implantation." Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 276 (April 2012): 25–29. http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2012.01.025.

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8

Kilpeläinen, S., K. Kuitunen, F. Tuomisto, J. Slotte, E. Bruno, S. Mirabella, and F. Priolo. "Vacancy engineering by He induced nanovoids in crystalline Si." Semiconductor Science and Technology 24, no. 1 (December 5, 2008): 015005. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/24/1/015005.

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9

Azevedo, G. de M., J. R. A. Kaschny, M. Behar, P. L. Grande, Ch Klatt, and S. Kalbitzer. "Charge equilibration of He ions in the Si channel." Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 161-163 (March 2000): 96–100. http://dx.doi.org/10.1016/s0168-583x(99)00677-1.

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10

da Silva, D. L., P. F. P. Fichtner, M. Behar, A. Peeva, R. Koegler, and W. Skorupa. "Implantation temperature dependence of He bubble formation in Si." Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 190, no. 1-4 (May 2002): 756–60. http://dx.doi.org/10.1016/s0168-583x(01)01260-5.

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Дисертації з теми "He+/Si"

1

Cheung, Man-wai. "The death of He Xinyin, 1517-79 He Xinyin zhi si /." Click to view the E-thesis via HKUTO, 1989. http://sunzi.lib.hku.hk/hkuto/record/B3194940X.

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2

Reboh, Shay. "Defect engineering in H and He implanted Si." Phd thesis, Université de Poitiers, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00459734.

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Анотація:
Ce travail porte sur l'étude des phénomènes induits par implantation d'hydrogène et/ou d'hélium dans le silicium monocristallin. Le cloquage et l'exfoliation dus à la coimplantation d'hélium et d'hydrogène ont été étudiés en fonction des paramètres d'implantation (énergie, fluence, courant, rapport H/He) et des conditions de recuit. Un comportement de type fenêtre à été observé dont le maximum de surface exfoliée dépend uniquement de la fluence. Deux mécanismes d'exfoliation liés aux régimes de fluence ont été identifiés et discutés. D'autre part, la microstructure des échantillons a été étudié par MET, et les déformations ont été mesurées par diffraction des Rayons X. Un modèle décrivant la distribution des contraintes dans le substrat implanté a été proposé. Le phénomène de delamination des substrats qui apparaît pour des conditions particulières d'implantation a également été étudié, comparé aux phénomènes de cloquage et exfoliation, et expliqué en utilisant des concepts de la mécanique de la fracture. Enfin, l'interaction élastique entre précipités d'He et d'H a été étudiée pour des profils d'implantation superposés et décalés. Dans ce dernier cas, nous avons montré que le champ de contraintes générées par les plaquettes d'hélium en surpression pouvait être utilisé comme source locale de contraintes pour contrôler la formation et la croissance de plaquettes d'hydrogène. Afin d'interpréter nos résultats expérimentaux, nous avons développé un modèle basé sur l'interaction élastique pour la nucléation des précipités dans un solide semi-infini.
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3

Samuels, Carmencita Marioano. "Cultural ideology and the lanscape of Confucian China : the traditional si he yuan." Thesis, University of British Columbia, 1986. http://hdl.handle.net/2429/26604.

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Анотація:
The cultural geography and architectural history of China has long been a subject of separate and distinguished interest and research, the one focusing primarily on the vernacular landscapes of peasants and folk societies, and the other focusing predominantly on the grand architectural monuments of empire and religious orders. Seldom has the impetus for both interests been combined so that the cultural life of the people, rich and poor, powerful and powerless alike, and the history of the architectural environment are linked as products and reflections of one another. In the long history of the development of the built environment of China, however, at least one component of the landscape has always figured especially prominent in the interface between society and architecture, namely the vernacular and the elite courtyard compound house. The ideal and the actuality of the courtyard house reveals itself in history, in literature, and on the land as a hardened depository of the most essential values, beliefs and codes of social behavior in Confucian China. Its extraordinary durability and conformity, and its eccentricities were everywhere and almost always a statement about the integrity of the Confucian worldview. Moreover, it was a statement on behalf of an official and encoded cultural and state ideology and its essential li or "proprieties." Its durability was at one with the durability of a total Confucian and Imperial state-sponsored ideology and system. Its change and its eccentricities were, like the ideology and system it housed, grammatical conjugations on a well established and legitimate theme, filled with verve and excitement, but always with an intrinsic order predicated on the logic of the Confucian cultural ideology and state system. It is the principal aim of this study to explore the linkage between culture and architecture in the human landscape of Confucian China as revealed by the courtyard compound. The main thesis of the study is that the built environment and the courtyard compound in particular reveals itself as a Confucian social landscape the meanings of which are apparent in its symbology, in the assignment of status places within its boundaries, and in its overall design, form and structure. In this way too, the study is a study in the social fabric and ideological commitments of a once powerful tradition whose hold on the landscape was virtually without exception, but which has now dissipated or disappeared into the furnaces and highrise structures of the industrializing and revolutionary ideologies of the twentieth century.
Arts, Faculty of
Geography, Department of
Graduate
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4

Silva, Douglas Langie da. "Formação e estabilidade térmica de nanocavidades produzidas pela implantação de He em Si." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2004. http://hdl.handle.net/10183/5477.

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Анотація:
Nesta tese são apresentados os resultados de um estudo sistemático à respeito da formação e evolução térmica de nanocavidades de He em Si cristalino. O efeito da formação de nanocavidades de He no aprisionamento de impurezas em Si foi estudado inicialmente em distintas condições de fluência, temperatura e direção de implantação. Após as implantações, as amostras foram tratadas termicamente a 800°C e analisadas por espectroscopia de retroespalhamento Rutherford em condição de canalização (RBS/C), análise de detecção por recuo elástico (ERDA), espectroscopia por emissão de íons secundários (SIMS) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Os resultados experimentais mostraram que implantações de He a temperatura ambiente (Ti=Tamb) levam à formação de defeitos numa região intermediária entre a superfície e a camada onde as bolhas se formam (Rp/2), sendo 5x1015He+cm-2 a fluência mínima para a observação do fenômeno. Sua origem foi atribuída à formação de pequenas cavidades nesta região. O mesmo não é observado em implantações a Ti=350°C devido ao efeito do recozimento dinâmico dos defeitos. Estes resultados mostraram a necessidade de um estudo mais profundo a respeito dos efeitos da temperatura de implantação (Ti) na formação de bolhas em Si. Este estudo foi feito a partir de implantações de He no intervalo de temperatura entre -196°C e 350°C, sendo a fluência e a energia de implantação de 2x1016He+cm-2 e 40keV respectivamente. O efeito da proximidade à superfície foi estudado com implantações a 15keV. As amostras foram analisadas pelas mesmas técnicas referidas anteriormente. Para o caso de implantações feitas a 40keV com TiTamb pequenas bolhas são formadas durante a implantação juntamente com defeitos estendidos do tipo {311}. A formação destes defeitos é atribuida ao mecanismo de formação das bolhas baseado na emissão de átomos auto-intersticiais de Si. Distintos regimes são observados após recozimento entre 400°C e 800°C por 600s. Para Ti≤250°C observa-se a dissolução do sistema de cavidades e defeitos devido à interação mutua entre os sistemas. Para Ti>250°C cavidades esféricas e anéis de discordância são observados após recozimentos a 800°C. Finalmente, se observou que a energia de implantação (15keV) não afeta a morfologia do sistema de bolhas e defeitos formados. Porém a perda de He é cinco vezes menor que no caso de amostras implantadas a 40 keV na mesma fluência. Um mecanismo baseado na difusão aumentada por danos de irradiação é sugerido neste trabalho.
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5

Mörschbächer, Marcio José. "Relaxação estrutural de camadas pseudomórficas de SiGe/Si(100) induzida pela implantação iônica de He ou Si e tratamento térmico." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2005. http://hdl.handle.net/10183/5783.

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Анотація:
O Si tensionado (sSi) é um material com propriedades de transporte eletrônico bastante superiores as do Si, sendo considerado como uma alternativa importante para a produção de dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor) de mais alta performance (e.g. freqüências de operação f>100 GHz). O sSi é obtido através do crescimento epitaxial de Si sobre um substrato de mesma estrutura cristalina, porém com parâmetro de rede diferente. Esta tese apresenta uma investigação detalhada de um novo método que possibilita a produção de camadas relaxadas de Si1xGex com espessuras inferiores a 300 nm, consideradas como a melhor alternativa tecnológica para a produção de sSi. Este método envolve a implantação de íons de He+ ou de Si+ em heteroestruturas pseudomórficas de Si1-xGex/Si(001) e tratamentos térmicos. Foram estudados os efeitos dos diversos parâmetros experimentais de implantação e tratamentos térmicos sobre o processo de relaxação estrutural, utilizando-se heteroestruturas pseudomórficas de Si1-xGex/Si(001) crescidas via deposição de vapor químico, com distintas concentrações de Ge (0,19x 0,29) e com espessuras entre 70 e 425 nm. Com base no presente estudo foi possível identificar diversos mecanismos atômicos que influenciam o processo de relaxação estrutural das camadas de Si1-xGex/Si(001). O processo de relaxação é discutido em termos de um mecanismo complexo que envolve formação, propagação e interação de discordâncias a partir de defeitos introduzidos pela implantação. No caso das implantações de He, por exemplo, descobrimos que podem ocorrer perdas de He durante as implantações e que este efeito influencia negativamente a relaxação de camadas finas. Além disso, também demonstramos que os melhores resultados são obtidos para energias e fluências de implantação que resultam na formação de bolhas planas localizadas no substrato de Si a uma distância da interface equivalente a uma vez a espessura da camada de SiGe. O grau de relaxação satura em 50% para camadas de SiGe com espessura 100 nm. Este resultado é discutido em termos da energia elástica acumulada na camada de SiGe e da retenção de He. No caso de implantações de Si, discutimos a formação de defeitos tipo {311} e sua transformação térmica em discordâncias. Este estudo resultou numa visão abrangente dos principais fatores limitantes do processo, bem como na otimização dos valores de parâmetros experimentais para a produção de camadas de SiGe com alto grau de relaxação e com baixa densidade de defeitos.
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Matos, Ludmar Guedes. "Comportamento térmico de bolhas híbridas de Ne-He produzidas por implantação iônica em Si." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2012. http://hdl.handle.net/10183/70333.

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Анотація:
Em um trabalho anterior verificou-se que a formação de bolhas de He pressurizadas em um substrato Si é capaz de melhorar a qualidade cristalina de uma estrutura GaN/AlN crescida heteroepitaxialmente sobre Si. As bolhas atraem as discordâncias geradas na interface com o substrato Si e as redireciona para o mesmo, reduzindo a densidade de discordâncias na estrutura crescida. Porém, um sistema de bolhas com características similares e que apresente uma maior estabilidade térmica é mais adequado para esta finalidade de crescimento. Neste trabalho investigou-se sistemas contendo bolhas de Ne e He-Ne obtidos a partir de diferentes parâmetros de implantação e temperaturas de recozimento. Ne foi implantado a 350 e 450°C, e nas amostras co-implantadas com Ne e He também foi avaliada a ordem de implantação. Posteriormente, essas amostras foram submetidas a tratamentos térmicos rápidos desde 400 até 1000°C. As amostras foram caracterizadas por medidas de Retroespalhamento de Rutherford e Canalização (RBS/C), Detecção por Recuos Elásticos (ERD) e Microscopia Eletrônica de Transmissão (MET). Foi observado um maior nível de danos residuais devido à implantação de Ne, mesmo tendo sido implantado a 350 ou 450ºC. Um maior nível de danos residuais leva a uma morfologia semelhante entre os sistemas Ne e He-Ne, onde são observadas apenas bolhas esféricas e sem a presença de campos de tensão nas imagens de MET. Quando é implantado apenas He, no mencionado trabalho anterior, as bolhas formadas são tipo placa e circundadas por campos de tensão. Porém, no caso co-implantado quando Ti(Ne) = 450ºC ou quando um recozimento a 1000ºC entre implantações (Ne implantado primeiro) é realizado, a redução dos danos residuais leva a um sistema que se assemelha ao He puro: ocorre a formação de bolhas híbridas mais pressurizadas e com morfologia mista entre elípticas e esféricas.
In a previous work it was observed that the formation of pressurized He bubbles in a Si substrate is able to improve the crystalline quality of a GaN/AlN structure heteroepitaxialy grown over Si. The bubbles attract the misfit dislocations generated at Si substrate and redirect them toward the substrate, reducing the dislocation density in the overgrown GaN layer. However, a bubbles system with similar properties and able to show higher thermal stability is more suitable for this grown purpose. In this work we have investigated systems containing Ne and He-Ne bubbles obtained from different implantation parameters and annealing temperatures. Ne implantation was performed at 350 and 450°C, and we also interchanged the implantation order at the He-Ne co-implanted systems. Subsequently, these samples were subjected to rapid thermal annealing from 400 to 1000°C. The samples were characterized by Rutherford Backscattering Spectrometry/Channeling (RBS/C), Elastic Recoil Detection (ERD) and Transmission Electron Microscopy (TEM). It was observed a higher residual damage level due to Ne implantation, even though it was implanted at 350 or 450°C. A higher damage level brings to a similar morphology between Ne and He-Ne systems, in which are just observed spherical bubbles with no stress field in the TEM images. When just He is implanted, in the mentioned previous work, the formed bubbles are plate like ones with the presence of stress field around them. However, in the co-implanted case when Ti (Ne) = 450ºC or when a 1000ºC is performed between implantations (Ne first implanted), the reduction of the residual damage brings to a system which is more He pure like: it occurs the formation of more pressurized hybrid bubbles and with a combined morphology between elliptical and spherical ones.
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Khendriche, Arezki. "Étude du noyau ³¹ P au moyen de réactions de transfert d'un proton ³⁰Si (³He, d) ³¹P et ³⁰Si (α , t) ³¹p". Paris 11, 1987. http://www.theses.fr/1987PA112200.

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8

Khendriche, Arezki. "Etude du noyau de 31p au moyen de réactions de transfert d'un proton ³⁰Si(³He,d) ³¹p et ³⁰Si(alpha,t) ³¹p." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37606564f.

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Santos, Jose Henrique Rodrigues dos. "Estudo do poder de freamento eletrônico de íons de He e B canalizados em Si." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 1997. http://hdl.handle.net/10183/149850.

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Анотація:
Neste trabalho, medimos a perda de energia de íons de He e B ao longo da direção < 100 > do Si, com energias que vão desde 200 ke V a 4,5 Me V, no primeiro caso, e de 500 ke V a 9 MeV, no segundo. Usamos a técnica de retroespalhamento de Rutherford com amostras do tipo SIMOX, as quais consistem de uma camada de Si monocristalino sobre uma camada de 500 nm de Si02 enterrada numa matriz de Si < 100 >. No método experimental empregado, a perda de energia dos íons canalizados é obtida depois de os mesmos serem retroespalhados em um marcador especialmente utilizado para esse fim. Para ambos os tipos de projétil, a curva da razão a entre os poderes de freamento de canalização e em direções aleatórias exibe um máximo largo e decresce lentamente a energias mais altas, em conseqüência do aumento da contribuição da camada L do Si para o poder de freamento eletrônico, como é indicado por cálculos de Aproximação de Born de Onda Plana (PWBA).
In this work, we have measured the electronic stopping power of He and B ions channeling along the < 100 > direction of Si crystals. The ion energies ranged between 200 keV and 4.5 Me V, in the first case, and between 500 ke V and 9 Me V, in the second one. We have used the Rutherford backscattering technique with SIMOX samples consisting of a Si single-crystal layer on top of a buried layer of 500 nm Si02 built into Si < 100 > wafer. In this exp erimental method, the channeling energy loss is obtained aft er the particles being backscattered at some marker specially used for this purpose . For both types of projectile, the curve of the a ratio between the channeling and random stopping powers has a broad maximum and decreases slowly at high energies dueto the increasing of the contribution of the Si L shell to the electronic stopping power, as indicated by Plane Wave Born Approximation (PWBA) calculations.
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Azevedo, Gustavo de Medeiros. "Estudo do poder de freamento de He, Li, Eu e Bi canalizados em alvos de Si cristalino." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2000. http://hdl.handle.net/10183/10430.

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Анотація:
Neste trabalho, foi realizado um estudo experimental sistemático da perda de energia de íons canalizados ao longo das direções h100i , h111i e h110i de cristais de Si. Foram abordados dois aspectos distintos, porém correlatos, do problema. No primeiro tópico, estudamos o poder de freamento de íons pesados (Eu e Bi) com energias entre 15 e 50 keV, para os quais o mecanismo predominante de perda de energia é o freamento nuclear. O segundo tópico está relacionado ao freamento de íons leves (He e Li) com energias no intervalo entre 0.3 e 8 MeV. Neste caso, os íons perdem energia, predominantemente, em colisões com elétrons. O estudo do freamento dos íons pesados foi realizado de maneira indireta, pela comparação dos perfis de concentração de Eu e Bi implantados em direção canalizada com as previsões do programa MARLOWE, que simula a interação de feixes de íons com alvos sólidos. Nós observamos pela primeira vez, em implantações em direção canalizada, o chamado efeito Z1, ou seja, a deformação das núvens eletrônicas do projétil e do alvo em colisões binárias de baixa energia. Enquanto nossos dados para implantações de Bi são muito bem reproduzidas pelo MARLOWE, os perfis de Eu apresentam caudas mais profundas que as preditas por este programa. Além disso nós demonstramos que este comportamento é explicado por cálculos ab initio de estrutura molecular baseados na Teoria Funcional da Densidade (DFT). Com relação os íons leves, a perda de energia foi obtida pela técnica de retroespalhamento Rutherford em amostras do tipo SIMOX, que consistem em uma camada de Si monocristalino de 200 nm sobre uma camada de 500 nm de SiO2 enterrada numa matriz de Sih100i . Com esta técnica nós realizamos medidas da perda de energia como função da energia e do ângulo de incidência do feixe com relação á direção de canalização. A análise teórica dos resultados foi realizada por intermédio de simulações das trajetórias canalizadas e de cálculos da dependência da perda de energia com o parâmetro de impacto. Estas comparações permitiram determinar o papel desempenhado pelos diversos mecanismos de perda de energia envolvidos no freamento dos íons canalizados.
In this work we have performed a systematic sudy of the energy loss of channeled ions along the h100i , h111i and h110i directions of Si single crystals. Two different, but related, topics of the problem were investigated. On the first topic we have studied the stopping powers of heavy ions (Eu and Bi) with energies ranging between 15 and 50 keV, for which the main slowing down mechanism is the nuclear stopping power. The second topic is related to the slowing down of light ions (He and Li) with energies ranging between 0.3 and 8 MeV. In this case, the projectile energy is lost mainly in electronic collisions. The study of the slowing down of channeled heavy ions was performed in an indirect way, by comparing the depth profiles of Eu and Bi ions implanted under channeling conditions with calculations with the program MARLOWE which simulates the interactions of ion beams with solid targets. We have observed for the first time in channeling implantations the Z1 effect, namely, the deformation of the periphery of the electronic clouds of the projectile and target in low energy atomic collisions. While our data for Bi implantations are very well reproduced by MARLOWE predictions the Eu profiles present long tails that go farther in the Si bulk than predicted by MARLOWE. Furthermore, we have demostrated that this behavior is explained in terms of molecular structure ab initio calculations based on the Density Fuctional Theory (DFT). Concerning the light ions, the stopping powers were measured by the Rutherford Backscattering technique with SIMOX samples that consist on a Si single crystal layer 200nm thick on the top of a 5000 nm thick SiO2 layer buried on a Sih100i single cristal. With this technique we have measured both the energy and the angular dependency of the the channeling stopping power. The theoretical analysis of the results was performed by means of computer simulations of the channeled trajectories and in calculatios of the impact parameter dependent energy loss. These comparisons allowed us to determine the relative role played by the energy loss processes under channeling conditions
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Книги з теми "He+/Si"

1

He zhi si. Zhengzhou Shi: Huang He shui li chu ban she, 2009.

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2

Shangtian, Wei, ed. Xiao He zhi si. Zhengzhou Shi: Da xiang chu ban she, 2013.

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3

China (Republic : 1949- ). Li fa yuan. Guo hui tu shu guan. He si xing fei. Taibei shi: Li fa yuan guo hui tu shu guan, 2000.

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4

T'estimo si he begut. Barcelona: Quaderns Crema, 2004.

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5

Si Hong he zhi. Hefei: Huangshan shu she, 2011.

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6

Hong chen si he. Nanjing: Jiangsu feng huang wen yi chu ban she, 2014.

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7

Beijing si he yuan. Beijing Shi: Zhongguo shu dian, 1999.

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8

Liuyang he qing si. Wulumuqi Shi: Xinjiang ren min chu ban she, 1986.

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9

Ru He Ban Hao Si Ying Gong Si. Bei jing: Shi you gong ye chu ban she, 1999.

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10

Wang bu si de he. Zhengzhou Shi: Henan wen yi chu ban she, 2003.

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Частини книг з теми "He+/Si"

1

Mantl, S., K. Kasper, H. J. Jorke, and K. Reichelt. "Strain Measurements in Si/Si0.5Ge0.5 and W/Mo Superlattices by He Ion Channeling." In Physics, Fabrication, and Applications of Multilayered Structures, 380–81. Boston, MA: Springer US, 1988. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-0091-6_47.

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2

Foulias, S., N. Curson, M. Cowen, and W. Allison. "Thermal He Atom Scattering for the Study of Surface Systems: K on Si(001)." In Application of Particle and Laser Beams in Materials Technology, 159–65. Dordrecht: Springer Netherlands, 1995. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-015-8459-3_10.

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3

Tobin Stanley, Maureen. "Miscarriage of Justice: The Perverted Fairy Tale of Maternity and State-Sanctioned Removal of Children from Political Prisoners in Ana Cañil’s 2011 Novel Si a los tres años no he vuelto (If I Have Not Returned in Three Years)." In Palgrave Studies in Cultural Heritage and Conflict, 189–238. Cham: Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-13392-3_6.

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4

"¡Si no he sido yo! On retortative si-clauses in conversational Spanish." In Adverbial Modification, 187–208. BRILL, 2001. http://dx.doi.org/10.1163/9789004488663_014.

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5

Santos, J. H. R. dos, P. L. Grande, H. Boudinov, M. Behar, R. Stoll, Chr Klatt, and S. Kalbitzer. "Electronic stopping power of 〈100〉 axial-channelled He ions in Si crystals." In Ion Beam Modification of Materials, 51–54. Elsevier, 1996. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-82334-2.50014-9.

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6

Le, H. C., R. W. Dreyfus, W. Marine, M. Sentis, and I. A. Movtchan. "Temperature measurements during laser ablation of Si into He, Ar and O2." In Laser Ablation, 164–69. Elsevier, 1996. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-82412-7.50033-x.

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7

"“La certidumbre de ignorar si he detallado…”: Norah Lange y la autoficción." In La impronta autoficcional, 27–40. Vervuert Verlagsgesellschaft, 2018. http://dx.doi.org/10.31819/9783954877522-003.

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8

Koh, M., K. Hara, K. Horita, B. Shigeta, T. Matsukawa, A. Kishida, T. Tanii, M. Goto, and I. Ohdomari. "Radiation effects induced by high energy He single ions at Si/SiO2 interfaces." In Control of Semiconductor Interfaces, 241–46. Elsevier, 1994. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81889-8.50045-6.

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9

Reutov, V. F., and A. S. Sokhatsky. "Ordered helium bubbles and nanocrystallites in amorphous Si induced by low-energy He ions implantation." In Microscopy of Semiconducting Materials 2003, 383–88. CRC Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1201/9781351074636-88.

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10

Hajdu, C., M. Fried, and F. Pászti. "Investigation of the relation between stress evolution and surface deformations in high dose MeV energy He implanted Si." In Ion Beam Modification of Materials, 828–31. Elsevier, 1996. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-82334-2.50160-x.

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Тези доповідей конференцій з теми "He+/Si"

1

Denadai, Eduardo Perez, Irene Rusakova, Jesse Carter, Michael Martin, Assel Aitkaliyeva, Lin Shao, Floyd D. McDaniel, and Barney L. Doyle. "Defect Characterization in He Implanted Si." In APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY: Twentieth International Conference. AIP, 2009. http://dx.doi.org/10.1063/1.3119983.

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2

Kwon, Young Kwan, C. H. Lee, J. Y. Moon, Jake Lee, J. Y. Kim, S. Kubono, N. Iwasa, et al. "Study of astrophysically important resonant states in $^{26}$Si by the $^{28}$Si($^{4}$He,$^{6}$He)$^{26}$Si reaction." In International Symposium on Nuclear Astrophysics - Nuclei in the Cosmos - IX. Trieste, Italy: Sissa Medialab, 2010. http://dx.doi.org/10.22323/1.028.0024.

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3

Bruno, E., S. Mirabella, F. Priolo, F. Giannazzo, V. Raineri, and E. Napolitani. "Effect of He Induced Nanovoid on B Implanted in Si: The Microscopic Mechanism." In 2007 15th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/rtp.2007.4383827.

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4

Park, Chang, Hyung Yun, Tae Kim, Hyong Rhee, Chee Shin, Sangin Kima, and Chang-koo Kim. "Etching of poly-Si with atomic scale accuracy in inductively coupled Ar and He plasmas." In 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/icsict.2006.306312.

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5

Stambulchik, E., I. Almiev, and Y. Maron. "Spectral line broadening of H- and He- like Si IONs in hot and dense plasmas." In The 33rd IEEE International Conference on Plasma Science, 2006. ICOPS 2006. IEEE Conference Record - Abstracts. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/plasma.2006.1707128.

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6

Tuttle, William, Larry Viehland, Timothy Wright, and Rebecca Thorington. "THEORETICAL STUDY OF GROUP 14 M+(2PJ)-RG COMPLEXES (M+ = C+, Si+; RG = He - Ar)." In 72nd International Symposium on Molecular Spectroscopy. Urbana, Illinois: University of Illinois at Urbana-Champaign, 2017. http://dx.doi.org/10.15278/isms.2017.rh02.

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7

Gavriljuk, Valentin, Bela Shanina, Vladyslav Shyvanyuk, and Sergey Teus. "A Concept for Development of Hydrogen-Resistant Austenitic Steels." In ASME 2013 Pressure Vessels and Piping Conference. American Society of Mechanical Engineers, 2013. http://dx.doi.org/10.1115/pvp2013-97011.

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Анотація:
Austenitic steels represent a promising class of engineering materials for hydrogen use in vehicles, e.g. for tanks and pipelines. This topic is analyzed in terms of the effect of alloying elements on the interatomic bonds in the solid solutions and, consequently, on the interaction between hydrogen atoms and dislocations and hydrogen embrittlement, HE. The effect of Cr, Ni, Mn, Mo, Si, Al, Cu, C, N was studied. It is shown that the physical reason for HE amounts to the hydrogen-caused increase in the concentration of free electrons in the austenitic solid solution. For this reason, the alloying with elements decreasing the concentration of free electrons is expected to improve resistance of austenitic steels to HE. Alloying with Cr, Mn, Mo and Si is shown to be useful, whereas Cu, Al, Ni, N assist hydrogen degradation. The role of Ni amounts only to stabilization of the fcc austenitic lattice and its absence or the decrease of its content in steel is desirable. Based on the obtained results, recommendations are made for design of austenitic steels with increased hydrogen resistance.
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8

Lomov, Andrey A., Kirill D. Shcherbachev, Yury M. Chesnokov, Dmitrii A. Kiselev, and Andrew V. Miakonkikh. "Evolution of structural properties of Si(001) subsurface layer containing He bubbles by low temperature annealing." In The International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016, edited by Vladimir F. Lukichev and Konstantin V. Rudenko. SPIE, 2016. http://dx.doi.org/10.1117/12.2266944.

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9

Okulich, Evgeniya, Victor Okulich, and David Tetelbaum. "ESTIMATION OF THE DOSE OF SILICON AMORPHIZATION IN A WIDE RANGE OF ION IMPLANTATION PARAMETERS WITH LIGHT IONS." In International Forum “Microelectronics – 2020”. Joung Scientists Scholarship “Microelectronics – 2020”. XIII International conference «Silicon – 2020». XII young scientists scholarship for silicon nanostructures and devices physics, material science, process and analysis. LLC MAKS Press, 2020. http://dx.doi.org/10.29003/m1579.silicon-2020/133-136.

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Анотація:
There are presented the results of calculating the dose of silicon amorphization by light ions (He+, B+, N+, Si+, and P+) depending on the parameters of ion implantation. A method for calculating the dose of amorphization of silicon in the region of the gate dielectric is proposed.
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Chu, Lizhi, Yang Zhou, Changyu Yan, Deqi Wu, Zheng Yan, Yunlong Zheng, and Yinglong Wang. "The comparison of growing process of nanocrystalline Si films deposited by pulsed laser ablation in He, Ne, and Ar." In SPIE Proceedings, edited by Wei Lu and Jeff Young. SPIE, 2006. http://dx.doi.org/10.1117/12.667693.

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Звіти організацій з теми "He+/Si"

1

Follstaedt, D. M., S. M. Myers, G. A. Petersen, and J. W. Medernach. Cavity formation and impurity gettering in He-implanted Si. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), December 1994. http://dx.doi.org/10.2172/28380.

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2

D., Murdiyarso, and Kauffman J.B. Giai quyet van de thích ung và giam nhe tác dong cua bien doi khí hau o các he sinh thái dam lay nhiet doi In-dô-nê-si-a. Center for International Forestry Research (CIFOR), 2012. http://dx.doi.org/10.17528/cifor/003735.

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