Готові списки джерел за темами / Énergie de la bande interdite

Добірка наукової літератури з теми "Énergie de la bande interdite"

Автор: Grafiati

Опубліковано: 7 липня 2024

Оновлено: 7 липня 2024

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Énergie de la bande interdite".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "Énergie de la bande interdite":

Roncali, J., H. Brisset, C. Thobie-Gautier, M. Jubault, and A. Gorgues. "Polymères conjugués à faible bande interdite dérivés de bithiophènes rigidifiés." Journal de Chimie Physique 92 (1995): 771–74. http://dx.doi.org/10.1051/jcp/1995920771.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Toulouse, B., F. Morales, and S. Rolland. "Variation de l'énergie de la bande interdite de PbTe en fonction de la température." Journal de Physique 46, no. 6 (1985): 959–64. http://dx.doi.org/10.1051/jphys:01985004606095900.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Zou, Q., B. E. Benkelfat, and A. Ramdane. "Relation de type Kramers-Krönig dans une structure à bande interdite photonique périodique et unidimensionnelle." Journal de Physique IV (Proceedings) 119 (November 2004): 293–94. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2004119102.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Roncali, J., C. Thobie-Gautier, H. Brisset, M. Jubault, and A. Gorgues. "La rigidification : une stratégie efficace d'accès à des polymères et oligomères conjugués à faible bande interdite." Journal de Chimie Physique 92 (1995): 767–70. http://dx.doi.org/10.1051/jcp/1995920767.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Provino, Laurent, Achille Monteville, David Landais, Olivier Le Goffic, Adil Haboucha, Thiery Taunay, and David Mechin. "Les fibres microstructurées : 20 ans d’existence et un vaste éventail d’applications." Photoniques, no. 99 (November 2019): 40–44. http://dx.doi.org/10.1051/photon/20199940.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

Les fibres optiques microstructurées, également appelées fibres à trous ou fibres optiques à cristal photonique sont un type récent de guides de lumières originaux et performants apparues dans le milieu des années 1990. Elles se sont depuis imposées comme une technologie incontournable de la photonique moderne. L’originalité première de ce genre de fibre a été de permettre le guidage de la lumière dans un matériau unique grâce à leur structuration périodique. Après une vingtaine d’années de recherche, la gamme possible de structures de ces fibres optiques s’est grandement étoffée, donnant lieu à plusieurs catégories de fibres microstructurées classifiées par type de mécanisme de guidage (par réflexion totale interne, par bande interdite photonique, et par couplage inhibé). Arrivées à maturité aujourd’hui, ces fibres optiques ont démontré au fil des années un potentiel d’applications extrêmement vaste et ce, dans des domaines très variés allant de la défense aux applications biophotoniques, sous la forme de capteurs optiques ou de lasers fibrés de forte puissance.

Safta, Nabil. "Modes des fluctuations de la bande interdite en fonction de la composition en élément d'alliage de Cd1-xZnxS." Annales de Chimie Science des Matériaux 29, no. 5 (September 2004): 105–12. http://dx.doi.org/10.3166/acsm.29.5.105-112.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ben Slimane, Hassane, and Abderrachid Helmaoui. "Etude analytique d’une cellule solaire à hétérojonction p+ (GaAs)/n (AlxGa1-xAs)/N (Al0.4Ga0.6As)." Journal of Renewable Energies 11, no. 2 (June 30, 2008). http://dx.doi.org/10.54966/jreen.v11i2.75.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

Afin de réduire les pertes par recombinaison dans la zone de charge d’espace pour les cellules GaAs, nous proposons une structure p+ (GaAs)/ n (AlxGa1-xAs)/ N (Al0.4Ga0.6As) avec une interface à bande interdite graduelle entre l’émetteur p+ (GaAs) et la base N (Al0.4Ga0.6As). Le courant de recombinaison dans une telle cellule est discuté, ainsi que l’influence de ce courant sur les caractéristiques photovoltaïques. L’épaisseur de la couche à bande interdite graduelle n (AlxGa1- xAs) a été étudié, il est de l’ordre de 800 à 900 Å.

Rivoal, Isabelle, and Marc Armspach. "L’atelier de Marko. Énergie, intention, ambiance et technique(s) : un dessinateur de bande dessinée à l’œuvre." Images du travail, travail des images, no. 14 (February 1, 2023). http://dx.doi.org/10.4000/itti.3882.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Дисертації з теми "Énergie de la bande interdite":

Jacopin, Gwenolé. "Nanofils de semiconducteurs à grande énergie de bande interdite pour des applications optoélectroniques." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00746091.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

Depuis le début des années 2000, une vaste classe de nanofils de nitrures d'éléments III et de ZnO peut être synthétisée avec un excellent contrôle des propriétés de dopage et de composition. La géométrie spécifique de ces nanofils permet de faire croître des hétérostructures radiales et axiales qui ont des propriétés optiques et de transport très avantageuses par rapport aux couches minces. Ces propriétés en font des candidats prometteurs pour la réalisation d'une nouvelle génération de dispositifs plus efficaces (LEDs, photodétecteurs,...). Pour cela, il est indispensable de comprendre les nouveaux effets induits par la géométrie particulière de ces nanostructures : c'est l'objet de cette thèse. Dans une première partie, je présente une étude des propriétés optiques de nanofils de semiconducteurs à grande énergie de bande interdite. J'analyse d'abord l'effet de la contrainte sur les propriétés d'émission des nanofils cœur-coquille GaN/AlGaN. En particulier, je mets en évidence le croisement des bandes de valence et son influence sur les propriétés optiques des nanofils. Ensuite, je me focalise sur l'effet du confinement quantique et les propriétés de polarisation dans les nanofils hétérostructurés de nitrures d'éléments III. Dans une seconde partie, je m'intéresse à la réalisation et à la caractérisation de dispositifs à base de nanofils de nitrures d'éléments III et de ZnO. J'expose tout d'abord la modélisation et l'étude expérimentale de photodétecteurs à ensemble de nanofils en mettant en avant l'influence des états de surface sur leur réponse. Je m'intéresse ensuite aux propriétés de transport dans des nanofils uniques de nitrures d'éléments III hétérostructurés. Je montre, en particulier, que ces hétérostructures sont le siège d'une résistance différentielle négative. Enfin, je présente la réalisation et la caractérisation de photodétecteurs et de LEDs utilisant des nanofils uniques InGaN/GaN cœur-coquille. Un modèle électrique équivalent permet de rendre compte du comportement observé.

El, Kholdi El Mostafa. "Contribution à l'étude des propriétés magnétiques et de transport d'un nouveau semiconducteur semimagnétique à bande interdite de largeur nulle Hg1-xCoxSe." Montpellier 2, 1993. http://www.theses.fr/1993MON20126.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

Le semiconducteur semimagnetique, ii-vi, hg#1##xco#xse, a gap nul, presente un nouvel interet lie a l'existence d'un etat resonnant dans la bande de conduction. Dans ce compose, le cobalt se comporte comme un donneur. Pour une certaine composition, ce niveau est responsable de l'accroissement de la mobilite dans toute la gamme de temperature et peut etre positionne a partir des mesures de transport par rapport au bord de la b. C. Ce phenomene peut etre explique par deux modeles: soit par la creation d'un etat ordonne sous reseau de wigner du a la repulsion coulombienne entre impuretes ionisees, soit en terme d'elargissement ou delocalisation des etats 3d du cobalt. Pour une composition en cobalt x=0. 0087 nous avons mis en evidence une anomalie surprenante de la mobilite, d'un type nouveau. Elle presente un palier entre 10 k et 80 k. Les mesures magnetiques: aimantation et susceptibilite magnetique, nous ont permis de determiner, d'une part la composition en cobalt des echantillons et d'autre part le caractere (ferro ou antiferro) du mecanisme d'echange qui regit leurs interactions. Nous avons essaye de correler l'analyse des phenomenes de transport a celle obtenue a partir des mesures magnetiques

Morais, Andrade Pedro Henrique. "Interactions hôte-invité entre l'iode gazeux et les matériaux de type MOF : dynamique et réactivité." Electronic Thesis or Diss., Université de Lille (2022-....), 2023. http://www.theses.fr/2023ULILR094.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

Ce travail décrit les synthèses et les propriétés de trois familles de matériaux de type MOF (UiO-6x, MIL-125, CAU-1) utilisées pour capturer des molécules d'iode. Une première étude porte sur les complexes de transfert de charge entre les molécules d'iode et les MOFs, et a révélé que les composés UiO-66 à base d'hafnium présentaient une meilleure absorption et transformation de l'iode en I3-. Dans ce cas, un mécanisme impliquant un transfert d'électrons du ligand organique vers l'iode a été proposé. En utilisant des monocristaux de UiO-67(Zr,Hf)_NH2 et en tirant parti de l'effet de résonance Raman, la plus grande stabilité de l'espèce I3- a été mise en évidence par la réalisation de cartographies Raman. Il a été démontré que la taille des cristaux affecte de manière significative la cinétique d'adsorption de l'iode. Par rapport à leur analogue structurel à base d'aluminium, les MOFs MIL-125(Ti) et MIL-125(Ti)_NH2 présentent une cinétique d'adsorption de l'iode plus rapide en raison d'une séparation plus efficace des charges. Dans ce cas, les expériences de désorption thermique ont montré la stabilité des espèces I3-, en particulier en présence de groupes -NH2. De plus, contrairement à ce qui est observé pour les MOF à base de zirconium et d'hafnium, l'influence du titane dans le mécanisme d'adsorption et de réduction de I2 est mise en évidence par un changement de l'état d'oxydation des cations Ti4+. L'énergie de la bande interdite des matériaux MOF ayant un effet sur les complexes de transfert de charge impliqués dans le mécanisme de réaction pour différents systèmes I2@MOF, une combinaison de méthodologies a été proposée pour déterminer les énergies et les types de bande interdite en utilisant uniquement des données obtenues par spectroscopie UV-Vis en réflexion diffuse. L'étude souligne comment le confinement dans des matériaux poreux peut modifier les propriétés et les mécanismes de stabilisation, influençant l'adsorption et la réactivité
This work describes the synthesis and properties of three families of MOF materials (UiO-6x, MIL-125, CAU-1) used to trap iodine molecules. A first study investigates charge transfer complexes between iodine molecules and MOF frameworks upon adsorption, finding that hafnium-based UiO-66 compounds showed enhanced iodine uptake and transformation into I3-. In this case, a mechanism involving electron transfer from the organic linker to iodine was proposed. Using single crystals of UiO-67(Zr,Hf)_NH2 and taking advantage of Raman resonance effect, the higher stability of the I3- species was put forward by performing Raman mapping. Crystal size was shown to significantly affect iodine adsorption kinetics. In comparison to their aluminum-based structural analogue, MIL-125(Ti) and MIL-125(Ti)_NH2 MOFs demonstrated faster iodine adsorption kinetics due to efficient charge separation. In this case, thermal desorption experiments showed the stability of I3- species, particularly in the presence of -NH2 groups. Moreover, contrary to what is observed for zirconium and hafnium-based MOFs, the influence of titanium in the adsorption and reduction mechanism of I2 is highlighted through a change of the Ti4+ cations' oxidation state. As the band gap energy of MOF materials exhibited an effect over the charge transfer complexes involved in the reaction mechanism for different I2@MOF systems, a combination of methodologies was proposed to determine band gap energies and types using only diffuse reflectance UV-Vis data. The study emphasizes how confinement in porous materials can alter properties and stabilization mechanisms, influencing adsorption and reactivity

Loucif, Abdelhalim. "Caractérisation photoélectrochimique des oxydes formés sur alliages base nickel en milieu primaire des réacteurs à eau pressurisée." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00842998.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

Dans cette thèse, nous nous sommes intéressés aux propriétés semi-conductrices des oxydes formés sur les alliages base nickel en milieu primaire des REP. L'objectif étant de mettre en évidence les effets de la pression partielle en hydrogène, de la nature de l'alliage et de l'état de surface sur les types de semi-conductions et les énergies de bandes interdites. La technique photoélectrochimique a été employée pour caractériser ces propriétés semi-conductrices. D'autres techniques de caractérisation complémentaires ont été également utilisées telles que le MEB-FEG, la diffraction des rayons X, la spectroscopie Raman et l'XPS. Les essais de corrosion ont été effectués en milieu primaire simulé (autoclave en titane, température 325°C, durée 500 heures). Des échantillons d'alliages 600 et 690 de polissage 1 µm diamant, ont été oxydés aux P(H2) < 0,01 ; 0,3 et 6,5 bar. L'état de surface ne concernait que l'alliage 600 oxydé à P(H2) = 0,3 bar. Nous avons utilisé une nouvelle méthode d'ajustement numérique pour la détermination des gaps. Les résultats obtenus montrent que seule la pression d'hydrogène affecte le type de semi-conduction des oxydes présentés par les hautes énergies, il passe du type-n (P(H2) < 0,01) en type proche de l'isolant (P(H2) = 0,3 et 6,5 bar). Un comportement du type-n a été enregistré à basse énergie quels que soit les paramètres d'étude. Les énergies de bande interdites des oxydes NiO, Cr2O3 et NiFe2O4 ont été révélées.

Raymond, Stéphane. "Excitations de basse énergie dans les fermions lourds par diffusion inélastique des neutrons." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10103.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

La technique de diffusion inelastique des neutrons a ete utilisee pour caracteriser le spectre des excitations magnetiques de basse energie dans les composes a electrons fortement correles cenisn, ce#1#-#xla#xru#2si#2 et ceru#2ge#2. Cenisn est un compose kondo semimetallique dont le spectre des excitations magnetiques est compose de deux modes d'energie 2 et 4 mev et respectivement piques au centre et bord de zone de brillouin. L'application d'un champ magnetique met en evidence la nature differente de ces modes : le premier se deplace vers les plus hautes energies et la reponse du second s'elargit. Les modeles de gap d'hybridation particularises pour ce compose permettent de relier le mode a 4 mev aux proprietes macroscopiques observees. La dynamique des moments magnetiques pres d'une instabilite magnetique a ete etudiee dans le compose ce#1##xla#xru#2si#2 avec x = 0. 075. De facon surprenante, un ordre magnetique non conventionnel a ete mis en evidence (m = 0. 02 #b et t#n = 1. 8 k). La dynamique de spin par rapport au compose pur a ete reliee, grace a la theorie des fluctuations de spin de moriya, aux mesures macroscopiques. L'application d'un champ magnetique sur le compose ceru#2si#2 met en evidence le changement de la reponse dynamique du systeme de part et d'autre de la transition pseudometamagnetique. La reponse quasielastique et a courte portee a bas champ est remplacee par un ordre statique a longue distance en champ fort (h = 12 t). Dans ce contexte, la phase antiferromagnetique du compose ferromagnetique ceru#2ge#2 a ete caracterisee. Il existe alors une analogie entre ce compose sous sa temperature de curie et ceru#2si#2 au dessus du champ metamagnetique.

Sall, Mamour. "Irradiation par des ions de grande énergie de semiconducteurs III-N (AlN, GaN, InN) : création de défauts ponctuels et étendus." Phd thesis, Université de Caen, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00936879.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

Les matériaux semiconducteurs III N (AlN, GaN, InN) présentent des propriétés intéressantes pour la micro et l'opto-électronique. Ils peuvent être soumis à différents types d'irradiation dans une large gamme d'énergie de projectile. Dans l'AlN, initialement considéré insensible aux excitations électroniques (Se), nous avons mis en évidence une synergie inédite entre Se et les chocs nucléaires (Sn) pour la création de défauts absorbants à 4.7 eV. Par ailleurs, un autre effet du Se est mis en évidence dans l'AlN : les dislocations vis subissent, sous l'effet du Se, une montée aux fortes fluences d'irradiation. Dans le GaN, deux mécanismes de création peuvent être à l'origine des défauts absorbants à 2.8 eV: une synergie entre Se et Sn, ou une création uniquement due à Sn mais avec un fort effet de la taille des cascades de déplacement. L'étude, par MET, des effets de Se dans les trois matériaux, montre un comportement très différent d'un matériau à l'autre bien qu'ils appartiennent à la même famille des nitrures avec la même structure atomique. Sous irradiation aux ions monoatomiques (vitesse entre 0.4 et 5 MeV/u), tandis que l'on observe des traces discontinues dans le GaN et l'InN, aucune trace n'est observée dans l'AlN avec le plus fort pouvoir d'arrêt électronique (33 keV/nm). Il faut des fullerènes pour observer des traces dans l'AlN. Le modèle de la pointe thermique inélastique a permis de calculer les énergies nécessaires pour produire des traces dans l'AlN, le GaN et l'InN, elles sont respectivement de 4.2 eV/atome, 1.5 eV/atome et 0.8 eV/atome. Cette différence de sensibilité aux effets de Se, se retrouve également aux fortes fluences d'irradiation.

Mafouana, Rodrigue Roland. "Elaboration des matériaux à bande interdite photonique." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2006. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2006/MAFOUANA_Rodrigue_Roland_2006.pdf.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

Ce travail porte sur la réalisation de matériaux à bandes interdites photoniques (BIP) dans le domaine du visible à base d’opales artificielles. La première phase que nous abordé a été l’élaboration des opales et plus particulièrement la préparation de suspensions colloïdales par la méthode de Stöber. Pour obtenir une auto-organisation des particules de silice de bonne qualité nous avons travaillé à l’affinement de la distribution en taille des particules de silice. Nous avons montré que pour notre dispositif opératoire il est nécessaire que les réactifs soient purifiés et thermostatés à 40°C puis que la réaction soit menée sous agitation moyenne (500 tr. Min-1). Les suspensions colloïdales sont stabilisées par extraction des particules et remises en suspension dans l’eau puis par chauffage à 120°C/30min. La structure interne des particules de silice montre une nanoporosité. Les opales ont été élaborées par électrosédimentation et consolidées à 950°C. Les propriétés optiques optimales, réflectivité maximale, ont été obtenues pour un recuit de 4 heures. La deuxième partie de ce travail a porté sur l’utilisation d’opales de silice comme préforme pour infiltrer le réseau poreux et construire des opales inverses plus prometteuses en terme de matériau photonique. Nous avons infiltré les opales précédentes par des matériaux à fort indice (TiO2, ZrO2, Métaux magnétiques, Or) soit par imprégnations successives soit par électro-cristallisation. C’est la deuxième méthode qui a donné des résultats les plus satisfaisants. La troisième partie de ce travail concerne la mise au point d’une méthode l’élaboration de cristaux photoniques par dépôt de nappes successives de particules. Des monocouches de bonnes qualités ont été obtenues avec des suspensions colloïdales contenant entre 5,5 et 9 mol. L-1 de silice sous la forme de particules d’environ 300nm et une vitesse d’extraction de 11,5 mm. Min-1. Ces méta-cristaux bidimensionnels de symétrie hexagonale montrent une bonne efficacité de diffraction. Par contre la qualité des couches suivantes se dégrade rapidement. La stabilité mécanique et la grande qualité de la structuration des monocouches de billes de silice sur ces substrats a rendu possible leur utilisation pour la nanostructuration 2D de plots métalliques et la réalisation d’un laser à réaction distribuée
The first phase of the project was the development of the opals, particularly the preparation of colloid suspensions by the Stöber reaction. To achieve self-organization of the silica particles with a good quality, we worked on the refinement of the size distribution of the silica particles. We showed that, for our operational device, it is necessary for the reagents to be purified and moderated at 40°C then that the reaction is carried out under moderate agitation (500 tr. Min-1). The colloidal suspensions are stabilized by extraction of the particles and handing-over in suspension in water then by heating with 120°/30 min. The colloidal spheres internal structure shows nanoporosity. The opals were worked out by electrosedimentation and were consolidated at 950°C. The optimal optical properties, maximum reflectivity, were obtained for a 4 hours annealing. The second part of this work consisted in using the silica opal as preforms to infiltrate the porous network and to build inverse opals more promising in term of photonic crystals. We infiltrated the previous opals with materials having a strong index (TiO2, ZrO2, magnetics metals, Au) either by successive infiltrations cycles or by electrocrystallization. The second method gave the most satisfying results. The third part of this work is related to the development of a method to elaborate photonic crystal by depositing successive monolayers of silica particles. On a substrate good quality monolayers were obtained with colloidal suspensions containing between 5. 5 and 9 M of silica in the form of particles of approximately 300 nm and a speed of extraction of 11,5 mm. Min-1. These two-dimensional meta-crystals of hexagonal symmetry show a good of diffraction yield. On the other hand the quality of the following layers degrades quickly. The mechanical stability and great structure quality of the monolayer of silica balls on these substrates made possible their use for the 2D nanostructuration of metal studs and the realization of the DFB laser

Mafouana, Rodrigue Roland Estournes Claude Rehspringer Jean-Luc. "Elaboration des matériaux à bande interdite photonique." Strasbourg : Université Louis Pasteur, 2006. http://eprints-scd-ulp.u-strasbg.fr:8080/531/01/MAFOUANA2006.pdf.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Chauvet-Guibert, Catherine. "Croissance et caractérisation d'hétérostructures ZnBeSe à large bande interdite." Nice, 2001. http://www.theses.fr/2001NICE5596.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

Des efforts de recherche se sont récemment développés sur une nouvelle famille de semi-conducteurs II-VI à large bande interdite: les chalcogénures de Béryllium. Ces matériaux sont intéressant à plusieurs titres. Le caractère covalent marqué des BeX leur confère une grande rigidité élastique, ce qui est favorable à l'augmentation la durée de vie des dispositifs basés sur ces matériaux. Les alliages Zn(Mg)BeSe peuvent également être épitaxiés en accord de maille sur plusieurs substrats commerciaux comme GaAs, Si, GaP. De plus, il existe très peu de données expérimentales concernant cette famille de matériaux. L'étude des propriétés physiques des BeX présente donc un intérêt fondamental évident. Ce mémoire traite plus particulièrement de l'élaboration et des caractérisations des hétérostructures ZnBeSe. Dans le cas de la croissance de Be(Zn)Se sur Si, nous avons montré que la réactivité des espèces à l'interface joue un rôle primordial pour la qualité de la relation epitaxiale. Nous observons toujours une nucléation 3D même pour un alliage accordé, ce qui est certainement dû à une trop forte affinité chimique entre Si et Se. Par la suite, nous avons réalisé les premières croissances de ZnBeSe sur GaP. Nous obtenons une bien meilleure qualité cristalline que sur Si. Enfin, nous nous sommes attachés à étudier les propriétés intrinsèques du ternaire ZnBeSe. Les variations du gap direct de l'alliage ont été mesurées pour la première fois sur toute la gamme de composition. L'étude des propriétés optiques de ZnBeSe nous a alors permis de mettre en évidence la transition gap direct indirect pour une composition de 46%Be. Les énergies de phonons LO et TO ont également été mesurées par spectroscopie Raman
Recently, a new family of II-VI wide band gap compounds which is the Be chalcogenides came under focus. These materials are interesting for several reasons. They exhibit a high covalence bonding, which could be positive for increasing the life time of devices based on these materials. Zn(Mg)BeSe allows can also be grown lattice-matched to several commercial substrates like GaAs, Si, GaP. Furthermore, very few experimental data are available on Be-Compounds. Thus the study of BeX physical properties is of fundamental interest. This work deals more particularly with the growth and characterization of ZnBeSe heterostructures. In order to achieve a good epitaxy of ZnBeSe onto silicon, we have shown that the main difdficulty is the reactivity between the components at the interface. We have always obtained a 3D nucleation even for a lattice-matched alloy, which is probably due to a strong affinity between Si and Se. Afterwards, we have realized the first growth of ZnBeSe on GaP substrate. We have achieved a much better crystalline quality than onto Silicon. Finally, we have studied the physical properties of ZnBeSe ternary alloys. The variations of the direct gap have been measured for the first time over the whole composition. This allows to evidence the position of the direct to indirect gap cross-over in the alloy at 46% Be. Phonon LO and TO energies has also been determined by Raman spectroscopy

Pointereau, Elisa. "Etude d’antennes à bande interdite électromagnétique omnidirectionnelles en azimut." Limoges, 2007. https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/ea821a8e-a360-4ebf-820d-e7199f62be6e/blobholder:0/2007LIMO4013.pdf.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

Cette thèse, menée en collaboration avec le groupe RADIALL, est consacrée à l’étude d’antennes de station de base conçues à partir de matériaux à bande interdite électromagnétique (BIE) présentant un diagramme de rayonnement omnidirectionnel en azimut et à fort gain. Les structures envisagées sont au nombre de deux : l’antenne cylindrique et l’antenne coaxiale possédant une âme centrale métallique. Après avoir présenté les sources d’excitation ainsi que les matériaux BIE diélectriques et métalliques, des abaques ont été proposés pour faciliter la conception. Des techniques d’amélioration des performances ont permis d’augmenter la directivité, d’élargir la bande passante en rayonnement et enfin d’adapter les antennes. Deux prototypes d’antenne ont été réalisés. Les performances obtenues ont alors été comparées à une technologie concurrente : les réseaux de dipôles. Enfin, d’autres polarisations d’antennes omnidirectionnelles ont été étudiées. Une antenne en polarisation horizontale a été réalisée et a permis de confirmer avec succès le fonctionnement théorique. La double polarisation et la polarisation circulaire ont simplement été simulées compte tenu de la complexité de la structure
This thesis, managed with the RADIALL group, is dedicated to the study of base station antennas conceived with electromagnetic band gap (EBG) materials. These structures boast an omnidirectional radiation pattern in the azimuth plane with a high gain. Two structures have been considered: the cylindrical antenna and the coaxial antenna with a metallic center core. After having presented the sources of excitation as well as dielectric and metallic EBG materials, abacuses have been purposed to facilitate the design. Performances improvement techniques made it possible to increase the directivity, to widen the radiation bandwidth and finally to match the antennas. Two antenna prototypes have been realized. The experimental performances have then been compared to a competitive technology: dipole arrays. Lastly, other polarizations have been studied. An antenna in horizontal polarization has been realized which measurement successfully confirmed the theoretical functioning. Double polarization and circular polarization have only been simulated due to the structure complexity

Більше джерел

Книги з теми "Énergie de la bande interdite":

1921-, Bhargava Rameshwar Nath, ed. Properties of wide bandgap II-VI semiconductors. London, U.K: INSPEC, Institute of Electrical Engineers, 1997.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

J, Pearton S., ed. Wide bandgap semiconductors: Growth, processing and applications. Park Ridge, N.J: Noyes Publications, 2000.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

1936-1984, McMillan William L., Hutiray Gy, So lyom J, and International Conference on Charge Density Waves in Solids (1984 : Budapest, Hungary)., eds. Charge density waves in solids: Proceedings of the International Conference held in Budapest, Hungary, September 3-7, 1984. Berlin: Springer-Verlag, 1985.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

F, Mott N. Conduction in non-crystalline materials. Oxford: Clarendon Press, 1987.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

F, Mott N. Conduction in non-crystalline materials. 2nd ed. Oxford: Clarendon Press, 1993.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

NATO Advanced Research Workshop on Narrow-Band Phenomena--Influence of Electrons with Both Band and Localized Character (1987 Staverden, Netherlands). Narrow-band phenomena--influence of electrons with both band and localized character. New York: Plenum Press, 1988.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Reno, J. L. Narrow Gap Semiconductors 1995: Proceedings of the Seventh International Conference on Narrow Gap Semiconductors, Santa Fe, New Mexico, 8-12 January 1995 (Institute of Physics Conference Series). Taylor & Francis, 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Bhargava, Ramesh. Properties of Wide Bandgap Ii-VI Semiconductors (E M I S Datareviews Series). Institution of Electrical Engineers, 1997.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Litvinov, Vladimir. Wide Bandgap Semiconductor Spintronics. Jenny Stanford Publishing, 2016.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Litvinov, Vladimir. Wide Bandgap Semiconductor Spintronics. Taylor & Francis Group, 2016.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Більше джерел