Добірка наукової літератури з теми "Charge transfer device"
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Статті в журналах з теми "Charge transfer device"
Deters, R. A., and R. L. Gutshall. "Charge transfer device star tracker applications." Journal of Guidance, Control, and Dynamics 10, no. 1 (January 1987): 97–103. http://dx.doi.org/10.2514/3.20186.
Повний текст джерелаSweedler, Jonathan V., Robert B. Bilhorn, Patrick M. Epperson, Gary R. Sims, and M. Bonner Denton. "High-performance charge transfer device detectors." Analytical Chemistry 60, no. 4 (February 15, 1988): 282A—291A. http://dx.doi.org/10.1021/ac00155a002.
Повний текст джерелаTouron, Pierre, Francois Roy, Pierre Magnan, Olivier Marcelot, Stephane Demiguel, and Cedric Virmontois. "Capacitive Trench-Based Charge Transfer Device." IEEE Electron Device Letters 41, no. 9 (September 2020): 1388–91. http://dx.doi.org/10.1109/led.2020.3014431.
Повний текст джерелаOnlaor, Korakot, S. Khantham, B. Tunhoo, T. Thiwawong, and J. Nukeaw. "Charge Transfer Mechanism in Organic Memory Device." Advanced Materials Research 93-94 (January 2010): 235–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.93-94.235.
Повний текст джерелаLeNoble, M., J. V. Cresswell, and R. R. Johnson. "Two-phase GaAs cermet-gate charge-coupled devices." Canadian Journal of Physics 69, no. 3-4 (March 1, 1991): 224–28. http://dx.doi.org/10.1139/p91-037.
Повний текст джерелаvan Niekerk, Daniel, and Pitshou Bokoro. "A Durability Model for Analysis of Switching Direct Current Surge Degradation of Metal Oxide Varistors." Electronics 11, no. 9 (April 22, 2022): 1329. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11091329.
Повний текст джерелаPeng, Zhang Zhu, and Bo Yin. "Research on Human Implantable Wireless Energy Transfer System." Applied Mechanics and Materials 624 (August 2014): 405–9. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.624.405.
Повний текст джерелаWatson, C. P., and D. M. Taylor. "Demonstration of interfacial charge transfer in an organic charge injection device." Applied Physics Letters 99, no. 22 (November 28, 2011): 223304. http://dx.doi.org/10.1063/1.3665190.
Повний текст джерелаDavidson, D. A., and O. Berolo. "GaAs charge-coupled devices." Canadian Journal of Physics 67, no. 4 (April 1, 1989): 225–31. http://dx.doi.org/10.1139/p89-040.
Повний текст джерелаTian, Hai Chuan, Feng Xu, Guo Li Yang, and Teng Fei Wu. "The Heat Charge and Discharge Characteristics Simulation of Phase Change Thermal Storage Device." Advanced Materials Research 179-180 (January 2011): 239–42. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.179-180.239.
Повний текст джерелаДисертації з теми "Charge transfer device"
Beggs, Bruce Cameron. "Optical charge injection into a gallium arsenide acoustic charge transport device." Thesis, University of British Columbia, 1987. http://hdl.handle.net/2429/26681.
Повний текст джерелаApplied Science, Faculty of
Electrical and Computer Engineering, Department of
Graduate
Tsung, Ka Kin. "Transport and device application of triarylamine-based organic semiconductor." HKBU Institutional Repository, 2009. http://repository.hkbu.edu.hk/etd_ra/1013.
Повний текст джерелаSweedler, Jonathan VanSyckle. "The use of charge transfer device detectors and spatial interferometry for analytical spectroscopy." Diss., The University of Arizona, 1989. http://hdl.handle.net/10150/184683.
Повний текст джерелаFaist, Mark Anton. "Spectroscopic studies of the charge transfer state and device performance of polymer:fullerene photovoltaic blends." Thesis, Imperial College London, 2012. http://hdl.handle.net/10044/1/11191.
Повний текст джерелаBaker, Mark Edwin. "Spatial and spectroscopic imaging for chemical analysis utilizing scientifically operated charge transfer device array detectors." Diss., The University of Arizona, 1994. http://hdl.handle.net/10150/186603.
Повний текст джерелаPlanells, Dillundé Miquel Angel. "Design and synthesis of organic sensitizers for dye solar cells: molecular structure vs device performance." Doctoral thesis, Universitat Rovira i Virgili, 2010. http://hdl.handle.net/10803/9054.
Повний текст джерелаThe present thesis focuses on the synthesis of organic chromophores as well as their use in optoelectronic devices, particulary in Dye Sensitized Solar Cells (DSSC). This kind of solar cell is based on a photoactive unit, a dye, anchored to a nanostructured metal-oxide semiconductor, usually TiO2, in a redox electrolyte media and sandwiched between two contact electrodes. In DSSC devices, each component (semiconductor, sensitizer and electrolyte) plays an important role in determining the final device efficiency, in a large part due to the charge transfer processes that take place at the TiO2/dye/electrolyte interface. Therefore, these charge transfer kinetics were studied using porphyrins, perylenes and donor - - acceptor organic dyes in order to understand and establish a relationship between the molecular structure and the device performance. Improved understanding of this relationship is crucial for improved molecular design of future dyes for DSSC.
Körner, Christian. "Oligothiophene Materials for Organic Solar Cells - Photophysics and Device Properties." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2013. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-121509.
Повний текст джерелаDer rasante Anstieg des Wirkungsgrads von organischen Solarzellen über die Marke von 10% war nur durch länderübergreifende Forschungsaktivitäten während der letzten Jahre möglich. Trotz der gemeinsamen Anstrengungen, die Prozesse, die zwischen der Absorption der Photonen und der Ladungsträgererzeugung liegen, genauer zu verstehen, sind einige Fragen jedoch immer noch ungelöst, z.B. wie diese Prozesse schon auf dem Reißbrett durch die gezielte Änderung bestimmter Molekülstrukturen optimiert werden können. Um dieses Ziel zu erreichen, werden in dieser Arbeit Dicyanovinyl-substituierte Oligothiophene (DCVnTs) verwendet. Diese Materialien bieten die Möglichkeit, kleine strukturelle Änderungen vorzunehmen, deren Einfluss auf die molekularen und auf die Solarzelleneigenschaften untersucht werden soll. Der Einfluss der Messtemperatur auf den Prozess der Ladungsträgertrennung wird hier an einer methylierten DCV4T-Verbindung in einer dünnen Schicht untersucht. Die bei photoinduzierter Absorptionsspektroskopie (PIA) beobachtete Aktivierung dieses Prozesses mit zunehmender Temperatur wird auf eine erhöhte Ladungsträgerbeweglichkeit zurückgeführt. Der dadurch erhöhte effektive Abstand der Ladungen an der Grenzfläche zwischen Donator (D) und Akzeptor (A) erleichtert die endgültige Trennung der Ladungsträger. Durch den Vergleich mit einer DCV6T-Verbindung wird der Zusammenhang zwischen der Aktivierungsenergie und der Beweglichkeit bekräftigt. Die kleinere Beweglichkeit äußert sich dabei in einer größeren Aktivierungsenergie. Darüber hinaus kann der Ladungsträgergenerationsprozess auch von der Molekülstruktur abhängen. In dieser Arbeit wird untersucht, wie sich die Länge von Alkylseitenketten auf die Energieniveaus der Moleküle, aber auch auf die Absorptions- und Lumineszenzeigenschaften der Materialien in reinen und in Mischschichten mit dem Akzeptor C60 äußert. Die ermittelten Unterschiede bezüglich der Molekülordnung (geordneter für kürzere Seitenketten) und der Phasengrößen in Mischschichten (größere Phasen bei kürzerer Kettenlänge) werden in der Untersuchung der Temperaturabhängigkeit der Lebensdauer von Triplettexzitonen mittels PIA-Messungen bestätigt. Für Solarzellen ist von Bedeutung, ob sich die Seitenkettenlänge auf die Wechselwirkung zwischen D und A auswirkt. Der vermutete Zusammenhang wird hier nicht bestätigt. Ein ähnlicher Photostrom für alle untersuchten Verbindungen in Solarzellen mit planaren Heteroübergängen unterstreicht diese Schlussfolgerung. Unterschiede im Wirkungsgrad werden auf Änderungen der Energieniveaus und die Morphologie in Mischschichtsolarzellen zurückgeführt. Des Weiteren wird in einer Machbarkeitsstudie der Einfluss des elektrischen Felds auf die Generationsausbeute freier Ladungsträger untersucht. Dafür werden halbtransparente Solarzellen verwendet, die es ermöglichen, PIA-Messungen in Transmissionsgeometrie durchzuführen. Als mögliche Erklärung für das Auftreten zweier Rekombinationskomponenten in der Analyse des Rekombinationsverhaltens der durch Licht erzeugten Ladungsträger werden eingefangene Ladungsträger und gebundene Ladungsträgerpaare an der D/A-Grenzfläche genannt. Das Mischverhalten von D und A kann durch ein Heizen des Substrates während des Verdampfungsprozesses eingestellt werden, was von entscheidender Bedeutung für eine weitere Steigerung des Wirkungsgrades ist. Für DCV4T:C60-Mischschichtsolarzellen wird jedoch eine Verschlechterung des Wirkungsgrads zu höheren Substrattemperaturen beobachtet. Durch optische Messungen und Methoden zur Schichtstrukturbestimmung wird dieser Effekt auf eine Umordnung der DCV4T-Kristallite für hohe Substrattemperaturen und die damit verbundene Verringerung der Absorption und damit auch des Photostroms zurückgeführt. Bei einer Substrattemperatur von 90° C sind die D- und A-Komponenten fast vollständig entmischt. Dieses Beispiel ist von besonderer Bedeutung, weil hier die Ursachen für ein Verhalten aufgezeigt werden, das entgegen den Beispielen aus der Literatur eine Abnahme des Wirkungsgrads beim Aufdampfen der aktiven Schicht auf ein geheiztes Substrat zeigt. Schließlich werden die Optimierungsschritte dargelegt, mit denen Solarzellen mit einer DCV5T-Verbindung als Donatormaterial auf einen Rekordwirkungsgrad von 7,7% gebracht werden. Dabei wird die Substrattemperatur, die Dicke der aktiven Schicht und die Transportschichten angepasst
Lefebvre, Stéphane. "Contribution à la caractérisation de l'IGBT en commutation à zéro de courant." Cachan, Ecole normale supérieure, 1994. http://www.theses.fr/1994DENS0009.
Повний текст джерелаEbenhoch, Bernd. "Organic solar cells : novel materials, charge transport and plasmonic studies." Thesis, University of St Andrews, 2015. http://hdl.handle.net/10023/7814.
Повний текст джерелаBILHORN, ROBERT BYERS. "ANALYTICAL SPECTROSCOPIC CAPABILITIES OF OPTICAL IMAGING CHARGE TRANSFER DEVICES." Diss., The University of Arizona, 1987. http://hdl.handle.net/10150/184186.
Повний текст джерелаКниги з теми "Charge transfer device"
Miller, Robert L. Acoustic charge transport: Device technology and applications. Boston: Artech House, 1992.
Знайти повний текст джерелаSchroeder, Dietmar. Modelling of interface carrier transport for device simulation. Wien: Springer-Verlag, 1994.
Знайти повний текст джерелаV, Sweedler Jonathan, Ratzlaff Kenneth L, and Denton M. Bonner, eds. Charge-transfer devices in spectroscopy. New York: VCH, 1994.
Знайти повний текст джерелаJerome, Joseph W. Analysis of charge transport: A mathematical study of semiconductor devices. Berlin: Springer-Verlag, 1996.
Знайти повний текст джерелаItaly) International Conference on "Mass and Charge Transport in Inorganic Materials: Fundamentals to Devices" (2000 Venice. Mass and charge transport in inorganic materials: Fundamentals to devices : proceedings of the International Conference on "Mass and Charge Transport in Inorganic Materials: Fundamentals to Devices", Lido di Jesolo, Venice, Italy, May 28- June 2, 2000. Faenza (Ravenna): Techna, 2000.
Знайти повний текст джерелаSiebbeles, Laurens D. A., and Ferdinand Cornelius Grozema. Charge and exciton transport through molecular wires. Weinheim: Wiley-VCH, 2010.
Знайти повний текст джерелаBali͡akin, I. A. Pribory s perenosom zari͡ada v radiotekhnicheskikh ustroĭstvakh obrabotki informat͡sii. Moskva: "Radio i svi͡azʹ", 1987.
Знайти повний текст джерелаHerrmann, Martin. Charge loss modeling for EPROMs with ONO interpoly dielectric. Konstanz, [Germany]: Hartung-Gorre Verlag, 1994.
Знайти повний текст джерелаYing-quan, Peng, ed. Charge carrier transport in organic semiconductor thin film devices. New York: Nova Science Publishers, 2008.
Знайти повний текст джерелаKrumbein, Ulrich. Simulation of carrier generation in advanced silicon devices. Konstanz: Hartung-Gorre, 1996.
Знайти повний текст джерелаЧастини книг з теми "Charge transfer device"
Tamuliene, J., M. L. Balevicius, A. Tamulis, and V. Tamulis. "Charge Transfer in Molecular Logical Device Possessing Different Molecular Bridges." In Organic Nanophotonics, 73–79. Dordrecht: Springer Netherlands, 2003. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-010-0103-8_7.
Повний текст джерелаChen, Yajie, Steve Hall, Liam McDaid, Octavian Buiu, and Peter Kelly. "A Silicon Synapse Based on a Charge Transfer Device for Spiking Neural Network Application." In Advances in Neural Networks - ISNN 2006, 1366–73. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2006. http://dx.doi.org/10.1007/11760191_198.
Повний текст джерелаRudan, Massimo, Susanna Reggiani, and Giorgio Baccarani. "MOS Capacitors, MOS Transistors, and Charge-Transfer Devices." In Springer Handbook of Semiconductor Devices, 331–69. Cham: Springer International Publishing, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-79827-7_10.
Повний текст джерелаMiller, Adam D., Matthieu Gervais, Jai Krishnamurthy, Leon Dyers, Xiaobing Zhu, Ravindra Potrekar, Xin Fei, Adam Weber, and John B. Kerr. "Polymer Materials for Charge Transfer in Energy Devices." In Polymers for Energy Storage and Delivery: Polyelectrolytes for Batteries and Fuel Cells, 165–74. Washington, DC: American Chemical Society, 2012. http://dx.doi.org/10.1021/bk-2012-1096.ch010.
Повний текст джерелаFassl, Matthias, Michaela Neumayr, Oliver Schedler, and Katharina Krombholz. "Transferring Update Behavior from Smartphones to Smart Consumer Devices." In Computer Security. ESORICS 2021 International Workshops, 357–83. Cham: Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-95484-0_21.
Повний текст джерелаWang, Zuowei, Hong Zhang, Dongchao Liu, Shiping E., Kanjun Zhang, Haitao Li, Hengxuan Li, and Zhigang Chen. "New Principle of Fault Data Synchronization for Intelligent Protection Based on Wavelet Analysis." In Proceeding of 2021 International Conference on Wireless Communications, Networking and Applications, 850–61. Singapore: Springer Nature Singapore, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-19-2456-9_87.
Повний текст джерелаCurran, James, and Mike Fray. "An Efficiency Evaluation of Different Hoisting Devices to Complete Three Frequent Patient Transfers." In Health and Social Care Systems of the Future: Demographic Changes, Digital Age and Human Factors, 37–45. Cham: Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-24067-7_5.
Повний текст джерелаVoigt, Immanuel, Axel Fickert, Hajo Wiemer, and Welf-Guntram Drossel. "Experimental Investigation of Passive Thermal Error Compensation Approach for Machine Tools." In Lecture Notes in Production Engineering, 265–77. Cham: Springer International Publishing, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-34486-2_19.
Повний текст джерелаFarías, Oscar, Pablo Cornejo, Cristian Cuevas, Jorge Jimenez, Meylí Valín, Claudio Garcés, and Sebastian Gallardo. "Design of a Condensing Heat Recovery Integrated with an Electrostatic Precipitator for Wood Heaters." In Proceedings of the XV Ibero-American Congress of Mechanical Engineering, 210–16. Cham: Springer International Publishing, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-38563-6_31.
Повний текст джерелаMonazzah, Amir Mahdi Hosseini, Amir M. Rahmani, Antonio Miele, and Nikil Dutt. "Exploiting Memory Resilience for Emerging Technologies: An Energy-Aware Resilience Exemplar for STT-RAM Memories." In Dependable Embedded Systems, 505–26. Cham: Springer International Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-52017-5_21.
Повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "Charge transfer device"
Harshitha, H. M., Sricharan Sureshkumar, Sheryl Stacey A, Syed Ismail Zabiulla, and R. Ravi Kumar. "Wireless Power Transfer to Charge Low Power Device." In 2021 International Conference on Design Innovations for 3Cs Compute Communicate Control (ICDI3C). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/icdi3c53598.2021.00021.
Повний текст джерелаHall, David J., Andrew Holland, Neil Murray, Jason Gow, and Andrew Clarke. "Modelling charge transfer in a radiation damaged charge coupled device for Euclid." In SPIE Astronomical Telescopes + Instrumentation, edited by Andrew D. Holland and James W. Beletic. SPIE, 2012. http://dx.doi.org/10.1117/12.925394.
Повний текст джерелаSingh, V., H. Inokawa, and H. Satoh. "Low-Frequency Noise in MOSFET-based Charge-Transfer Device." In 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2009. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2009.p-9-4.
Повний текст джерелаHiller, W. J., and T. A. Kowalewski. "Application Of The Frame-Transfer Charge-Coupled Device For High Speed Imaging." In 18th Intl Congress on High Speed Photography and Photonics, edited by DaHeng Wang. SPIE, 1989. http://dx.doi.org/10.1117/12.969201.
Повний текст джерелаNongthombam, Sumitra, Sayantan Sinha, Naorem Aruna Devi, Sadhna Rai, Rabina Bhujel, W. Ishwarchand Singh, and Bibhu Prasad Swain. "Charge Transfer Mechanism of Gallium Nitrite/Reduced Graphene Oxide (GaN/rGO) Nanocomposite." In 2020 IEEE VLSI Device Circuit and System (VLSI DCS). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.1109/vlsidcs47293.2020.9179877.
Повний текст джерелаNeubert, William J., Jim L. McGarvey, and George F. Green. "Measurement of bifocal intraocular lens modulation transfer function using a charge-coupled device." In OE/LASE '94, edited by Donn M. Silberman. SPIE, 1994. http://dx.doi.org/10.1117/12.176830.
Повний текст джерелаDenton, M. Bonner. "Present and future roles of high-performance charge transfer device detectors in spectrochemical analysis." In Spectroscopy '90, 4-6 June, Los Cruces, edited by Bernard J. McNamara and Jeremy M. Lerner. SPIE, 1990. http://dx.doi.org/10.1117/12.22099.
Повний текст джерелаLee, Kangmu M., Atsushi Ohoka, and Peter M. Asbeck. "Charge transfer region at the edge of metal contacts on graphene and its impact on contact resistance measurement." In 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS). IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/isdrs.2011.6135256.
Повний текст джерелаPelamatti, Alice, Vincent Goiffon, Aziouz Chabane, Pierre Magnan, Cedric Virmontois, Olivier Saint-Pe, and Michel Breart de Boisanger. "Charge transfer speed analysis in pinned photodiode CMOS image sensors based on a pulsed storage-gate method." In ESSDERC 2015 - 45th European Solid-State Device Research Conference. IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/essderc.2015.7324737.
Повний текст джерелаHollander, Matthew J., Nikhil Shukla, Nidhi Agrawal, Himanshu Madan, Joshua A. Robinson, and Suman Datta. "Reduction of charge transfer region using graphene nano-ribbon geometry for improved complementary FET performance at sub-micron channel length." In 2013 71st Annual Device Research Conference (DRC). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2013.6633838.
Повний текст джерелаЗвіти організацій з теми "Charge transfer device"
Thompson, Marshall, and David Lippert. Flexible Pavement Design (Full-depth Asphalt and Rubblization): A Summary of Activities. Illinois Center for Transportation, July 2021. http://dx.doi.org/10.36501/0197-9191/21-021.
Повний текст джерелаFinancial Infrastructure Report 2022. Banco de la República, June 2023. http://dx.doi.org/10.32468/rept-sist-pag.eng.2022.
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