Добірка наукової літератури з теми "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"
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Статті в журналах з теми "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"
Girard, G., P. Pringent, and A. Lavenant. "Accord et affinement spectrale de l'émission optique de lasers/amplificateurs à semiconducteurs à large ouverture." Annales de Physique 20, no. 5-6 (1995): 635–36. http://dx.doi.org/10.1051/anphys:199556048.
Повний текст джерелаTchelnokov, A. V., J. M. Lourtioz, and P. Gavrilovic. "Dynamique saptiale et spectrale de l'émission optique de lasers/amplificateurs à semiconducteurs à large ouverture." Annales de Physique 20, no. 5-6 (1995): 637–38. http://dx.doi.org/10.1051/anphys:199556049.
Повний текст джерелаGinovart, F., and J. C. Simon. "Effets de longueur d'un amplificateur optique à semiconducteur sur la dynamique de gain." Journal de Physique IV (Proceedings) 12, no. 5 (June 2002): 189–91. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:20020128.
Повний текст джерелаPankoke, R., A. Cassineli, P. Sillard, C. Dorrer, P. Leisching, and R. Frey. "Générateurs et amplificateurs paramétriques optiques monomodes transverse." Annales de Physique 20, no. 5-6 (1995): 593–94. http://dx.doi.org/10.1051/anphys:199556027.
Повний текст джерелаFortin, ER, and AP Roth. "Quelques propriétés optiques et électro-optiques des super-réseaux et puits quantiques semiconducteurs InGaAs/GaAs." Journal de Chimie Physique 88 (1991): 2197–209. http://dx.doi.org/10.1051/jcp/1991882197.
Повний текст джерелаDallot, V., and P. Gallion. "Évolution du bruit dans des amplificateurs optiques décrite par un nouveau formalisme classique." Journal de Physique IV (Proceedings) 12, no. 5 (June 2002): 183–84. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:20020125.
Повний текст джерелаGrojo, David. "L’émergence de procédés d’écriture laser 3D dans les technologies silicium." Photoniques, no. 112 (2022): 37–42. http://dx.doi.org/10.1051/photon/202211237.
Повний текст джерелаDUAN, Guang-Hua, Hélène DEBRÉGEAS, and Romain BRENOT. "Lasers et amplificateurs optiques à semi-conducteurs pour télécommunications optiques." Optique Photonique, July 2015. http://dx.doi.org/10.51257/a-v1-e7005.
Повний текст джерелаДисертації з теми "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"
Soto, Ortiz Horacio. "Dynamique des amplificateurs optiques à semi-conducteurs massifs /." Paris : Ecole nationale supérieure des télécommunications, 1996. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb358101180.
Повний текст джерелаLablonde, Laurent. "Etude des non-linéarites de gain d'un amplificateur optique à semi-conducteur." Limoges, 1996. http://www.theses.fr/1996LIMO0029.
Повний текст джерелаHamie, Ali. "Étude de la mise en cascade de deux amplificateurs optiques à semi-conducteur en topologie contra-propagative en vue de la réalisation de fonctions tout-optiques pour les sytèmes de télécommunications." Brest, 2004. http://www.theses.fr/2004BRES2013.
Повний текст джерелаIn this work, a theoretical and experimental study of two cascaded semiconductor optical amplifiers (SOA) in a counter-propagating topology was performed. This study was aimed at exploiting cross gain modulation (XGM) in order to device new all-optical functions for optical communication systems. In a first stage, the theroretical and experimental static characterization of the configuration established the possibility to renforce significantly the gain non-linearity of the two SOAs, leading to either a positive or a negative variation for the gain as a function of the input optical power. Thus, a large extinction ratio can be reached even for a small variation of the incident power. This property can be exploited in order to ensure 2R regeneration. Moreover, this study made it possible to determine those parameters of the configuration that optimize the extinction ratio, in particular the length and the small-signal gain of both SOAs. In a second stage, a dynamic characterization of the configuration was performed, which showed the influence of gain saturation on the frequency and time responses at the output of the two SOAs. Evaluating the rate that can be reached with such a structure revealed a strong dependence on the interconnection distance althought this can be reduced thought integration. Finally, several all-optical functions were devised with the studied configuration, such as an all-opticals switch, a NOR gate, a wavelength conversion function (either direct or inverse) and an OR gate
Huygue, Sarah. "Fiabilité des amplificateurs optiques à semiconducteur 1,55 um pour des applications de télécommunication : étude expérimentale et modélisation physique." Bordeaux 1, 2005. http://www.theses.fr/2005BOR12952.
Повний текст джерелаDoussiere, Pierre. "Contribution à l'étude et à la réalisation d'amplificateurs optiques à semi-conducteur." Nice, 1989. http://www.theses.fr/1989NICE4265.
Повний текст джерелаGirault, Gwenaëlle. "Contribution à l'étude de portes optiques à base d'amplificateurs optiques à semi-conducteurs pour le traitement tout-optique de signaux de télécommunications à très hauts débits." Rennes 1, 2007. http://www.theses.fr/2007REN1E003.
Повний текст джерелаBuldawoo, Naveena. "Module d'émission-réception pour communications optiques à base d'amplificateur optique à semi-conducteur." Montpellier 2, 1999. http://www.theses.fr/1999MON20139.
Повний текст джерелаMoreau, Gautier. "Contribution à la caractérisation des propriétés optiques de guides planaires à boîtes quantiques InAs/InP(311)B émettant à 1,55 µm." Rennes 1, 2005. http://www.theses.fr/2005REN1E002.
Повний текст джерелаBoula-Picard, Reynald. "Contribution à l'étude des amplificateurs optiques à semiconducteur pour applications analogiques." Rennes 1, 2004. http://www.theses.fr/2004REN10072.
Повний текст джерелаHessler, Thierry. "Dynamique du gain dans les amplificateurs optiques à semiconducteur en régime femtoseconde /." [S.l.] : [s.n.], 2000. http://library.epfl.ch/theses/?nr=2176.
Повний текст джерелаКниги з теми "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"
Arvin, Grabel, ed. Microélectronique. Paris: McGraw-Hill, 1988.
Знайти повний текст джерелаF, Digonnet Michel J., ed. Rare-earth-doped fiber lasers and amplifiers. 2nd ed. New York: Marcel Dekker, 2001.
Знайти повний текст джерелаFundamentals of microelectronics. Hoboken, NJ: John Wiley & Sons, 2008.
Знайти повний текст джерела1928-, Elliott R. J., and Ipatova I. P. 1929-, eds. Optical properties of mixed crystals. Amsterdam: North-Holland, 1988.
Знайти повний текст джерелаOptical properties of semiconductor nanocrystals. Cambridge, UK: Cambridge Unviersity Press, 1998.
Знайти повний текст джерелаA, Balzarotti, Guizzetti G, and Stella A, eds. Highlights on spectroscopies of semiconductors and insulators: Castro Marina, Italy, September 1987. Singapore: World Scientific, 1989.
Знайти повний текст джерелаT, Kobayashi, and Kobunshi Sozai Center (Japan), eds. Nonlinear optics of organics and semiconductors: Proceedings of the international symposium, Tokyo, Japan, July 25-26, 1988. Berlin: Springer-Verlag, 1989.
Знайти повний текст джерелаDonnerberg, Hansjörg. Atomic simulation of electrooptic and magnetooptic oxide materials. Berlin: Springer, 1999.
Знайти повний текст джерелаSaid, Youssef. Etude Avancée des Amplificateurs Optiques à Semi-conducteurs: Application en communications optiques à très haut débit. Omniscriptum, 2012.
Знайти повний текст джерелаSchäfer, Wilfried, and Martin Wegener. Semiconductor Optics and Transport Phenomena. Springer, 2010.
Знайти повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"
Cormier, E. "Amplificateurs paramétriques optiques pour la physique attoseconde." In UVX 2008 - 9e Colloque sur les Sources Cohérentes et Incohérentes UV, VUV et X : Applications et Développements Récents. Les Ulis, France: EDP Sciences, 2009. http://dx.doi.org/10.1051/uvx/2009006.
Повний текст джерелаPocholle, J. P. "Propriétés optiques des matériaux semiconducteurs à puits quantiques et applications dans le domaine du traitement du signal." In Optoélectronique (Volume 1). Les Ulis, France: EDP Sciences, 1990. http://dx.doi.org/10.1051/sfo/1990006.
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