Готові списки джерел за темами / Транзистори силові

Зміст

  1. Статті в журналах
  2. Дисертації
  3. Книги

Добірка наукової літератури з теми "Транзистори силові"

Автор: Grafiati
Опубліковано: 30 травня 2022
Оновлено: 31 травня 2022

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Транзистори силові".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "Транзистори силові"

1

Bordakov, M. "ОСОБЛИВОСТІ КОНСТРУКЦІЇ ЧАСТИНИ СИЛОВОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ В СОНЯЧНИХ МЕРЕЖЕВИХ ІНВЕРТОРАХ". Vidnovluvana energetika, № 1(60) (30 березня 2020): 23–28. http://dx.doi.org/10.36296/1819-8058.2020.1(60).23-28.

Повний текст джерела
Анотація:
При дослідженні роботи інвертора було визначено параметри, які впливають на ефективність його роботи. Одним з таких парметрів є внутрішні компоненти інвертора від яких залежить ефективність його роботи. Основним силовим компонентом є Power Stack (силовий модуль). Основним компонентом силового модуля є IGBT (біполярний транзистор з ізольованим затвором). Даний тип транзисторів поєднує в собі характеристики двох напівпровідникових пристроїв: Біполярного транзистора (утворює силовий канал). Польового транзистора (утворює канал управління). При розрахунку ефективності роботи інвертора потрібно розуміти як працює його силова частина і як силова частина перетворює постійний струм у змінний. Робота силових транзисторів керується драйвером, який пристрій керує частотою відкриття і закриття транзисторів та вихідними характеристиками напруги інвертора. Для регулювання роботи інвертора драйвер отримує сигнал та відправляє команду на сам силовий модуль. Таким чином відбувається регулювання вихідних параметрів інвертора. Для регулювання вихідної потужності інвертором також застосовується алгоритм зменшення вхідної потужності. Це досягається шляхом переходу робочої точки поля ФЕМ з точки МРРТ до робочої точки, ближчої до режиму холостого ходу сонячної панелі. Регулювання рівня реактивної потужності також відбувається за рахунок роботи силового модуля. Для роботи інвертора, його силовий модуль повинен мати якісне охолодження. Охолодження має забезпечити відвід тепла від силового модуля, що в свою чергу попередить руйнування транзистора. В сучасних інверторах використовується активна і пасивна система охолодження. Зазвичай інвертори з пасивним охолодженням мають потужність до 100 кВт. Також у деяких виробніків є тестові моделі інверторів з водяним охолодженням. Потужність даних інверторів очікується більшою ніж 2500 кВт. Бібл. 10, рис. 5.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Ерофеев, Е. В., И. В. Федин, В. В. Федина, М. В. Степаненко та А. В. Юрьева. "Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур". Физика и техника полупроводников 51, № 9 (2017): 1278. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.09.44895.8569.

Повний текст джерела
Анотація:
Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что использование подзатворной МДП-структуры в составе p-GaN-транзистора приводит к увеличению порогового напряжения отпирания до Vth=+6.8 В, которое в широком диапазоне будет определяться толщиной подзатворного диэлектрика. Кроме того, установлено, что использование МДП-структуры приводит к уменьшению начального тока транзистора, а также затворного тока в открытом состоянии, что позволит уменьшить потери энергии при управлении мощными GaN-транзисторами. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44895.8569
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Ерофеев, Е. В., И. В. Федин, И. В. Кутков та Ю. Н. Юрьев. "Увеличение порогового напряжения отпирания силовых GaN-транзисторов при использовании низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода". Физика и техника полупроводников 51, № 2 (2017): 253. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.02.44114.8298.

Повний текст джерела
Анотація:
Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально-закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально-закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа проводимости, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что применение низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода подзатворной области на основе p-GaN перед осаждением слоев затворной металлизации позволяет увеличить пороговое напряжение транзистора до Vth=+3.5 В. Наблюдаемые эффекты могут быть обусловлены формированием дипольного слоя на поверхности p-GaN, индуцированного воздействием атомарного водорода. Термическая обработка GaN-транзисторов, подвергшихся водородной обработке, в среде азота при температуре T=250oC в течение 12 ч не выявила деградации электрических параметров транзистора, что может быть обусловено формированием термически стабильного дипольного слоя на границе раздела металл/p-GaN в результате гидрогенезации. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44114.8298
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Егоркин, В. И., А. А. Зайцев, В. Е. Земляков, В. В. Капаев та О. Б. Кухтяева. "GAN/ALGAN ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ ТРАНЗИСТОР НОРМАЛЬНОЗАКРЫТОГО ТИПА С P-ЗАТВОРОМ ДЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПРИБОРОВ". NANOINDUSTRY Russia 96, № 3s (15 червня 2020): 133–36. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.133.136.

Повний текст джерела
Анотація:
Представлено моделирование нормально-закрытого транзистора на основе гетероструктуры p-GaN/AlN/AlGaN/ AlN/GaN, рассматриваются зонные диаграммы и зависимости концентрации носителей заряда в канале от конструкции гетероструктуры. Основной целью является создание нормально-закрытых транзисторов для применения в силовой электронике. Продемонстрирована возможность получения таких транзисторов. The article demonstrates simulation of normally-off transistor based on heterostructure p-GaN/AlN/AlGaN/AlN/GaN. The band diagrams and dependences of channel carrier density on heterostructure parameters have been considered. The key aim is fabrication of a high-voltage normally-off transistor. A possibility of the transistor fabrication has been presented in this paper.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Бельков, В., А. Цоцорин, И. Семейкин та М. Черных. "МОЩНЫЕ СВЧ И ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ". ELECTRONICS: SCIENCE, TECHNOLOGY, BUSINESS 196, № 5 (10 червня 2020): 78–80. http://dx.doi.org/10.22184/1992-4178.2020.196.5.78.80.

Повний текст джерела
Анотація:
В АО «НИИЭТ» создан ряд мощных СВЧ-транзисторов с мощностью 400 Вт в диапазоне частот до 1,6 ГГц и мощностью до 80 Вт в диапазоне частот до 12 ГГц. Представлен также ряд силовых переключающих транзисторов с напряжением сток-исток 100, 200 и 650 В
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Колесников, Д. В., С. В. Тарасов та А. Ю. Ткачев. "АКТУАЛЬНЫЕ РАЗРАБОТКИ АО «ПКК МИЛАНДР» В ОБЛАСТИ СВЧ-И СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ". NANOINDUSTRY Russia 13, № 4s (11 вересня 2020): 407–10. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.407.410.

Повний текст джерела
Анотація:
Рассмотрен современный уровень развития приборов на основе широкозонных материалов группы А3В5, их преимущества и особенности. Представлены уникальные разработки СВЧ GaN HEMT для широкого диапазона частот, а также силовые транзисторы и их характеристики.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Ерофеев, Е. В., та Е. С. Полынцев. "РАЗРАБОТКА ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НИТРИДА ГАЛЛИЯ". Nanoindustry Russia 14, № 7s (3 жовтня 2021): 220–22. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.220.222.

Повний текст джерела
Анотація:
В данной статье представлены результаты разработки отечественных силовых транзисторов и диодов с барьером Шоттки на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия. Представлены электрические характеристики разработанных изделий в бескорпусном исполнении по постоянному току.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Бєлоха, Г. С., та І. С. Шевченко. "Способи регулювання струму мережі в системах керування електроприводом з активним фільтром". ВІСНИК СХІДНОУКРАЇНСЬКОГО НАЦІОНАЛЬНОГО УНІВЕРСИТЕТУ імені Володимира Даля, № 4(268) (10 червня 2021): 21–25. http://dx.doi.org/10.33216/1998-7927-2021-268-4-21-25.

Повний текст джерела
Анотація:
Сучасний регульований електропривод як постійного так і змінного струмів має у своєму складі перетворювачі, які є нелінійним, вони спотворюють криву вхідного струму, що є неприпустимим з точку зору якості електроенергії. Застосування силових активних фільтрів дозволяє формувати в мережі живлення струм синусоїдальної форми, при цьому не має потреби змінювати існуючу систему електропривода. Силовий активний фільтр під’єднаний до мережі та навантаження паралельно. Схема запропонованого фільтру складається з трифазного моста на повністю керованих транзисторах з зворотними діодами. На його виході конденсатор. Система керування вентилями фільтру релейна. У статті розглянуто систему керування активним фільтром незалежно від навантаження та принципи формування струму споживаного з мережі: регулювання за відхиленням, таке регулювання найбільш бажане в тих системах керування електроприводом в яких неможливо або важко технічно здійснювати вимірювання струму та напруги якірної обмотки двигунів постійного струму або статорної обмотки асинхронних двигунів; регулювання за збуренням, для більш точного регулювання, та комбіноване регулювання. За допомогою цифрового моделювання в програмі Matlab проведено дослідження принципів формування завдання на струм мережі живлення та виконаний аналіз струмів на вміст гармонік струму споживаного з мережі та струму споживаного нелінійним навантаженням. Отримані осцилограми підтверджують працездатність силового активного фільтру, струм споживаний з мережі синусоїдальний та синфазний напруги живлення. Гармонійний аналіз для різних значень потужності показав, що запропонований силовий активний фільтр гармонік забезпечує високу якість споживаного струму мережі, показники якості задовольняють умовам представлених у міжнародних стандартах на якість електроенергії (THD<5%).
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Ерофеев, Е. В., И. В. Федин та Ю. Н. Юрьев. "Силовые коммутационные транзисторы на основе эпитаксиальных гетероструктур нитрида галлия, "Микроэлектроника"". Микроэлектроника, № 3 (2017): 224–30. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126917020028.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Ковалев, А. А., та В. И. Егоркин. "БАЗОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ-И СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ GAN(SI)". Nanoindustry Russia 14, № 7s (3 жовтня 2021): 406407. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.406.407.

Повний текст джерела
Анотація:
Рассмотрена технология GaN(Si), ее преимущества по сравнению с аналогами. Показаны возможности применения GaN-транзисторов в микроэлектронике, в том числе в гражданской электронике. Приведены параметры опытных образцов ЭКБ на GaN. Показаны производственные возможности АО «ЗНТЦ».
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Більше джерел

Дисертації з теми "Транзистори силові"

1

Демидов, Олександр Вікторович, Борис Григорович Любарський та Т. В. Парфенюк. "Імітаційне моделювання тягового синхронного приводу з просторово векторною ШИМ при постійності амплітуди вектора напруги статора". Thesis, НТУ "ХПІ", 2010. http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/5325.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Книги з теми "Транзистори силові"

1

Блихер, А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов. Ленинград, 1986.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Блихер, А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов. Ленинград, 1986.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Також вас можуть зацікавити розширені добірки на тему "Транзистори силові" для конкретних типів джерел:
Статті в журналах
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії