Добірка наукової літератури з теми "Механізми розсіювання"

Сформульовано та науково обґрунтовано методичні підходи щодо концепції публічного управління соціально-економічної безпекою регіону шляхом побудови моделі публічного управління соціально-економічної безпекою регіону, що відрізняється від наявних тим, що вона сформована з урахуванням виявлених факторів соціально-економічної безпеки та специфіки інституційних умов регіону, а також встановлених механізмів публічного управління соціально-економічною безпекою регіону. Визначено, що одним із важливих елементів системи державного управління соціально-економічною безпекою є інституційно-правовий фактор, що включає законодавче та нормативне забезпечення формування та підтримки належного рівня соціально-економічної безпеки в країні та регіонах. Систематизовано проблеми забезпечення соціально-економічної безпеки економіки, визначені фактори та інституційні аспекти забезпечення соціально-економічної безпеки. Це дозволило розробити концептуальну модель державного управління соціально-економічною безпекою регіону. При цьому джерелом виникнення більш стійкого стану і поштовхом до самоорганізації в складній системі є руйнування колишнього стійкого стану. Тому розвиток економіки, в тому числі регіональної, представляє собою стохастичний процес, який характеризується виникненням періодичних дисипацій (розсіювання) накопичених нею ресурсів зростання, внаслідок чого темпи її зростання можуть сповільнюватися – і, на певних етапах, розвиваються в процеси у вигляді криз, нестійких станів, «струсів», екстремальних станів. Тому для ефективного управління розвитком економіки, підвищення соціально-економічної безпеки регіону необхідно формування нової парадигми публічного управління соціально-економічною безпекою, що спирається на ідеї формування структур-атракторів, які здатні «притягувати» позитивні траєкторії розвитку регіону. У процесі самоорганізації регіональної системи, як було зазначено вище, відбувається придбання нею нової якості стійкості в області тяжіння атрактора. Запропонована модель характеризується тим, що відображає важливі складові частини регіональної системи державного управління соціально-економічною безпекою: процес, що забезпечує регулювання, контроль, концентрацію ресурсів на найважливіших сферах соціально-економічної безпеки; структуру, що включає сукупність підрозділів і служб державних органів, що реалізують функції нормативного, інформаційного, організаційного, кадрового та технічного забезпечення системи соціально-економічної безпеки регіону. Мета роботи. Метою статті є дослідження концептуальних аспектів публічного управління соціально-економічної безпекою регіону. Методологія. Значний внесок у дослідженні аспектів публічного управління соціально-економічною безпекою на рівні регіону внесли відомі вітчизняні вчені, такі як Александрова О.Ю., Дикань В.В., Жовнірчик Я.Ф., Івашина С.Ю., Івашина О.Ф. та інших науковців. Аналіз попередніх досліджень та публікацій з даної проблематики свідчить про те, що авторами, як правило, досліджувалися тільки окремі аспекти соціально-економічної безпеки ми розглянемо концептуальні аспекти публічного управління соціально-економічної безпекою регіону. Наукова новизна. Удосконалено механізми публічного управління соціально-економічною безпекою, що реалізуються державою на рівні центру, де виділено спеціальні механізми публічного управління соціально-економічною безпекою, що реалізуються на рівні регіонів. До таких механізмів віднесені: нормативно-правові, фінансові, організаційно-розпорядчі, механізми соціального партнерства, інфраструктурні, інформаційні та механізми конвергенції. Висновки. Запропоновано концептуальну модель публічного управління соціально-економіч- ної безпекою регіону, що відрізняється від наявних тим, що вона сформована з урахуванням виявлених факторів соціально-економічної безпеки та специфіки інституційних умов регіону, а також встановлених механізмів публічного управління соціально-економічною безпекою регіону.

У роботі експериментально досліджено ефективність екранування рентгенівських випромінювань композиційними металовмісними матеріалами з наповнювачем із заліза. Показано, що для «м’якого» випромінювання коефіцієнти екранування складають 7 – 8. Перемішування рідкої металополімерної суміші ультразвуковим випромінюванням частотою 23 кГц з амплітудами 40 – 45 мкм значно підвищує ефективність екранування (у 2 – 2,5 рази). Розраховані масові коефіцієнти ослаблення рентгенівського випромінювання свідчать, що для енергій випромінювання 8 – 12 кеВ залізовмісний матеріал має кращі захисні властивості, ніж матеріал із вмістом свинцю. Дано розрахунок для врахування фактичної густини матеріалу для визначення масового коефіцієнта ослаблення. При цьому зарядовий номер елемента, який забезпечує розсіювання рентгенівського випромінювання залишається незмінним. Показано, що цей показник слід перераховувати для визначення внеску інших, ніж фотоефект, механізмів розсіювання іонізуючого випромінювання (утворення електрон-позитронних пар, ефект Комптона). Для підвищення ефективності композиційних рентгенозахисних матеріалів доцільно підвищити дисперсність та ваговий вмістзалізного концентрату у полімерній матриці. За співвідношення заліза та полімеру 3:1 (за вагою) матеріал втрачає гнучкість і може застосовуватись у вигляді облицювальних плиток. Для підвищення коефіцієнтів екранування «жорсткого» випромінювання у матеріал доцільно додавати сполуки вольфраму у невеликій кількості. Перспективним напрямом досліджень щодо застосування безсвинцевих матеріалів є підвищення дисперсності наповнювачів з елементів з меншими зарядовими числами

У роботі показана об’єктивна необхідність освоєння діапазону міліметрових хвиль для побудови систем виявлення та супроводу повітряних та інших цілей. Проаналізовані особливості поширення міліметрових хвиль (ММХ) в атмосфері Землі. Описано механізм їх поглинання в молекулярному кисні, парах води та гідрометеорах. Приведені результати розрахунку послаблення міліметрових хвиль як функції від довжини хвилі та кута візування. Викладені основи радіотеплового випромінювання фізичних тіл та особливості його прийому, принцип дії якого базується на тому, що будь-яке тіло з термодинамічною температурою вище абсолютного нуля, здатне випромінювати електромагнітну енергію в широкому спектральному діапазоні, зокрема, в діапазоні ММХ. Результуюче радіотеплове випромінювання реального тіла утворюється двома складовими: власним випромінюванням і відображеними електромагнітними коливаннями, що падають на тіло з навколишнього простору. Наведені результати експериментальних досліджень міри розсіяння та відбивання ММХ обшивкою літака в активному та пасивному режимах. Встановлено, що розподіл радіотеплового сигналу за поверхнею літака однорідний на відміну від розподілу відбитого сигналу в активному режимі. Проведені експериментальні дослідження показали, що в діапазоні ММХ можливе отримання енергетичного портрету літака в умовах, коли він є розподіленою ціллю, при його порядковому скануванні вузькою діаграмою спрямованості антени як в активному, так і в пасивному режимах.

На основі аналізу механізмів розсіювання іонізуючих електромагнітних випромінювань та залежності ослаблення випромінювання від порядкового номера елемента та його густини зроблено висновок про можливість їх екранування матеріалами з вмістом заліза. Запропоновано засади проектування композиційного металополімерного матеріалу для зниження інтенсивності рентгенівського та гама-випромінювань. Показано, що зміна поглинання іонізуючого випромінювання зі зміною довжини хвилі випромінювання відбувається немонотонно. Тому для проектування матеріалу необхідно з’ясувати переважні довжини хвиль (частоти) випромінювання, яке потребує екранування. Встановлено, що для ефективного екранування випромінювання існує критична концентрація металевих частинок у полімерній матриці. Це відбувається на порозі протікання електричного струму за вмісту екрануючої субстанції 11−12 % (за вагою). Це добре узгоджується зі співвідношеннями електродинаміки суцільних середовищ. При проектуванні матеріалу з використанням залізорудного концентрату слід враховувати його різні властивості у залежності від виробника. Проектуванню захисного матеріалу повинні передувати лабораторні дослідження з визначення переважної фракції залізорудних частинок за розмірами та вмісту заліза і його сполук у вихідній сировині.

Стаття присвячена проблемам дослідження лінгвістичних і психолінгвістичних чинників, які впливають на процес сприйняття та розуміння іншомовного тексту, що є важливою складовою у підготовці майбутніх фахівців з міжнародних відносин. Згідно із сучасними дослідженнями на рівні тексту реалізується задум висловлювання, проходить взаємодія мови і мислення. Описано найбільш поширені концепції дослідження тексту, зокрема лінгвістична, психологічна, методична, психолінгвістична. Проаналізовано категорію семантичної напруженості і лексичної рекурентності, які впливають на сприйняття, розуміння і запам’ятовування текстового матеріалу. Семантична напруженість тексту визначається як суб’єктивна категорія, зумовлена ступенем смислової і змістової новизни тексту для реципієнта. До основних чинників, які підвищують семантичну напруженість тексту відносять: лексичні одиниці з широкою семантикою, спеціальну термінологію, дейктичні одиниці, оказіональні слова, слова з імпліцитним значенням, абревіації та власні назви, референтну неоднозначність лексичних одиниць тощо. Встановлено, що семантична напруженість може виконувати дві основні функції: конструктивну і деструктивну, де конструктивність напруженості полягає у тому, що вона являє собою джерело нової інформації, а її деструктивність призводить до неадекватно сприйняття і розуміння. Рекурентність визначається як механізм породження, репрезентації та актуалізації смислу. Зазначається, що рекурентність можна досліджувати у широкому та вузькому контекстах. У вузькому значенні рекурентність розглядається як повтор на рівні структурної організації тексту, де вона репрезентується відповідними одиницями на фонетичному, морфологічному, лексичному, синтаксичному рівнях. У широкому розумінні рекурентність - це культурна і лінгвокультурна універсалія, яка є ключовою для гуманітарних наук. Встановлено, що надмірна насиченість письмового тексту рекурентними одиницями негативно впливає на процес перекладу, викликаючи розсіювання уваги, створення хибного уявлення про простоту і зрозумілість матеріалу, зниження запам’ятовування і як результат неправильного відтворення. Теоретичні положення були підтверджені експериментальними даними: для успішного запам’ятовування коефіцієнт рекурентності не повинен перевищувати показника 0,20-0,25. Отримані результати можна використовувати у навчанні як усного , так і письмового видів перекладу.

Cпектри пропускання і фарадеївського обертання площини поляризації світла, виміряні при температурі 2 K, порівняно для монокристалів 4H–SiC, імплантованих іонами Mn і 6H–SiC, імплантованих іонами Fe і контрольних зразків тих же монокристалів, що не піддавалися імплантації. Імплантацію проводили при енергії пучка 190 кеВ і з повними дозами опромінення 3,8 · 1016 см–2 і 5,5 · 1016 см–2. Вона приводить до створення поверхневих шарів з товщиною близько 0,2 мкм, легованих цими іонами, із середньою концентрацією іонів Mn або Fe близько 1021 см–3. Пропускання світла через імплантовані кристали змінилося незначно у порівнянні з контрольними, що, однак, відповідало відносно великомукоефіцієнту ослаблення світла в шарі з введеними іонами. Це інтерпретовано як результат розсіювання світла на неоднорідностях, створених потоком високоенергетичних іонів у цьому шарі. Присутність поверхневого шару, що містить магнітні іони, привело до значних змін у фарадеївському обертанні площини поляризації світла. Величини констант Верде для цього шару виявилися приблизно на три порядки більшими за модулем і протилежного знака в порівнянні з їх значеннями для контрольних зразків. Магнітопольові залежності фарадеївського обертання від шару з іонами Mn виявилися функціями поля, що насичуються. Це вказує на пропорційність фарадеївського обертання намагніченості парамагнітної підсистеми іонів Mn. У випадку шару, імплантованого іонами Fe, вони є лінійними за полем, подібно до того, як це спостерігається в AIIFeBIV напівмагнітних напівпровідниках. Зроблено припущення, що іони Fe у SiC, так як і у AIIFeBIV, знаходяться у синглетному стані і набувають намагніченості у зовнішньому полі через механізм, подібний ван-флеківській намагніченості. Встановлено, що шари SiC із введеними іонами Mn або Fe демонструють магнітооптичні властивості, типові для розведених магнітних (напівмагнітних) напівпровідників. Разом з тим у вивчених (SiC,Mn)C і (SiC,Fe)C зразках не спостерігалося феромагнітного упорядкування.

Глобалізація культури – це певна метафора, що свідчить про сьогоднішній стан культуротворчості, коли все те, що визначається як глобалізаційні процеси, стосується і культури також. Глобалізацію пов’язують із пресингом сучасних аудіовізуальних технологій, що занурюють людину у потік презентації інформації. Адже таке визначення є суто феноменологічним. В статті визначені механізми глобалізації культури (діалог та розсіювання) як фундаментальні ознаки комунікації, що надають можливість відійти від емпіричного розуміння трансформацій культури та уявити її як певну цілісність соціуму. Ключові слова: культура, глобалізація, діалог, сіяння, комунікація, диспозитив The globalization of culture is a certain metaphor that testifies to the current state of cultural creation, when everything that is described as globalization processes applies to culture as well. Globalization is linked to the pressing of modern audiovisual technologies that immerse people in the flow of information presentation. Such a definition is purely phenomenological. The mechanisms of culture globalization (dialogue and sowing) are defined as fundamental signs of communication, which make it possible to depart from the empirical understanding of the transformations of culture and to represent it as a whole of the society. Key words: culture, globalization, dialogue, sowing, communication, disposition.

У рукопису запропоновано метод моделювання і аналізу імпульсних та високочастотних властивостей багатодолинних напівпровідників. Модель застосовано до сучасних, актуальних і, як буде доведено у тому числі у рукописі, перспективних напівпровідникових матеріалів GaN, AlN і InN, які зараз все більше стають відомі під узагальнюючою назвою III-нітриди. Метод відрізняється можливістю застосування одночасно як для динамічних задач у часі, так і змінних у просторі полів та збалансованим використанням обчислювальних ресурсів без істотних втрат точності. Базисом запропонованого підходу є чисельне рішення системи диференціальних рівнянь, які отримані з кінетичного рівняння Больцмана у наближенні часу релаксації по функції розподілу у k-просторі. Ці рівняння відомі під узагальненою назвою релаксаційних. В англомовній літературі цей метод зустрічається під назвою «Method of moments» (метод моментів). Але на відміну від традиційного використання рівнянь для концентрації носіїв, їх імпульсу і енергії у праці використано замість рівняння релаксації енергії рівняння для електронної температури як міри середньої енергії тільки хаотичного руху. Друга принципова відмінність полягає в тому, що часи релаксації визначаються через усереднення квантовомеханічних швидкостей розсіювання, зазвичай використовуваних у методі Монте-Карло, для окремих видів розсіювання, а не як інтегральні значення із статичних характеристик матеріалу. Різні механізми розсіювання носіїв враховуються через специфічні для них часи релаксації за допомогою проведення усереднення за максвеллівською функцією розподілу в наближенні електронної температури. Система отриманих рівнянь включає рівняння у частинних похідних як за часом так і за координатами, що дає можливість дослідити характерні прояви імпульсних властивостей напівпровідникових матеріалів, зокрема: «балістичний транспорт» носіїв у просторі та ефект «сплеску» дрейфової швидкості у часі. Вперше розглянуто використання Фур’є-перетворення імпульсної залежності дрейфової швидкості носіїв для обчислення максимальних частот, на яких у напівпровіднику можлива провідність. Форма спектральної характеристики швидкості дрейфу носіїв демонструє зв’язок з механізмами розсіювання, які переважають в даному електричному полі. Властивості III- нітридів у сильному електричному полі проаналізовано у частотній області і робиться порівняння з опублікованими методами оцінки максимальних частот провідності напівпровідникових матеріалів. Показано, що граничні частоти збільшуються із зростанням напруженості електричного поля і складають для III-нітридів сотні гігагерців, а для нітриду алюмінію зокрема перевищують тисячу гігагерців. Це пов’язано, за висновками роботи, з найбільшими для нього міждолинними відстанями і відповідно з порівняно ослабленим міждолинним розсіюванням. Проведений аналіз просторового прояву ефекту «сплеску» демонструє можливість балістичного прольоту носіїв (практично без зіткнень) у сильному полі на відстані до сотих і десятих часток мікрометра.
The dissertation work proposed a method for modeling and interpreting the high-frequency characteristics of multi-valley semiconductors, in particular, GaN, AlN, and InN. The model is practiced to state-of-the-art, encouraging, and relevant materials GaN, AlN, and InN, which are now recognized under the generic name III-nitrides. The method is noticed by the economical use of computational resources without meaningful loss of accuracy and the feasibility of using both for dynamic tasks over time and variables in the scope of fields. The introduced approach is based on solving a system of differential equating, which are known as relaxation equations and are obtained from the Boltzmann kinetic equating in the relaxation time approximation by averaging over k-space. In English literature, this method is known as the "method of momentum." Indifference to the traditional system of equations for the concentration of carriers, their momentum, and energy, here, alternately of the energy relaxation equation, the equation for electron temperature is done as a measure of the energy of only chaotic movement. The second meaningful difference is that the relaxation times are not defined as integral values from the static properties of the material, but for averaging the quantum-mechanical scattering rates usually used in the Monte Carlo meth-od for particular types of scattering. The averaging was made over the Maxwell distribution function in the electron temperature approximation, as an outcome of which numerous mechanisms of carrier scattering through their explicit relaxation times are taken into account. Since the system of equations applied includes equations in partial derivatives concerning time and coordinates, it performs it possible to examine the characteristic demonstrations of the impulse properties of the mate-rials under consideration, particularly, the time effect of the “overshoot” of drift velocity and the spatial “ballistic transport” of carriers. For the first time, the use of the Fourier transform of the impulse dependence of the carrier drifts velocity to calculate the highest frequencies inherent in a semiconductor is recognized. A relationship was found between the contour of the spectral characteristic of the drift velocity and the scattering mechanisms that predominate in a given electric field. The characteristics of III-nitrides in the frequency region in a strong electric field are investigated and correlated with existing methods for predicting cut-off frequencies. It is determined that the limiting frequencies increase with increasing electric field strength and result in hundreds of gigahertz, and for aluminum nitride, it passes one thousand gigahertz. This is due, obviously, to the greatest for him inter-valley distances and, therefore, with a decreased intervalley scattering. The study of the spatial manifestation of the splash effect gives the possibility of an approximately collisionless, ballistic flight of electrons in a strong field at ranges up to hundredths and tenths of a micrometer.