Увійти

Готові списки джерел за темами / Wind band gap Semiconductors / Книги

Книги з теми "Wind band gap Semiconductors"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Wind band gap Semiconductors.

Автор: Grafiati

Опубліковано: 7 липня 2024

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-26 книг для дослідження на тему "Wind band gap Semiconductors".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

1953-, Prelas Mark Antonio, North Atlantic Treaty Organization. Scientific Affairs Division., and NATO Advanced Research Workshop on Wide Band Gap Electronic Materials: Diamond, Aluminum Nitride, and Boron Nitride (1994 : Minsk, Belarus), eds. Wide band gap electronic materials. Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

United States. National Aeronautics and Space Administration., ed. Further improvements in program to calculate electronic properties of narrow band gap materials: Final report. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1992.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Yang, Fan. Electromagnetic band gap structures in antenna engineering. New York: Cambridge University Press, 2008.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

T͡Sidilʹkovskiĭ, I. M. Electron spectrum of gapless semiconductors. Berlin: Springer, 1997.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Symposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS (1998 Strasbourg, France). Nitrides and related wide band gap materials: Proceedings of Symposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France, June 16-19, 1998. Amsterdam: Elsevier, 1999.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Yi-Gao, Sha, and United States. National Aeronautics and Space Administration., eds. Growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Yi-Gao, Sha, and United States. National Aeronautics and Space Administration., eds. Growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Trieste ICTP-IUPAP Semiconductor Symposium (7th 1992). Wide-band-gap semiconductors: Proceedings of the Seventh Trieste ICTP-IUPAP Semiconductor Symposium, International Centre for Theoretical Physics, Trieste, Italy, 8-12 June 1992. Edited by Van de Walle, Chris Gilbert. Amsterdam: North-Holland, 1993.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Symposium, L. on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials (1998 Strasbourg France). Nitrides and related wide band gap materials: Proceedings of Symposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France 16-19 June 1998. Amsterdam: Elsevier, 1999.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

United States. National Aeronautics and Space Administration., ed. Bulk growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. Bellingham, Wash: Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, 1997.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

T͡Sidilʹkovskiĭ, I. M. Ėlektronnyĭ spektr besshchelevykh poluprovodnikov. Sverdlovsk: Akademii͡a nauk SSSR, Uralʹskoe otd-nie, 1991.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Vernon, Stanley. Gallium arsenide-based ternary compounds and multi-band-gap solar cell research: Annual subcontract report, 15 April 1988-14 June 1990. Golden, Colo: National Renewable Energy Laboratory, 1993.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

1992), Trieste IUPAP-ICTP Semiconductor Symposium (7th. Wide-band-gap semiconductors: Proceedings of the seventh Trieste ICTP-IUPAP Semiconductor Symposium, International Centre for Theoretical Physics, Trieste, Italy, 8-12 June 1992. Amsterdam: North Holland, 1993.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

Wide-Band-Gap Semiconductors. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/c2009-0-10257-x.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

C. G. Van de Walle. Wide-Band-gap Semiconductors. Elsevier Science & Technology Books, 2012.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

Pearton, Stephen J. Processing of 'Wide Band Gap Semiconductors. Elsevier Science & Technology Books, 2000.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

Gupta, Tapan Kumar. Band gap narrowing in heavily doped silicon. 1988.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Pearton, Stephen J. Processing of Wide Band Gap Semiconductors (Materials and Processing Technology). Noyes Publications, 2000.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

Wide band gap semiconductors: Symposium held December 2-6, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1992.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Morkoç, Hadis. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, Vol. 2: Electronic and Optical Processes in Wide Band Gap Semiconductors. Springer, 2007.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Heterojunction band discontinuities: Physics and device applications. Amsterdam: North-Holland, 1987.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

Walle, Chris G. Van De. Wide-Band-Gap Semiconductors: Proceedings of the Seventh Trieste Ictp-Iupap Semiconductor Symposium : International Centre for Theoretical Physics T. North-Holland, 1993.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

Wang, Fei, Zheyu Zhang, and Edward A. Jones. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

Wang, Fei, Zheyu Zhang, and Edward A. Jones. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Srivastava, Ashok, and Saraju Mohanty. Advanced Technologies for Next Generation Integrated Circuits. Institution of Engineering & Technology, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

Basu, Prasanta Kumar, Bratati Mukhopadhyay, and Rikmantra Basu. Semiconductor Nanophotonics. Oxford University PressOxford, 2022. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198784692.001.0001.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

Abstract Nanometre sized structures made of semiconductors, insulators and metals and grown by modern growth technologies or by chemical synthesis exhibit novel electronic and optical phenomena due to confinement of electrons and photons. Strong interactions between electrons and photons in narrow regions lead to inhibited spontaneous emission, thresholdless laser operation, and Bose Einstein condensation of exciton-polaritons in microcavities. Generation of sub-wavelength radiation by surface Plasmon-polaritons at metal-semiconductor interfaces, creation of photonic band gap in dielectrics, and realization of nanometer sized semiconductor or insulator structures with negative permittivity and permeability, known as metamaterials, are further examples in the area of nanophotonics. The studies help develop Spasers and plasmonic nanolasers of subwavelength dimensions, paving the way to use plasmonics in future data centres and high speed computers working at THz bandwidth with less than a few fJ/bit dissipation. The present book intends to serveas a textbook for graduate students and researchers intending to have introductory ideas of semiconductor nanophotonics. It gives an introduction to electron-photon interactions in quantum wells, wires and dots and then discusses the processes in microcavities, photonic band gaps and metamaterials and related applications. The phenomena and device applications under strong light-matter interactions are discussed by mostly using classical and semi-classical theories. Numerous examples and problems accompany each chapter.