Книги з теми "Wide bandgap device"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Wide bandgap device.

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Wide bandgap device".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Buzzo, Marco. Dopant imaging and profiling of wide bandgap semiconductor devices. Konstanz: Hartung-Gorre, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Szweda, Roy. Gallium nitride & related wide bandgap materials & devices: A market & technology overview 1996-2001. Oxford, UK: Elsevier Advanced Technology, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Ferro, Gabriel. 2010 wide bandgap cubic semiconductors: From growth to devices : proceedings of the E-MRS Symposium F, Strasbourg, France, 8-10 June 2010. Edited by European Materials Research Society. Meeting, American Institute of Physics, and European Science Foundation. Melville, N.Y: American Institute of Physics, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Symposium on Wide Bandgap Semiconductors and Devices (1995 Chicago, Ill.). Proceedings of the Symposium on Wide Bandgap Semiconductors and Devices and the Twenty-Third State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXIII). Pennington, NJ: Electrochemical Society, 1995.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Philadelphia, Pa ). State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (36th 2002. State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors XXXVI and Wide Bandgap Semiconductors for Photonic and Electronic Devices and Sensors II: Proceedings of the international symposia. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2002.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

State-of-the-Art, Program on Compound Semiconductors (47th 2007 Washington DC). State-of-the-Art Program on Compound Semiconductorss 47 (SOTAPOCS 47) and Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices 8. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (47th 2007 Washington, DC). State-of-the-Art Program on Compound Semiconductorss 47 (SOTAPOCS 47) and Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices 8. Edited by Wang J, Electrochemical Society Meeting, Electrochemical Society. Electronics and Photonics Division., Electrochemical Society. Luminescence and Display Materials Division., Electrochemical Society Sensor Division, and Symposium on Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices (8th : 2007 : Washington, DC). Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (47th 2007 Washington, DC). State-of-the-Art Program on Compound Semiconductorss 47 (SOTAPOCS 47) and Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices 8. Edited by Wang J, Electrochemical Society Meeting, Electrochemical Society. Electronics and Photonics Division., Electrochemical Society. Luminescence and Display Materials Division., Electrochemical Society Sensor Division, and Symposium on Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices (8th : 2007 : Washington, DC). Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (47th 2007 Washington, DC). State-of-the-Art Program on Compound Semiconductorss 47 (SOTAPOCS 47) and Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices 8. Edited by Wang J, Electrochemical Society Meeting, Electrochemical Society. Electronics and Photonics Division., Electrochemical Society. Luminescence and Display Materials Division., Electrochemical Society Sensor Division, and Symposium on Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices (8th : 2007 : Washington, DC). Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (45rd 2006 Cancun, Mex.). State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors 45 (SOTAPOCS 45) and Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices 7 / editors, F. Ren ... [et al.]. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Wide Bandgap Based Devices. MDPI, 2021. http://dx.doi.org/10.3390/books978-3-0365-0567-1.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Fan, Ren, and Zolper J. C, eds. Wide energy bandgap electronic devices. River Edge, NJ: World Scientific Pub., 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Wide energy bandgap electronic devices. Singapore: World Scientific Pub., 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

Ren, Fan, and John C. Zolper. Wide Energy Bandgap Electronic Devices. WORLD SCIENTIFIC, 2003. http://dx.doi.org/10.1142/5173.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Wide Bandgap Semiconductor Power Devices. Elsevier, 2019. http://dx.doi.org/10.1016/c2016-0-04021-4.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Ren, Fan, Randy J. Shul, Wilfried Pletschen, and Masanori Murakami. Wide-Bandgap Electronic Devices: Volume 622. University of Cambridge ESOL Examinations, 2014.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Dutta, Achyut K., Mohammad Matin, and Abdul A. S. Awwal. Wide Bandgap Power Devices and Applications. SPIE, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Singisetti, Uttam, Towhidur Razzak, and Yuewei Zhang. Wide Bandgap Semiconductor Electronics and Devices. WORLD SCIENTIFIC, 2020. http://dx.doi.org/10.1142/11719.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Jiang, Hongxing, Gertrude F. Neumark, and Igor L. Kuskovsky. Wide Bandgap Light Emitting Materials and Devices. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

Jiang, Hongxing, Gertrude F. Neumark, and Igor L. Kuskovsky. Wide Bandgap Light Emitting Materials and Devices. Wiley & Sons, Limited, John, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

Dutta, Achyut, Mohammad Matin, and Srabanti Chowdhury. Wide Bandgap Power Devices and Applications II. SPIE, 2018.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

Wang, Fei (Fred), Zheyu Zhang, and Edward A. Jones. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering and Technology, 2018. http://dx.doi.org/10.1049/pbpo128e.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
24

Neumark, Gertrude F., Igor L. Kuskovsky, and Hongxing Jiang, eds. Wide Bandgap Light Emitting Materials and Devices. Wiley, 2007. http://dx.doi.org/10.1002/9783527617074.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
25

Wide Bandgap Semiconductor Based Micro/Nano Devices. MDPI, 2019. http://dx.doi.org/10.3390/books978-3-03897-843-5.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
26

F, Neumark Gertrude, Kuskovsky Igor L, and Jiang H. X, eds. Wide bandgap light emitting materials and devices. Weinheim: Wiley-VCH, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
27

(Editor), Gertrude F. Neumark, Igor L. Kuskovsky (Editor), and Hongxing Jiang (Editor), eds. Wide Bandgap Light Emitting Materials And Devices. Wiley-VCH, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
28

Wang, Fei, Zheyu Zhang, and Edward A. Jones. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
29

Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices. Taylor & Francis Group, 2016.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
30

Hao, Yue, Jin Feng Zhang, and Jin Cheng Zhang. Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices. Taylor & Francis Group, 2016.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
31

Hao, Yue, Jin Feng Zhang, and Jin Cheng Zhang. Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices. Taylor & Francis Group, 2016.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
32

Hao, Yue, Jincheng Zhang, and Jinfeng Zhang. Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices. Taylor & Francis Group, 2020.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
33

Hao, Yue, Jin Feng Zhang, and Jin Cheng Zhang. Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices. Taylor & Francis Group, 2016.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
34

Hao, Yue, Jin Feng Zhang, and Jin Cheng Zhang. Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices. Taylor & Francis Group, 2016.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
35

Wellmann, Peter, Noboru Ohtani, and Roland Rupp. Wide Bandgap Semiconductors for Power Electronics: Materials, Devices, Applications. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2021.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
36

Wellmann, Peter, Noboru Ohtani, and Roland Rupp. Wide Bandgap Semiconductors for Power Electronics: Materials, Devices, Applications. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2021.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
37

Wellmann, Peter, Noboru Ohtani, and Roland Rupp. Wide Bandgap Semiconductors for Power Electronics: Materials, Devices, Applications. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2021.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
38

(Editor), Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa (Editor), and Adarsh Sandhu (Editor), eds. Wide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices. Springer, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
39

Baliga, B. Jayant. Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design and Applications. Elsevier Science & Technology, 2018.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
40

Verzellesi, Giovanni, ed. Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications, Volume II. MDPI, 2022. http://dx.doi.org/10.3390/books978-3-0365-3993-5.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
41

Baliga, B. Jayant. Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications. Elsevier Science & Technology, 2018.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
42

Takahashi, Kiyoshi, Akihiko Yoshikawa, and Adarsh Sandhu. Wide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices. Springer, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
43

Wellmann, Peter. Wide Bandgap Materials for Power Electronic Applications: Materials, Devices, and Applications. Wiley & Sons, Limited, John, 2021.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
44

Takahashi, Kiyoshi, Akihiko Yoshikawa, and Adarsh Sandhu. Wide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices. Springer London, Limited, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
45

Staff, IEEE. 2021 IEEE 8th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA). IEEE, 2021.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
46

Staff, IEEE. 2021 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia). IEEE, 2021.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
47

Staff, IEEE. 2021 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia). IEEE, 2021.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
48

Szweda, R. Gallium Nitride and Related Wide Bandgap Materials & Devices. A Market and Technology Overview 1998-2003. 2nd ed. Elsevier Science, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
49

Szweda, R. Gallium Nitride and Related Wide Bandgap Materials and Devices: A Market and Technology Overview 1998-2003. Elsevier Science & Technology Books, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
50

(Editor), R. J. Shul, Fan Ren (Editor), Wilfried Pletschen (Editor), and Masanori Murakami (Editor), eds. Wide-Bandgap Electronic Devices: Symposium Held April 24-27, 2000, San Francisco, California, U.S.A. (Materials Research Society Symposia Proceedings, V. 622.). Materials Research Society, 2001.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії