Статті в журналах з теми "Vapour Liquid Silod (VLS) growth mechanism"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-21 статей у журналах для дослідження на тему "Vapour Liquid Silod (VLS) growth mechanism".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Shakthivel, D., W. T. Navaraj, Simon Champet, Duncan H. Gregory, and R. S. Dahiya. "Propagation of amorphous oxide nanowires via the VLS mechanism: growth kinetics." Nanoscale Advances 1, no. 9 (2019): 3568–78. http://dx.doi.org/10.1039/c9na00134d.
Повний текст джерелаLorenzzi, Jean, Nikoletta Jegenyes, Mihai Lazar, Dominique Tournier, François Cauwet, Davy Carole, and Gabriel Ferro. "Investigation of 3C-SiC Lateral Growth on 4H-SiC Mesas." Materials Science Forum 679-680 (March 2011): 111–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.111.
Повний текст джерелаLagonegro, Paola, Matteo Bosi, Giovanni Attolini, Marco Negri, Sathish Chander Dhanabalan, Francesca Rossi, Francesco Boschi, P. P. Lupo, Tullo Besagni, and Giancarlo Salviati. "SiC NWs Grown on Silicon Substrate Using Fe as Catalyst." Materials Science Forum 806 (October 2014): 39–42. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.806.39.
Повний текст джерелаCarole, Davy, Stéphane Berckmans, Arthur Vo-Ha, Mihai Lazar, Dominique Tournier, Pierre Brosselard, Véronique Soulière, Laurent Auvray, Gabriel Ferro, and Christian Brylinski. "Buried Selective Growth of p-Doped SiC by VLS Epitaxy." Materials Science Forum 717-720 (May 2012): 169–72. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.169.
Повний текст джерелаJegenyes, Nikoletta, Jean Lorenzzi, Véronique Soulière, Jacques Dazord, François Cauwet, and Gabriel Ferro. "Investigation of 3C-SiC(111) Homoepitaxial Growth by CVD at High Temperature." Materials Science Forum 645-648 (April 2010): 127–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.127.
Повний текст джерелаJayavel, R., T. Mochiku, S. Ooi, and K. Hirata. "Vapour–liquid–solid (VLS) growth mechanism of superconducting Bi–Sr–Ca–Cu–O whiskers." Journal of Crystal Growth 229, no. 1-4 (July 2001): 339–42. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01177-0.
Повний текст джерелаBerckmans, Stéphane, Laurent Auvray, Gabriel Ferro, François Cauwet, Davy Carole, Véronique Soulière, Jean Claude Viala, Emmanuel Collard, Jean Baptiste Quoirin, and Christian Brylinski. "Investigation of the Growth of 3C-SiC on Si by Vapor-Liquid-Solid ( VLS ) Transport." Materials Science Forum 679-680 (March 2011): 99–102. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.99.
Повний текст джерелаLorenzzi, Jean, Romain Esteve, Mihai Lazar, Dominique Tournier, Davy Carole та Gabriel Ferro. "Study of the Lateral Growth by VLS Mechanism Using Al-Based Melts on Patterned SiС Substrate". Materials Science Forum 717-720 (травень 2012): 165–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.165.
Повний текст джерелаSoueidan, Maher, Olivier Kim-Hak, Gabriel Ferro, Nada Habka та Bilal Nsouli. "Growth Kinetics of 3C-SiC on α-SiC by VLS". Materials Science Forum 600-603 (вересень 2008): 199–202. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.199.
Повний текст джерелаFerro, Gabriel. "New Approaches to In Situ Doping of SiC Epitaxial Layers." Advanced Materials Research 324 (August 2011): 14–19. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.324.14.
Повний текст джерелаAhlén, Niklas, Mats Johnsson, Ann-Kristin Larsson, and Bo Sundman. "On the carbothermal vapour–liquid–solid (VLS) mechanism for TaC, TiC, and TaxTi1–xC whisker growth." Journal of the European Ceramic Society 20, no. 14-15 (December 2000): 2607–18. http://dx.doi.org/10.1016/s0955-2219(00)00121-7.
Повний текст джерелаLorenzzi, Jean, Nikoletta Jegenyes, Mihai Lazar, Dominique Tournier, Davy Carole, François Cauwet, and Gabriel Ferro. "Elimination of Twin Boundaries when Growing 3C-SiC Heteroepitaxial by Vapour-Liquid-Solid Mechanism on Patterned 4H-SiC Substrate." Materials Science Forum 711 (January 2012): 11–15. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.711.11.
Повний текст джерелаFerro, Gabriel, Maher Soueidan, Christophe Jacquier, Phillippe Godignon, Thomas Stauden, Jörg Pezoldt, Mihai Lazar, Josep Montserrat, and Yves Monteil. "Improvement of 4H-SiC Selective Epitaxial Growth by VLS Mechanism Using Al and Ge Based Melts." Materials Science Forum 527-529 (October 2006): 275–78. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.275.
Повний текст джерелаMarinova, Maya, Alkyoni Mantzari, Jian Wu Sun, Jean Lorenzzi, Ariadne Andreadou, Georgios Zoulis, Sandrine Juillaguet, Gabriel Ferro, Jean Camassel, and Efstathios K. Polychroniadis. "Structural and Optical Investigation of VLS Grown (111) 3C-SiC Layers on 6H-SiC Substrates in Sn-Based Melts." Materials Science Forum 679-680 (March 2011): 165–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.165.
Повний текст джерелаMarinova, Maya, Ariadne Andreadou, Alkyoni Mantzari, and Efstathios K. Polychroniadis. "On the Twin Boundary Propagation in (111) 3C-SiC Layers." Materials Science Forum 717-720 (May 2012): 419–22. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.419.
Повний текст джерелаMarinova, Maya, Ariadne Andreadou, Jian Wu Sun, Jean Lorenzzi, Alkyoni Mantzari, Georgios Zoulis, Nikoletta Jegenyes, et al. "Influence of Post-Growth Annealing on the Defects Nature and Distribution in VLS Grown (111) 3C-SiC Layers." Materials Science Forum 679-680 (March 2011): 241–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.241.
Повний текст джерелаMaurice, Jean-Luc, Pavel Bulkin, Éric Ngo, Weixi Wang, Martin Foldyna, Ileana Florea, Pere Roca i Cabarrocas, Romuald Béjaud, and Olivier Hardouin Duparc. "Visualizing the effects of plasma-generated H atoms in situ in a transmission electron microscope." European Physical Journal Applied Physics 97 (2022): 7. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2022210276.
Повний текст джерелаOliveira, Fernando A. Costa. "Damage Assessment of Mullite Ceramic Foams in Radiant Gas Burners." Materials Science Forum 587-588 (June 2008): 99–103. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.587-588.99.
Повний текст джерелаGómez-Palos, Isabel, Miguel Vazquez-Pufleau, Jorge Vailla, Alvaro Ridruejo, Damien Tourret, and Juan José Vilatela. "Ultrafast synthesis of SiC nanowire webs by floating catalysts rationalised through in-situ measurements and thermodynamic calculations." Nanoscale, 2022. http://dx.doi.org/10.1039/d2nr06016g.
Повний текст джерелаKoguchi, Nobuyuki, Keiko Ishige, and Satoshi Takahashi. "Growth of GaAs Epitaxial Microcrystals on a S-Terminated GaAs (001) by Vls Mechanism in MBE." MRS Proceedings 283 (1992). http://dx.doi.org/10.1557/proc-283-815.
Повний текст джерелаMohseni, Parsian, Gregor Lawson, Alex Adronov, and Ray LaPierre. "Growth and Characterization of p-n Junction Core-Shell GaAs Nanowires on Carbon Nanotube Composite Films." MRS Proceedings 1144 (2008). http://dx.doi.org/10.1557/proc-1144-ll14-05.
Повний текст джерела