Добірка наукової літератури з теми "Une mémoire PCM"

Peut-on faire l'histoire de Vichy ? Longtemps il y eut lieu d'en douter, tant l'histoire et la mémoire s'enchevêtrent quand une « guerre franco-française » est en jeu. Mémoires gaulliste et communiste ont convergé dès le lendemain de la guerre pour construire la légende rose d'un peuple résistant, uni derrière son chef charismatique (de Gaulle) ou son parti d'avant-garde (le PCF). La légende noire qui surgit à la fin des années 1960 peut-elle prétendre au même statut de mémoire dominante ? On peut en douter, malgré des films décapants à succès et quelques ouvrages grand public.

Dans son célèbre récit de voyage L’Usage du monde, publié pour la première fois chez Droz à Genève en 1963, dix ans après l’aventure vécue, Nicolas Bouvier nous livre, entre autres, ses souvenirs de la Serbie et des Balkans. Le voyage que Bouvier entreprend en compagnie de son ami Thierry Vernet commence en juin 1953 et finit en décembre 1954 ; il les conduit de Ge- nève à la Passe de Khyber, située à la frontière de l’Afghanistan et du Pakistan. Mais, en réalité, le voyage commence à Travnik, qui se trouve aujourd’hui en Bosnie-Herzégovine et appartenait alors à la Yougoslavie. L’avant-propos et le premier chapitre de ce récit viatique sont consacrés aux différentes étapes dans les Balkans, plus précisément en Serbie, en Macédoine, en Grèce et en Turquie. En Serbie, les deux voyageurs ont visité Belgrade, Bačka (partie de la Voïvodine), Kragujevac, avant de rejoindre la Macédoine via Niš et Priština. Le but de notre article est d’essayer de montrer comment l’écrivain a ravivé la mémoire dans son récit et reconstruit son voyage à bord d’une minuscule Fiat 500 Topolino. En utilisant la méthode comparative et imagologique, nous analyserons l’image de la Serbie de l’après-guerre qu’il dépeint dans son livre. Nous porterons une attention particulière à sa présentation du temps, des lieux, de la musique, des mœurs et surtout des gens que Nicolas Bouvier a rencontrés.

À travers le cas des femmes du « secteur juif » du Parti communiste français après la Seconde Guerre mondiale, cet article adopte une double perspective. Il propose d’une part une réflexion d’histoire des femmes et questionne les spécificités de l’engagement féminin au sein du secteur juif du PCF après 1944. Il s’inscrit d’autre part dans l’histoire du genre et s’intéresse aux représentations (historiques, mémorielles, identitaires, commémoratives) et à leur impact sur la place des femmes dans le secteur juif. Le secteur juif est un « satellite » du PCF qui véhicule des représentations masculines (I). Ces dernières sont centrales dans la nomination à des postes à responsabilités, ce qui explique, en partie du moins, l’absence de femmes à des postes de cadres supérieurs (II). Les quelques femmes dirigeantes du secteur juif (des cadres intermédiaires) sont confrontées à la division sexuée du militantisme et à un plafond de verre, même lorsque leurs carrières militantes, notamment dans la Résistance, ne se distinguent pas fondamentalement de celles des hommes (III). Enfin, la carrière militante de la plupart des hommes du secteur juif n’est rendue possible que par l’effacement de leurs épouses au sein du foyer ainsi que par les revenus de beaucoup d’entre elles. Or, le retrait de nombreuses femmes de la sphère militante visible conduit à leur invisibilisation dans les archives, l’histoire et la mémoire sur le temps long (IV).

La croissance exponentielle des données au cours des dernières années a entraîné une augmentation significative de la consommation d'énergie, créant ainsi un besoin urgent de technologies de mémoire innovantes pour surmonter les limitations des solutions conventionnelles. Cette inondation de données a entraîné une augmentation prévue de la consommation dans les centres de données, avec une multiplication par quatre des données d'ici 2025 par rapport au volume actuel. Pour relever ce défi, des technologies de mémoire émergentes telles que la RRAM (RAM résistive), la PCM (mémoire à changement de phase) et la MRAM (RAM magnéto-résistive) sont en cours de développement pour offrir une haute densité, des temps d'accès rapides et une non-volatilité, révolutionnant ainsi les solutions de stockage et de mémoire (Molas & Nowak, 2021).Une technique prometteuse pour répondre au besoin de technologies de mémoire innovantes est l'utilisation de la modulation de fréquence pour moduler la résistance dans la PCM, qui est un aspect crucial de son utilisation en informatique neuromorphique. La PCM est une technologie de mémoire non volatile basée sur la transition de phase réversible entre les phases amorphe et cristalline de certains matériaux. La capacité de modifier les niveaux de conductance rend la PCM bien adaptée aux réalisations synaptiques en informatique neuromorphique. La cristallisation progressive du matériau à changement de phase et l'augmentation subséquente de la conductance du dispositif permettent à la PCM d'être utilisée dans des applications neuromorphiques. De plus, des réseaux neuronaux basés sur la mémoire PCM ont été développés, et l'effet de dérive de la résistance dans la PCM a été quantifié, ouvrant de nouvelles voies pour le développement d'accélérateurs neuromorphiques à base de memristors PCM. De plus, la modulation de fréquence a été identifiée comme une technique prometteuse pour moduler la résistance dans la PCM. Cette approche peut être appliquée à la PCM ainsi qu'à la RRAM, et on s'attend à ce qu'elle produise des effets d'apprentissage améliorés dans des réseaux plus complexes utilisant des cellules multi-niveaux (Wang et al., 2011). L'objectif principal de cette thèse est d'explorer des méthodes innovantes pour contrôler les niveaux de résistance dans les dispositifs PCM en mettant l'accent sur leur application dans les systèmes neuromorphiques. La recherche implique une compréhension approfondie des mécanismes sous-jacents aux dispositifs PCM et une identification des paramètres susceptibles d'influencer la fiabilité de ces dispositifs. De plus, la thèse vise à proposer une nouvelle approche pour moduler efficacement les niveaux de résistance dans les dispositifs PCM, contribuant ainsi aux avancées dans ce domaine
The exponential growth of data in recent years has led to a significant increase in energy consumption, creating a pressing need for innovative memory technologies to overcome the limitations of conventional solutions. This data deluge has resulted in a forecasted consumption surge in data centers, with an expected fourfold increase in data by 2025 compared to the present volume. To address this challenge, emerging memory technologies such as RRAM (Resistive RAM), PCM (Phase-Change Memory), and MRAM (Magnetoresistive RAM) are being developed to offer high density, fast access times, and non-volatility, thereby revolutionizing storage and memory solutions (Molas & Nowak, 2021).One promising technique to address the need for innovative memory technologies is the use of frequency modulation to modulate resistance in PCM which is a crucial aspect of its use in neuromorphic computing. PCM is a non-volatile memory technology based on the reversible phase transition between amorphous and crystalline phases of certain materials. The ability to alter conductance levels makes PCM well-suited for synaptic realizations in neuromorphic computing. The progressive crystallization of the phase-change material and the subsequent increase in device conductance enable PCM to be used in neuromorphic applications. Additionally, PCM-based memristor neural networks have been developed, and the resistance drift effect in PCM has been quantified, opening up new paths for the development of PCM-based memristor neuromorphic accelerators. Furthermore, frequency modulation has been identified as a promising technique to modulate resistance in PCM. This approach can be applied to PCM as well as RRAM, and it is expected to yield improved learning effects in more complex networks using multi-level cells (Wang et al., 2011). The primary aim of this thesis is to explore innovative methods for controlling resistance levels in PCM devices with a focus on their application in neuromorphic systems. The research involves a comprehensive understanding of the mechanisms underlying PCM devices and an identification of parameters that may influence the reliability of these devices. Additionally, the thesis aims to propose a novel approach to effectively modulate resistance levels in PCM devices, contributing to advancements in this field

Cette thèse porte sur la caractérisation, la modélisation et l'analyse des phénomènes de «Pulling» et de «Pushing» dans les systèmes de boucles à verrouillage de phase (PLL), utilisant une approche globale où les effets de couplages électromagnétiques aux différents niveaux d'intégration (niveau puce, niveau assemblage, niveau report sur PCB) sont pris en compte de manière distribuée. L'approche de modélisation adopte une méthodologie hybride où l'analyse des couplages électromagnétiques combinée à des schémas équivalents large-bande (compatibles avec les modèles de composants actifs disponibles dans les librairies) est couplée à des représentations comportementales dynamiques. Les représentations comportementales développées permettent de capturer des effets de non-linéarités tant au niveau composant (caractéristique non-linéaire des Varicap en fonction des tensions de contrôle) qu'au niveau block de fonction (gain KVCO non uniforme de l'oscillateur contrôlé en tension (VCO) en fonction de la fréquence).Cette méthodologie hybride permet l'évaluation d'effets compétitifs résultant de phénomènes de «pulling» et de «Pushing» au niveau de la puce (influence de la PLL, effets de l'amplificateur de puissance, intégrité des alimentations ou distribution des références de masse, etc.) , et des distorsions induites par des éléments extérieurs à la puce (exemple de composants sur PCB : Filtre SAW, capacités de découplages, réseaux d'adaptation).L'approche proposée est utilisée pour l'étude et la conception de deux types de circuits développés par NXP-semi-conducteurs pour des applications liées à la sécurité automobile (PLL fonctionnant aux alentours de 1.736GHz) et à la réception satellitaire (PLL de faible consommation fonctionnant à 9.75/10.6 GHz pour les circuits LNB).Les résultats de modélisation obtenus sont validés par corrélations avec les données expérimentales et par comparaison avec les résultats obtenus de différents outils (ADS Harmonic- Balance/Transient de Agilent, Spectre de Cadence
This thesis work focuses on characterization, modeling and analysis of «Pulling» and «Pushing» phenomena in Phase Locked Loops (PLL) based on a global approach where distributed effects of electromagnetic couplings at different integration levels (chip-level, assembly-level, board or PCB-level) are taken into account. The modeling approach adopts a hybrid methodology where the analysis of electromagnetic couplings combined with broadband equivalent circuit synthesis (compatible with library models of active components) is coupled with dynamic behavioral representations. The derived behavioral representations properly capture the effects of nonlinearities both at component scale (non-linear characteristic of varicap as function of control voltages) and at function block level (non-uniform gain KVCO of VCO circuits depending on frequency).The hybrid methodology renders possible the assessment of competitive effects resulting from «Pulling» and «Pushing» phenomena at chip level (influence of the PLL, effects of the power amplifier, power integrity, or ground reference distribution, etc..), and the distortions induced by components external to the chip at package and board levels (such as components on PCB: SAW filters, decoupling capacitors, matching networks).The proposed approach is used for the study and design of two types of circuits developed by NXP- Semiconductors, for applications related to automotive security and immobilization (an RF low power transceiver Integrated Circuit (PLL running around 1.763GHz), and to satellite receiver (PLL operating at low power for LNB circuits working at 9.75/10.6 GHz).The obtained modeling results are validated by correlation with experimental data and by comparison with different time-domain and frequency-domain simulation tools results (ADS-Harmonic Balance, ADS-Shooting solutions, Cadence-Spectre)