Добірка наукової літератури з теми "Ultra-violet (UV) photodetectors"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Зміст
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Ultra-violet (UV) photodetectors".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "Ultra-violet (UV) photodetectors"
Jacob, Anju Anna, L. Balakrishnan, S. R. Meher, K. Shambavi, and Z. C. Alex. "Synthesis of Zn1−xCdxO Nanoparticles by Co-Precipitation: Structural, Optical and Photodetection Analysis." International Journal of Nanoscience 17, no. 01n02 (October 12, 2017): 1760015. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x17600158.
Повний текст джерелаYing, Haoting, Xin Li, Yutong Wu, Yi Yao, Junhua Xi, Weitao Su, Chengchao Jin, Minxuan Xu, Zhiwei He, and Qi Zhang. "High-performance ultra-violet phototransistors based on CVT-grown high quality SnS2flakes." Nanoscale Advances 1, no. 10 (2019): 3973–79. http://dx.doi.org/10.1039/c9na00471h.
Повний текст джерелаDe Souza, Michelly, Olivier Bulteel, Denis Flandre, and Marcelo Antonio Pavanello. "Temperature and Silicon Film Thickness Influence on the Operation of Lateral SOI PIN Photodiodes for Detection of Short Wavelengths." Journal of Integrated Circuits and Systems 6, no. 2 (December 27, 2011): 107–13. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v6i2.346.
Повний текст джерелаLee, Youngmin, Soo Youn Kim, Deuk Young Kim та Sejoon Lee. "Highly Sensitive UV Photodiode Composed of β-Polyfluorene/YZnO Nanorod Organic-Inorganic Hybrid Heterostructure". Nanomaterials 10, № 8 (29 липня 2020): 1486. http://dx.doi.org/10.3390/nano10081486.
Повний текст джерелаAjmal, Hafiz Muhammad Salman, Fasihullah Khan, Noor Ul Huda, Sunjung Lee, Kiyun Nam, Hae Young Kim, Tae-Hyong Eom, and Sam Dong Kim. "High-Performance Flexible Ultraviolet Photodetectors with Ni/Cu-Codoped ZnO Nanorods Grown on PET Substrates." Nanomaterials 9, no. 8 (July 25, 2019): 1067. http://dx.doi.org/10.3390/nano9081067.
Повний текст джерелаFu, Houqiang. "(Invited) III-Oxide/III-Nitride Heterostructures for Power Electronics and Optoelectronics Applications." ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no. 34 (October 9, 2022): 1243. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02341243mtgabs.
Повний текст джерелаBiondo, Stéphane, Mihai Lazar, Laurent Ottaviani, Wilfried Vervisch, Olivier Palais, R. Daineche, Dominique Planson, F. Milesi, J. Duchaine, and Franck Torregrosa. "Electrical Characteristics of SiC UV-Photodetector Device from the P-I-N Structure Behaviour to the Junction Barrier Schottky Structure Behaviour." Materials Science Forum 711 (January 2012): 114–17. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.711.114.
Повний текст джерелаLi, Bin, Jin Wei Liu, Hao Luo, Chao Yu Feng, and Xiao Xiao Duan. "The Warning Measurement System of Erythema Time with Ultra Violet Photodevice and Properties of Biological Filtration Materials." Advanced Materials Research 643 (January 2013): 9–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.643.9.
Повний текст джерелаAli, A. M., A. S. Mohammed, and S. M. Hanfoosh. "The spectral responsivity enhancement for gallium-doped CdO/PS heterojunction for UV detector." Journal of Ovonic Research 17, no. 3 (May 2021): 239–45. http://dx.doi.org/10.15251/jor.2021.173.239.
Повний текст джерелаAlqanoo, Anas A. M., Naser M. Ahmed, Md R. Hashim, Munirah A. Almessiere, Sofyan A. Taya, Ahmed Alsadig, Osamah A. Aldaghri, and Khalid Hassan Ibnaouf. "Synthesis and Deposition of Silver Nanowires on Porous Silicon as an Ultraviolet Light Photodetector." Nanomaterials 13, no. 2 (January 15, 2023): 353. http://dx.doi.org/10.3390/nano13020353.
Повний текст джерелаДисертації з теми "Ultra-violet (UV) photodetectors"
Biondo, Stéphane. "Simulation, réalisation et caractérisation de jonction p+n en SiC-4H, pour la photodétection de rayonnement UV." Thesis, Aix-Marseille, 2012. http://www.theses.fr/2012AIXM4340.
Повний текст джерелаSilicon carbide is a wide band-gap semiconductor with electrical and thermal characteristics particularly suitable for high power devices and radiation sensors. The realisation of UV detectors is mainly useful in the following sectors: fire detection, surface imagery, astronomy, medicine, military... The photodetectors based on wide band-gap semiconductors allow to get a very good selectivity, without using optical filters. Silicon carbide seems to be the most promising material, due to its chemical, mechanical and thermal stability, inducing a reliable behaviour in extreme environment. However SiC doping requires a distinct know-how (hot ion implantation, high temperature annealing, rapid heating-rate…). Test devices have been firstly processed by using ion implantation and plasma, allowing evaluating p+n or n+p junction characteristics. After the optimisation of the technological parameters of implantation and related annealing, the realisation of radiation detectors based on Schottky or p.n diodes has been carried out. The electrical simulations of such devices were performed with Sentaurus Devices program (Synopsys). The characteristics of the devices proved an improvement with the Boron-plasma implantation
Kalra, Anisha. "Ultra-wide Band-gap Semiconductor Heterostructures for UV Opto-electronics." Thesis, 2021. https://etd.iisc.ac.in/handle/2005/5585.
Повний текст джерела