Статті в журналах з теми "Type II Heterostructures"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "Type II Heterostructures".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Maevskaya, Maria V., Aida V. Rudakova, Alexandra V. Koroleva, Aleksandr S. Sakhatskii, Alexei V. Emeline, and Detlef W. Bahnemann. "Effect of the Type of Heterostructures on Photostimulated Alteration of the Surface Hydrophilicity: TiO2/BiVO4 vs. ZnO/BiVO4 Planar Heterostructured Coatings." Catalysts 11, no. 12 (November 23, 2021): 1424. http://dx.doi.org/10.3390/catal11121424.
Повний текст джерелаBhardwaj, Garima, Sandhya K., Richa Dolia, M. Abu-Samak, Shalendra Kumar, and P. A. Alvi. "A Comparative Study on Optical Characteristics of InGaAsP QW Heterostructures of Type-I and Type-II Band Alignments." Bulletin of Electrical Engineering and Informatics 7, no. 1 (March 1, 2018): 35–41. http://dx.doi.org/10.11591/eei.v7i1.872.
Повний текст джерелаBehara, Dilip Kumar, Jalajakshi Tammineni, and Mukkara Sudha Maheswari. "TiO2/ZnO: Type-II Heterostructures for electrochemical crystal violet dye degradation studies." Macedonian Journal of Chemistry and Chemical Engineering 39, no. 2 (October 26, 2020): 217. http://dx.doi.org/10.20450/mjcce.2020.2058.
Повний текст джерелаLi, Jiayi, Yanming Lin, Minjie Zhang, Ying Peng, Xinru Wei, Zhengkun Wang, Zhenyi Jiang та Aijun Du. "Ferroelectric polarization and interface engineering coupling of Z-scheme ZnIn2S4/α-In2Se3 heterostructure for efficient photocatalytic water splitting". Journal of Applied Physics 133, № 10 (14 березня 2023): 105702. http://dx.doi.org/10.1063/5.0136862.
Повний текст джерелаZakharova, A., and V. Gergel. "Resonant tunneling in type II heterostructures." Solid State Communications 96, no. 4 (October 1995): 209–13. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(95)00435-1.
Повний текст джерелаSchäfer, F., M. Stein, J. Lorenz, F. Dobener, C. Ngo, J. T. Steiner, C. Fuchs, et al. "Gain recovery dynamics in active type-II semiconductor heterostructures." Applied Physics Letters 122, no. 8 (February 20, 2023): 082104. http://dx.doi.org/10.1063/5.0128777.
Повний текст джерелаLi, Honglin, Yuting Cui, Haijun Luo, and Wanjun Li. "The strain induced type-II band re-alignment of blue phosphorus-GeX (X = C/H/Se) heterostructures." European Physical Journal Applied Physics 89, no. 1 (January 2020): 10103. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2020190325.
Повний текст джерелаIchimura, Masaya. "Calculation of Band Offsets of Mg(OH)2-Based Heterostructures." Electronic Materials 2, no. 3 (July 1, 2021): 274–83. http://dx.doi.org/10.3390/electronicmat2030019.
Повний текст джерелаБаженов, Н. Л., К. Д. Мынбаев, А. А. Семакова та Г. Г. Зегря. "Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений А-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=-". Физика и техника полупроводников 56, № 5 (2022): 477. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2022.05.52349.9805.
Повний текст джерелаLiu, Zixiang, and Zhiguo Wang. "Electronic Properties of MTe2/AsI3(M=Mo and W) Van der Waals Heterostructures." MATEC Web of Conferences 380 (2023): 01011. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/202338001011.
Повний текст джерелаSchlichenmaier, C., H. Grüning, A. Thränhardt, P. J. Klar, B. Kunert, K. Volz, W. Stolz, et al. "Type I-type II transition in InGaAs–GaNAs heterostructures." Applied Physics Letters 86, no. 8 (February 21, 2005): 081903. http://dx.doi.org/10.1063/1.1870132.
Повний текст джерелаMa, Zechen, Ruifeng Li, Rui Xiong, Yinggan Zhang, Chao Xu, Cuilian Wen, and Baisheng Sa. "InSe/Te van der Waals Heterostructure as a High-Efficiency Solar Cell from Computational Screening." Materials 14, no. 14 (July 6, 2021): 3768. http://dx.doi.org/10.3390/ma14143768.
Повний текст джерелаShim, Moonsub, Hunter McDaniel, and Nuri Oh. "Prospects for Strained Type-II Nanorod Heterostructures." Journal of Physical Chemistry Letters 2, no. 21 (October 13, 2011): 2722–27. http://dx.doi.org/10.1021/jz201111y.
Повний текст джерелаJezewski, M., F. Mollot, and R. Planel. "Photoinduced electric fields in type II heterostructures." Applied Physics Letters 56, no. 24 (June 11, 1990): 2422–24. http://dx.doi.org/10.1063/1.102897.
Повний текст джерелаLiu, Congying, Zhenwei Wang, Wenqi Xiong, Hongxia Zhong, and Shengjun Yuan. "Effect of vertical strain and in-plane biaxial strain on type-II MoSi2N4/Cs3Bi2I9 van der Waals heterostructure." Journal of Applied Physics 131, no. 16 (April 28, 2022): 163102. http://dx.doi.org/10.1063/5.0080224.
Повний текст джерелаРоманов, В. В., Э. В. Иванов та К. Д. Моисеев. "Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа n-InAs/n-InAsSbP". Физика твердого тела 60, № 3 (2018): 585. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.03.45565.268.
Повний текст джерелаGui, Qingzhong, Zhen Wang, Chunmin Cheng, Xiaoming Zha, John Robertson, Sheng Liu, Zhaofu Zhang, and Yuzheng Guo. "Theoretical study of the interface engineering for H-diamond field effect transistors with h-BN gate dielectric and graphite gate." Applied Physics Letters 121, no. 21 (November 21, 2022): 211601. http://dx.doi.org/10.1063/5.0117263.
Повний текст джерелаDuez, V., O. Vanbésien, D. Lippens, D. Vignaud, X. Wallart, and F. Mollot. "Type II and mixed type I–II radiative recombinations in AlInAs–InP heterostructures." Journal of Applied Physics 85, no. 4 (February 15, 1999): 2202–6. http://dx.doi.org/10.1063/1.369517.
Повний текст джерелаVasil’ev, Yu B., V. A. Solov’ev, B. Ya Mel’tser, A. N. Semenov, S. V. Ivanov, Yu L. Ivanov, and P. S. Kop’ev. "Far infrared electroluminescence in cascade type-II heterostructures." Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters 75, no. 8 (April 2002): 391–94. http://dx.doi.org/10.1134/1.1490006.
Повний текст джерелаPlatonov, A. V., V. P. Kochereshko, E. L. Ivchenko, G. V. Mikhailov, D. R. Yakovlev, M. Keim, W. Ossau, A. Waag, and G. Landwehr. "Giant Electro-optical Anisotropy in Type-II Heterostructures." Physical Review Letters 83, no. 17 (October 25, 1999): 3546–49. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.83.3546.
Повний текст джерелаWilson, B. A. "Recombination mechanisms in type II (GaAs/AlAs) heterostructures." Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 6, no. 4 (July 1988): 1156. http://dx.doi.org/10.1116/1.584270.
Повний текст джерелаSuzuki, N., T. Anan, H. Hatakeyama, and M. Tsuji. "Low resistance tunnel junctions with type-II heterostructures." Applied Physics Letters 88, no. 23 (June 5, 2006): 231103. http://dx.doi.org/10.1063/1.2210082.
Повний текст джерелаMcDaniel, Hunter, Philip Edward Heil, Cheng-Lin Tsai, Kyekyoon (Kevin) Kim, and Moonsub Shim. "Integration of Type II Nanorod Heterostructures into Photovoltaics." ACS Nano 5, no. 9 (September 2011): 7677–83. http://dx.doi.org/10.1021/nn2029988.
Повний текст джерелаMendez, E. E., V. V. Kuznetsov, D. Chokin, and J. D. Bruno. "Anomalous resonant-tunneling effect in type II heterostructures." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 6, no. 1-4 (February 2000): 335–38. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(99)00173-3.
Повний текст джерелаMendez, E. E. "Interband magneto-tunneling in polytype type II heterostructures." Surface Science 267, no. 1-3 (January 1992): 370–76. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(92)91156-6.
Повний текст джерелаGuan, Yue, Xiaodan Li, Ruixia Niu, Ningxia Zhang, Taotao Hu, and Liyao Zhang. "Tunable Electronic Properties of Type-II SiS2/WSe2 Hetero-Bilayers." Nanomaterials 10, no. 10 (October 15, 2020): 2037. http://dx.doi.org/10.3390/nano10102037.
Повний текст джерелаMao, Bangyao, Xiurui Lv, Guijuan Zhao, Shu'an Xing, Jinjin Tang, Heyuan Huang, Guipeng Liu, and Yong Gao. "Band alignment of monolayer MoS2/4H-SiC heterojunction via first-principles calculations and x-ray photoelectron spectroscopy." Applied Physics Letters 121, no. 5 (August 1, 2022): 051601. http://dx.doi.org/10.1063/5.0094338.
Повний текст джерелаMoiseev, Konstantin, Eduard Ivanov, and Yana Parkhomenko. "Long-Wavelength Luminescence of InSb Quantum Dots in Type II Broken-Gap Heterostructure." Electronics 12, no. 3 (January 26, 2023): 609. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12030609.
Повний текст джерелаFinkman, E., and R. Planel. "Photoluminescence nonlinearities in mixed type I–type II quantum well heterostructures." Applied Physics Letters 72, no. 20 (May 18, 1998): 2604–6. http://dx.doi.org/10.1063/1.121431.
Повний текст джерелаShin, Ki Hoon, Min-Kyu Seo, Sangyeon Pak, A.-Rang Jang, and Jung Inn Sohn. "Observation of Strong Interlayer Couplings in WS2/MoS2 Heterostructures via Low-Frequency Raman Spectroscopy." Nanomaterials 12, no. 9 (April 19, 2022): 1393. http://dx.doi.org/10.3390/nano12091393.
Повний текст джерелаYuan, Haidong, Jie Su, Jie Zhang, Zhenhua Lin, Jincheng Zhang, Jingjing Chang та Yue Hao. "Synergistic effect of covalent functionalization and intrinsic electric field on β-Ga2O3/graphene heterostructures". Applied Physics Letters 121, № 23 (5 грудня 2022): 231601. http://dx.doi.org/10.1063/5.0120142.
Повний текст джерелаWang, Nan, Yashu Li, Lin Wang, and Xuelian Yu. "Photocatalytic Applications of ReS2-Based Heterostructures." Molecules 28, no. 6 (March 14, 2023): 2627. http://dx.doi.org/10.3390/molecules28062627.
Повний текст джерелаOhno, H., L. Esaki, and E. E. Mendez. "Optoelectronic devices based on type II polytype tunnel heterostructures." Applied Physics Letters 60, no. 25 (June 22, 1992): 3153–55. http://dx.doi.org/10.1063/1.106726.
Повний текст джерелаMikhailova, M. P., Yu P. Yakovlev, N. L. Bazhenov, V. A. Smirnov, Y. A. Berezovets, R. V. Parfeniev, and K. D. Moiseev. "Interface-induced phenomena in type II antimonide–arsenide heterostructures." IEE Proceedings - Optoelectronics 145, no. 5 (October 1, 1998): 268–74. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:19982305.
Повний текст джерелаMaksimov, A. A., I. I. Tartakovskiĭ, D. R. Yakovlev, M. Bayer, and A. Waag. "Picosecond carrier relaxation in type-II ZnSe/BeTe heterostructures." Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters 83, no. 4 (April 2006): 141–45. http://dx.doi.org/10.1134/s0021364006040035.
Повний текст джерелаYakovlev, D. R., A. V. Platonov, V. P. Kochereshko, E. L. Ivchenko, M. Keim, W. Ossau, A. Waag, and G. Landwehr. "Giant quantum-confined Pockels effect in type-II heterostructures." Journal of Crystal Growth 214-215 (June 2000): 345–49. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00105-6.
Повний текст джерелаSilva, Erasmo A. de Andrada e., and Giuseppe C. La Rocca. "Exciton luminescence polarization decay in type II semiconductor heterostructures." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2, no. 1-4 (July 1998): 839–42. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(98)00171-4.
Повний текст джерелаLugagne-Delpon, E., P. Voisin, J. P. Vieren, M. Voos, J. P. Andre, and J. N. Patillon. "Investigations of MOCVD-grown AlInAs-InP type II heterostructures." Semiconductor Science and Technology 7, no. 4 (April 1, 1992): 524–28. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/7/4/014.
Повний текст джерелаVorlícek, V., K. D. Moiseev, M. P. Mikhailova, Yu P. Yakovlev, E. Hulicius, and T. Šimecek. "Raman Scattering Study of Type II GaInAsSb/InAs Heterostructures." Crystal Research and Technology 37, no. 2-3 (February 2002): 259–67. http://dx.doi.org/10.1002/1521-4079(200202)37:2/3<259::aid-crat259>3.0.co;2-u.
Повний текст джерелаKisin, Mikhail V., Mitra Dutta, and Michael A. Stroscio. "ELECTRON-PHONON INTERACTIONS IN INTERSUBBAND LASER HETEROSTRUCTURES." International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, no. 04 (December 2002): 939–68. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001873.
Повний текст джерелаParkhomenko Ya. A., Ivanov E. V., and Moiseev K. D. "Radiative recombination in the InAs/InSb type II broken-gap heterojucntion with quantum dots at the interface." Physics of the Solid State 65, no. 4 (2023): 628. http://dx.doi.org/10.21883/pss.2023.04.56006.11.
Повний текст джерелаRen, Da-Hua, Qiang Li, Kai Qian, and Xing-Yi Tan. "Tunable electronic properties of GaS–SnS2 heterostructure by strain and electric field." Chinese Physics B 31, no. 4 (April 1, 2022): 047102. http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/ac3a62.
Повний текст джерелаSoni, Udit, Anuushka Pal, Sajan Singh, Mona Mittal, Sushma Yadav, Ravikrishnan Elangovan, and Sameer Sapra. "Simultaneous Type-I/Type-II Emission from CdSe/CdS/ZnSe Nano-Heterostructures." ACS Nano 8, no. 1 (December 5, 2013): 113–23. http://dx.doi.org/10.1021/nn404537s.
Повний текст джерелаGuo, Li, Kailai Zhang, Xuanxuan Han, Qiang Zhao, Danjun Wang, and Feng Fu. "2D In-Plane CuS/Bi2WO6 p-n Heterostructures with Promoted Visible-Light-Driven Photo-Fenton Degradation Performance." Nanomaterials 9, no. 8 (August 11, 2019): 1151. http://dx.doi.org/10.3390/nano9081151.
Повний текст джерелаПархоменко, Я. А., Э. В. Иванов та К. Д. Моисеев. "Излучательная рекомбинация в разъединенном гетеропереходе II типа InAs/InSb с квантовыми точками на интерфейсе". Физика твердого тела 65, № 4 (2023): 645. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2023.04.55304.11.
Повний текст джерелаCai, Yiwei, Zhengli Lu, Xin Xu, Yujia Gao, Tingting Shi, Xin Wang, and Lingling Shui. "Bandgap Engineering of Two-Dimensional Double Perovskite Cs4AgBiBr8/WSe2 Heterostructure from Indirect Bandgap to Direct Bandgap by Introducing Se Vacancy." Materials 16, no. 10 (May 11, 2023): 3668. http://dx.doi.org/10.3390/ma16103668.
Повний текст джерелаGuo, Zhonglu, Naihua Miao, Jian Zhou, Baisheng Sa, and Zhimei Sun. "Strain-mediated type-I/type-II transition in MXene/Blue phosphorene van der Waals heterostructures for flexible optical/electronic devices." Journal of Materials Chemistry C 5, no. 4 (2017): 978–84. http://dx.doi.org/10.1039/c6tc04349f.
Повний текст джерелаZhuang, Qianyong, Jin Li, Chaoyu He, Tao Ouyang, Chunxiao Zhang, Chao Tang, and Jianxin Zhong. "Type-II lateral SnSe/GeTe heterostructures for solar photovoltaic applications with high efficiency." Nanoscale Advances 3, no. 12 (2021): 3643–49. http://dx.doi.org/10.1039/d1na00209k.
Повний текст джерелаZhang, Fang, Xianqi Dai, Liangliang Shang, and Wei Li. "Tunable Band Alignment in the Arsenene/WS2 Heterostructure by Applying Electric Field and Strain." Crystals 12, no. 10 (September 30, 2022): 1390. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12101390.
Повний текст джерелаDong, Fan, Zilin Ni, Peidong Li, and Zhongbiao Wu. "A general method for type I and type II g-C3N4/g-C3N4 metal-free isotype heterostructures with enhanced visible light photocatalysis." New Journal of Chemistry 39, no. 6 (2015): 4737–44. http://dx.doi.org/10.1039/c5nj00351b.
Повний текст джерела