Книги з теми "Tunneling field effect transistor"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Tunneling field effect transistor".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Zhang, Lining, and Mansun Chan, eds. Tunneling Field Effect Transistor Technology. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-31653-6.
Повний текст джерелаSamuel, T. S. Arun, Young Suh Song, Shubham Tayal, P. Vimala, and Shiromani Balmukund Rahi. Tunneling Field Effect Transistors. Boca Raton: CRC Press, 2023. http://dx.doi.org/10.1201/9781003327035.
Повний текст джерелаWang, Shiyu, Zakir Hossain, Yan Zhao, and Tao Han. Graphene Field-Effect Transistor Biosensors. Singapore: Springer Singapore, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-16-1212-1.
Повний текст джерелаPark, Byung-Eun, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, and Sung-Min Yoon, eds. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories. Dordrecht: Springer Netherlands, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-024-0841-6.
Повний текст джерелаPark, Byung-Eun, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, and Sung-Min Yoon, eds. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories. Singapore: Springer Singapore, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-1212-4.
Повний текст джерелаCorporation, Mitsubishi Electric. Ga As field effect transistor(chip) databook. Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1986.
Знайти повний текст джерелаAmiri, Iraj Sadegh, and Mahdiar Ghadiry. Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor. Singapore: Springer Singapore, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-10-6550-7.
Повний текст джерелаKarmakar, Supriya. Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor. New Delhi: Springer India, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-81-322-1635-3.
Повний текст джерелаCorporation, Mitsubishi Electric. GaAs field effect transistor MGF 1900 series user's manual. Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1987.
Знайти повний текст джерелаCorporation, Mitsubishi Electric. Mitsubishi semiconductors 1994: GaAs field effect transistor (data book). Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1994.
Знайти повний текст джерелаCorporation, Mitsubishi Electric. Mitsubishi semiconductors 1991: GaAs field effect transistor [data book]. Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1991.
Знайти повний текст джерелаMarston, R. M. Diode, transistor & FET circuits manual. Oxford: Newnes, 1991.
Знайти повний текст джерелаOperation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987.
Знайти повний текст джерелаShvart͡s, N. Z. Usiliteli SVCh na polevykh tranzistorakh. Moskva: Radio i sviazʹ, 1987.
Знайти повний текст джерелаSridharan, K., B. Srinivasu, and Vikramkumar Pudi. Low-Complexity Arithmetic Circuit Design in Carbon Nanotube Field Effect Transistor Technology. Cham: Springer International Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-50699-5.
Повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2010.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2011.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2010.
Знайти повний текст джерелаR, Sundburg Gale, and United States. National Aeronautics and Space Administration. Scientific and Technical Information Branch., eds. Programmable, automated transistor test system. [Washington, D.C.]: National Aeronautics and Space Administration, Scientific and Technical Information Branch, 1986.
Знайти повний текст джерелаJ, Nahra J., and United States. National Aeronautics and Space Administration., eds. C-band superconductor/semiconductor hybrid field-effect transistor amplifier on a LaAlO □substrate. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1992.
Знайти повний текст джерелаJ, Nahra J., and United States. National Aeronautics and Space Administration., eds. C-band superconductor/semiconductor hybrid field-effect transistor amplifier on a LaAlO substrate. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1992.
Знайти повний текст джерелаAmara, Amara, and Rozeau Olivier, eds. Planar double-gate transistor: From technology to circuit. [Dordrecht?]: Springer, 2009.
Знайти повний текст джерелаBlaser, Markus. Monolithically integrated InGaAs/Inp photodiode-junction field-effect transistor receivers for fiber-optic telecommunication. Konstanz: Hartung-Gorre, 1997.
Знайти повний текст джерелаOperation and modeling of the MOS transistor. 2nd ed. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1998.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 2nd ed. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1999.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 2nd ed. New York: Oxford University Press, 1999.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987.
Знайти повний текст джерелаAmara, Amara, and Rozeau Olivier, eds. Planar double-gate transistor: From technology to circuit. [Dordrecht?]: Springer, 2009.
Знайти повний текст джерелаC, Sansen Willy M., and Maes H. E, eds. Matching properties of deep sub-micron MOS transistors. New York: Springer, 2005.
Знайти повний текст джерелаCharge-based MOS transistor modelling: The EKV model for low-power and RF IC design. Chichester, UK: John Wiley & Sons, 2006.
Знайти повний текст джерела1954-, Golio John Michael, ed. Microwave MESFETs and HEMTs. Boston: Artech House, 1991.
Знайти повний текст джерелаChan, Mansun, and Lining Zhang. Tunneling Field Effect Transistor Technology. Springer, 2018.
Знайти повний текст джерелаChan, Mansun, and Lining Zhang. Tunneling Field Effect Transistor Technology. Springer, 2016.
Знайти повний текст джерелаChan, Mansun, and Lining Zhang. Tunneling Field Effect Transistor Technology. Springer London, Limited, 2016.
Знайти повний текст джерелаOmura, Yasuhisa, Abhijit Mallik, and Naoto Matsuo. MOS Devices for Low-Voltage and Low-Energy Applications. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2016.
Знайти повний текст джерелаMOS Devices for Low-Voltage and Low-Energy Applications. Wiley-Interscience, 2017.
Знайти повний текст джерелаOmura, Yasuhisa, Abhijit Mallik, and Naoto Matsuo. MOS Devices for Low-Voltage and Low-Energy Applications. Wiley & Sons, Limited, John, 2016.
Знайти повний текст джерелаNanowire Field-Effect Transistor (FET). MDPI, 2021. http://dx.doi.org/10.3390/books978-3-03936-209-7.
Повний текст джерелаField-Effect Transistor [Working Title]. IntechOpen, 2023. http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.102313.
Повний текст джерелаWang, Shiyu, Tao Han, Yan Zhao, and Zakir Hossain. Graphene Field-Effect Transistor Biosensors. Springer Singapore Pte. Limited, 2022.
Знайти повний текст джерелаWang, Shiyu, Tao Han, Yan Zhao, and Zakir Hossain. Graphene Field-Effect Transistor Biosensors. Springer Singapore Pte. Limited, 2021.
Знайти повний текст джерелаBlicher, Adolph. Field-Effect and Bipolar Power Transistor Physics. Elsevier Science & Technology Books, 2012.
Знайти повний текст джерелаMotes, Andrew. Field-Effect Transistor Amp Analysis and Design. Independently Published, 2018.
Знайти повний текст джерелаIncorporated, Siliconix. Designing With Field-Effect Transistors. 2nd ed. McGraw-Hill Companies, 1989.
Знайти повний текст джерелаDesigning With Field-Effect Transistors. McGraw-Hill Companies, 1989.
Знайти повний текст джерелаAmiri, Iraj Sadegh, and Mahdiar Ghadiry. Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor. Springer, 2017.
Знайти повний текст джерелаAmiri, Iraj Sadegh, and Mahdiar Ghadiry. Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor. Springer, 2017.
Знайти повний текст джерелаLebby, Michael Stephen. Fabrication and characterisation of the heterojunction field effect transistor (HFET) and the bipolar inversion channel field effect transistor (BICFET): Characterisations of HFETs.... Bradford, 1987.
Знайти повний текст джерелаSakai, Shigeki, Masanori Okuyama, Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, and Sung-Min Yoon. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications. Springer London, Limited, 2016.
Знайти повний текст джерелаSakai, Shigeki, Andrew Gamble, Masanori Okuyama, Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, and Sung-Min Yoon. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications. Springer, 2018.
Знайти повний текст джерела