Увійти

Готові списки джерел за темами / Transistors HEMT / Книги

Книги з теми "Transistors HEMT"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Transistors HEMT.

Автор: Grafiati

Опубліковано: 27 липня 2024

Оновлено: 29 липня 2024

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-33 книг для дослідження на тему "Transistors HEMT".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Lee, Ross R., Svensson Stefan P, and Lugli P. 1956-, eds. Pseudomorphic HEMT technology and applications. Dordrecht: Kluwer Academic, 1996.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Q, Lee Richard, and United States. National Aeronautics and Space Administration., eds. Planar dielectric resonator stabilized HEMT oscillator integrated with CPW/aperture coupled patch antenna. [Washington, D.C.]: National Aeronautics and Space Administration, 1991.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Freeman, Jon C. Basic equations for the modeling of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs). [Cleveland, Ohio]: National Aeronautics and Space Administration, Glenn Research Center, 2003.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Duran, Halit C. High performance InP-based HEMTs with dry etched gate recess. Konstanz: Hartung-Gorre Verlag, 1998.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Anholt, Robert. Electrical and thermal characterization of MESFETs, HEMTs, and HBTs. Boston: Artech House, 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Ladbrooke, Peter H. MMIC design: GaAs FETS and HEMTs. Boston: Artech House, 1989.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Ju, Y. Sungtaek. Microscale Heat Conduction in Integrated Circuits and Their Constituent Films. Boston, MA: Springer US, 1999.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Ju, Y. Sungtaek. Microscale heat conduction in integrated circuits and their constituent films. Boston: Kluwer Academic, 1999.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Ju, Y. Sungtaek. Microscale heat conduction in integrated circuits and their constituent films. Boston: Kluwer Academic, 1999.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

International High Temperature Electronics Conference (4th 1998 Albuquerque, N.M.). 1998 Fourth International High Temperature Electronics Conference: HITEC, Albuquerque, New Mexico, USA, June 14-18, 1998. New York City, NY: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., 1998.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

Eliason, Garth W. HEMT-compatible laser diodes. 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Eliason, Garth W. HEMT-compatible laser diodes. 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

Ross, R. L., and Silvana Lombardo. Pseudomorphic HEMT Technology and Applications. Springer, 2012.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

Chang, Chujyh. Modeling and characterization of hemt devices. 1989.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications. Taylor & Francis Group, 2023.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications. CRC Press, 2021.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

Mohankumar, N. Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications. Taylor & Francis Group, 2021.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Nirmal, D., and J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

Nirmal, D., and J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Nirmal, D., and J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

Fundamentals of III-V devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs. New York: Wiley, 1999.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

Liu, William. Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2008.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

Bryant, Kathleen Cooper. The analysis of a transistor cap as a heat dissipator. 1986.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Chauhan, Yogesh Singh, Sheikh Aamir Ahsan, Ahtisham Ul Haq Pampori, and Raghvendra Dangi. GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the ASM-GaN-HEMT Model. Elsevier Science & Technology, 2023.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the ASM-GaN-HEMT Model. Elsevier Science & Technology, 2023.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

27

National Aeronautics and Space Administration (NASA) Staff. Basic Equations for the Modeling of Gallium Nitride (Gan) High Electron Mobility Transistors (Hemts). Independently Published, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

28

Bergamaschi, Crispino Enrico. Herstellung, Charakterisierung und Modellierung von InAlAs/InGaAs/InP HEMT Transistoren für Anwendungen im mm-Wellenbereich. 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

29

Anderson, James A. Computing Hardware. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/acprof:oso/9780199357789.003.0003.

Повний текст джерела

Анотація:

Digital computers are built from hardware of great simplicity. First, they are built from devices with two states: on or off, one or zero, high voltage or low voltage, or logical TRUE or FALSE. Second, the devices are connected with extremely fine connections, currently on the order of size of a large virus. Their utility, value, and perceived extreme complexity lie in the software controlling them. Different devices have been used to build computers: relays, vacuum tubes, transistors, and integrated circuits. Theoretically, all can run the same software, only slower or faster. More exotic technologies have not proved commercially viable. Digital computer hardware has increased in power by roughly a factor of 2 every 2 years for five decades, an observation called Moore’s Law. Engineering problems with very small devices, such as quantum effects, heat, and difficulty of fabrication, are increasing and may soon end Moore’s Law.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

30

Ju, Y. Sungtaek, and Kenneth E. Goodson. Microscale Heat Conduction in Integrated Circuits and Their Constituent Films (Microsystems). Springer, 1999.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

31

Lin, Angela A. Two dimensional numerical simulation of a non-isothermal GaAs MESFET. 1992.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

32

1998 Fourth International High Temperature Electronics Conference: HITEC, Albuquerque, New Mexico, USA, June 14-18, 1998. The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc, 1998.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

33

Institute Of Electrical and Electronics Engineers and International High Temperature Electronics Conference 1998 albuquerqu. High Temperature Electronics Conference, 1998 4th International. Institute of Electrical & Electronics Enginee, 1999.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!