Книги з теми "Transistors HEMT"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-33 книг для дослідження на тему "Transistors HEMT".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Lee, Ross R., Svensson Stefan P, and Lugli P. 1956-, eds. Pseudomorphic HEMT technology and applications. Dordrecht: Kluwer Academic, 1996.
Знайти повний текст джерелаQ, Lee Richard, and United States. National Aeronautics and Space Administration., eds. Planar dielectric resonator stabilized HEMT oscillator integrated with CPW/aperture coupled patch antenna. [Washington, D.C.]: National Aeronautics and Space Administration, 1991.
Знайти повний текст джерелаFreeman, Jon C. Basic equations for the modeling of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs). [Cleveland, Ohio]: National Aeronautics and Space Administration, Glenn Research Center, 2003.
Знайти повний текст джерелаDuran, Halit C. High performance InP-based HEMTs with dry etched gate recess. Konstanz: Hartung-Gorre Verlag, 1998.
Знайти повний текст джерелаAnholt, Robert. Electrical and thermal characterization of MESFETs, HEMTs, and HBTs. Boston: Artech House, 1995.
Знайти повний текст джерелаLadbrooke, Peter H. MMIC design: GaAs FETS and HEMTs. Boston: Artech House, 1989.
Знайти повний текст джерелаJu, Y. Sungtaek. Microscale Heat Conduction in Integrated Circuits and Their Constituent Films. Boston, MA: Springer US, 1999.
Знайти повний текст джерелаJu, Y. Sungtaek. Microscale heat conduction in integrated circuits and their constituent films. Boston: Kluwer Academic, 1999.
Знайти повний текст джерелаJu, Y. Sungtaek. Microscale heat conduction in integrated circuits and their constituent films. Boston: Kluwer Academic, 1999.
Знайти повний текст джерелаInternational High Temperature Electronics Conference (4th 1998 Albuquerque, N.M.). 1998 Fourth International High Temperature Electronics Conference: HITEC, Albuquerque, New Mexico, USA, June 14-18, 1998. New York City, NY: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., 1998.
Знайти повний текст джерелаEliason, Garth W. HEMT-compatible laser diodes. 1994.
Знайти повний текст джерелаEliason, Garth W. HEMT-compatible laser diodes. 1994.
Знайти повний текст джерелаRoss, R. L., and Silvana Lombardo. Pseudomorphic HEMT Technology and Applications. Springer, 2012.
Знайти повний текст джерелаChang, Chujyh. Modeling and characterization of hemt devices. 1989.
Знайти повний текст джерелаAdvanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications. Taylor & Francis Group, 2023.
Знайти повний текст джерелаAdvanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications. CRC Press, 2021.
Знайти повний текст джерелаMohankumar, N. Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications. Taylor & Francis Group, 2021.
Знайти повний текст джерелаNirmal, D., and J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2020.
Знайти повний текст джерелаNirmal, D., and J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Знайти повний текст джерелаNirmal, D., and J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Знайти повний текст джерелаHandbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Знайти повний текст джерелаFundamentals of III-V devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs. New York: Wiley, 1999.
Знайти повний текст джерелаLiu, William. Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2008.
Знайти повний текст джерелаBryant, Kathleen Cooper. The analysis of a transistor cap as a heat dissipator. 1986.
Знайти повний текст джерелаChauhan, Yogesh Singh, Sheikh Aamir Ahsan, Ahtisham Ul Haq Pampori, and Raghvendra Dangi. GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the ASM-GaN-HEMT Model. Elsevier Science & Technology, 2023.
Знайти повний текст джерелаGaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the ASM-GaN-HEMT Model. Elsevier Science & Technology, 2023.
Знайти повний текст джерелаNational Aeronautics and Space Administration (NASA) Staff. Basic Equations for the Modeling of Gallium Nitride (Gan) High Electron Mobility Transistors (Hemts). Independently Published, 2018.
Знайти повний текст джерелаBergamaschi, Crispino Enrico. Herstellung, Charakterisierung und Modellierung von InAlAs/InGaAs/InP HEMT Transistoren für Anwendungen im mm-Wellenbereich. 1994.
Знайти повний текст джерелаAnderson, James A. Computing Hardware. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/acprof:oso/9780199357789.003.0003.
Повний текст джерелаJu, Y. Sungtaek, and Kenneth E. Goodson. Microscale Heat Conduction in Integrated Circuits and Their Constituent Films (Microsystems). Springer, 1999.
Знайти повний текст джерелаLin, Angela A. Two dimensional numerical simulation of a non-isothermal GaAs MESFET. 1992.
Знайти повний текст джерела1998 Fourth International High Temperature Electronics Conference: HITEC, Albuquerque, New Mexico, USA, June 14-18, 1998. The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc, 1998.
Знайти повний текст джерелаInstitute Of Electrical and Electronics Engineers and International High Temperature Electronics Conference 1998 albuquerqu. High Temperature Electronics Conference, 1998 4th International. Institute of Electrical & Electronics Enginee, 1999.
Знайти повний текст джерела