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Готові списки джерел за темами / Transistor à haute mobilité électrique

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Добірка наукової літератури з теми "Transistor à haute mobilité électrique"

Автор: Grafiati

Опубліковано: 13 квітня 2024

Оновлено: 31 липня 2025

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Статті в журналах з теми "Transistor à haute mobilité électrique"

1

Josso-Laurain, Thomas, Jonathan Ledy, Frédéric Fondement, et al. "Transformer le campus universitaire en laboratoire ouvert : le projet SMART-UHA." J3eA 21 (2022): 0001. http://dx.doi.org/10.1051/j3ea/20220001.

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Анотація:

Ce papier décrit la méthodologie permettant de transformer un campus universitaire en laboratoire ouvert par l’introduction de plateformes expérimentales liées aux thématiques phares de la mobilité, de l’énergie et des mutations sociétales. En particulier, ce papier s’intéressera au volet Mobilité avec la présentation du robot SMART-UHA, un robot mobile autonome tracté par énergie électrique et dont les missions sont d’assurer des livraisons de colis sur le campus, et ce en assurant la totale sécurité des usagers. L’ensemble des capteurs et actionneurs de cette plateforme sont présentés, ainsi

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2

Abdelhamid, Amar, Hamdani Hamid, Radi Bouchaib, and El Hami Abdelkhalak. "Optimisation thermique du transistor à haute mobilité d’électron (HEMT) par la méthode CMA-ES." Incertitudes et fiabilité des systèmes multiphysiques 4, no. 1 (2020). http://dx.doi.org/10.21494/iste.op.2020.0570.

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3

Abdelhamid, Amar, Radi Bouchaib, and El Hami Abdelkhalak. "Optimisation du comportement thermique du transistor à haute mobilité d’électron (HEMT) par la méthode KA-CMA-ES." Incertitudes et fiabilité des systèmes multiphysiques 4, no. 2 (2020). http://dx.doi.org/10.21494/iste.op.2021.0600.

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Дисертації з теми "Transistor à haute mobilité électrique"

1

Duszynski, Isabelle. "Réalisation et caractérisation électrique de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de longueur de grille sub-50 nanomètres et de transistors sans couche tampon." Lille 1, 2005. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2005/50376-2005-346.pdf.

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Анотація:

"Les travaux de cette thèse ont porté sur l'étude, la réalisation et la caractérisation de transistors HEMTs de la filière AlInAs/GaInAs sur substrat d'InP, pouvant répondre aux différentes applications dans le domaine millimétrique, voire sub-millimétrique. Nous avons pour cela, envisagé deux axes principaux. La première voie qui a été suivie, est passée par une réduction des dimensions des transistors, en particulier la longueur de grille en "T" à quelques dizaines de nanomètres. Cette réduction, nécessaire afin d'augmenter les performances, passe par une amélioration de certaines étapes tec

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2

Elias, Caroline. "Étude d'héterostructures HEMT ScAlN/GaN élaborées par épitaxie sous jets moléculaires assistée ammoniac." Electronic Thesis or Diss., Université Côte d'Azur, 2023. http://www.theses.fr/2023COAZ4137.

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Анотація:

L'alliage ScAlN est un semiconducteur III-N à large bande interdite connu pour ses propriétés piézoélectriques remarquables. Ses propriétés de polarisation spontanée et piézoélectrique sont également intéressantes pour la réalisation d'hétérojonctions avec le GaN en vue de fabriquer des transistors à haute mobilité électronique (HEMTs). Dans ces hétérojonctions, remplacer le matériau barrière AlGaN habituellement utilisé par ScAlN présente plusieurs avantages, parmi lesquels la possibilité de générer des gaz bidimensionnels d'électrons (2DEGs) avec des densités bien plus importantes. En corola

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3

El, Makoudi Ikram. "Étude et fabrication de transistors à enrichissement de la filière InAlAs/InGaAs pour applications millimétriques faible bruit." Thesis, Lille 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LIL10069/document.

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Анотація:

Pour les applications électroniques analogiques, des composants fonctionnant en hautes fréquences avec un faible niveau de bruit sont nécessaires. Pour le développement de circuits numériques hauts débits de type DCFL, il faut utiliser des transistors à effet de champ à tensions de seuil positives. De plus, la tenue en tension est aussi une contrainte. La structure HEMT métamorphique à enrichissement AlInAs/GaInAs sur GaAs développée par la société OMMIC en 2007 répond à ces exigences et constitue le point de départ de cette étude. Le but de cette thèse est en effet de fournir une structure de

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4

Rennane, Abdelali. "Caractérisation et modélisation du bruit basse fréquence des composants bipolaires et à effet de champ pour applications micro-ondes." Toulouse 3, 2004. http://www.theses.fr/2004TOU30236.

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Анотація:

Le travail présenté dans ce mémoire a pour objet principal l’étude des phénomènes de bruit du fond électrique basse fréquence dans des transistors pour applications micro-ondes de type effet de champ (HEMT) sur SiGe et GaN ainsi que de type bipolaire à hétérojonction (TBH) à base de silicium-germanium (SiGe). Dans un premier chapitre nous rappelons les caractéristiques et propriétés essentielles des sources de bruit en excès que l’on rencontre généralement dans ce type de composants et proposons une description des bancs de mesure de bruit mis en oeuvre. Dans les deuxième et troisième chapitre

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5

Bassaler, Julien. "Propriétés de transport électronique et performances de HEMT à canal AlGaN pour l'électronique de puissance." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALY002.

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Анотація:

La demande croissante en énergie exige la création d'infrastructures nouvelles et adaptées, et le développement de l'électronique de puissance joue un rôle clé dans cette quête. L'utilisation de semi-conducteurs à large bande interdite, en raison de leurs propriétés physiques supérieures au silicium, s'avère être la voie la plus prometteuse pour concevoir des composants plus performants. Bien que les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base de GaN sur silicium soient déjà commercialisés, leur tension de fonctionnement est limitée à 650 V et ils montrent une nette dégradation de

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6

Locatelli, Marie-Laure. "Etude du comportement électrique du transistor bipolaire de puissance en haute température." Lyon, INSA, 1993. http://www.theses.fr/1993ISAL0036.

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Анотація:

Le domaine des composantes de puissance haute température concerne à la fois les applications devant fonctionner en milieu à température ambiante élevée, et les applications en ambiance normale pour les quelles une augmentation de la puissance massique et volumineuse des équipements souhaitée. Dans ce contexte, nous nous sommes plus particulièrement attaché à l'étude du comportement électrique du transistor bipolaire de puissance dans la gamme de températures allant de 30°C à 260°C. Ont été successivement étudiées et analysées d'un point de vue physique les évolutions en température des princi

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7

Liu, Qiang. "Etude du comportement électrique de transistor de puissance pour l'automobile en haute température." Lyon, INSA, 1994. http://www.theses.fr/1994ISAL0125.

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Анотація:

La connaissance du comportement électrique à température de boîtier de l'ordre de 200°C des composants de puissance à semi-conducteur est d'une grande importance pour les applications électroniques de l'automobile du futur. Dans ce contexte, notre travail s'est intéressé à deux aspects : une étude de fonctionnalité à haute température de trois types de transistors de puissance (Darlington, MOSFET et IGBT) intéressants pour l'automobile (en particulier pour les applications d'injection et d'allumage transistorisés) et une contribution à l'étude de la fiabilité de la fonction "allumage" à haute

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8

Chikhaoui, Walf. "Etude des mécanismes physiques responsables des dysfonctionnements des transistors HEMTs à base d'hétérostructures AlGaN/GaN et AlInN/GaN." Phd thesis, INSA de Lyon, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00679527.

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Анотація:

La fabrication des composants semi-conducteurs à base de nitrure de gallium (GaN) connaît actuellement une grande expansion. Ce matériau, par ces propriétés physico-chimiques intéressantes, est un très bon candidat pour la fabrication des composants de puissance à haute fréquence de fonctionnement. Dans la pratique, avant d'intégrer ces composants dans un système électronique, l'analyse de leur fiabilité est une étape nécessaire pour valider la technologie de fabrication utilisée. L'objectif de ce travail est la détermination des mécanismes physiques responsables de la dégradation des performa

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9

Juery, Lucie. "Communication térahertz sans fil à haut débit avec un transistor à haute mobilité électronique comme détecteur." Thesis, Montpellier 2, 2014. http://www.theses.fr/2014MON20115/document.

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Анотація:

Un des objectifs majeurs des systèmes de communication est de pouvoir transmettre des données aux plus hauts débits possibles. La demande croissante des utilisateurs pour la communication sans fil à haut débit excède déjà les possibilités des réseaux actuels. Afin de répondre à cette problématique, nous présentons des systèmes de communication basés sur des fréquences porteuses térahertz (THz), fréquences suffisamment élevées pour supporter des débits supérieurs à la centaine de gigahertz. En particulier, nous nous intéressons au développement et à l'intégration d'un détecteur haut débit desti

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10

Aupetit-Berthelemot, Christelle. "Etude des effets parasites du transistor à haute mobilité électronique (HEMT) sur InP pour applications micro-optoélectroniques." Limoges, 1998. http://www.theses.fr/1998LIMO0042.

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