Дисертації з теми "Temperature dependent electrical transport"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 дисертацій для дослідження на тему "Temperature dependent electrical transport".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте дисертації для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Kaya, Savas. "Electrical transport in strained silicon quantum wells on vicinal substrates." Thesis, Imperial College London, 1999. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.313699.
Повний текст джерелаWebb, Alexander James. "Temperature dependence and touch sensitivity of electrical transport in novel nanocomposite printable inks." Thesis, Durham University, 2014. http://etheses.dur.ac.uk/10764/.
Повний текст джерелаWhitfield, Thomas Britain. "An analysis of copper transport in the insulation of high voltage transformers." Thesis, University of Surrey, 2001. http://epubs.surrey.ac.uk/843581/.
Повний текст джерелаFalasco, Gianmaria, Manuel V. Gnann, Daniel Rings, Dipanjan Chakraborty, and Klaus Kroy. "Effective time-dependent temperature in hot Brownian motion." Universitätsbibliothek Leipzig, 2015. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:15-qucosa-183309.
Повний текст джерелаFalasco, Gianmaria, Manuel V. Gnann, Daniel Rings, Dipanjan Chakraborty, and Klaus Kroy. "Effective time-dependent temperature in hot Brownian motion." Diffusion fundamentals 20 (2013) 63, S. 1-2, 2013. https://ul.qucosa.de/id/qucosa%3A13640.
Повний текст джерелаHai, Md. "Minimizing temperature dependent spectral shift in SOI DPSK demodulators." Thesis, McGill University, 2011. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=104852.
Повний текст джерелаLa recherche sur les composantes photoniques en silicium sur isolant (SOI) est devenue populaire en raison de leur compatibilité avec la technologie des semi-conducteur en métal complémentaire d'oxyde (CMOS). Pendant les cinq dernières années, nous avons vu plusieurs démonstrations pratiques de modulateurs optiques à grande vitesse, de commutateurs, et de filtres en SOI. Certaines de ces composantes utilisent une propriété fondamentale de lumière : l'interférence. Pourtant, les composantes en SOI à base d'interférence montrent un changement de phase spectral désastreux avec le changement de température qui s'ensuit d'une nécessité d'intégrer des circuits de contrôle actifs de température pour les stabiliser. Dans ce travail nous présentons un interféromètre Mach-Zehnder (MZI) en SOI à 50 Gb/sec pour la modulation de phase différentielle (DPSK). Le démodulateur a une stabilité thermale de 0.05 nm/0C qui est 90% meilleure que les démodulateurs non-compensés qui eux ont un profil spectral de 0.9 nm/0C. Notre méthode propose une façon complètement passive de minimiser l'effet de la température sur le changement spectral des démodulateurs DPSK. Une approche analytique complète suivi pardes simulations numériques permettent de définir les dimensions exactes du démodulateur. Nous présentons la géométrie due démodulateur. En utilisant les paramètres obtenus, nous calculons le changement spectral avec le changement de température en utilisant notre programme informatique conçu pour observer la performance du démodulateur. Le démodulateur a été fabriqué par la société de microélectrique Canadian (CMC). La largeur de la guide d'onde du démodulateur varie de 280 nm 450 nm et la hauteur est fixe à 220 nm. Pour le démodulateur non-compensé, la largeur du guide d'onde est 450 nm. Les démodulateurs tant compensés que non-compensés sont construits sur le même fragment. Les résultats expérimentaux sont présentés et nous comparons les différentes performances du démodulateur avec et sans la technique de compensation proposée.
Zhang, Zhaohui. "Spin-dependent electrical and thermal transport in magnetic tunnel junctions." APS, 2012. http://hdl.handle.net/1993/31947.
Повний текст джерелаFebruary 2017
Ohlendorf, Gerd, Denny Richter, Jan Sauerwald, and Holger Fritze. "High-temperature electrical conductivity and electromechanical properties of stoichiometric lithium niobate." Universitätsbibliothek Leipzig, 2016. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:15-qucosa-192902.
Повний текст джерелаSirisathitkul, C. "Studies of transport phenomena at ferromagnet/semiconductor interfaces." Thesis, University of Oxford, 2000. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.325445.
Повний текст джерелаGreen, Paul Elijah. "View-dependent precomputed light transport using non-linear Gaussian function approximations." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2005. http://hdl.handle.net/1721.1/35605.
Повний текст джерелаIncludes bibliographical references (p. 43-46).
We propose a real-time method for rendering rigid objects with complex view-dependent effects under distant all-frequency lighting. Existing precomputed light transport approaches can render rich global illumination effects, but high-frequency view-dependent effects such as sharp highlights remain a challenge. We introduce a new representation of the light transport operator based on sums of Gaussians. The non-linear parameters of the representation allow for 1) arbitrary bandwidth because scale is encoded as a direct parameter; and 2) high-quality interpolation across view and mesh triangles because we interpolate the average direction of the incoming light, thereby preventing linear cross-fading artifacts. However, fitting the precomputed light transport data to this new representation requires solving a non-linear regression problem that is more involved than traditional linear and non-linear (truncation) approximation techniques. We present a new data fitting method based on optimization that includes energy terms aimed at enforcing good interpolation. We demonstrate that our method achieves high visual quality for a small storage cost and fast rendering time.
by Paul Elijah Green.
S.M.
Ainslie, Mark Douglas. "Transport AC loss in high temperature superconducting coils." Thesis, University of Cambridge, 2012. https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/244077.
Повний текст джерелаLohstroh, Annika. "Temperature dependent charge transport studies in polycrystalline and single crystal CVD diamond detectors." Thesis, University of Surrey, 2006. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.426025.
Повний текст джерелаEshghi, Hosein. "Electron and hole transport in GaN and InGaN." Thesis, University of Surrey, 2000. http://epubs.surrey.ac.uk/2237/.
Повний текст джерелаBarraclough, Jack Matthew. "Electrical transport properties of URhGe and BiPd at very low temperature." Thesis, University of St Andrews, 2015. http://hdl.handle.net/10023/6327.
Повний текст джерелаCheung, Terence Chi-Hin 1980. "Room temperature transport measurements on Bridgman-grown Culn₁-xGaxSe₂." Thesis, McGill University, 2005. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=97879.
Повний текст джерелаOhlendorf, Gerd, Denny Richter, Jan Sauerwald, and Holger Fritze. "High-temperature electrical conductivity and electromechanical properties of stoichiometric lithium niobate." Diffusion fundamentals 8 (2008) 6, S. 1-7, 2008. https://ul.qucosa.de/id/qucosa%3A14152.
Повний текст джерелаMurphy, Helen Marie. "Quantum transport in superlattice and quantum dot structures." Thesis, University of Nottingham, 2000. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.364637.
Повний текст джерелаGhorbani, Shaban Reza. "Structural and Electrical Transport Properties of Doped Nd-123 Superconductors." Doctoral thesis, KTH, Physics, 2003. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-3461.
Повний текст джерелаIt is generally believed that one of the key parameterscontrolling the normal state and superconducting properties ofhigh temperature superconductors is the charge carrierconcentrationpin the CuO2planes.By changing the non-isovalent dopingconcentration on the RE site as well as the oxygen content in(RE)Ba2Cu3O7−δ, an excellent tool is obtained tovary the hole concentration over a wide range from theunderdoped up to the overdoped regime.In the present thesis thefocus is on the doping effects on the structural and normalstate electrical properties in Nd-123 doped with Ca, La, Pr,Ca-Pr, and Ca-Th.T he effects of doping have been investigatedby X-ray and neutron powder diffraction, and by measurements ofthe resistivity, thermoelectric powerS, and Hall coefficient RH.T he thermoelectric power is a powerful tool forstudies of high temperature superconductivity and is highlysensitive to details of the electronic band structure.Sas a function of temperature has been analyzed in twodifferent two band models.The parameters of these models arerelated to charactristic features of the electron bands and asemiempirical physical description of the doping dependence ofSis obtained.So me important results are following:
(i)The valence of Pr in the RE-123 family.Results from thestructural investigations, the critical temperature Tc, and thethermoelectric power indicated a valence +4 at low dopingconcentration, which is in agreement with results of chargeneutral doping in the RE-123 family.(ii)Hole localization. The results of bond valence sum (BVS)calculations from neutron diffraction data showed that holelocalization on the Pr+4site was the main reason for the decrease of thehole concentration p.Differ ent types of localization wereinferred by S measurements for Ca-Th and Ca-Pr dopings.(iii)Competition between added charge and disorder. Theresults of RH measurements indicated that Ca doping introduceddisorder in the CuO2planes in addition to added charge.This could bethe main reason for the observed small decrease of thebandwidth of the density of states in the description of aphenomenological narrow band model.(iv) Empirical parabolic relation between γ and p.S data were analyzed and well described by a two-band modelwith an additional linear T term, γT.An empiricalparabolic relation for γ as a function of holeconcentration has been found.
Key words:high temperature superconductors, criticaltemperature, resistivity, thermoelectric power, Hallcoefficient, X-ray diffraction, Neutron diffraction, NdBa2Cu3O7−δ, hole concentration,substitution.
Yunus, Mamoon I. (Mamoon Iqbal). "Spatial- and time-dependent thermal and electrical behavior of quenching high-temperature superconducting composite tapes." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1995. http://hdl.handle.net/1721.1/35046.
Повний текст джерелаPell, Wendy. "Temperature dependent transport properties of aluminum chloride in thionyl chloride solutions: A non-aqueous battery electrolyte study." Thesis, University of Ottawa (Canada), 1991. http://hdl.handle.net/10393/7954.
Повний текст джерела俞大風 and Tai-fung Yu. "An analysis of electrical transport and magnetic susceptibility properties of YBa2Cu3O7-[delta] and La2-xSrxCuO4 high Tcsuperconductors." Thesis, The University of Hong Kong (Pokfulam, Hong Kong), 1997. http://hub.hku.hk/bib/B31238014.
Повний текст джерелаChalashkanov, Nikola M. "Influence of water absorption and temperature on charge transport and electrical degradation in epoxy resins." Thesis, University of Leicester, 2011. http://hdl.handle.net/2381/9997.
Повний текст джерелаYu, Tai-fung. "An analysis of electrical transport and magnetic susceptibility properties of YBa2Cu3O7-[delta] and La2-xSrxCuO4 high Tc superconductors /." Hong Kong : University of Hong Kong, 1997. http://sunzi.lib.hku.hk/hkuto/record.jsp?B19036607.
Повний текст джерелаArabshahi, Hadi. "Simulations of electron transport in GaN devices." Thesis, Durham University, 2002. http://etheses.dur.ac.uk/4119/.
Повний текст джерелаLe, Poul Nicolas. "Charge transfer at the high-temperature superconductor/liquid electrolyte interface." Thesis, University of Exeter, 2001. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.391279.
Повний текст джерелаRyder, J. "An experimental investigation into the electrical transport properties of Laâ†2CuOâ†4â†+â†#delta# and Ndâ†2CuOâ†4â†+â†#delta#." Thesis, University of Bristol, 1990. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.279724.
Повний текст джерелаMuchharla, Baleeswaraiah. "Low Temperature Electrical Transport in 2D Layers of Graphene, Graphitic Carbon Nitride, Graphene Oxide and Boron-Nitrogen-Carbon." OpenSIUC, 2015. https://opensiuc.lib.siu.edu/dissertations/1132.
Повний текст джерелаLotse, Henrik. "Electrical analysis of interface recombination of thin-film CIGS solar cells." Thesis, Uppsala universitet, Institutionen för fysik och astronomi, 2020. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-426324.
Повний текст джерелаTirino, Louis. "Transport Properties of Wide Band Gap Semiconductors." Diss., Georgia Institute of Technology, 2004. http://hdl.handle.net/1853/5210.
Повний текст джерелаPoudel, Chhetri Tej Bahadur. "EFFECTS OF LIGHT ILLUMINATION, TEMPERATURE AND OXYGEN GAS FLOW ON THE ELECTRICAL TRANSPORT PROPERTIES OF Sb-DOPED ZnO MICRO AND NANOWIRES." Miami University / OhioLINK, 2017. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=miami1501776637539529.
Повний текст джерелаBertilsson, Tobias, and Mårten Persson. "Situation-dependent spontaneous mobile information service for travelers." Thesis, Blekinge Tekniska Högskola, Avdelningen för telekommunikationssystem, 2006. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:bth-3586.
Повний текст джерелаExamensarbetet tog fram en demonstrationstjänst för det VINNOVA-sponsrade projekt PIITSA (Personlig Information i Intelligenta Transportsystem genom Sömlös kommunikation och Autonoma beslut). Den används på en handdator och hjälper resenrärer "att komma från A till B i alla fall" genom att ge möjlighet att söka eller lägga in reserutter och övervaka aktuell trafikinformation i samband med dessa rutter, främst avseende kollektivtrafik i Stockholmsområdet. Mervärdet består i att resenären blir varnat automatiskt om någonting händer längs de valda rutterna och ges möjlighet att få en ny rutt. Applikationen kan användas i skarp läge.
Primary contact: Markus Fiedler, +46 708 537339
Sixou, Bruno. "Proprietes de transport dans les polymeres conducteurs electroniques." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1996. http://www.theses.fr/1996GRE10271.
Повний текст джерелаCrivelli, Dawid Wiesław. "Particle and energy transport in strongly driven one-dimensional quantum systems." Doctoral thesis, Katowice: Uniwersytet Śląski, 2016. http://hdl.handle.net/20.500.12128/5879.
Повний текст джерелаNichterwitz, Melanie [Verfasser], and Bernd [Akademischer Betreuer] Rech. "Charge carrier transport in Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar-cells studied by electron beam induced current and temperature and illumination dependent current voltage analyses / Melanie Nichterwitz. Betreuer: Bernd Rech." Berlin : Universitätsbibliothek der Technischen Universität Berlin, 2012. http://d-nb.info/1023762145/34.
Повний текст джерелаThérond, Pierre-Guy. "Etude des propriétés de transport de composés d'actinides." Grenoble 1, 1986. http://www.theses.fr/1986GRE10109.
Повний текст джерелаDou, Ziwei. "Investigation on high-mobility graphene hexagon boron nitride heterostructure nano-devices using low temperature scanning probe microscopy." Thesis, University of Cambridge, 2018. https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/283618.
Повний текст джерелаAlmansour, Amjad Saleh Ali. "USE OF SINGLE TOW CERAMIC MATRIX MINICOMPOSITES TO DETERMINE FUNDAMENTAL ROOM AND ELEVATED TEMPERATURE PROPERTIES." University of Akron / OhioLINK, 2017. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=akron148640184494135.
Повний текст джерелаJoo, Min Kyu. "Caractérisation électrique de transistors à effet de champ avancés : transistors sans jonctions, sur réseaux de nanotubes de carbone ou sur nanofil en oxyde d'étain." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENT041/document.
Повний текст джерелаIn this dissertation, the electrical characterization of heavily-doped junctionless transistors (JLTs) and individual tin-oxide (SnO2) nanowire field-effect transistors (FETs) and single-walled carbon nanotube (SWCNT) random network thin film transistors (RN-TFTs) are presented in terms of I-V, C-V, low frequency noise (LFN), and low temperature measurement including a numerical simulation, respectively. As a potential emerging candidate for more than Moore, recently developed heavily doped JLTs were studied in low-temperature (77K ~ 350K) with double gate mode to have physical insights of carrier scattering mechanism with account for both the position of flat-band voltage and doping concentration, respectively. Besides, as a nano-scaled bottom-up device, polymethyl methacrylate passivated individual SnO2 nanowire FET was discussed. A large contribution of channel access resistance to carrier mobility and LFN behavior was found as same as in nano-structure devices. Furthermore, various electrical characteristics of percolation dominant N-type SWCNT RN-TFTs were demonstrated by taking into account for I-V, C-V, LFN and a numerical percolation simulation
GADENNE, PETIT MIREILLE. "Proprietes de transport de couches minces d'or granulaire : absorption infra-rouge, effets dimensionnels." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066385.
Повний текст джерелаCazimajou, Thibauld. "Étude de l’effet de champ et du transport dans des réseaux aléatoires percolants de nanofils de silicium." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAT105.
Повний текст джерелаRandom networks of nanowires, sometimes called nanonets, could be promising candidates for the 3D integration of CMOS biosensors. In this thesis we present characterization and simulation results of field effect transistors based on silicon nanonets (Si NN-FET). We show that measurements cannot be understood without account for dispersions within the nanonet.The static electrical characteristics of these Si NN-FETs were measured for different geometric parameters (channel length and nanowire density) on a large number of devices, in order to obtain statistically significant orders of magnitude for the main electrical parameters (apparent low field mobility, subthreshold slope ideality factor and threshold voltage), which were extracted by means of a compact model. In parallel, the theoretical variations of these parameters were evaluated using percolation theory and Monte Carlo simulations. Compared to the usual approaches found in the literature for percolating networks, the originality of our simulations is to take into account both field-effect and dispersions. Threshold voltage dispersions proved to be essential to understand the experimental dependence of electrical parameters with network parameters. The analysis of Si NN-FET low frequency noise (LFN) made it possible to estimate the variation, with nanowire density, of the electrical area of the nanonet. From the temperature variation of Si NN-FET electrical parameters, it was found that inter-nanowire junctions were thermally activated. The unexpected variation of mobility with temperature suggests that junction barrier heights are widely dispersed, an assumption which was validated by the Monte Carlo simulations
Maloufi, Nabila. "Contribution à l'étude des propriétés de transport à basse température dans les semiconducteurs amorphes du groupe IV : Application au système SI::(X) SN::(1-X)." Nancy 1, 1986. http://www.theses.fr/1986NAN10357.
Повний текст джерелаGiroud, Franck. "Elaboration et études des propriétés de transport de couches minces quasicristallines AlCuFe." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10251.
Повний текст джерелаMadhavi, S. "Carrier Mobility And High Field Transport in Modulation Doped p-Type Ge/Si1-xGex And n-Type Si/Si1-xGex Heterostructures." Thesis, Indian Institute of Science, 2000. http://hdl.handle.net/2005/294.
Повний текст джерелаZeghib, Abdelhakim. "Contribution à l'étude de phénomènes de transport dans les couches minces Ni-Ag amorphes et microcristallisées." Rouen, 1987. http://www.theses.fr/1987ROUES014.
Повний текст джерелаNixdorf, Erik. "Combining measurements, remote sensing and numerical modelling to assess multi-scale flow dynamics in groundwater-dependent environmental systems." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2018. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-236485.
Повний текст джерелаDie Grundwassermodellierung stellt eine wichtige wissenschaftliche Methode zur quantitativen Analyse von Fragestellungen zum Schutz der Menge und Güte der Grundwasserressourcen sowie der angeschlossenen Wasserkörper dar. Dementsprechend werden Grundwassermodelle sowohl für Planungs- und Bewertungszwecke im Wasserressourcenmanagement als auch zur wissenschaftlichen Erforschung der Prozesse im Untergrund entwickelt und angewendet. Die vorliegende Arbeit untersucht in diesem Rahmen, wie numerische Modelle, Feldmessungen und Daten generiert aus Fernerkundungsdaten und Webplattformen systematisch verknüpft werden können, um Fragestellungen im Bereich der Grundwasserforschung quantitativ zu beantworten. Das Ziel der Arbeit ist es neue effiziente Abläufe zu entwickeln, die die Limitierung der einzelnen Methoden überwinden und diese auf deren Anwendbarkeit für die Lösung spezifischer hydrologischer Probleme zu analysieren. Zu diesem Zweck wurden in dieser Doktorarbeit fallspezifische Lösungen für verschiedene Untersuchungsgebiete entwickelt, die sowohl in der räumlichen Skale als auch in den zu untersuchenden hydrologischen Fragestellungen eine große Diversität aufweisen. Im ersten Teil der Arbeit wurde die Massenbilanz von Wasserinhaltsstoffen in einem meromiktischen Tagebaurestsee im Lausitzer Revier durch physikalische und mathematische Modellierungsmethoden untersucht. Dabei konnte gezeigt werden, dass auf Basis einer gewonnenen mehrjährigen Zeitreihe von Messdaten ein einfaches Massenbilanzmodell in der Lage ist, sowohl Seeschichtungs- als auch Grundwasseraustauschdynamiken quantitativ zu beschreiben. Der zweite Teil der Arbeit umfasst die Entwicklung eines transienten numerischen Grundwassermodells für den quartären Uferaquifer im Bereich eines Flussmäanders der Selke welches anhand von Daten aus mehreren Salztracertests kalibriert wurde. Das Modell wurde dafür verwendet die transienten Verweilzeiten in der gesättigten Zone des Mäanderbogens unter dem Einfluss dynamischer hydraulischer Bedingungen zu untersuchen. Die Ergebnisse wurden im Anschluss mit Verweilzeiten verglichen, die aus der Analyse der zeitlichen Verschiebung von gemessenen elektrischen Leitfähigkeitszeitreihen zwischen Fluss und Grundwassermessstellen gewonnen wurden. Durch dieses kombinierte Verfahren konnten sowohl die Beschränkungen der zeitreihenbasierten Verweilzeitberechnung aufgezeigt als auch ein tieferes Systemverständnis für die Interaktionsdynamiken zwischen Grund- und Flusswasser auf der Mäanderskala gewonnen werden. Der dritte Teil der Arbeit beschreibt die Vorgehensweise für die Bewertung des Grundwasserkontaminationsrisikos im Einzugsgebiet des Songhua Flusses in China. Eine umfassende Literaturstudie wurde durchgeführt, um einen Überblick über die Verfügbarkeit von Messdaten zur Belastung der Wasserressourcen Chinas mit organischen Schadstoffen zu erhalten. Danach wurde für ein Teileinzugsgebiet ein dreidimensionales numerisches Grundwassermodell auf Basis der vorhandenen hydrogeologischen Daten aufgebaut. Dieses wurde dazu verwendet die Änderungen im Stofftransports und den Schadstoffkonzentrationen innerhalb des Aquifersystems unter steigenden Entnahmeraten zu analysieren. Basierend auf diesen Studien wurden auf der Skale des Gesamteinzugsgebiets, um die beschränkte Verfügbarkeit von Felddaten auszugleichen, die Ergebnisse der numerischen Grundwassermodellierung mit Fernerkundungsdaten und Webdatenbanken in einem Indexsystem kombiniert mit dem für die oberflächennahen Aquifere Vulnerabilität, Gefährdungspotential und Verschmutzungsrisiko in einer räumlichen Auflösung von 1 km² bestimmt wurden. Zusammenfassend konnten durch die vorliegende Doktorarbeit neue passgenaue Methoden zur effektiven Kombination von in-situ Messungen, der Datenerhebung und Datenintegration aus vielfältigen Datenquellen sowie numerischen Grundwassermodellierungsstrategien entwickelt und zur Lösung der untersuchten hydrologischer Fragestellen auf den verschiedenen Skalen und über die Grenzen der einzelnen hydrologischen Teilsysteme hinaus erfolgreich angewandt werden
Boujida, Mohamed. "Contribution à l'étude des propriétés de transport de quelques oxydes métalliques et supraconducteurs de basse dimensionnalité." Grenoble 1, 1988. http://www.theses.fr/1988GRE10157.
Повний текст джерелаFiedler, Holger. "Preparation and characterization of Carbon Nanotube based vertical interconnections for integrated circuits." Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2014. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-149474.
Повний текст джерелаDie kontinuierliche Miniaturisierung der charakteristischen Abmessungen in hochintegrierten Schaltungen (ULSI) verursacht einen Anstieg des Widerstandes im Zuleitungssystem aufgrund der erhöhten Streuung von Elektronen an Seitenwänden und Korngrenzen in der Cu-Technologie, wodurch die Verzögerungszeit des Zuleitungssystems ansteigt. Die herausragenden Eigenschaften von Kohlenstoffnanoröhren (CNT), wie eine große mittlere freie Weglänge, hohe thermische Leitfähigkeit und eine starke Resistenz gegenüber Elektromigration machen diese zu einem idealen Kandidaten, um Cu in zukünftigen Technologiegenerationen zu ersetzen. Die vorliegende Arbeit beschreibt die Herstellung und daraus resultierenden Eigenschaften von Zwischenebenenkontakten (Vias) basierend auf CNTs. Alle verwendeten Prozessierungsschritte sind kompatibel mit der Herstellung von hochintegrierten Schaltkreisen und eine Schnittstelle zwischen den CNT Vias und einer Cu-Metallisierung ist vorhanden. Insbesondere das Verfahren zur Evaluierung von CNT Vias wurde durch den Einsatz verschiedener Methoden verbessert. Insbesondere soll hervorgehoben werden, dass durch die Messung des Widerstandes eines einzelnen CNTs, bei bekannter CNT Dichte, der Via Widerstand sehr genau vorausgesagt werden kann. Dies ermöglicht eine systematische Untersuchung des Einflusses der verschiedenen Prozessschritte und der darin verwendeten Materialien auf den Via Widerstand. Der niedrigste Kontaktwiderstand wird für Karbidformierende Metalle erreicht, solange Oxidationsprozesse ausgeschlossen werden können. Obwohl Metallnitride einen höheren Kontaktwiderstand aufweisen, sind diese für die Unterseitenmetallisierung zu empfehlen, da dadurch die Oxidation der leitfähigen Schicht minimiert wird. Insgesamt kann eine Reihenfolge beginnend mit dem niedrigsten zum höchsten Kontaktwiderstand aufgestellt werden: Ta < Ti < TaN < TiN « TiO2 « Ta2O5 Desweiteren wurde der Einfluss von Verfahren nach dem CNTWachstum wie die chemischmechanische Planarisierung, eine HF Behandlung und einer Temperaturbehandlung evaluiert, sowie deren Einfluss auf die elektrischen Parameter des Vias untersucht. Die Leitfähigkeit der integrierten CNTs und die daraus resultierenden elektrischen Transporteigenschaften in Abhängigkeit der CNT Qualität und Länge werden besprochen. Ebenso wird die starke Korrelation zwischen dem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes und des Ausgangswiderstandes der CNT basierten Vias bei Raumtemperatur diskutiert
Fiedler, Holger. "Preparation and characterization of Carbon Nanotube based vertical interconnections for integrated circuits: Preparation and characterization of Carbon Nanotube based verticalinterconnections for integrated circuits." Doctoral thesis, Universitätsverlag der Technischen Universität Chemnitz, 2013. https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A20091.
Повний текст джерелаDie kontinuierliche Miniaturisierung der charakteristischen Abmessungen in hochintegrierten Schaltungen (ULSI) verursacht einen Anstieg des Widerstandes im Zuleitungssystem aufgrund der erhöhten Streuung von Elektronen an Seitenwänden und Korngrenzen in der Cu-Technologie, wodurch die Verzögerungszeit des Zuleitungssystems ansteigt. Die herausragenden Eigenschaften von Kohlenstoffnanoröhren (CNT), wie eine große mittlere freie Weglänge, hohe thermische Leitfähigkeit und eine starke Resistenz gegenüber Elektromigration machen diese zu einem idealen Kandidaten, um Cu in zukünftigen Technologiegenerationen zu ersetzen. Die vorliegende Arbeit beschreibt die Herstellung und daraus resultierenden Eigenschaften von Zwischenebenenkontakten (Vias) basierend auf CNTs. Alle verwendeten Prozessierungsschritte sind kompatibel mit der Herstellung von hochintegrierten Schaltkreisen und eine Schnittstelle zwischen den CNT Vias und einer Cu-Metallisierung ist vorhanden. Insbesondere das Verfahren zur Evaluierung von CNT Vias wurde durch den Einsatz verschiedener Methoden verbessert. Insbesondere soll hervorgehoben werden, dass durch die Messung des Widerstandes eines einzelnen CNTs, bei bekannter CNT Dichte, der Via Widerstand sehr genau vorausgesagt werden kann. Dies ermöglicht eine systematische Untersuchung des Einflusses der verschiedenen Prozessschritte und der darin verwendeten Materialien auf den Via Widerstand. Der niedrigste Kontaktwiderstand wird für Karbidformierende Metalle erreicht, solange Oxidationsprozesse ausgeschlossen werden können. Obwohl Metallnitride einen höheren Kontaktwiderstand aufweisen, sind diese für die Unterseitenmetallisierung zu empfehlen, da dadurch die Oxidation der leitfähigen Schicht minimiert wird. Insgesamt kann eine Reihenfolge beginnend mit dem niedrigsten zum höchsten Kontaktwiderstand aufgestellt werden: Ta < Ti < TaN < TiN « TiO2 « Ta2O5 Desweiteren wurde der Einfluss von Verfahren nach dem CNTWachstum wie die chemischmechanische Planarisierung, eine HF Behandlung und einer Temperaturbehandlung evaluiert, sowie deren Einfluss auf die elektrischen Parameter des Vias untersucht. Die Leitfähigkeit der integrierten CNTs und die daraus resultierenden elektrischen Transporteigenschaften in Abhängigkeit der CNT Qualität und Länge werden besprochen. Ebenso wird die starke Korrelation zwischen dem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes und des Ausgangswiderstandes der CNT basierten Vias bei Raumtemperatur diskutiert.
Maurel, Philippe. "Contribution a l'etude des proprietes physiques des composes ga : :(x)in::(1-x)as::(y)p::(1-y) obtenus par croissance en phase vapeur par la methode des organometalliques." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066517.
Повний текст джерелаAhmed, Mustafa M. Abdalla. "Alternating-Current Thin-Film Electroluminescent Device Characterization." Doctoral thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2008. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-233432.
Повний текст джерела