Добірка наукової літератури з теми "STT-MTJ"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "STT-MTJ".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "STT-MTJ"
Jangra, Payal, and Manoj Duhan. "Design and analysis of Voltage-Gated Spin-Orbit Torque (VgSOT) Magnetic Tunnel Junction based Non-Volatile Flip Flop design for Low Energy Applications." Journal of Integrated Circuits and Systems 19, no. 1 (March 15, 2024): 1–12. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v19i1.743.
Повний текст джерелаBu, Kai, Hai Jun Liu, Hui Xu, and Zhao Lin Sun. "Large Capacity Cache Design Based on Emerging Non-Volatile Memory." Applied Mechanics and Materials 513-517 (February 2014): 918–21. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.513-517.918.
Повний текст джерелаRao, Dr G. Anantha, and Gopi Kommuju. "A NOVEL LOW POWER ALU DESIGNED BY USING HYBRID STT-MTJ/CMOS CIRCUIT." INTERANTIONAL JOURNAL OF SCIENTIFIC RESEARCH IN ENGINEERING AND MANAGEMENT 07, no. 12 (December 21, 2023): 1–13. http://dx.doi.org/10.55041/ijsrem27641.
Повний текст джерелаTankwal, Piyush, Vikas Nehra, Sanjay Prajapati, and Brajesh Kumar Kaushik. "Performance analysis of differential spin hall effect (DSHE)-MRAM-based logic gates." Circuit World 45, no. 4 (November 4, 2019): 300–310. http://dx.doi.org/10.1108/cw-04-2019-0036.
Повний текст джерелаVatajelu, Elena Ioana, and Giorgio Di Natale. "High-Entropy STT-MTJ-Based TRNG." IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 27, no. 2 (February 2019): 491–95. http://dx.doi.org/10.1109/tvlsi.2018.2879439.
Повний текст джерелаXu, Zihan, Chengen Yang, Manqing Mao, Ketul B. Sutaria, Chaitali Chakrabarti, and Yu Cao. "Compact modeling of STT-MTJ devices." Solid-State Electronics 102 (December 2014): 76–81. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2014.06.003.
Повний текст джерелаChiou, Kuan-Ru, Jenq-Wei Chen, and Son-Hsien Chen. "Spin-Transfer Torques in One-Dimensional Magnetic Tunneling Junctions of Lateral Structures." SPIN 09, no. 01 (March 2019): 1950003. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324719500036.
Повний текст джерелаBarla, Prashanth, Hemalatha Shivarama, Ganesan Deepa, and Ujjwal Ujjwal. "Design and Assessment of Hybrid MTJ/CMOS Circuits for In-Memory-Computation." Journal of Low Power Electronics and Applications 14, no. 1 (January 6, 2024): 3. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea14010003.
Повний текст джерелаPushp, Aakash, Timothy Phung, Charles Rettner, Brian P. Hughes, See-Hun Yang, and Stuart S. P. Parkin. "Giant thermal spin-torque–assisted magnetic tunnel junction switching." Proceedings of the National Academy of Sciences 112, no. 21 (May 13, 2015): 6585–90. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.1507084112.
Повний текст джерелаSugii, Toshihiro, Yoshihisa Iba, Masaki Aoki, Hideyuki Noshiro, Kouji Tsunoda, Akiyoshi Hatada, Masaaki Nakabayashi, Yuuichi Yamazaki, Atsushi Takahashi, and Chikako Yoshida. "Integration of STT-MRAMs for Embedded Cache Memories." Advances in Science and Technology 95 (October 2014): 146–49. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.95.146.
Повний текст джерелаДисертації з теми "STT-MTJ"
Nicolas, Hugo. "Développement de magnétomètres intégrés à base de jonctions tunnel magnétiques à couple de transfert de spin." Electronic Thesis or Diss., Strasbourg, 2024. https://publication-theses.unistra.fr/restreint/theses_doctorat/2024/NICOLAS_Hugo_2024_ED269.pdf.
Повний текст джерелаThis thesis presents the use of perpendicular STT-MTJs, originally developed for MRAMs, as integrated magnetic sensors. MRAMs based on MTJs are often using the STT effect to change the orientation of the magnetization of a soft ferromagnetic layer by applying a strong voltage across the junction. This leads to a change of resistance allowing the MTJ to be set in two different resistive states called parallel and antiparallel. However, the energy required to flip the magnetization of the free layer from one state to the other is not only related to the voltage applied to the junction but also to the external magnetic field. Using this property, this work investigates a new application of STT-MTJs, which consists of using it as a magnetic sensor. These sensing elements have significant advantages compared to currently available Hall effect and magnetoresistive sensors. Hence, their nanometric dimensions as well as high bandwidth allow the development of new applications
Das, Jayita. "Auxiliary Roles in STT-MRAM Memory." Scholar Commons, 2014. https://scholarcommons.usf.edu/etd/5613.
Повний текст джерелаLe, Quang Tuan. "Magnetodynamics in Spin Valves and Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular and Tilted Anisotropies." Doctoral thesis, KTH, Materialfysik, MF, 2016. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-191176.
Повний текст джерелаEffekter av spinnvridmoment (STT) har fört spinntroniken allt närmare praktiska elektroniska tillämpningar, såsom MRAM och den spinntroniska mikrovågsoscillatorn (STO), och har blivit ett allt mer attraktivt forskningsområde inom spinndynamik. Användning av material med vinkelrät magnetisk anisotropi (PMA) i sådana tillämpningar erbjuder flera stora fördelar, såsom låg strömförbrukning och funktion vid låga fält i kombination med hög termisk stabilitet. Den utbyteskoppling (”exchange bias”) en PMA-tunnfilm utövar på ett intilliggande skikt med magnetisk anisotropi i planet (IMA) kan få IMA-magnetiseringsriktningen att vridas ut ur planet, vilket ger en materialstack med en effektivt sett lutande magnetisk anisotropi. Lutningsvinkeln kan manipuleras med både inre materialparametrar, såsom PMA och mättningsmagnetisering, och yttre parametrar, såsom skikttjocklekarna. STO:er kan tillverkas som flera olika typer - som en nanokontaktsöppning på en s.k. mesa av en deponerad pseudospinnventilstruktur (PSV) eller som en nanotråd etsad ur en magnetisk tunnlingsövergång (MTJ) –och bestå av mycket reproducerbar PMA eller av skikt med på förhand bestämt lutning av dess magnetiska anisotropi. MTJ-STO:er av CoFeB med helt vinkelrät anisotropi visar högfrekvent mikrovågsgenerering med extremt stort frekvensomfång hos strömstyrningen, detta vid låg biasering. Mätning och analys av spinnvridmoments-ferromagnetisk resonans (ST-FMR) avslöjade ett biasberoende hos spinnvridmomentskomponenter, vilket indikerar en stor potential för direkt gate-spänningsstyrda STO:er. I helt vinkelräta PSV-STO:er observerades magnetiska droppar under nanokontaktområdet vid låg drivström och lågt pålagt fält. Dessutom erhölls preliminära resultat av mikrovågssjälvsvängning och av s.k. ”droplet solitons” hos PSV-STO:er med lutande polarisator. Dessa är lovande och skulle vara värda att undersökas i ytterligare studier av STT-driven spinndynamik.
QC 20160829
Vojáček, Libor. "Teoretická studie magnetické anizotropie v magnetických tunelových spojích na bázi MgO." Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství, 2021. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-443253.
Повний текст джерелаSong, Hui William. "A Spin-torque Transfer MRAM in 90nm CMOS." Thesis, 2011. http://hdl.handle.net/1807/29628.
Повний текст джерелаZbarsky, Vladyslav. "Spindynamik in Tunnelelementen mit senkrechter magnetischer Anisotropie." Doctoral thesis, 2015. http://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-0022-5DB6-E.
Повний текст джерелаЧастини книг з теми "STT-MTJ"
Kumar, Ashwani, and Manan Suri. "Optimized Programming for STT-MTJ-Based TCAM for Low-Energy Approximate Computing." In Applications of Emerging Memory Technology, 159–76. Singapore: Springer Singapore, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-13-8379-3_6.
Повний текст джерелаLiao, Y. C., and P. Kumar. "Development, Challenges, and Future Opportunities of Spintronic Memory Devices." In Advanced Memory Technology, 201–22. Royal Society of Chemistry, 2023. http://dx.doi.org/10.1039/bk9781839169946-00201.
Повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "STT-MTJ"
Pai, M. Y. Xuan, N. Ezaila Alias, M. L. Peng Tan, Afiq Hamzah, Yasmin Abdul Wahab, and Maizan Muhamad. "Analysis of the Electrical Characteristics for Compact SPICE Modelling of STT-MTJ Device with Physical Parameters Variation." In 2024 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE), 5–8. IEEE, 2024. http://dx.doi.org/10.1109/icse62991.2024.10681337.
Повний текст джерелаPerach, Ben, and Shahar Kvatinsky. "STT-ANGIE: Asynchronous True Random Number GEnerator Using STT-MTJ." In 2019 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.23919/date.2019.8715257.
Повний текст джерелаChong Jian Yee, Firas Odai Hatem, T. Nandha Kumar, and Haider A. F. Almurib. "Compact SPICE modeling of STT-MTJ device." In 2015 IEEE Student Conference on Research and Development (SCOReD). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/scored.2015.7449413.
Повний текст джерелаLoy, D., S. Goolaup, and W. Lew. "Optimised circuit configuration for STT-MTJ logic devices." In 2015 IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/intmag.2015.7157256.
Повний текст джерелаXu, Zihan, Ketul B. Sutaria, Chengen Yang, Chaitali Chakrabarti, and Yu Cao. "Compact modeling of STT-MTJ for SPICE simulation." In ESSDERC 2013 - 43rd European Solid State Device Research Conference. IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/essderc.2013.6818887.
Повний текст джерелаZhou, Y., Z. Wang, X. Hao, Y. Huai, J. Zhang, D. Jung, and K. Satoh. "Unipolar switching of perpendicular mtj for STT-MRAM application." In 2015 IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/intmag.2015.7157689.
Повний текст джерелаLokesh, B., and M. Malathi. "Full adder based reconfigurable spintronic ALU using STT-MTJ." In 2013 Annual IEEE India Conference (INDICON). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/indcon.2013.6726101.
Повний текст джерелаYaojun Zhang, Lu Zhang, and Yiran Chen. "MLC STT-RAM design considering probabilistic and asymmetric MTJ switching." In 2013 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/iscas.2013.6571795.
Повний текст джерелаNigam, Anurag, Kamaram Munira, Avik Ghosh, Stu Wolf, Eugene Chen, and Mircea R. Stan. "Self consistent parameterized physical MTJ compact model for STT-RAM." In 2010 International Semiconductor Conference (CAS 2010). IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/smicnd.2010.5650558.
Повний текст джерелаZiou Wang, Yiping Zhang, Canyan Zhu, Lijun Zhang, Aiming Ji, and Lingfeng Mao. "STT MTJ data-aware write boost design in 28nm process." In 2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/icsict.2016.7998983.
Повний текст джерела