Увійти

Готові списки джерел за темами / Structures en V / Статті в журналах

Статті в журналах з теми "Structures en V"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Structures en V.

Автор: Grafiati

Опубліковано: 8 червня 2022

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "Structures en V".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Vougiouklis, Thomas. "Theh/v-structures." Journal of Discrete Mathematical Sciences and Cryptography 6, no. 2-3 (January 2003): 235–43. http://dx.doi.org/10.1080/09720529.2003.10697980.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Wright, Douglas T. "Tubular structures V." Canadian Journal of Civil Engineering 22, no. 3 (June 1, 1995): 650. http://dx.doi.org/10.1139/l95-076.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Vojta, G. "Instabilities and Nonequilibrium Structures V." Zeitschrift für Physikalische Chemie 200, Part_1_2 (January 1997): 281. http://dx.doi.org/10.1524/zpch.1997.200.part_1_2.281.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Rai, Raghaw S., and Craig A. Parsons. "Characterizing III–V heteroepitaxial structures." JOM 46, no. 9 (September 1994): 50–54. http://dx.doi.org/10.1007/bf03222584.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Averbuch-Pouchot, M. T., and A. Durif. "Structures of ethylenediammonium monohydrogentetraoxophosphate(V) and ethylenediammonium monohydrogentetraoxoarsenate(V)." Acta Crystallographica Section C Crystal Structure Communications 43, no. 10 (October 15, 1987): 1894–96. http://dx.doi.org/10.1107/s0108270187089716.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Stockman, S. A., and G. E. Stillman. "Hydrogen in III-V Device Structures." Materials Science Forum 148-149 (December 1993): 501–0. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.148-149.501.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Chang, Christopher J., William B. Connick, Donald W. Low, Michael W. Day, and Harry B. Gray. "Electronic Structures of Nitridomanganese(V) Complexes." Inorganic Chemistry 37, no. 12 (June 1998): 3107–10. http://dx.doi.org/10.1021/ic970598k.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Sriram, S., and E. P. Supertzi. "Novel V-groove structures on silicon." Applied Optics 24, no. 12 (June 15, 1985): 1784. http://dx.doi.org/10.1364/ao.24.001784.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Johns, D. J. "Wind-Excited Behavior of Structures V." Shock and Vibration Digest 21, no. 9 (September 1, 1989): 3–19. http://dx.doi.org/10.1177/058310248902100903.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

Munekata, H., T. Penney, and L. L. Chang. "Diluted magnetic III–V semiconductor structures." Surface Science 267, no. 1-3 (January 1992): 342–48. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(92)91151-z.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

TAKEYA, H., T. OZAKI, and N. TAKEDA. "SMS-30: Fabrication of Highly Reliable Advanced Grid Structure(SMS-V: SMART MATERIALS AND STRUCTURES, NDE)." Proceedings of the JSME Materials and Processing Conference (M&P) 2005 (2005): 43–44. http://dx.doi.org/10.1299/jsmeintmp.2005.43_3.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Marchi, Andrea, Lorenza Marvelli, Michela Cattabriga, Roberto Rossi, Maria Neves, Valerio Bertolasi, and Valeria Ferretti. "Technetium(V) and rhenium(V) complexes of biguanide derivatives. Crystal structures." Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions, no. 12 (1999): 1937–44. http://dx.doi.org/10.1039/a900798i.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

Ferguson, G., C. Glidewell, D. Lloyd, and S. Metcalfe. "Tetraphenylantimony(V) compounds: structures of tetraphenylantimony(V) bromide, perchlorate, and tetraphenylborate." Acta Crystallographica Section A Foundations of Crystallography 43, a1 (August 12, 1987): C175. http://dx.doi.org/10.1107/s0108767387080784.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

Zen, Kazuaki. "Life Cycle Management of Port Structures-V." Zairyo-to-Kankyo 59, no. 12 (2010): 448–51. http://dx.doi.org/10.3323/jcorr.59.448.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

Kuech, Thomas F. "III-V compound semiconductors: Growth and structures." Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 62, no. 2 (June 2016): 352–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.pcrysgrow.2016.04.019.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

Tanaka, Masaaki. "Ferromagnet (MnAs)/III V semiconductor hybrid structures." Semiconductor Science and Technology 17, no. 4 (March 21, 2002): 327–41. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/17/4/306.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

Case, Robbie, Kimberly Marra Stephenson, Charles Bleiker, and Yukon Okamoto. "V. CENTRAL SPATIAL STRUCTURES AND THEIR DEVELOPMENT." Monographs of the Society for Research in Child Development 61, no. 1-2 (January 1996): 103–30. http://dx.doi.org/10.1111/j.1540-5834.1996.tb00539.x.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Hamad, B. A., and J. M. Khalifeh. "Spin polarization of Cr/V vicinal structures." Surface Science 492, no. 1-2 (October 2001): 161–66. http://dx.doi.org/10.1016/s0039-6028(01)01436-4.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

Wang, Y., and D. J. Doren. "Electronic structures of V-doped anatase TiO2." Solid State Communications 136, no. 3 (October 2005): 142–46. http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2005.07.014.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Begley, M. J., and D. B. Sowerby. "Structures of triphenylantimony(V) dibromide and dichloride." Acta Crystallographica Section C Crystal Structure Communications 49, no. 6 (June 15, 1993): 1044–46. http://dx.doi.org/10.1107/s0108270192011958.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Nicolaou, K. C., Lin Dong, Lujiang Deng, Adam C. Talbot, and David Y. K. Chen. "Synthesis of functionalized maoecrystal V core structures." Chem. Commun. 46, no. 1 (2010): 70–72. http://dx.doi.org/10.1039/b917045f.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

Kim, Seong-Gon, Sungho Kim, Jun Shen, B. Z. Nosho, S. C. Erwin, and L. J. Whitman. "Interface structures of III-V semiconductor heterostructures." International Journal of Quantum Chemistry 95, no. 4-5 (2003): 561–71. http://dx.doi.org/10.1002/qua.10687.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

Gossard, A. C., and S. Fafard. "Quantum-engineering of III–V semiconductor structures." Solid State Communications 92, no. 1-2 (October 1994): 63–70. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(94)90859-1.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

Li, Hong-Yi, Dan-Qing Li, Yang Yang, Xie Zhang, Jiang Diao, and Bing Xie. "Re-examination of complexation behaviors of V(v) and V(iv): experimental investigation and theoretical simulation." Journal of Analytical Atomic Spectrometry 35, no. 5 (2020): 878–85. http://dx.doi.org/10.1039/d0ja00018c.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Meakin, Paul. "Fractal structures." Progress in Solid State Chemistry 20, no. 3 (January 1990): 135–233. http://dx.doi.org/10.1016/0079-6786(90)90001-v.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

Clements, Alan. "Computation Structures." Microprocessors and Microsystems 14, no. 10 (December 1990): 677. http://dx.doi.org/10.1016/0141-9331(90)90044-v.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

27

Yun, Eui‐Jung, M. F. Becker, and R. M. Walser. "Room temperature conductance quantization in V‖amorphous‐V2O5‖V thin film structures." Applied Physics Letters 63, no. 18 (November 1993): 2493–95. http://dx.doi.org/10.1063/1.110459.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

28

Patel, Nisarg, Siddharth Krishna, Dennis Shasha, and Thomas Wies. "Verifying concurrent multicopy search structures." Proceedings of the ACM on Programming Languages 5, OOPSLA (October 20, 2021): 1–32. http://dx.doi.org/10.1145/3485490.

Повний текст джерела

Анотація:

Multicopy search structures such as log-structured merge (LSM) trees are optimized for high insert/update/delete (collectively known as upsert) performance. In such data structures, an upsert on key k , which adds ( k , v ) where v can be a value or a tombstone, is added to the root node even if k is already present in other nodes. Thus there may be multiple copies of k in the search structure. A search on k aims to return the value associated with the most recent upsert. We present a general framework for verifying linearizability of concurrent multicopy search structures that abstracts from the underlying representation of the data structure in memory, enabling proof-reuse across diverse implementations. Based on our framework, we propose template algorithms for (a) LSM structures forming arbitrary directed acyclic graphs and (b) differential file structures, and formally verify these templates in the concurrent separation logic Iris. We also instantiate the LSM template to obtain the first verified concurrent in-memory LSM tree implementation.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

29

Turek, P., R. Kuentzler, A. Bieber, and R. Jesser. "Electronic properties of atomically ordered structures in the V-Ni, V-Pd and V-Pt systems." Solid State Communications 53, no. 11 (March 1985): 979–83. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(85)90473-9.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

30

Yu, Weiyang, Chun-Yao Niu, Zhili Zhu, Xiangfu Wang, and Wei-Bing Zhang. "Atomically thin binary V–V compound semiconductor: a first-principles study." Journal of Materials Chemistry C 4, no. 27 (2016): 6581–87. http://dx.doi.org/10.1039/c6tc01505k.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

31

Nikitin, V. P., and A. V. Hvalj. "Azolla reproductive structures in the Cenozoic of West Siberia." Palaeobotany 2 (2011): 5–90. http://dx.doi.org/10.31111/palaeobotany/2011.2.5.

Повний текст джерела

Анотація:

Reproductive structures (megaspore complexes and partly massulae) of 22 species of Azolla Lamarck (Azollaceae, Salviniales, Pteridophyta) are recorded from the Eocene–Holocene of West Siberia. Descriptions are provided and the distribution is traced for the species Azolla filiculoides Lamarck, A. incerta V. P. Nikitin, sp. nov., A. monilifera P. A. Nikitin ex P. I. Dorofeev, and A. tomentosa P. A. Nikitin from the section Azolla G. H. Mettenius, the species Azolla aspera P. I. Dorofeev, A. nana P. I. Dorofeev, A. nikitinii P. I. Dorofeev, A. pseudopinnata P. A. Nikitin, A. suchorukovii P. I. Dorofeev, and A. ventricosa P. A. Nikitin ex P. I. Dorofeev from the section Rhizosperma (F. Meyen) G. H. Mettenius, the species Azolla aculeata V. P. Nikitin, sp. nov., A. atava V. P. Nikitin, sp. nov., and A. cluthiana V. P. Nikitin, sp. nov. from the section Trisepta K. Fowler, as well as the species Azolla asiatica V. P. Nikitin, sp. nov., A. gracilis V. P. Nikitin, sp. nov., A. juganica V. P. Nikitin, sp. nov., A. macrocephala V. P. Nikitin, sp. nov., A. minuta V. P. Nikitin, sp. nov., A. sibirica P. I. Dorofeev, A. theganica V. P. Nikitin, sp. nov., A. tumida V. P. Nikitin, sp. nov., and A. verruculosa V. P. Nikitin, sp. nov., whose affinity to the sections Rhizosperma or Trisepta currently cannot be determined.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

32

Zhi-Jian, Peng, Si Wen-Jie, Xie Mao-Nong, Fu He-Jian, and Miao He-Zhuo. "C－V Characteristics of Metal-Polysilane-Silicon Structures." Acta Physico-Chimica Sinica 19, no. 02 (2003): 97–99. http://dx.doi.org/10.3866/pku.whxb20030201.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

33

Fang, Sun, Liang Xiao-tian, Yu Dequan, Xu Chang-fu, and Jon Clardy. "The structures of spirasine V and spirasine VI." Tetrahedron Letters 27, no. 3 (January 1986): 275–78. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-4039(00)83995-7.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

34

Geng, Zhi, Chi Wang, and Qiang Zhao. "Decomposition of search for v-structures in DAGs." Journal of Multivariate Analysis 96, no. 2 (October 2005): 282–94. http://dx.doi.org/10.1016/j.jmva.2004.10.012.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

35

Domasevitch, Konstantin V., Nikolay N. Gerasimchuk, and Andrew Mokhir. "Organoantimony(V) Cyanoximates: Synthesis, Spectra and Crystal Structures." Inorganic Chemistry 39, no. 6 (March 2000): 1227–37. http://dx.doi.org/10.1021/ic9906048.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

36

Pieck, C. L., M. A. Bañares, M. A. Vicente, and J. L. G. Fierro. "Chemical Structures of ZrO2-Supported V−Sb Oxides." Chemistry of Materials 13, no. 4 (April 2001): 1174–80. http://dx.doi.org/10.1021/cm000333v.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

37

Kleinhenz, Sven, Mario Schubert, and Konard Seppelt. "Preparation and Structures of Hexaphenyl- and Hexatolyltantalates(V)." Chemische Berichte 130, no. 7 (July 1997): 903–6. http://dx.doi.org/10.1002/cber.19971300715.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

38

Andreoni, Wanda. "III-V semiconductor microclusters: Structures, stability, and melting." Physical Review B 45, no. 8 (February 15, 1992): 4203–7. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.45.4203.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

39

Symonds, P. S. "Introduction to Optimization of Structures (N. V. Banichuk)." SIAM Review 34, no. 4 (December 1992): 687–89. http://dx.doi.org/10.1137/1034150.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

40

Seabaugh, A. C., W. R. Frensley, R. J. Matyi, and G. E. Cabaniss. "Electrochemical C-V profiling of heterojunction device structures." IEEE Transactions on Electron Devices 36, no. 2 (1989): 309–13. http://dx.doi.org/10.1109/16.19930.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

41

Ichida, H., T. Ozeki, K. Nagai, Y. Michiue, and Y. Sasaki. "V—O bond distances in structures of heteropolyvanadates." Acta Crystallographica Section A Foundations of Crystallography 43, a1 (August 12, 1987): C198. http://dx.doi.org/10.1107/s0108767387080176.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

42

Wenjie, He, and He Wenchen. "P-V matrix and enumeration of Kekul� structures." Theoretica Chimica Acta 75, no. 5 (1989): 389–400. http://dx.doi.org/10.1007/bf00526696.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

43

Abdurakhimov, A. A., A. V. Lunev, Yu V. Rud', V. E. Skoryukin, and Yu K. Undalov. "Photosensitivity of AIIBIVC 2 V -SnO2 diode structures." Soviet Physics Journal 28, no. 7 (July 1985): 528–31. http://dx.doi.org/10.1007/bf00896175.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

44

Hayashi, S., D. Bruno, R. Sandhu, and M. S. Goorsky. "Wafer bonding for III–V on insulator structures." Journal of Electronic Materials 32, no. 8 (August 2003): 877–81. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-003-0204-1.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

45

Boero, M., and J. C. Inkson. "Calculated I–V characteristics of low-dimensional structures." Surface Science 361-362 (July 1996): 618–22. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(96)00483-9.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

46

Maruyama, Jun, and Tsutomu Shinagawa. "Catalyst Layer Structures for Enhancement of Redox Reactions of V(IV/V) Ions." Electrochimica Acta 210 (August 2016): 854–61. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2016.06.005.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

47

Tirree, J., D. Gudat, M. Nieger, and E. Niecke. "Diamino-Cyclodiphosph(V)azenes and Diimino-cyclodiphosph(V)azanes: Tautomerism, Structures and Reactivity." Phosphorus, Sulfur, and Silicon and the Related Elements 177, no. 8-9 (August 2002): 2253. http://dx.doi.org/10.1080/10426500213333.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

48

Dura, J. A., A. Vigliante, T. D. Golding, and S. C. Moss. "Epitaxial growth of Sb/GaSb structures: An example of V/III‐V heteroepitaxy." Journal of Applied Physics 77, no. 1 (January 1995): 21–27. http://dx.doi.org/10.1063/1.359373.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

49

Allen, H. G. "Stability of structures." Engineering Structures 14, no. 5 (November 1992): 347–48. http://dx.doi.org/10.1016/0141-0296(92)90049-v.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

50

Bogar, F., and J. Ladik. "Correlation corrected band structures of homopolypeptides v. B3LYP band structures of 19 homopolypeptides." International Journal of Quantum Chemistry 99, no. 1 (2004): 47–52. http://dx.doi.org/10.1002/qua.20107.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!