Статті в журналах з теми "Single electron devices"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "Single electron devices".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Oda, Shunri. "Single Electron Devices." IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 121, no. 1 (2001): 19–22. http://dx.doi.org/10.1541/ieejeiss1987.121.1_19.
Повний текст джерелаSMITH, DORAN D. "SINGLE ELECTRON DEVICES." International Journal of High Speed Electronics and Systems 09, no. 01 (March 1998): 165–207. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156498000099.
Повний текст джерелаAhmed, Haroon, and Kazuo Nakazato. "Single-electron devices." Microelectronic Engineering 32, no. 1-4 (September 1996): 297–315. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(95)00179-4.
Повний текст джерелаTAKAHASHI, YASUO, AKIRA FUJIWARA, MASAO NAGASE, HIDEO NAMATSU, KENJI KURIHARA, KAZUMI IWADATE, and KATSUMI MURASE. "Silicon single-electron devices." International Journal of Electronics 86, no. 5 (May 1999): 605–39. http://dx.doi.org/10.1080/002072199133283.
Повний текст джерелаTakahashi, Yasuo, Yukinori Ono, Akira Fujiwara, and Hiroshi Inokawa. "Silicon single-electron devices." Journal of Physics: Condensed Matter 14, no. 39 (September 20, 2002): R995—R1033. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/14/39/201.
Повний текст джерелаFLENSBERG, KARSTEN, ARKADI A. ODINTSOV, FEIKE LIEFRINK, and PAUL TEUNISSEN. "TOWARDS SINGLE-ELECTRON METROLOGY." International Journal of Modern Physics B 13, no. 21n22 (September 10, 1999): 2651–87. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979299002587.
Повний текст джерелаLi, Rui-Hao, Jun-Yang Liu, and Wen-Jing Hong. "Regulation strategies based on quantum interference in electrical transport of single-molecule devices." Acta Physica Sinica 71, no. 6 (2022): 067303. http://dx.doi.org/10.7498/aps.71.20211819.
Повний текст джерелаLabra-Muñoz, Jacqueline A., Arie de Reuver, Friso Koeleman, Martina Huber, and Herre S. J. van der Zant. "Ferritin-Based Single-Electron Devices." Biomolecules 12, no. 5 (May 15, 2022): 705. http://dx.doi.org/10.3390/biom12050705.
Повний текст джерелаSchupp, Felix J. "Single-electron devices in silicon." Materials Science and Technology 33, no. 8 (October 18, 2016): 944–62. http://dx.doi.org/10.1080/02670836.2016.1242826.
Повний текст джерелаAbramov, I. I., and E. G. Novik. "Classification of single-electron devices." Semiconductors 33, no. 11 (November 1999): 1254–59. http://dx.doi.org/10.1134/1.1187860.
Повний текст джерелаMizuta, H., Y. Furuta, T. Kamiya, Y. T. Tan, Z. A. K. Durrani, S. Amakawa, K. Nakazato, and H. Ahmed. "Nanosilicon for single-electron devices." Current Applied Physics 4, no. 2-4 (April 2004): 98–101. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2003.10.005.
Повний текст джерелаFujiwara, A., Y. Takahashi, K. Yamazaki, H. Namatsu, M. Nagase, K. Kurihara, and K. Murase. "Double-island single-electron devices. A useful unit device for single-electron logic LSI's." IEEE Transactions on Electron Devices 46, no. 5 (May 1999): 954–59. http://dx.doi.org/10.1109/16.760403.
Повний текст джерелаLikharev, Konstantin K., and Alexander N. Korotkov. "Single-Electron Parametron." VLSI Design 6, no. 1-4 (January 1, 1998): 43–46. http://dx.doi.org/10.1155/1998/58268.
Повний текст джерелаMatsutani, Masahiro, Fujio Wakaya, Sadao Takaoka, Kazuo Murase, and Kenji Gamo. "Electron-Beam-Induced Oxidation for Single-Electron Devices." Japanese Journal of Applied Physics 36, Part 1, No. 12B (December 30, 1997): 7782–85. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.36.7782.
Повний текст джерелаGunasekaran, Suman, Douglas A. Reed, Daniel W. Paley, Amymarie K. Bartholomew, Latha Venkataraman, Michael L. Steigerwald, Xavier Roy, and Colin Nuckolls. "Single-Electron Currents in Designer Single-Cluster Devices." Journal of the American Chemical Society 142, no. 35 (August 18, 2020): 14924–32. http://dx.doi.org/10.1021/jacs.0c04970.
Повний текст джерелаAhmed, H. "Single atom scale lithography for single electron devices." Physica B: Condensed Matter 227, no. 1-4 (September 1996): 259–63. http://dx.doi.org/10.1016/0921-4526(96)00415-2.
Повний текст джерелаGoodnick, S. M., and J. Bird. "Quantum-effect and single-electron devices." IEEE Transactions On Nanotechnology 2, no. 4 (December 2003): 368–85. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2003.820773.
Повний текст джерелаMizugaki, Y., M. Takiguchi, S. Hayami, A. Kawai, M. Moriya, K. Usami, T. Kobayashi, and H. Shimada. "Single-Electron Devices With Input Discretizer." IEEE Transactions on Nanotechnology 7, no. 5 (September 2008): 601–6. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2008.2003352.
Повний текст джерелаLikharev, K. K. "Single-electron devices and their applications." Proceedings of the IEEE 87, no. 4 (April 1999): 606–32. http://dx.doi.org/10.1109/5.752518.
Повний текст джерелаKOROTKOV, ALEXANDER N. "Single-electron logic and memory devices." International Journal of Electronics 86, no. 5 (May 1999): 511–47. http://dx.doi.org/10.1080/002072199133256.
Повний текст джерелаOno, Yukinori, Kenji Yamazaki, Masao Nagase, Seiji Horiguchi, Kenji Shiraishi, and Yasuo Takahashi. "Single-electron and quantum SOI devices." Microelectronic Engineering 59, no. 1-4 (November 2001): 435–42. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(01)00638-4.
Повний текст джерелаTakahashi, Yasuo, Yukinori Ono, Akira Fujiwara, and Hiroshi Inokawa. "Development of silicon single-electron devices." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 19, no. 1-2 (July 2003): 95–101. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(03)00314-x.
Повний текст джерелаKorotkov, Alexander N., and Konstantin K. Likharev. "Single-electron-parametron-based logic devices." Journal of Applied Physics 84, no. 11 (December 1998): 6114–26. http://dx.doi.org/10.1063/1.368926.
Повний текст джерелаDempsey, Kari J., David Ciudad, and Christopher H. Marrows. "Single electron spintronics." Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 369, no. 1948 (August 13, 2011): 3150–74. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2011.0105.
Повний текст джерелаBryant, Garnett W., D. B. Murray, and A. H. MacDonald. "Electronic structure of single ultrasmall electron devices and device arrays." Superlattices and Microstructures 3, no. 3 (January 1987): 211–15. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(87)90060-7.
Повний текст джерелаBarnes, C. H. W., J. M. Shilton, and A. M. Robinson. "Quantum computation using electrons trapped by surface acoustic waves." Quantum Information and Computation 1, Special (December 2001): 96–101. http://dx.doi.org/10.26421/qic1.s-9.
Повний текст джерелаLi, Xinxing, Jinggao Sui, and Jingyue Fang. "Single-Electron Transport and Detection of Graphene Quantum Dots." Nanomaterials 13, no. 5 (February 27, 2023): 889. http://dx.doi.org/10.3390/nano13050889.
Повний текст джерелаYadav, Pooja, Hemant Arora, and Arup Samanta. "Nitrogen in silicon for room temperature single-electron tunneling devices." Applied Physics Letters 122, no. 8 (February 20, 2023): 083502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0136182.
Повний текст джерелаVisscher, E. H., S. M. Verbrugh, J. Lindeman, P. Hadley, and J. E. Mooij. "Fabrication of multilayer single‐electron tunneling devices." Applied Physics Letters 66, no. 3 (January 16, 1995): 305–7. http://dx.doi.org/10.1063/1.113526.
Повний текст джерелаVion, D., P. F. Orfila, P. Joyez, D. Esteve, and M. H. Devoret. "Miniature electrical filters for single electron devices." Journal of Applied Physics 77, no. 6 (March 15, 1995): 2519–24. http://dx.doi.org/10.1063/1.358781.
Повний текст джерелаGarcía, N., and F. Guinea. "Nonequilibrium electronic distribution in single-electron devices." Physical Review B 57, no. 3 (January 15, 1998): 1398–401. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.57.1398.
Повний текст джерелаNagase, M., S. Horiguchi, K. Shiraishi, A. Fujiwara, and Y. Takahashi. "Single-electron devices formed by thermal oxidation." Journal of Electroanalytical Chemistry 559 (November 2003): 19–23. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(03)00420-0.
Повний текст джерелаAltmeyer, S., K. Hofmann, A. Hamidi, S. Hu, B. Spangenberg, and H. Kurz. "Potential and challenges of single electron devices." Vacuum 51, no. 2 (October 1998): 295–99. http://dx.doi.org/10.1016/s0042-207x(98)00178-x.
Повний текст джерелаSplettstoesser, Janine, and Rolf J. Haug. "Single-electron control in solid state devices." physica status solidi (b) 254, no. 3 (March 2017): 1770217. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201770217.
Повний текст джерелаMelnyk, Oleksandr, and Viktoriia Kozarevych. "SIMULATION OF PROGRAMMABLE SINGLE-ELECTRON NANOCIRCUITS." Bulletin of the National Technical University "KhPI". Series: Mathematical modeling in engineering and technologies, no. 1 (March 5, 2021): 64–68. http://dx.doi.org/10.20998/2222-0631.2020.01.05.
Повний текст джерелаTANIGUCHI, KENJI. "Frontier of Nanometer Devices. Electronic Devices Using Single Electron Tunneling Phenomena." Journal of the Institute of Electrical Engineers of Japan 114, no. 6 (1994): 371–75. http://dx.doi.org/10.1541/ieejjournal.114.371.
Повний текст джерелаLikharev, Konstantin K., and Alexander N. Korotkov. "Analysis of Q0-Independent Single-Electron Systems." VLSI Design 6, no. 1-4 (January 1, 1998): 341–44. http://dx.doi.org/10.1155/1998/46535.
Повний текст джерелаStewart, M., and Neil Zimmerman. "Stability of Single Electron Devices: Charge Offset Drift." Applied Sciences 6, no. 7 (June 29, 2016): 187. http://dx.doi.org/10.3390/app6070187.
Повний текст джерелаSato, Shigeo, and Koji Nakajima. "Application of Single Electron Devices Utilizing Stochastic Dynamics." International Journal of Nanotechnology and Molecular Computation 1, no. 2 (April 2009): 29–42. http://dx.doi.org/10.4018/jnmc.2009040102.
Повний текст джерелаMahdavi, Mojdeh, Sattar Mirzakuchaki, Mohammad Naser Moghaddasi, and Mohammad Amin Amiri. "Single Electron Fault Modeling in Basic Quantum Devices." Japanese Journal of Applied Physics 50, no. 9R (September 1, 2011): 094401. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.50.094401.
Повний текст джерелаAllec, N., R. G. Knobel, and L. Shang. "SEMSIM: Adaptive Multiscale Simulation For Single-Electron Devices." IEEE Transactions on Nanotechnology 7, no. 3 (May 2008): 351–54. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2008.917794.
Повний текст джерелаHoekstra, Jaap. "On Circuit Theories for Single-Electron Tunneling Devices." IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 54, no. 11 (November 2007): 2353–59. http://dx.doi.org/10.1109/tcsi.2007.907797.
Повний текст джерелаEscott, C. C., F. E. Hudson, V. C. Chan, K. D. Petersson, R. G. Clark, and A. S. Dzurak. "Scaling of ion implanted Si:P single electron devices." Nanotechnology 18, no. 23 (May 8, 2007): 235401. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/18/23/235401.
Повний текст джерелаMahdavi, Mojdeh, Sattar Mirzakuchaki, Mohammad Naser Moghaddasi, and Mohammad Amin Amiri. "Single Electron Fault Modeling in Basic Quantum Devices." Japanese Journal of Applied Physics 50, no. 9 (September 20, 2011): 094401. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.50.094401.
Повний текст джерелаBułka, B. R., J. Martinek, G. Michałek, and J. Barnaś. "Shot noise in ferromagnetic single-electron tunneling devices." Physical Review B 60, no. 17 (November 1, 1999): 12246–55. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.60.12246.
Повний текст джерелаDelsing, P., and D. B. Haviland. "A current mirror based on single electron devices." Applied Superconductivity 6, no. 10-12 (October 1999): 789–93. http://dx.doi.org/10.1016/s0964-1807(99)00043-5.
Повний текст джерелаFerry, D. K., M. Khoury, C. Gerousis, M. J. Rack, A. Gunther, and S. M. Goodnick. "Single-electron charging effects in Si MOS devices." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 9, no. 1 (January 2001): 69–75. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(00)00179-x.
Повний текст джерелаGroshev, Atanas. "Nontrival Coulomb staircase in single-electron turnstile devices." Physical Review B 46, no. 16 (October 15, 1992): 10289–94. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.46.10289.
Повний текст джерелаHoekstra, J. "On the delay of single-electron logic devices." International Journal of Circuit Theory and Applications 41, no. 6 (March 28, 2012): 563–72. http://dx.doi.org/10.1002/cta.1802.
Повний текст джерелаYamada, Takashi, and Yoshihito Amemiya. "Multiple-valued logic devices using single-electron circuits." Superlattices and Microstructures 27, no. 5-6 (May 2000): 607–11. http://dx.doi.org/10.1006/spmi.2000.0875.
Повний текст джерела