Статті в журналах з теми "Si Quantum Dot"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "Si Quantum Dot".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Porod, Wolfgang. "Quantum-Dot Devices and Quantum-Dot Cellular Automata." International Journal of Bifurcation and Chaos 07, no. 10 (October 1997): 2199–218. http://dx.doi.org/10.1142/s0218127497001606.
Повний текст джерелаDvurechenskii, Anatolii V., and Andrei I. Yakimov. "Quantum dot Ge/Si heterostructures." Uspekhi Fizicheskih Nauk 171, no. 12 (2001): 1371. http://dx.doi.org/10.3367/ufnr.0171.200112h.1371.
Повний текст джерелаDvurechenskii, Anatolii V., and Andrei I. Yakimov. "Quantum dot Ge/Si heterostructures." Physics-Uspekhi 44, no. 12 (December 31, 2001): 1304–7. http://dx.doi.org/10.1070/pu2001v044n12abeh001057.
Повний текст джерелаLambert, K., I. Moreels, D. Van Thourhout, and Z. Hens. "Quantum Dot Micropatterning on Si." Langmuir 24, no. 11 (June 2008): 5961–66. http://dx.doi.org/10.1021/la703664r.
Повний текст джерелаDvurechenskii, Anatoly, Andrew Yakimov, Victor Kirienko, Alekcei Bloshkin, Vladimir Zinovyev, Aigul Zinovieva, and Alexander Mudryi. "Enhanced Optical Properties of Silicon Based Quantum Dot Heterostructures." Defect and Diffusion Forum 386 (September 2018): 68–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.386.68.
Повний текст джерелаGudlavalleti, R. H., B. Saman, R. Mays, M. Lingalugari, E. Heller, J. Chandy, and F. Jain. "Modeling of Multi-State Si and Ge Cladded Quantum Dot Gate FETs Using Verilog and ABM Simulations." International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, no. 03n04 (September 2019): 1940026. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400263.
Повний текст джерелаKondo, Jun, Pial Mirdha, Barath Parthasarathy, Pik-Yiu Chan, Bander Saman, Faquir Jain, and Evan Heller. "Modeling and Fabrication of GeOx-Ge Cladded Quantum Dot Channel (QDC) FETs on Poly-Silicon." International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, no. 01n02 (March 2018): 1840005. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400050.
Повний текст джерелаParthasarathy, Barath, Pial Mirdha, Jun Kondo, and Faquir Jain. "Dual Quantum Dot Superlattice." International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, no. 01n02 (March 2018): 1840003. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400037.
Повний текст джерелаChen, Minhan, and Wolfgang Porod. "Simulation of Quantum-Dot Structures in Si/SiO2." VLSI Design 6, no. 1-4 (January 1, 1998): 335–39. http://dx.doi.org/10.1155/1998/89258.
Повний текст джерелаHe, Peng, Chong Wang, Jie Yang, and Yu Yang. "Advance of Ge/Si Quantum Dot Infrared Photodetector." Advanced Materials Research 873 (December 2013): 799–808. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.873.799.
Повний текст джерелаLingalugari, Murali, Evan Heller, Barath Parthasarathy, John Chandy, and Faquir Jain. "Quantum Dot Floating Gate Nonvolatile Random Access Memory Using Ge Quantum Dot Channel for Faster Erasing." International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, no. 01n02 (March 2018): 1840006. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400062.
Повний текст джерелаLe, Thu-Huong, Dang Thi Thanh Le, and Nguyen Van Tung. "Synthesis of Colloidal Silicon Quantum Dot from Rice Husk Ash." Journal of Chemistry 2021 (March 2, 2021): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2021/6689590.
Повний текст джерелаLin, C. H., C. Y. Yu, C. Y. Peng, W. S. Ho, and C. W. Liu. "Broadband SiGe∕Si quantum dot infrared photodetectors." Journal of Applied Physics 101, no. 3 (February 2007): 033117. http://dx.doi.org/10.1063/1.2433768.
Повний текст джерелаGrützmacher, Detlev, Thomas Fromherz, Christian Dais, Julian Stangl, Elisabeth Müller, Yasin Ekinci, Harun H. Solak, et al. "Three-Dimensional Si/Ge Quantum Dot Crystals." Nano Letters 7, no. 10 (October 2007): 3150–56. http://dx.doi.org/10.1021/nl0717199.
Повний текст джерелаAl-Douri, Y., R. Khenata, and A. H. Reshak. "Investigated optical studies of Si quantum dot." Solar Energy 85, no. 9 (September 2011): 2283–87. http://dx.doi.org/10.1016/j.solener.2011.06.017.
Повний текст джерелаRappaport, N., E. Finkman, P. Boucaud, S. Sauvage, T. Brunhes, V. Le Thanh, D. Bouchier, and S. E. Schacham. "Photoconductivity of Ge/Si quantum dot photodetectors." Infrared Physics & Technology 44, no. 5-6 (October 2003): 513–16. http://dx.doi.org/10.1016/s1350-4495(03)00173-7.
Повний текст джерелаShcherbyna, L., and T. Torchynska. "Si quantum dot structures and their applications." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 51 (June 2013): 65–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2012.09.026.
Повний текст джерелаYakimov, A. I., A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, and Yu Yu Proskuryakov. "Interlevel Ge/Si quantum dot infrared photodetector." Journal of Applied Physics 89, no. 10 (May 15, 2001): 5676–81. http://dx.doi.org/10.1063/1.1346651.
Повний текст джерелаVandersypen, Lieven. "(Digital Presentation) Quantum Computing in Si/Sige Quantum Dot Arrays." ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no. 32 (October 9, 2022): 1205. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321205mtgabs.
Повний текст джерелаMurphy, Jessica K., Robert Hull, Devin Pyle, Hao Wang, Jennifer Gray, and Jerrold Floro. "Control of semiconductor quantum dot nanostructures: Variants of SixGe1−x/Si quantum dot molecules." Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 29, no. 1 (January 2011): 011029. http://dx.doi.org/10.1116/1.3533938.
Повний текст джерелаHyldgaard, Per, Henry K. Harbury, and Wolfgang Porod. "Electrostatic Formation of Coupled Si/SiO2 Quantum Dot Systems." VLSI Design 8, no. 1-4 (January 1, 1998): 555–58. http://dx.doi.org/10.1155/1998/67609.
Повний текст джерелаKondo, Jun, Murali Lingalugari, Pik-Yiu Chan, Evan Heller, and Faquir Jain. "Modeling and Fabrication of Quantum Dot Channel Field Effect Transistors Incorporating Quantum Dot Gate." MRS Proceedings 1551 (2013): 149–54. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.899.
Повний текст джерелаKang, Ji-Hoon, Junghee Ryu, and Hoon Ryu. "Exploring the behaviors of electrode-driven Si quantum dot systems: from charge control to qubit operations." Nanoscale 13, no. 1 (2021): 332–39. http://dx.doi.org/10.1039/d0nr05070a.
Повний текст джерелаPOROD, WOLFGANG. "QUANTUM-DOT CELLULAR AUTOMATA DEVICES AND ARCHITECTURES." International Journal of High Speed Electronics and Systems 09, no. 01 (March 1998): 37–63. http://dx.doi.org/10.1142/s012915649800004x.
Повний текст джерелаLei, Hui, Tong Zhou, Shuguang Wang, Yongliang Fan, and Zhenyang Zhong. "Large-area ordered Ge-Si compound quantum dot molecules on dot-patterned Si (001) substrates." Nanotechnology 25, no. 34 (July 31, 2014): 345301. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/25/34/345301.
Повний текст джерелаNENASHEV, A. V., A. V. DVURECHENSKII, A. F. ZINOVIEVA, and E. A. GOLOVINA. "ZEEMAN EFFECT FOR ELECTRONS AND HOLES IN Ge/Si QUANTUM DOTS." International Journal of Nanoscience 02, no. 06 (December 2003): 511–19. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x03001620.
Повний текст джерелаVarsha, Mohamed Kria, Jawad El Hamdaoui, Laura M. Pérez, Vinod Prasad, Mohamed El-Yadri, David Laroze, and El Mustapha Feddi. "Quantum Confined Stark Effect on the Linear and Nonlinear Optical Properties of SiGe/Si Semi Oblate and Prolate Quantum Dots Grown in Si Wetting Layer." Nanomaterials 11, no. 6 (June 8, 2021): 1513. http://dx.doi.org/10.3390/nano11061513.
Повний текст джерелаZhang, Jie-Yin, Fei Gao, and Jian-Jun Zhang. "Research progress of silicon and germanium quantum computing materials." Acta Physica Sinica 70, no. 21 (2021): 217802. http://dx.doi.org/10.7498/aps.70.20211492.
Повний текст джерелаZhang, Li Hong, Chong Wang, Jie Yang, Jin Tao Yao, and Yu Yang. "Coulomb Effects in the Ge/Si Single Quantum Dot." Applied Mechanics and Materials 320 (May 2013): 176–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.320.176.
Повний текст джерелаSarkisyan, Hayk A., David B. Hayrapetyan, Lyudvig S. Petrosyan, Eduard M. Kazaryan, Anton N. Sofronov, Roman M. Balagula, Dmitry A. Firsov, Leonid E. Vorobjev, and Alexander A. Tonkikh. "Realization of the Kohn’s Theorem in Ge/Si Quantum Dots with Hole Gas: Theory and Experiment." Nanomaterials 9, no. 1 (January 3, 2019): 56. http://dx.doi.org/10.3390/nano9010056.
Повний текст джерелаTsai, Yi-Chia, Ming-Yi Lee, Yiming Li, and Seiji Samukawa. "Miniband formulation in Ge/Si quantum dot array." Japanese Journal of Applied Physics 55, no. 4S (March 15, 2016): 04EJ14. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.55.04ej14.
Повний текст джерелаWan, Yating, Chao Xiang, Joel Guo, Rosalyn Koscica, MJ Kennedy, Jennifer Selvidge, Zeyu Zhang, et al. "High Speed Evanescent Quantum‐Dot Lasers on Si." Laser & Photonics Reviews 15, no. 8 (June 27, 2021): 2100057. http://dx.doi.org/10.1002/lpor.202100057.
Повний текст джерелаHaskins, J. B., A. Kinaci, and T. Çağin. "Thermal conductivity of Si–Ge quantum dot superlattices." Nanotechnology 22, no. 15 (March 10, 2011): 155701. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/22/15/155701.
Повний текст джерелаHsu, B. C., C. H. Lin, P. S. Kuo, S. T. Chang, P. S. Chen, C. W. Liu, J. H. Lu, and C. H. Kuan. "Novel MIS Ge–Si Quantum-Dot Infrared Photodetectors." IEEE Electron Device Letters 25, no. 8 (August 2004): 544–46. http://dx.doi.org/10.1109/led.2004.831969.
Повний текст джерелаYang, Zheng, Yi Shi, Jianlin Liu, Bo Yan, Rong Zhang, Youdou Zheng, and Kanglong Wang. "Optical properties of Ge/Si quantum dot superlattices." Materials Letters 58, no. 29 (November 2004): 3765–68. http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2004.08.016.
Повний текст джерелаKawashima, Yuki, Kenta Nakahara, Hiroshi Sato, Giichiro Uchida, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, and Michio Kondo. "Quantum dot-sensitized solar cells using Si nanoparticles." Transactions of the Materials Research Society of Japan 35, no. 3 (2010): 597–99. http://dx.doi.org/10.14723/tmrsj.35.597.
Повний текст джерелаJo, M., K. Ishida, N. Yasuhara, Y. Sugawara, K. Kawamoto, and S. Fukatsu. "A Si-based quantum-dot light-emitting diode." Applied Physics Letters 86, no. 10 (March 7, 2005): 103509. http://dx.doi.org/10.1063/1.1882757.
Повний текст джерелаCHAN, M. Y., and P. S. LEE. "FABRICATION OF SILICON NANOCRYSTALS AND ITS ROOM TEMPERATURE LUMINESCENCE EFFECTS." International Journal of Nanoscience 05, no. 04n05 (August 2006): 565–70. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x06004802.
Повний текст джерелаFissel, Andreas. "Molecular Beam Epitaxy of Semiconductor Nanostructures Based on SiC." Materials Science Forum 483-485 (May 2005): 163–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.163.
Повний текст джерелаHu, Rui-Zi, Rong-Long Ma, Ming Ni, Yuan Zhou, Ning Chu, Wei-Zhu Liao, Zhen-Zhen Kong, et al. "Flopping-mode spin qubit in a Si-MOS quantum dot." Applied Physics Letters 122, no. 13 (March 27, 2023): 134002. http://dx.doi.org/10.1063/5.0137259.
Повний текст джерелаJi, Yang, Yingying Zhai, Huafeng Yang, Jingjing Liu, Wenyi Shao, Jun Xu, Wei Li, and Kunji Chen. "Improved device performances based on Si quantum dot/Si nanowire hetero-structures by inserting an Al2O3 thin layer." Nanoscale 9, no. 41 (2017): 16038–45. http://dx.doi.org/10.1039/c7nr05694j.
Повний текст джерелаWang, I.-Hsiang, Po-Yu Hong, Kang-Ping Peng, Horng-Chih Lin, Thomas George, and Pei-Wen Li. "Germanium Quantum-Dot Array with Self-Aligned Electrodes for Quantum Electronic Devices." Nanomaterials 11, no. 10 (October 16, 2021): 2743. http://dx.doi.org/10.3390/nano11102743.
Повний текст джерелаJain, F., R. H. Gudlavalleti, R. Mays, B. Saman, J. Chandy, and E. Heller. "Modeling of Quantum Dot Channel (QDC) Si FETs at Sub-Kelvin for Multi-State Logic." International Journal of High Speed Electronics and Systems 29, no. 01n04 (March 2020): 2040017. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156420400170.
Повний текст джерелаHu, Rui-Zi, Rong-Long Ma, Ming Ni, Xin Zhang, Yuan Zhou, Ke Wang, Gang Luo, et al. "An Operation Guide of Si-MOS Quantum Dots for Spin Qubits." Nanomaterials 11, no. 10 (September 24, 2021): 2486. http://dx.doi.org/10.3390/nano11102486.
Повний текст джерелаHsieh, You-Da, Ming-Way Lee, and Gou-Jen Wang. "Sb2S3Quantum-Dot Sensitized Solar Cells with Silicon Nanowire Photoelectrode." International Journal of Photoenergy 2015 (2015): 1–10. http://dx.doi.org/10.1155/2015/213858.
Повний текст джерелаLi, Jun. "High-Performance Monolithic Integration of III-V QD Lasers on Si Substrates." Highlights in Science, Engineering and Technology 55 (July 9, 2023): 23–28. http://dx.doi.org/10.54097/hset.v55i.9912.
Повний текст джерелаСофронов, А. Н., Р. М. Балагула, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, А. А. Тонких, А. А. Саркисян, Д. Б. Айрапетян, Л. С. Петросян та Э. М. Казарян. "Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si". Физика и техника полупроводников 52, № 1 (2018): 63. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.01.45320.8655.
Повний текст джерелаHumayun, M. A., M. A. Rashid, F. Malek, S. B. Yaakob, A. Z. Abdullah, M. I. Yusoff, M. I. Misrun, and G. N. Shasidharan. "Enhancement of Intrinsic Carrier Concentration in the Active Layer of Solar Cell Using Indium Nitride Quantum Dot." Applied Mechanics and Materials 793 (September 2015): 435–39. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.793.435.
Повний текст джерелаShcherbyna, Lyudmula V., and Tetyana V. Torchynska. "Si Quantum Dot Structures and Some Aspects of Applications." MRS Proceedings 1534 (2013): A5—A12. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.291.
Повний текст джерелаPachinger, D., H. Groiss, M. Teuchtmann, G. Hesser, and F. Schäffler. "Surfactant-mediated Si quantum dot formation on Ge(001)." Applied Physics Letters 98, no. 22 (May 30, 2011): 223104. http://dx.doi.org/10.1063/1.3595486.
Повний текст джерела