Добірка наукової літератури з теми "Si (111) Heterojunction"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Si (111) Heterojunction".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "Si (111) Heterojunction"
Chao, Xiong, Chen Lei, and Yuan Hongchun. "Study on the Synthesis, Characterization of p-CuSCN/n-Si Heterojunction." Open Materials Science Journal 7, no. 1 (October 31, 2013): 29–32. http://dx.doi.org/10.2174/1874088x01307010029.
Повний текст джерелаRazooqi, Mohammed A., Ameer F. Abdulameer, Adwan N. Hameed, Rasha A. Abdullaha, and Ehsan I. Sabbar. "The Electrical Characterization of p-CdTe/n-Si (111) Heterojunction Diode." Advanced Materials Research 702 (May 2013): 236–41. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.702.236.
Повний текст джерелаHe, Xiao-Min, Zhi-Ming Chen, Lei Huang, and Lian-Bi Li. "First-principles calculations on atomic and electronic properties of Si(111)/6H-SiC(0001) heterojunction." Modern Physics Letters B 29, no. 29 (October 25, 2015): 1550182. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984915501821.
Повний текст джерелаCho, Sung-Pyo, Yoshiaki Nakamura, Jun Yamasaki, Eiji Okunishi, Masakazu Ichikawa та Nobuo Tanaka. "Microstructure and interdiffusion behaviour of β-FeSi2 flat islands grown on Si(111) surfaces". Journal of Applied Crystallography 46, № 4 (4 липня 2013): 1076–80. http://dx.doi.org/10.1107/s0021889813015355.
Повний текст джерелаXu, Bei, Changjun Zhu, Xiaomin He, Yuan Zang, Shenghuang Lin, Lianbi Li, Song Feng, and Qianqian Lei. "First-Principles Calculations on Atomic and Electronic Properties of Ge/4H-SiC Heterojunction." Advances in Condensed Matter Physics 2018 (2018): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2018/8010351.
Повний текст джерелаXiong, Chao, An Cheng Xu, Xing Zhong Lu, Lei Chen, Xi Fang Zhu, and Ruo He Yao. "Fabrication and Characterization of p-CuI/n-Si Heterojunction Diode." Key Engineering Materials 538 (January 2013): 324–27. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.538.324.
Повний текст джерелаMahowald, P. H. "Heterojunction band discontinuity at the Si–Ge(111) interface." Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 3, no. 4 (July 1985): 1252. http://dx.doi.org/10.1116/1.583050.
Повний текст джерелаGonzález, M. L., F. Soria, and M. Alonso. "Initial stages of heterojunction formation: Si on GaAs(111)." Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 8, no. 3 (May 1990): 1977–82. http://dx.doi.org/10.1116/1.576791.
Повний текст джерелаTsai, Chin-Yi, Jyong-Di Lai, Shih-Wei Feng, Chien-Jung Huang, Chien-Hsun Chen, Fann-Wei Yang, Hsiang-Chen Wang, and Li-Wei Tu. "Growth and characterization of textured well-faceted ZnO on planar Si(100), planar Si(111), and textured Si(100) substrates for solar cell applications." Beilstein Journal of Nanotechnology 8 (September 15, 2017): 1939–45. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.8.194.
Повний текст джерелаAbdul Majeed E.Ibrahim, Raid A. Isma'el, Enad S.Ibrahim, and Essam M.Ibrahim. "Study the electrical properties of ZnO/p-Si heterojunction prepared by chemical spray pyrolysis." Tikrit Journal of Pure Science 21, no. 7 (February 8, 2023): 162–66. http://dx.doi.org/10.25130/tjps.v21i7.1123.
Повний текст джерелаДисертації з теми "Si (111) Heterojunction"
Mohan, Lokesh. "III- Nitride Thin Films and Nanostructures on Si(111) by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy." Thesis, 2017. http://etd.iisc.ac.in/handle/2005/4297.
Повний текст джерелаLee, Eun Kyu. "Carrier transport in Ge nanowires and one dimensional Si/Ge heterojunctions." Thesis, 2004. http://library1.njit.edu/etd/fromwebvoyage.cfm?id=njit-etd2004-114.
Повний текст джерелаЧастини книг з теми "Si (111) Heterojunction"
Ajmal Khan, M., and Yasuaki Ishikawa. "Indium (In)-Catalyzed Silicon Nanowires (Si NWs) Grown by the Vapor–Liquid–Solid (VLS) Mode for Nanoscale Device Applications." In Nanowires - Recent Progress. IntechOpen, 2021. http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.97723.
Повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "Si (111) Heterojunction"
Deng, Tianguo, Takuma Sato, Zhihao Xu, Ryota Takabe, Suguru Yachi, Yudai Yamashita, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu. "Investigation of p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells on Si(001) and comparison to those on Si(111)." In 2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC) (A Joint Conference of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC & 34th EU PVSEC). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2018.8547215.
Повний текст джерелаRogers, David J., V. E. Sandana, F. Hosseini Teherani, M. Razeghi, and H. J. Drouhin. "Fabrication of nanostructured heterojunction LEDs using self-forming moth eye type arrays of n-ZnO nanocones grown on p-si (111)substrates by pulsed laser deposition." In SPIE OPTO: Integrated Optoelectronic Devices, edited by Ferechteh H. Teherani, Cole W. Litton, and David J. Rogers. SPIE, 2009. http://dx.doi.org/10.1117/12.817030.
Повний текст джерелаMostafa, Tarek M., Motoki Takahara, Ryuji Baba, Suguru Funasaki, Mahmoud Shaban, Nathaporn Promros, Aki Tominaga, Maiko Nishibori та Tsuyoshi Yoshitake. "Epitaxial growth of n-type β-FeSi2thin films on p-type Si(111) substrates by radio-frequency magnetron sputtering and rectifying action of heterojunctions". У International Conference and Summer School on Advanced Silicide Technology 2014. Japan Society of Applied Physics, 2015. http://dx.doi.org/10.7567/jjapcp.3.011102.
Повний текст джерела