Готові списки джерел за темами / Semiconductor Properties of ZnO / Книги

Книги з теми "Semiconductor Properties of ZnO"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Semiconductor Properties of ZnO.
Автор: Grafiati
Опубліковано: 7 вересня 2023

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Semiconductor Properties of ZnO".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Jian, Li, Yan Yixun, and National Renewable Energy Laboratory (U.S.), eds. Design of shallow p-type dopants in ZnO: Preprint. Golden, Colo: National Renewable Energy Laboratory, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

J, Li, Yan Y, United States. Department of Energy, National Renewable Energy Laboratory (U.S.), United States. Department of Energy. Office of Scientific and Technical Information, and IEEE Photovoltaic Specialists Conference (33rd : 2008 : San Diego, Calif.), eds. Design of Shallow p-type Dopants in ZnO (Presentation). Washington, D.C: United States. Dept. of Energy, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

G, Sachs Kenneth, ed. Semiconductor research trends. New York: Nova Science Publishers, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Fukata, Naoki, and Riccardo Rurali, eds. Fundamental Properties of Semiconductor Nanowires. Singapore: Springer Singapore, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-9050-4.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Mönch, Winfried. Electronic Properties of Semiconductor Interfaces. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-06945-5.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Sadowski, Marcin L., Marek Potemski, and Marian Grynberg, eds. Optical Properties of Semiconductor Nanostructures. Dordrecht: Springer Netherlands, 2000. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-4158-1.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Optical properties of semiconductor nanocrystals. Cambridge, UK: Cambridge Unviersity Press, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Sadowski, Marcin L. Optical Properties of Semiconductor Nanostructures. Dordrecht: Springer Netherlands, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Lay, Guy. Semiconductor Interfaces: Formation and Properties. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1987.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

L, Sadowski Marcin, Potemski Marek, and Grynberg Marian, eds. Optical properties of semiconductor nanostructures. Dordrecht: Kluwer Academic, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Optical properties of semiconductor quantum dots. Berlin: Springer, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

T, Grahn H., ed. Semiconductor superlattices: Growth and electronic properties. Singapore: World Scientific, 1995.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Peyghambarian, Nasser. Introduction to semiconductor optics. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

Semiconductor optics. 3rd ed. Berlin: Springer, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Semiconductor optics. Berlin: Springer, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Semiconductor optics. Berlin: Springer, 2005.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Klingshirn, C. F. Semiconductor optics. Berlin: Springer, 1995.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Kells, Kevin. General electrothermal semiconductor device simulation. Konstanz: Hartung-Gorre Verlag, 1994.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Schöll, Eckehard, ed. Theory of Transport Properties of Semiconductor Nanostructures. Boston, MA: Springer US, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-5807-1.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

V, Snitko O., ed. Physical properties of atomically clean semiconductor surface. Moscow: Nauka Publishers, 1988.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

1951-, Schöll E., ed. Theory of transport properties of semiconductor nanostructures. London: Chapman & Hall, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

H, Sher Alvin, Chen A. -B, and United States. National Aeronautics and Space Administration. Scientific and Technical Information Branch, eds. Structural properties of bismuth-bearing semiconductor alloys. [Washington, D.C.?]: National Aeronautics and Space Administration, Scientific and Technical Information Branch, 1986.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

W, Koch S., ed. Semiconductor quantum dots. Singapore: World Scientific, 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
24

D, Steiner Todd, ed. Semiconductor nanostructures for optoelectronic applications. Boston: Artech House, 2004.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
25

Chuan, Feng Zhe, ed. Semiconductor interfaces, microstructures and devices: Properties and applications. Bristol: Institute of Physics Pub., 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
26

Jahnke, Frank. Quantum optics with semiconductor nanostructures. Oxford: Woodhead, 2012.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
27

1942-, Bauer G., and Richter Wolfgang 1940-, eds. Optical characterization of epitaxial semiconductor layers. Berlin: Springer-Verlag, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
28

NATO Advanced Research Workshop on the Properties of Impurity States in Superlattice Semiconductors (1987 University of Essex). Properties of impurity states in superlattice semiconductors. New York: Plenum Press, 1988.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
29

Chamberlain, J. M. Electronic Properties of Multilayers and Low-Dimensional Semiconductor Structures. Boston, MA: Springer US, 1991.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
30

NATO, Advanced Study Institute on Electronic Properties of Multilayers and Low-Dimensional Semiconductor Structures (1989 Castéra-Verduzan France). Electronic properties of multilayers and low-dimensional semiconductor structures. New York: Plenum Press, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
31

Chamberlain, J. M., Laurence Eaves, and Jean-Claude Portal, eds. Electronic Properties of Multilayers and Low-Dimensional Semiconductor Structures. Boston, MA: Springer US, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4684-7412-1.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
32

Sabathil, Matthias. Opto-electronic and quantum transport properties of semiconductor nanostructures. Garching: Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München, 2005.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
33

Konorov, P. P. Field-effect in semiconductor-electrolyte interfaces: Application to investigations of electronic properties of semiconductor surfaces. Princeton, NJ: Princeton University Press, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
34

A, Jackson Kenneth. Compound semiconductor devices: Structures and processing. Weinheim: Wiley-VCH, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
35

McGlynn, E., M. O. Henry, and J. P. Mosnier. ZnO wide-bandgap semiconductor nanostructures: Growth, characterization and applications. Edited by A. V. Narlikar and Y. Y. Fu. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199533053.013.14.

Повний текст джерела
Анотація:
This article describes the growth, characterization and applications of zinc oxide (ZnO) wide-bandgap semiconductor nanostructures. It first introduces the reader to the basic physics and materials science of ZnO, with particular emphasis on the crystalline structure, electronic structure, optical properties and materials properties of ZnO wide-bandgap semiconductors. It then considers some of the commonly used growth methods for ZnO nanostructures, including vapor-phase transport, chemical vapor deposition, molecular beam epitaxy, pulsed-laser deposition, sputtering and chemical solution methods. It also presents the results of characterization of ZnO nanostructures before concluding with a discussion of some promising areas of application of ZnO nanostructures, such as field emission applications; electrical, optical/photonic applications; and applications in sensing, energy production, photochemistry, biology and engineering.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
36

Narlikar, A. V., and Y. Y. Fu, eds. Oxford Handbook of Nanoscience and Technology. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199533053.001.0001.

Повний текст джерела
Анотація:
This Handbook presents important developments in the field of nanoscience and technology, focusing on the advances made with a host of nanomaterials including DNA and protein-based nanostructures. Topics include: optical properties of carbon nanotubes and nanographene; defects and disorder in carbon nanotubes; roles of shape and space in electronic properties of carbon nanomaterials; size-dependent phase transitions and phase reversal at the nanoscale; scanning transmission electron microscopy of nanostructures; the use of microspectroscopy to discriminate nanomolecular cellular alterations in biomedical research; holographic laser processing for three-dimensional photonic lattices; and nanoanalysis of materials using near-field Raman spectroscopy. The volume also explores new phenomena in the nanospace of single-wall carbon nanotubes; ZnO wide-bandgap semiconductor nanostructures; selective self-assembly of semi-metal straight and branched nanorods on inert substrates; nanostructured crystals and nanocrystalline zeolites; unusual properties of nanoscale ferroelectrics; structural, electronic, magnetic, and transport properties of carbon-fullerene-based polymers; fabrication and characterization of magnetic nanowires; and properties and potential of protein-DNA conjugates for analytic applications.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
37

Mele, Paolo. Zno Thin Films: Properties, Performance and Applications. Nova Science Publishers, Incorporated, 2019.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
38

Yousefi, R. Fundamentals of ZnO Nanostructures: Growth and Properties. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2025.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
39

Adachi, Sadao. Properties of Semiconductor Alloys. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2009.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
40

Gaponenko, S. V., U. Woggon, and H. Kalt. Optical Properties: Semiconductor Quantum Structures - Optical Properties. Springer, 2005.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
41

Sachs, Kenneth G. Semiconductor Research Trends. Nova Science Publishers, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
42

Mönch, Winfried. Electronic Properties of Semiconductor Interfaces. Springer Berlin / Heidelberg, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
43

Fukata, Naoki, and Riccardo Rurali. Fundamental Properties of Semiconductor Nanowires. Springer Singapore Pte. Limited, 2021.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
44

Gaponenko, S. V. Optical Properties of Semiconductor Nanocrystals. Cambridge University Press, 2009.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
45

Electronic Properties of Semiconductor Interfaces. Springer, 2004.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
46

Gaponenko, S. V. Optical Properties of Semiconductor Nanocrystals. Cambridge University Press, 2011.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
47

Fukata, Naoki, and Riccardo Rurali. Fundamental Properties of Semiconductor Nanowires. Springer Singapore Pte. Limited, 2020.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
48

Mönch, Winfried. Electronic Properties of Semiconductor Interfaces. 2004.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
49

Semiconductor Silicides. Springer, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
50

Chakrabarti, Subhananda, and Saurabh Nagar. Optimisation of ZnO Thin Films: Implants, Properties, and Device Fabrication. Springer, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Також вас можуть зацікавити добірки на тему "Semiconductor Properties of ZnO" для інших типів джерел:
Статті в журналах Дисертації
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії