Увійти

Готові списки джерел за темами / Semiconductor module / Книги

Книги з теми "Semiconductor module"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Semiconductor module.

Автор: Grafiati

Опубліковано: 14 березня 2023

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Semiconductor module".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

International, Semiconductor Data, ed. Power modules. Rolling Hills Estates, CA: SDI, 1990.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Corporation, Mitsubishi Electric. Mitsubishi semiconductors: Memories module : data book. Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1992.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Corporation, Mitsubishi Electric. Mitsubishi semiconductors 1994: Memories module (data book). Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

International, Semikron, ed. Application manual power modules. Ilmenau: ISLE, 2000.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

P, Colino Ronald, ed. Power electronic modules: Design and manufacture. Boca Raton: CRC Press, 2005.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Baranowski, Jerzy Hubert. Sekcyjne modele ładunkowe diod i tranzystorów bipolarnych. Warszawa: Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, 1985.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Snowden, Christopher M. Semiconductor device modelling. London, U.K: P. Peregrinus on behalf of the Institution of Electrical Engineers, 1988.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Christopher, Snowden, ed. Semiconductor device modelling. London: Springer-Verlag, 1989.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Marvin, Coughran William, ed. Semiconductors. New York: Springer-Verlag, 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

The stationary semiconductor device equations. Wien: Springer-Verlag, 1986.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

M, Snowden Christopher, and Miles R. E. 1943-, eds. Compound semiconductor device modelling. London: Springer-Verlag, 1993.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Introduction to semiconductor device modelling. Singapore: World Scientific, 1986.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

E, Carroll John. Distributed feedback semiconductor lasers. London, UK: The Institution of Electrical Engineers, 1998.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

1957-, Ringhofer C. A., and Schmeiser C. 1958-, eds. Semiconductor equations. Wien: Springer-Verlag, 1990.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

Veprek, Ratko G. Computational modeling of semiconductor nanostructures for optelectronics. Konstanz: Hartung-Gorre, 2009.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

Kircher, R. Three-dimensional simulation of semiconductor devices. Basel: Birkhäuser Verlag, 1991.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

Kircher, R. Three-dimensional simulation of semiconductor devices. Basel: Birkhäuser Verlag, 1991.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Kells, Kevin. General electrothermal semiconductor device simulation. Konstanz: Hartung-Gorre Verlag, 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

Quantum-mechanical modeling of transport parameters for MOS devices. Konstanz: Hartnung-Gorre, 2006.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Tsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2010.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Tsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2011.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

1919-, Finlayson D. M., ed. Localisation and interaction in disordered metals and doped semiconductors: Proceedings of the Thirty-First Scottish Universities' Summer School in Physics, St. Andrews, August 1986 : a NATO Advanced Study Institute. Edinburgh: The School, 1986.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

Tsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2010.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

Saijets, Jan. MOSFET RF characterization using bulk and SOI CMOS technologies. [Espoo, Finland]: VTT Technical Research Centre of Finland, 2007.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Molenaar, J. Multigrid methods for semiconductor device simulation. Amsterdam, the Netherlands: Centrum voor Wiskunde en Informatica, 1993.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

M, Meyyappan, ed. Computational modeling in semiconductor processing. Boston: Artech House, 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

27

Marchenko, Aleksey, and Mihail Nemcov. Electronics. ru: INFRA-M Academic Publishing LLC., 2023. http://dx.doi.org/10.12737/1587595.

Повний текст джерела

Анотація:

The material of module 2 "Electronics" is systematically presented in accordance with the modern university program of the discipline " Electrical Engineering and Electronics" for non-electrotechnical areas of training of bachelors and certified specialists. The element base of semiconductor electronics devices is considered: classification, voltage and frequency characteristics, features of the use of electronic devices in various operating modes are given. The principles of construction and functioning of typical analog, pulse and digital devices are described in detail. A separate chapter is devoted to the principles of converting light energy into electrical energy and vice versa, the design and operation of optoelectronic devices and fiber- optic lines of information transmission. Meets the requirements of the federal state educational standards of higher education of the latest generation. For students of higher educational institutions studying in non-electro- technical areas of bachelor's and graduate training.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

28

1955-, Selberherr Siegfried, Stippel H, Strasser E, and International Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes (5th : 1993 : Technical University of Vienna, Austria), eds. Simulation of semiconductor devices and processes, vol. 5. Vienna: Springer-Verlag, 1993.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

29

Moglestue, C. Monte Carlo simulation of semiconductor devices. London: Chapman & Hall, 1993.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

30

Tomizawa, Kazutaka. Numerical simulation of submicron semiconductor devices. Boston: Artech House, 1993.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

31

Gruber, Harald. Learning and strategic product innovation: Theory and evidence for the semiconductor industry. Amsterdam: North-Holland, 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

32

B, Elliot Thomas, ed. Trends in semiconductor research. Hauppauge, N.Y: Nova Science Publishers, 2005.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

33

B, Elliot Thomas, ed. Focus on semiconductor research. Hauppauge, N.Y: Nova Science Publishers, 2005.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

34

Transport equations for semiconductors. Berlin: Springer, 2009.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

35

Schneider, Lutz. Multidimensional modeling and simulation of wavelength-tunable semiconductor lasers. Konstanz: Hartung-Gorre, 2006.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

36

Wilson, C. L. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

37

L, Blue J., ed. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

38

L, Wilson C. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, MD: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

39

Hisham, Haddara, ed. Characterization methods for submicron MOSFETs. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

40

Odermatt, Stefan. Physics and simulation of semiconductor lasers: Static and dynamic characteristics. Konstanz: Hartung-Gorre, 2006.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

41

Balance equation approach to electron transport In semiconductors. Hackensack, NJ: World Scientific, 2008.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

42

Bürgler, Josef F. Discretization and grid adaptation in semiconductor device modeling. Konstanz: Hartung-Gorre, 1990.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

43

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (12th 2007 Vienna, Austria). Simulation of semiconductor processes and devices, 2007: SISPAD 2007. Wien: Springer Verlag, 2007.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

44

Jerome, Joseph W. Analysis of charge transport: A mathematical study of semiconductor devices. Berlin: Springer-Verlag, 1996.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

45

Engström, Olof. The MOS system. Cambridge: Cambridge University Press, 2014.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

46

International Workshop on the Numerical Modelling of Semiconductors (1st 1986 Los Angeles, Calif.). Fundamental research on the numerical modelling of semiconductor devices and processes: Papers from NUMOS I, the First International Workshop on the Numerical Modelling of Semiconductors, 11th-12th December 1986, Los Angeles, USA. Dún Laoghaire, Co. Dublin, Ireland: Boole, 1987.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

47

Duen, Ho Fat, and United States. National Aeronautics and Space Administration., eds. Modeling of metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistors. [Washington, D.C: National Aeronautics and Space Administration, 1998.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

48

Duen, Ho Fat, and United States. National Aeronautics and Space Administration., eds. Modeling of metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistors. [Washington, D.C: National Aeronautics and Space Administration, 1998.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

49

Charge-based MOS transistor modelling: The EKV model for low-power and RF IC design. Chichester, UK: John Wiley & Sons, 2006.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

50

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (2004 Munich, Germany). Simulation of semiconductor processes and devices 2004: SISPAD 2004. Wien: Springer, 2004.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!