Книги з теми "Semiconductor metal interface"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-36 книг для дослідження на тему "Semiconductor metal interface".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Bell, L. D. Evidence of momentum conservation at a nonepitaxial metal/semiconductor interface using ballistic electron emission microscopy. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1996.
Знайти повний текст джерелаBell, L. D. Evidence of momentum conservation at a nonepitaxial metal/semiconductor interface using ballistic electron emission microscopy. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1996.
Знайти повний текст джерелаA, Hiraki, ed. Metal-semiconductor interfaces. Tokyo, Japan: Ohmsha, 1995.
Знайти повний текст джерелаBatra, Inder P., ed. Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces. Boston, MA: Springer US, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-0795-2.
Повний текст джерелаMunich), NATO Advanced Research Workshop on Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces (1988 Technical University of. Metallization and metal-semiconductor interfaces. New York: Plenum Press, 1989.
Знайти повний текст джерелаBatra, Inder P. Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces. Boston, MA: Springer US, 1989.
Знайти повний текст джерелаMaani, Colette. A study of some metal-semiconductor interfaces. [s.l: The Author], 1988.
Знайти повний текст джерелаSin, Wai-Cheong D. Effects of shock waves on metal-semiconductor interfaces. [S.l.]: [s.n.], 1989.
Знайти повний текст джерелаW, Wilmsen Carl, ed. Physics and chemistry of III-V compound semiconductor interfaces. New York: Plenum Press, 1985.
Знайти повний текст джерелаEynde, Frank Op't. Analog interfaces for digitalsignal processing systems. Boston: Kluwer, 1993.
Знайти повний текст джерелаMeeting, Materials Research Society, and Symposium C, "CMOS Gate-Stack Scaling-- Materials, Interfaces and Reliability Implications" (2009 : San Francisco, Calif.), eds. CMOS gate-stack scaling-- materials, interfaces and reliability implications: Symposium held April 14-16, 2009, San Francisco, california, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2009.
Знайти повний текст джерелаC, Sansen Willy M., ed. Analog interfaces for digital signal processing systems. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1993.
Знайти повний текст джерелаR, Abernathy C., Materials Research Society Meeting, and Symposium on Fundamentals of Novel/Oxide Semiconductor Interfaces (2003 : Boston, Mass.), eds. Fundamentals of novel oxide/semiconductor interfaces: Symposium held December 1-4, 2003, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2004.
Знайти повний текст джерелаUnimolecular and supramolecular electronics: Chemistry and physics meet at metal-molecule interfaces. Heidelberg: Springer, 2012.
Знайти повний текст джерелаSymposium, D. on Organic Materials for Electronics: Polymer Interfaces with Metals and Semiconductors (1994 Strasbourg France). Organic materials for electronics: Proceedings of Symposium D on Organic Materials for Electronics: Polymer Interfaces with Metals and Semiconductors of the 1994 E-MRS Spring Conference. Amsterdam: North-Holland, 1994.
Знайти повний текст джерелаSymposium D on Organic Materials for Electronics: Polymer Interfaces with Metals and Semiconductors (1994 Strasbourg, France). Organic materials for electronics: Proceedings of Symposium D on Organic Materials for Electronics: Polymer Interfaces with Metals and Semiconductors of the 1994 E-MRS Spring Conference, Strasbourg, France, May 24-27, 1994. Amsterdam: North-Holland, 1994.
Знайти повний текст джерелаChang, Yun-Shan. Investigation of interface properties and hot carrier degradation effects in silicon-on-insulator materials and devices. 1995.
Знайти повний текст джерелаHiraki, A. Metal-Semiconductor Interfaces,. Ios Pr Inc, 1995.
Знайти повний текст джерелаAndo, K., and E. Saitoh. Incoherent spin current. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198787075.003.0002.
Повний текст джерелаMetallization and Metal-Semiconductor Interfaces. Springer, 2011.
Знайти повний текст джерелаBatra, Inder P. Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces. Springer, 2011.
Знайти повний текст джерелаSchmickler, Wolfgang. Interfacial Electrochemistry. Oxford University Press, 1996. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780195089325.001.0001.
Повний текст джерелаBatra, Inder P. Metallization and Metal-Conductor Interfaces. Springer, 1989.
Знайти повний текст джерелаBasu, Prasanta Kumar, Bratati Mukhopadhyay, and Rikmantra Basu. Semiconductor Nanophotonics. Oxford University PressOxford, 2022. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198784692.001.0001.
Повний текст джерелаManoli, Yiannos, and Dominic Maurath. CMOS Circuits for Electromagnetic Vibration Transducers: Interfaces for Ultra-Low Voltage Energy Harvesting. Springer Netherlands, 2016.
Знайти повний текст джерелаManoli, Yiannos, and Dominic Maurath. CMOS Circuits for Electromagnetic Vibration Transducers: Interfaces for Ultra-Low Voltage Energy Harvesting. Springer London, Limited, 2015.
Знайти повний текст джерелаManoli, Yiannos, and Dominic Maurath. CMOS Circuits for Electromagnetic Vibration Transducers: Interfaces for Ultra-Low Voltage Energy Harvesting. Springer, 2014.
Знайти повний текст джерелаManoli, Yiannos, and Dominic Maurath. CMOS Circuits for Electromagnetic Vibration Transducers: Interfaces for Ultra-Low Voltage Energy Harvesting. Springer, 2014.
Знайти повний текст джерелаBill, Taylor, Alexander A. Demkov, H. Rusty Harris, Jeffery W. Butterbaugh, and Willy Rachmady. CMOS Gate-Stack Scaling Vol. 1155: Materials, Interfaces and Reliability Implications. University of Cambridge ESOL Examinations, 2014.
Знайти повний текст джерелаBiocmos Interfaces And Codesign. Springer, 2012.
Знайти повний текст джерелаWang, Xiaolei, and Shengkai Wang. MOS Interface Physics, Process and Characterization. Taylor & Francis Group, 2021.
Знайти повний текст джерелаWang, Xiaolei, and Shengkai Wang. MOS Interface Physics, Process and Characterization. Taylor & Francis Group, 2021.
Знайти повний текст джерелаWang, Xiaolei, and Shengkai Wang. MOS Interface Physics, Process and Characterization. Taylor & Francis Group, 2021.
Знайти повний текст джерела(Editor), W. L. Mochan, ed. Proceedings of the International Workshop on Electrodynamics of Interfaces and Composite Systems: Taxco, Mexico Aug 10-14, 1987 (Advanced Series in). World Scientific Pub Co Inc, 1988.
Знайти повний текст джерелаVibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices: Insights from First-Principles Simulations. Springer, 2014.
Знайти повний текст джерелаScalise, Emilio. Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices: Insights from First-Principles Simulations. Springer International Publishing AG, 2016.
Знайти повний текст джерела