Увійти

Готові списки джерел за темами / Semiconductor metal interface / Книги

Книги з теми "Semiconductor metal interface"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Semiconductor metal interface.

Автор: Grafiati

Опубліковано: 6 вересня 2023

Оновлено: 7 вересня 2023

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-36 книг для дослідження на тему "Semiconductor metal interface".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Bell, L. D. Evidence of momentum conservation at a nonepitaxial metal/semiconductor interface using ballistic electron emission microscopy. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1996.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Bell, L. D. Evidence of momentum conservation at a nonepitaxial metal/semiconductor interface using ballistic electron emission microscopy. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1996.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

A, Hiraki, ed. Metal-semiconductor interfaces. Tokyo, Japan: Ohmsha, 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Batra, Inder P., ed. Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces. Boston, MA: Springer US, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-0795-2.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Munich), NATO Advanced Research Workshop on Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces (1988 Technical University of. Metallization and metal-semiconductor interfaces. New York: Plenum Press, 1989.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Batra, Inder P. Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces. Boston, MA: Springer US, 1989.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Maani, Colette. A study of some metal-semiconductor interfaces. [s.l: The Author], 1988.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Sin, Wai-Cheong D. Effects of shock waves on metal-semiconductor interfaces. [S.l.]: [s.n.], 1989.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

W, Wilmsen Carl, ed. Physics and chemistry of III-V compound semiconductor interfaces. New York: Plenum Press, 1985.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

Eynde, Frank Op't. Analog interfaces for digitalsignal processing systems. Boston: Kluwer, 1993.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

Meeting, Materials Research Society, and Symposium C, "CMOS Gate-Stack Scaling-- Materials, Interfaces and Reliability Implications" (2009 : San Francisco, Calif.), eds. CMOS gate-stack scaling-- materials, interfaces and reliability implications: Symposium held April 14-16, 2009, San Francisco, california, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2009.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

C, Sansen Willy M., ed. Analog interfaces for digital signal processing systems. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1993.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

R, Abernathy C., Materials Research Society Meeting, and Symposium on Fundamentals of Novel/Oxide Semiconductor Interfaces (2003 : Boston, Mass.), eds. Fundamentals of novel oxide/semiconductor interfaces: Symposium held December 1-4, 2003, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2004.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

Unimolecular and supramolecular electronics: Chemistry and physics meet at metal-molecule interfaces. Heidelberg: Springer, 2012.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

Symposium, D. on Organic Materials for Electronics: Polymer Interfaces with Metals and Semiconductors (1994 Strasbourg France). Organic materials for electronics: Proceedings of Symposium D on Organic Materials for Electronics: Polymer Interfaces with Metals and Semiconductors of the 1994 E-MRS Spring Conference. Amsterdam: North-Holland, 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

Symposium D on Organic Materials for Electronics: Polymer Interfaces with Metals and Semiconductors (1994 Strasbourg, France). Organic materials for electronics: Proceedings of Symposium D on Organic Materials for Electronics: Polymer Interfaces with Metals and Semiconductors of the 1994 E-MRS Spring Conference, Strasbourg, France, May 24-27, 1994. Amsterdam: North-Holland, 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

Chang, Yun-Shan. Investigation of interface properties and hot carrier degradation effects in silicon-on-insulator materials and devices. 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Hiraki, A. Metal-Semiconductor Interfaces,. Ios Pr Inc, 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

Ando, K., and E. Saitoh. Incoherent spin current. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198787075.003.0002.

Повний текст джерела

Анотація:

This chapter introduces the concept of incoherent spin current. A diffusive spin current can be driven by spatial inhomogeneous spin density. Such spin flow is formulated using the spin diffusion equation with spin-dependent electrochemical potential. The chapter also proposes a solution to the problem known as the conductivity mismatch problem of spin injection into a semiconductor. A way to overcome the problem is by using a ferromagnetic semiconductor as a spin source; another is to insert a spin-dependent interface resistance at a metal–semiconductor interface.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces. Springer, 2011.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Batra, Inder P. Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces. Springer, 2011.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

Schmickler, Wolfgang. Interfacial Electrochemistry. Oxford University Press, 1996. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780195089325.001.0001.

Повний текст джерела

Анотація:

Electrochemistry is the study of a special class of interfaces--those between an ionic and an electronic conductor--that can conduct current. This makes it especially important to research and for industrial applications such as semiconductors. This book examines different topics within interfacial electrochemistry, including the theory of structures and processes at metal- solution and semiconductor-solution interfaces, the principles of classical and modern experimental methods, and some of the applications of electrochemistry. Students and nonspecialists in materials science, surface science, and chemistry will find this a valuable source of information.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

Batra, Inder P. Metallization and Metal-Conductor Interfaces. Springer, 1989.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

Basu, Prasanta Kumar, Bratati Mukhopadhyay, and Rikmantra Basu. Semiconductor Nanophotonics. Oxford University PressOxford, 2022. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198784692.001.0001.

Повний текст джерела

Анотація:

Abstract Nanometre sized structures made of semiconductors, insulators and metals and grown by modern growth technologies or by chemical synthesis exhibit novel electronic and optical phenomena due to confinement of electrons and photons. Strong interactions between electrons and photons in narrow regions lead to inhibited spontaneous emission, thresholdless laser operation, and Bose Einstein condensation of exciton-polaritons in microcavities. Generation of sub-wavelength radiation by surface Plasmon-polaritons at metal-semiconductor interfaces, creation of photonic band gap in dielectrics, and realization of nanometer sized semiconductor or insulator structures with negative permittivity and permeability, known as metamaterials, are further examples in the area of nanophotonics. The studies help develop Spasers and plasmonic nanolasers of subwavelength dimensions, paving the way to use plasmonics in future data centres and high speed computers working at THz bandwidth with less than a few fJ/bit dissipation. The present book intends to serveas a textbook for graduate students and researchers intending to have introductory ideas of semiconductor nanophotonics. It gives an introduction to electron-photon interactions in quantum wells, wires and dots and then discusses the processes in microcavities, photonic band gaps and metamaterials and related applications. The phenomena and device applications under strong light-matter interactions are discussed by mostly using classical and semi-classical theories. Numerous examples and problems accompany each chapter.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Manoli, Yiannos, and Dominic Maurath. CMOS Circuits for Electromagnetic Vibration Transducers: Interfaces for Ultra-Low Voltage Energy Harvesting. Springer Netherlands, 2016.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

Manoli, Yiannos, and Dominic Maurath. CMOS Circuits for Electromagnetic Vibration Transducers: Interfaces for Ultra-Low Voltage Energy Harvesting. Springer London, Limited, 2015.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

27

Manoli, Yiannos, and Dominic Maurath. CMOS Circuits for Electromagnetic Vibration Transducers: Interfaces for Ultra-Low Voltage Energy Harvesting. Springer, 2014.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

28

Manoli, Yiannos, and Dominic Maurath. CMOS Circuits for Electromagnetic Vibration Transducers: Interfaces for Ultra-Low Voltage Energy Harvesting. Springer, 2014.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

29

Bill, Taylor, Alexander A. Demkov, H. Rusty Harris, Jeffery W. Butterbaugh, and Willy Rachmady. CMOS Gate-Stack Scaling Vol. 1155: Materials, Interfaces and Reliability Implications. University of Cambridge ESOL Examinations, 2014.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

30

Biocmos Interfaces And Codesign. Springer, 2012.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

31

Wang, Xiaolei, and Shengkai Wang. MOS Interface Physics, Process and Characterization. Taylor & Francis Group, 2021.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

32

Wang, Xiaolei, and Shengkai Wang. MOS Interface Physics, Process and Characterization. Taylor & Francis Group, 2021.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

33

Wang, Xiaolei, and Shengkai Wang. MOS Interface Physics, Process and Characterization. Taylor & Francis Group, 2021.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

34

(Editor), W. L. Mochan, ed. Proceedings of the International Workshop on Electrodynamics of Interfaces and Composite Systems: Taxco, Mexico Aug 10-14, 1987 (Advanced Series in). World Scientific Pub Co Inc, 1988.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

35

Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices: Insights from First-Principles Simulations. Springer, 2014.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

36

Scalise, Emilio. Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices: Insights from First-Principles Simulations. Springer International Publishing AG, 2016.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!