Дисертації з теми "RF Microelectronics"
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Maris, Ferreira Pietro. "Méthodologie de conception AMS/RF pour la fiabilité : conception d'un frontal RF fiabilisé." Phd thesis, Télécom ParisTech, 2011. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00628802.
Повний текст джерелаCao, Guangjun. "Physics and technology of silicon RF power devices." Thesis, De Montfort University, 2000. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.391785.
Повний текст джерелаAriaudo, Myriam. "Dirty RF pour les Systèmes de Communication." Habilitation à diriger des recherches, Université de Cergy Pontoise, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00555445.
Повний текст джерелаTirunelveli, Kanthi Saravanan. "Analysis and; design of successive approximation ADC and 3.5 GHz RF transmitter in 90nm CMOS." Thesis, Georgia Institute of Technology, 2010. http://hdl.handle.net/1853/33884.
Повний текст джерелаJones, Jason Patrick. "Electro-thermo-mechanical characterization of stress development in AlGaN/GaN HEMTs under RF operating conditions." Thesis, Georgia Institute of Technology, 2015. http://hdl.handle.net/1853/53528.
Повний текст джерелаAndersson, Stefan. "Multiband LNA Design and RF-Sampling Front-Ends for Flexible Wireless Receivers." Doctoral thesis, Linköping : Electronic Devices, Department of Electrical Engineering, Linköping University, 2006. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-7582.
Повний текст джерелаCesari, Albert. "Implémentation de techniques de linéarisation et d'amélioration du rendement pour les amplificateurs de puissance RF." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00538808.
Повний текст джерелаPennec, Fabienne. "Modélisationdu contact métal-métal: application aux micro-commutateurs MEMS RF." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00420496.
Повний текст джерелаBusquere, Jean-Pierre. "Développement et intégration de MEMS RF dans les architectures d'amplificateur faible bruit reconfigurables." Phd thesis, INSA de Toulouse, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00446353.
Повний текст джерелаJeangeorges, Mickaël. "Conception d'antennes miniatures intégrées pour solutions RF SiP." Phd thesis, Université de Nice Sophia-Antipolis, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00544576.
Повний текст джерелаHincapié, Jorge Armando Oliveros. "Aplicação da programação geométrica no projeto de filtros Gm-C para receptores RF CMOS." Universidade de São Paulo, 2010. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19012011-131843/.
Повний текст джерелаThe tendency of the microelectronic market is to integrate in the same chip complete electronic systems, including digital, analog and RF circuits simultaneously. The analog part of those systems represents the bottleneck in the design process. The complexity of analog design makes this one an intuitive and creative process but time expensive. An alternative methodology for analog integrated circuits design is to represent the design as a mathematical optimization problem known as geometric programming. The advantages are: global optimum achieved efficiently, and the possibility of design automation. The main disadvantage, is that all the parameters or equations that characterize a circuit are not compatible with the form of this optimization problem. Modern receivers perform downconvertion of the signal using very low, or zero intermediate frequency. Zero-IF and Low-IF topologies are preferred because of their high integration capabilities, and low area and power consumption. Analog filters are basic building blocks of such systems. In this work, a design methodology based on geometric programming is developed, for automated and optimal design of Gm-C filters. The design methodology was used to design analog complex and real filters for the digital communications standards Bluetooth and Zigbee IEEE/802.15.4. The results show that the design methodology proposed in this work is an effective solution for fast, automated and optimal analog filter design
Khereddine, R. "Méthode adaptative de contrôle logique et de test de circuits AMS/RF." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00656920.
Повний текст джерелаMardivirin, David. "ETUDE DES MECANISMES MIS EN JEU DANS LA FIABILITE DES MICRO-COMMUTATEURS MEMS-RF." Phd thesis, Université de Limoges, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00608495.
Повний текст джерелаQuadri, Gianandrea. "Contribution à l'étude de liaison optiques analogiques pour la distribution de signaux de référence en gammes RF et micro-ondes." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00141548.
Повний текст джерелаAchkar, Hikmat. "Modélisation et conception des micro commutateurs RF MEMS a actionnement électrostatique et/ou piezoélectrique." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00462560.
Повний текст джерелаFrappé, Antoine. "Génération numérique de signaux RF pour les terminaux de communication mobile par modulation delta-sigma." Phd thesis, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00280968.
Повний текст джерелаLe standard UMTS a été choisi comme exemple d'application et un générateur de signaux RF 1 bit à 7,8Géch/s a été réalisé dans une technologie 90nm CMOS. Une arithmétique redondante comprenant des signaux complémentaires, une quantification de sortie non exacte et une évaluation anticipée de la sortie ont été implémentées pour parvenir à la cadence désirée. Une logique dynamique différentielle sur 3 phases d'horloge, générées par une DLL, a été utilisée au niveau circuit.
Le circuit intégré du transmetteur prototype démontre une fonctionnalité complète jusqu'à une fréquence d'horloge de 4GHz, permettant ainsi d'atteindre une bande passante de 50MHz autour d'une fréquence porteuse de 1GHz. Si la bande image est utilisée, la fréquence d'émission peut être déplacée jusqu'à 3GHz. Avec une fréquence d'horloge de 2,6GHz et un canal WCDMA de 5MHz modulé autour d'une fréquence porteuse à 650MHz, 53,6dB d'ACLR sont obtenus pour une puissance de canal en sortie de -3,9dBm. Pour la bande image (1,95GHz), l'ACPR est de 44,3dB pour une puissance maximale du canal en sortie de -15,8dBm, ce qui rentre dans les spécifications UMTS. L'aire active du circuit est de 0,15mm² et sa consommation de 69mW sous 1V à cette fréquence.
Akkouche, N. "Optimisation du test de production de circuits analogiques et RF par des techniques de modélisation statistique." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00669605.
Повний текст джерелаLajmi, Rania. "Caractérisation et modélisation du vieillissement des circuits analogiques et RF en technologie 28 nm FDSOI." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAT088.
Повний текст джерелаReliability of analog and mixed signal circuits fabricated using complementary metaloxide semiconductor technologies in the deep-submicrometer technology nodes is significantly affected by process, voltage and temperature (PVT) variations. Degradationinduced due to aging mechanisms like bias temperature instability, hot carrier injection leads to additional challenges in design of reliable circuits. PVT variations and aging mechanisms together lead to lifetime degradation of device and circuit performance.There are many studies in the literature of the reliability of MOS transistors. Few studies have been conducted on the impact of their reliability on circuits.This research will study the impact of the deterioration of the MOS transistors on the performance of the developed circuits for analog and mixed applications (low dropout voltage regulator LDO, phase locked loop PLL, voltage controlled oscillator VCO, digital to analog converter CAN, power amplifier PA).Degradation lifetime induces the degradation of the threshold voltage and the drain. The surveys are conducted using aging simulations supporting models of aging mechanisms developed by our team and measurements of circuits implemented in 28nmFDSOI technology. Accelerated tests were used to evaluate the aging effect. Appropriate correction techniques for overcoming aging-induced degradation of circuit performance are proposed and studied.The DC and AC performances of LDO were analyzed before and after aging. The stress induces a degradation of these performances because of the effect of the mechanism of injection of hot carriers (HCI) on the transistors and the Matching induced in the pair of transistors responsible for the regulation. The LDO was oversized to avoid severe damage. A survey of the evolution of yield before and after aging was done using Mundea WICKED tool.The jitter noise and lock time of the PLL are not affected by aging and the PLL itself corrects any degradations and deviations of its output parameters. For this, an investigation of one of its important blocks, the VCO, was made. Measurement results at 125 ° C show that the oscillation frequency of the VCO has undergone significant degradation. While the relative phase noise has not been impacted.The aging effect on the digital analog converter SAR-ADC consisting of 16 TI-ADCs has occurred. Extraction of static and dynamic performances showed a significant degradation of the SNR. In order to identify the block responsible for this degradation, simulations of a single ADC were made. Aging has negligible impact on the switches while the comparator was identified as the most sensitive block. Aging impacts the time windows for each sub-block of the comparator which gives rise to a false decision of one of these blocks, hence a false signal at the output of the comparator, resulting in a code error and a degradation in the performance of the ADC.Investigation of the aging effect on the power amplifier has shown a significant degradation of the PA figures of merit under the effect of RF stress. These impairments are due to the degradation of transistor parameters such as transconductance gm and resistor rds. A solution for improving these degradations has been proposed. Based on the principle of detection and adaptive polarization, this technique makes it possible to change the polarization of the PA in order to bring the degraded performances to their fresh value.Based on this research, it is possible to conclude that the aging mechanisms of the 28nmFDSOI CMOS technology are not a major obstacle to the development of analogue and mixed signal systems. However, a careful analysis of the effects of aging at the circuit level, from the design phase, using the models developed at the transistor level and included in the simulators, is necessary.The incorporation of effective detection and performance enhancement solutions is possible for the implementation of extremely precise circuits
Huang, Ke. "Modélisation de fautes et diagnostic pour les circuits mixtes/RF nanométriques." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00670338.
Повний текст джерелаTorres-Matabosch, Nuria. "Design pour la fiabilité applique aux composants et circuits RF-MEMS dans différents environnements TRL." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00797045.
Повний текст джерелаHallil, Hamida. "Conception et réalisation dun nouveau capteur de gaz passif communicant à transduction RF." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00546243.
Повний текст джерелаVu, Than-Mai. "Contribution à la mise en oeuvre de fonctions accordables à MEMs RF en bade millimétrique sur silicium." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00525078.
Повний текст джерелаPons, Patrick. "Capteurs sans fils passifs à transduction électromagnétique : A la frontière entre le monde des capteurs et les MEMS RF." Habilitation à diriger des recherches, Institut National Polytechnique de Toulouse - INPT, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00807347.
Повний текст джерелаLolis, Luis. "Agile Bandpass Sampling RF Receivers for low power Applications." Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00670162.
Повний текст джерелаNougaret, L. "ELABORATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES PYROELECTRIQUES DE LiTaO3 PAR PULVERISATION CATHODIQUE RF MAGNETRON POUR DES APPLICATIONS DETECTEURS IR." Phd thesis, Université Montpellier II - Sciences et Techniques du Languedoc, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00327688.
Повний текст джерелаPinon, Stéphane. "Etude de la reconfigurabilite de circuits RF par des réseaux fluidiques. Conception et fabrication de microsystèmes, intégrés sur substrat souple." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00781783.
Повний текст джерелаDubuc, David. "Développement de microsystèmes hyperfréquances par approches multidisciplinaires: vers de nouvelles fonctionnalités et applications." Habilitation à diriger des recherches, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00627331.
Повний текст джерелаOuagague, Badreddine. "Etude théorique et expérimentale des métamatériaux et des techniques d'agilité (MEMS, BST) pour la conception des circuits RF miniatures et reconfigurables." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01071682.
Повний текст джерелаPacchini, Sebastien. "Etude des potentialités des nanotubes de carbone dans le domaine hyperfréquence : Application à l'élaboration de matériaux nanocomposites et contribution à la miniaturisation de composants électromécaniques (NEMS)." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00366700.
Повний текст джерелаNatarajan, Vishwanath. "Self-healing RF SoCs: low cost built-in test and control driven simultaneous tuning of multiple performance metrics." Diss., Georgia Institute of Technology, 2010. http://hdl.handle.net/1853/37165.
Повний текст джерелаBouhana, Emmanuel. "Analyse du comportement petit signal du transistor MOS : contribution à une nouvelle approche d'extraction et de modélisation pour des applications RF." Phd thesis, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00333413.
Повний текст джерелаGhannam, Ayad. "Conception et intégration "above IC" d'inductances à fort coefficient de surtension pour applications de puissance RF." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00621125.
Повний текст джерелаBordas, Chloe. "Optimisation technologique de commutateurs MEMS RF à tenue en puissance améliorée - Application à l'élaboration d'un synthétiseur d'impédance MEMS en bande K." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00265347.
Повний текст джерелаVincenzi, Giancarlo. "Graphene: FET and Metal Contact Modeling. Graphène : modélisation du FET et du contact métallique." Phd thesis, Toulouse 3, 2014. http://thesesups.ups-tlse.fr/2345/.
Повний текст джерелаNine years have passed since the discovery of graphene, all of them dense of research works and publications that, piece by piece, shed more light on the properties of this extraordinary material. With more understanding of its best qualities, a more precise prospect of the applications that would better profit from its use has been defined. High Frequency devices, like mixers and power amplifiers, and Flexible and Transparent electronics are the most promising fields. In those fields great attention is devoted to two subjects: the downscaling of the dimensions of the graphene transistor, in order to reduce the carriers travel time and attain increasingly larger fractions of ballistic electronic transport; and the optimization of the contact parasitics. Both are highly beneficial to the maximization of the device's RF Figures Of Merit. In this thesis, Two models have been developed to address such topics: the first served both the quasi-ballistic large-area graphene and graphene nanoribbon transistors. It demonstrated the correlation between ballistic and diffusive electron transport and de-vice length, and extracted the large signal DC currents and transconductances. The second reproduced the high-frequency conduction through graphene and its contact parasitics. The latter also motivated the development and fabrication of a RF test bed on a dedicated plastic technology, enabling the RF characterization of the contact impedance and of the specific interfacial impedance of monolayer CVD graphene
Ducarouge, Benoit. "Conception et caractérisation de micro-commutateurs électromécaniques hyperfréquences de puissance : application à un circuit de commutation d'émission/réception large bande." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011513.
Повний текст джерелаBon, Olivier. "Conception de transistors haute tension complémentaires en technologie 65nm sur substrat silicium sur isolant fin pour applications RF et conversion de puissance." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00392481.
Повний текст джерелаGrenier, Katia. "Les micro-nanotechnologies pour les systèmes hyperfréquences: au-delà des conventions." Habilitation à diriger des recherches, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00627334.
Повний текст джерелаMina, Rayan. "Etude des architectures échantillonnées de réception radio en technologies CMOS submicroniques avancées." Phd thesis, Télécom ParisTech, 2008. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00005928.
Повний текст джерелаZahwe, Oussama. "Conception et Réalisation d'un Circulateur Coplanaire à Couche Magnétique de YIG en Bande X pour des Applications en Télécommunications." Phd thesis, Université Jean Monnet - Saint-Etienne, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00419725.
Повний текст джерелаKaraoui, Walid. "Circuits de protection et de linéarisation à très basse consommation pour amplificateurs de puissance RF monolithiques à fort rendement et haute linéarité." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00195582.
Повний текст джерелаTahir, Farooq Ahmad. "Electromagnetic Modeling of Reflectarrays using Scale Changing." Thesis, Toulouse, INPT, 2011. http://www.theses.fr/2011INPT0069/document.
Повний текст джерелаFuture antenna architectures especially for space applications are becoming more and more complex due to the need of reconfigurability. This reconfigurability is needed in terms of frequency, reliability, radiation pattern and power consumption. In this context, reflectarrays and frequency selective surfaces (FSSs) are particularly the hottest domains of RF design. The accurate analysis of electromagnetic (EM) scattering from such type of complex finite-sized reflectarray antenna structures is of great practical interest. However due to their large electrical size and complex cellular patterns specially when tuning elements such as RF-MEMS are also integrated within the array elements, conventional full-wave EM analysis of such multiscale structures either fail or require enormous amount of computational resources to resolve prohibitively large number of unknowns. Moreover the characterization of large structures would normally require a second step for optimization and fine-tuning of several design parameters, as the initial design procedure assumes several approximations. Therefore a full-wave analysis of the initial design of complete structure is necessary prior to fabrication to ensure that the performance conforms to the design requirements. A modular analysis technique which is capable of incorporating geometrical changes at individual cell-level without the need to rerun the entire simulation is extremely desirable at this stage. An indigenous technique called Scale Changing Technique (SCT) addresses this problem by partitioning the cellular reflectarray geometry in numerous nested domains and subdomains defined at different scale-levels in the array plane. Multi-modal networks, called Scale Changing Networks (SCNs), are then computed to model the electromagnetic interactions between any two successive partitions by method of moments (MoM) based integral equation approach. The cascade of these networks allows the computation of the equivalent surface impedance matrix of the complete array which in turn is utilized to compute far-field radiation patterns. Full-wave analysis of both passive and active (electronically tunable by RF-MEMS) reflectarrays has successfully been performed by the SCT while utilizing very small amount of computational resources as compared to conventional full wave methods. Moreover, to speed up the SCT modeling of the reflectarrays, equivalent electrical circuit models have been extracted and applied for individual design and optimization of the reflectarray phase shifter elements
Civet, Yoan. "Compensation de la fréquence des résonateurs MEMS pour des applications de référence temps." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00838019.
Повний текст джерелаDesgreys, P. "INTERFACE ANALOGIQUE NUMÉRIQUE POUR LES TÉLÉCOMMUNICATIONS MODÉLISATIONS ET CONCEPTIONS FLEXIBLES." Habilitation à diriger des recherches, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00565342.
Повний текст джерелаRicart, Thibault. "Etude de nano-systèmes électro-mécaniques (NEMS) à base de nanotubes de carbone pour applications hyperfréquences." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00366679.
Повний текст джерелаChebila, Franck. "Lecteur radar pour capteurs passifs à transduction radio fréquence." Phd thesis, Institut National Polytechnique de Toulouse - INPT, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00595578.
Повний текст джерелаDavis, Mekita F. "RF/microwave integrated passives for system on package module development." Diss., Georgia Institute of Technology, 2003. http://hdl.handle.net/1853/15671.
Повний текст джерелаPeyrou, David. "Etude théorique et expérimentale des techniques d'assemblage et de mise en boitier pour l'intégration de microsystèmes radio-fréquences." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00129546.
Повний текст джерелаThadesar, Paragkumar A. "Interposer platforms featuring polymer-enhanced through silicon vias for microelectronic systems." Diss., Georgia Institute of Technology, 2015. http://hdl.handle.net/1853/53572.
Повний текст джерелаMelle, Samuel. "Analyse et modélisation des phénomènes de chargement de diélectriques dans les MEMS RF : application à la fiabilité prédictive de micro-commutateurs électromécaniques micro-ondes." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011359.
Повний текст джерелаCamus, Manuel. "Architecture de réception RF très faible coût et très faible puissance : application aux réseaux de capteurs et au standard ZigBee." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00309926.
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