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Статті в журналах з теми "Recombinaison des porteurs"

Автор: Grafiati

Опубліковано: 11 січня 2025

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Ознайомтеся з топ-17 статей у журналах для дослідження на тему "Recombinaison des porteurs".

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Thiame, Moustapha, Moussa Camara, Mohamed Lemine Cheikh, Sega Gueye, Ousmane Sow, Mamadou Wade, and Gregoire Sissoko. "ETUDE DUNE PHOTOPILE BIFACIALE AU SILICIUM EN REGIME STATIQUE SOUMISE A UN CHAMP MAGNETIQUE SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE PAR LA FACE ARRIERE: DETERMINATION DE LEPAISSEUR OPTIMUM DE LA BASE." International Journal of Advanced Research 11, no. 06 (June 30, 2023): 889–901. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/17141.

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Анотація:

La photopile bifaciale au silicium, est eclairee par la face arriere par une lumiere monochromatique. Elle est placee dans un champ magnetique induisant un coefficient de diffusion Dn (B) des porteurs minoritaires. Lequation de magneto-transport relative Ã la densite des porteurs minoritaires dans la base de la photopile est resolue. Les conditions aux limites associees sont donnees Ã laide des vitesses de recombinaison des porteurs minoritaires (Sf) et (Sb), respectivement Ã la jonction (n+/p) et Ã la surface arriere (p/p+). Du profil de densite de courant en fonction de la vitesse de recombinaison (Sf) Ã la jonction, les expressions de la vitesse de recombinaison (Sb) des porteurs minoritaires sont deduites, en fonction du coefficient dabsorption (Î±(Î»), du coefficient de diffusion et de lepaisseur (H). Dans ce travail, nous avons propose une etude graphique pour determiner lepaisseur optimum de la base de la photopile bifaciale au silicium par le concept de vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires Ã la surface arriere. Lepaisseur optimalum de la base est obtenue et modelisee en fonction du champ magnetique, pour les petites et grandes gammes de longueurs donde de la lumiere incidente.

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SARR, Mor, MohamedLemine CHEIKH, Sega GUEYE, M. Yacine BA, Khady LOUM, Malick NDIAYE, A. Mamour BA, Ousmane SOW, Senghane MBODJI, and Gregoire SISSOKO. "DETERMINATION DE LA RESISTANCE SHUNT DUNE PHOTOPILE IRRADIEE (N+/P/P+) AU SILICIUM PLACEE SOUS CHAMP MAGNETIQUE ET SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE EN MODULATION DE FREQUENCE." International Journal of Advanced Research 11, no. 06 (June 30, 2023): 783–95. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/17127.

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Анотація:

Lobjet de cette etude est de presenter une application de la technique de determination de la vitesse de recombinaison a la jonction initiant la situation de court-circuit dune photopile monofaciale au silicium, , sous eclairement polychromatique, sous irradiation et sous champ magnetique, en regime dynamique frequentiel. Apres la resolution de lequation de magneto-diffusion des porteurs minoritaires de charges en regime dynamique, les expressions de la densite des porteurs minoritaires de charge et de la densite de photocourant ont ete etablies. La densite des porteurs minoritaires de charge est etudiee en fonction de la profondeur dans la base de la photopile pour differentes valeurs de la frequence de modulation. La densite de photocourant est etudiee en fonction de la vitesse de recombinaison a la jonction pour differentes frequences de modulation. A partir du profil de variation de la densite de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison a la jonction, une technique de determination de la vitesse de recombinaison a la jonction initiant la situation de court-circuit est presentee. Les influences de la frequence de modulation, de lirradiation et du champ magnetique sur la vitesse de recombinaison a la jonction initiant la situation de court-circuit, sur le photocourant de court-circuit et sur la resistance shunt ont ete egalement etudiees.

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I. Ngom, Moussa, Mohamed Lemine Cheikh, Habiboula Lemrabott, Sega Gueye, Moustapha Thiame, and Gregoire Sissoko. "MAGNETORESISTANCE SERIE DUNE PHOTOPILE AU SILICIUM A JONCTIONS VERTICALES CONNECTEES EN PARALLELE EN REGIME STATIQUE SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE." International Journal of Advanced Research 11, no. 12 (December 31, 2023): 258–68. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/17982.

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Анотація:

Une etude theorique de la photopile au silicium polycristallin a jonction verticale parallele en regime statique sous eclairement polychromatique et sous champ magnetique est presentee. La resolution de lequation de magneto-transport relative a la densite des porteurs minoritaires dans la base a permis de deduire les expressions de la phototension, et de la resistance serie de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction et de la profondeur z de la photopile pour differentes valeurs du champ magnetique. A partir du profil de variation de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction, la methode graphique de determination de la vitesse de recombinaison a la jonction limitant le circuit-ouvert est appliquee. La determination de ce parametre phenomenologique a permis de deduire graphiquement la valeur de la resistance serie pour differentes valeurs du champ magnetique.

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Sow, Ousmane, Abdoulaye Diop, Khady Loum, Youssou Traore, Sega Gueye, Moustapha Thiame, and Gregoire Sissoko. "RESISTANCE SERIE DANS LA PHOTOPILE BIFACIALE (N+/P/P+) AU SILICIUM SOUS CHAMP MAGNETIQUE : EFFET DE LA RESONANCE EN TEMPERATURE DU COEFFICIENT DE DIFFUSION." International Journal of Advanced Research 12, no. 01 (January 31, 2024): 396–406. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/18135.

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Анотація:

Dans ce travail, laccent est mis sur letude de la caracteristique densite de courant - tension, obtenue de la photopile sous eclairement, en lien avec la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction, pour differentes valeurs de lepaisseur optimum obtenue pour chaque valeur du coefficient de diffusion optimum. Le paramÃ¨tre electrique quest la resistance serie est alors deduit et etudie en fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction, imposant le point de fonctionnement a la photopile depaisseur optimum de la base induite par le coefficient de diffusion maximum.

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Niane, Matar, Mohamed Abderrahim Ould El Moujtaba, Khady Loum, Rasmane Simpore, Ibrahima Diatta, Youssou Traore, Moustapha Thiame, Sega Gueye, and Gregoire Sissoko. "ETUDE DUNE PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM CRISTALLIN SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE ENMODULATION DE FREQUENCE : EFFET DE LA VITESSE SURFACIQUE DE RECOMBINAISON, DE LA FREQUENCE ET DE LEPAISSEUR SUR LES PARAMETRES ELECTRIQUES." International Journal of Advanced Research 12, no. 05 (May 31, 2024): 276–89. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/18715.

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Анотація:

Letude de la photopile monofaciale (n+/p/p+) au silicium cristallin a travers la resolution de lequation de diffusion en regime dynamique relative a la densite de porteurs minoritaires de charge dans la base(p), munie des conditions aux limites associees aux vitesses de recombinaison a la jonction et en face arriere, conduit aux caracteristiques electriques, courant-tension, puissance-tension delivree et le facteur de forme. Ce travail montre et analyse sur ces quantites,les effetsde la frequence de modulation de la lumiere polychromatique incidente, de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge en face arriere et de lepaisseur de la base de la photopile.

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Niane, Matar, Mohamed Abderrahim Ould El Moujtaba, Khady Loum, Rasmane Simpore, Ibrahima Diatta, Youssou Traore, Moustapha Thiame, Sega Gueye, and Gregoire Sissoko. "VITESSE DE RECOMBINAISON DYNAMIQUE A LA JONCTION ET EN FACE ARRIERE : APPLICATION A LA DETERMINATION DE LEPAISSEUR OPTIMUM DE LA BASE (P) DUNE PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM CRISTALLIN SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE EN MODULATION DE FREQUENCE." International Journal of Advanced Research 12, no. 05 (May 31, 2024): 256–66. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/18713.

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Анотація:

Par resolution de lequation de diffusion en regime dynamique relative a la densite de porteurs minoritaires de charge dans la base(p), de la photopile sous eclairement polychromatique, munie des conditions aux limites associees aux vitesses de recombinaison a la jonction et en face arriere, lexpression de la densite du photocourant dynamique est etablie. Elle permet de deduire les expressions de la vitesse de recombinaison dynamiquedes porteurs minoritaires de charge a la jonction et en face arriere de la base, qui par comparaison graphique, conduisent a la determination de lepaisseur optimum de la base de la photopile, pour chaque valeur de la frequence de modulation de la lumiere incidente.

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Yacine BA, Mamadou, Mame Faty MBAY FALL, Mbi KABORE, Gora DIOP, Ibrahima DIATTA, Mor SARR, Mamadou SALL, Mamadou WADE, and Gregoire SISSOKO. "ETUDE DE LA CAPACITE DUNE PHOTOPILE AU SILICIUM A JONCTIONS VERTICALES SERIES SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE." International Journal of Advanced Research 9, no. 12 (December 31, 2021): 126–35. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/13884.

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Анотація:

Ce travail consiste a faire une etude de la capacite de la photopile a jonction verticale serie sous eclairement monochromatique en tenant compte de la longueur donde et de la profondeur. Lequation de continuite, traduisant, les phenomenes de generation, de diffusion et de recombinaison des porteurs de charge photogeneres dans la base de la photopile est resolue en tenant compte des vitesses de recombinaison a la jonction et en face arriere. Une etude de la capacite de diffusion en fonction des vitesses de recombinaison a la jonction base-emetteur mais aussi en fonction de la phototension a permis de determiner une capacite initiale Co, pour differentes longueurs donde de leclairement incident et pour differentes valeurs de la profondeur.

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Ndiaye, Malick, Ousmane Sow, Gora Diop, Ibrahima Diatta, Dibor Faye, Oulimata Mballo, Issa Diagne, and Gregoire Sissoko. "CAPACITE DE DIFFUSION DUNE PHOTOPILE AU SILICIUM A MULTI-JONCTIONS VERTICALES CONNECTEES EN SERIE SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE EN MODULATION DE FREQUENCE:EFFET DU TAUX DOPAGE DE LA BASE." International Journal of Advanced Research 10, no. 04 (April 30, 2022): 556–72. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/14584.

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Анотація:

La base de la photopile (n+/p/p+) au silicium a multi-jonctions verticalesconnactees en serie(MJVS) de dopage Nb, est placee sous illumination monochromatique (a(l)) en modulation de frequence(w). La resolution de lequation de diffusion relative a la densite des porteurs de charge photogeneresd(x, t) est constituee de termes tels que:-le coefficient de diffusion dynamique D(w, Nb) et les termes de recombinaison, fonction de la frequence de modulation de lexcitation lumineuse et du taux de dopage Nb-le taux de generation G(w, t)Les conditions aux limites despace prenant en compte les vitesses de recombinaison surfaciques (Sf) et Sb, respectivement a la jonction (n+/p) a la face arriere (p/p+), ont permis de completer la solution de lequation de diffusion des porteurs de charge photogeneres. De la densite des porteurs minoritaires d(x, t) solution de lequation de diffusion, obtenue dune base de taux de dopage Nb, la capacite de diffusion C(w, a(l), Sf, Sb, Nb) est deduite.La reponse capacitive a travers son amplitude et de sa phase, est etudiee lorsque la photopile est en mode de fonctionnement de court-circuit ou de circuit ouvert, a travers le diagramme de Bode et de Niquyst, pour differents cas de taux de dopage de la base.

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Thiaw, Cheikh, Habiboula Lemrabott, Moustapha Thiame, Khady Loum, Sega Gueye, Issa Diagne, and Gregoire Sissoko. "MAGNETO RESISTANCE SERIE DANS LA PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE PAR LA FACE (N+)." International Journal of Advanced Research 12, no. 03 (March 31, 2024): 1025–39. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/18488.

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Анотація:

Dans ce travail, la photopile (n+/p/p+) au silicium cristallin est sous eclairement polychromatique par la face (n+) et placee dans un champ magnetique (B) constant. Letude de la caracteristique de la densite de courant en fonction de la tension, pour chaque valeur du coefficient de diffusion (D(B))des porteurs minoritaires de charge dans la base (p), depaisseur optimum (Hopt(B)) requise, permet detablir lexpression de la resistance serie (Rs(Hot(B)).De sa courbe de calibaration en fonction de la vitesse de recombinaison (Sf) des porteurs minoritaire de charge Ã la jonction, la resistance serie est extraite en fonction du champ magnetique applique et de lepaisseur optimum de la base.

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Simpore, R., Khady Loum, Sega Gueye, Hamet Y. B.A, Emanuel Nanema, Frederic Ouattara, and G. Sissoko. "DETERMINATION DE LEPAISSEUR OPTIMUM DE LA COUCHE (P) CZTS, SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE, PAR LANALYSE DES VITESSES SURFACIQUES DE RECOMBAISON." International Journal of Advanced Research 12, no. 04 (April 30, 2024): 394–405. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/18565.

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Анотація:

Dans ce travail, la cellule solaire mono-faciale a couche mince a base de CZTS a ete etudiee a partir de lequation de continuite relative a la densite de porteurs minoritaires de charge en exces dans la base. Les effets des parametres de structure tel que lepaisseur et du coefficient dabsorption de la cellule sur les vitesses de recombinaison ont ete analyses. La representation graphique sur echelle bi axesen fonction de lepaisseur (H), des expressions de la vitesse de recombinaison Sb1 et Sb2 ont permis dextraire les valeurs de lepaisseur optimum puis, les representer pour differentes valeurs du coefficient dabsorption. Leffet du coefficient dabsorption sur le fonctionnement de la cellule a montre que plus le coefficient dabsorption augmente plus lepaisseur optimum diminue. Ce travail ainsi presente un interet car il contribue a comprendre le fonctionnement de la cellule CZTS et permet de fabriquer des cellules solaires a couches minces avec un contrÃ´le precis des parametres du processus delaboration.

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I. Ngom, Moussa, Mohamed Lemine CHEIKH, M. Yacine BA, Malick NDIAYE, A. Mamour BA, Sega GUEYE, Moustapha THIAME, Ousmane SOW, Mamadou WADE, and Gregoire SISSOKO. "MAGNETORESISTANCE DANS UNE PHOTOPILE AU SILICIUM A JONCTIONS VERTICALES PARALLELES EN REGIME STATIQUE SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE." International Journal of Advanced Research 11, no. 06 (June 30, 2023): 752–63. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/17124.

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Une etude theorique de la photopile au silicium polycristallin a jonctions verticales paralleles en regime statique sous eclairement polychromatique et sous champ magnetique est presentee. La resolution de lequation de magneto-transportrelative a la densite des porteurs minoritaires de charge dans la base a permis de deduire les expressions du photocourant et de la resistance shunt (Rsh) de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison a la jonction et de la profondeur z de la photopile pour differentes valeurs du champ magnetique.

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DIOP, Gora, Mame Faty Mbaye FALL, Mamadou SALL, Khady LOUM, Ibrahima DIATTA, Mor NDIAYE, Mamadou WADE, and Gregoire SISSOKO. "DETERMINATION DE LA RESISTANCE SERIE DE LA PHOTOPILE AU SILICIUM (N+/P/P+) A JONCTIONS VERTICALES SERIES SOUS CHAMP MAGNETIQUE." International Journal of Advanced Research 9, no. 10 (October 31, 2021): 1204–17. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/13668.

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Lequation de magneto transport relative aux porteurs minoritaires de charge dans la base de la photopile au silicium a jonctions verticales series, est resolue, munie des conditions aux limites, definies par les vitesses de recombinaison a la jonction et en face arriere. Le photocourant et la phototension sont determines, et representes par la caracteristique courant-tension (Iph(Sf)-Vph(Sf)) de la photopile sous eclairement monochromatique. Le modele electrique equivalent de la photopile en situation de circuit ouvert, conduit a la determination de la resistance serie, pour differentes epaisseurs optimum de la base, imposees par le champ magnetique applique.

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Mialhe, P., G. Sissoko, F. Pelanchon, and J. M. Salagnon. "Régimes transitoires des photopiles : durée de vie des porteurs et vitesse de recombinaison." Journal de Physique III 2, no. 12 (December 1992): 2317–31. http://dx.doi.org/10.1051/jp3:1992112.

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Simpore, Rasmane, Khady Loum, Lemerabott Habiboulha, Moustapha Thiame, Sega Gueye, and Gregoire Sissoko. "DETERMINATION DE LEPAISSEUR OPTIMUM DE LA COUCHE (P) CZTS, SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE ET SOUS TEMPERATURE." International Journal of Advanced Research 12, no. 05 (May 31, 2024): 1172–84. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/18832.

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La photopile mono-faciale a couche mince de CZTS sous eclairement monochromatique par la face avant et en regime stationnaire, est etudiee sous temperature (T). De lexpression de la densite des porteurs minoritaires de chargea la profondeur (x) dans la base, ainsi que celle du photocourant,les expressions de la vitesse de recombinaison sont deduites. Ainsi la representation graphique par des courbes bis axes des expressions de Sb1(H,T) et Sb2 (Î±, T, H) puis celle de Sf2(Î±, T, H) et Sb2 (Î±, T, H) permet dextraire lepaisseur optimum de la base, puis les analyser en fonction de la temperature et du coefficient dabsorption du matereiau. La representation graphique de lepaisseur optimum donne une fonction decroissante de la temperature, pour une absorption donnee.

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Ibra Ngom, Moussa, Gilbert Ndiasse Dione, Khady Loum, Moustapha Thiame, Lemrabott Habiboullah Elhevid, and Gregoire Sissoko. "INFLUENCE DU CHAMP MAGNETIQUE ET DE LA PROFONDEUR DE LA BASE SUR LA PUISSANCE ET LE RENDEMENT OBTENUS DUNE PHOTOPILE (N+/P) AU SILICIUM A JONCTIONS VERTICALES CONNECTEES EN PARALLELE SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUEEN REGIME STATIQUE." International Journal of Advanced Research 12, no. 11 (November 30, 2024): 1300–1311. https://doi.org/10.21474/ijar01/19945.

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Une etude theorique de la photopile (n+/p) au silicium a jonctions verticalesconnectees en parallele, en regime statique sous eclairement polychromatique et sous champ magnetique est presentee. La resolution de lequation de magneto-transport relative a la densite des porteurs minoritaires dans la base a permis de deduire les expressions du photocourant, de la phototension , de la puissance et du rendement de conversion en fonction du champ magnetique et de la profondeur z de la base. Les caracteristiques courant-tension, puissance-tension et puissance-vitesse de recombinaison a la jonction, ont permis de determiner graphiquement le photocourant (Iphmax) et la phototension (Vphmax) correspondant au point de puissance maximale (P( ))puis en deduire le rendement de conversion pour differentes valeurs du champ magnetique et de la profondeur z.

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Zerbo, Issa, Martial Zoungrana, Ahmed Douani Seré, Francois Ouedraogo, Raguilignaba Sam, Bernard Zouma, and François Zougmoré. "Influence d’une onde électromagnétique sur une photopile au silicium sous éclairement multi spectral en régime statique." Journal of Renewable Energies 14, no. 3 (October 24, 2023). http://dx.doi.org/10.54966/jreen.v14i3.278.

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Dans ce travail, nous étudions l’influence d’une onde électromagnétique produite par une source de télécommunication (antenne émettrice) de puissance donnée sur le comportement d’une photopile en régime statique, éclairée par une lumière blanche et placée à une certaine distance de l’antenne. Après la résolution de l’équation de continuité des porteurs minoritaires de charge en présence du champ électromagnétique, nous établissons de nouvelles expressions de la densité des porteurs minoritaires de charge, de la densité de photo courant, de la vitesse de recombinaison à la face arrière de la base et de la photo tension, toutes dépendantes du champ électromagnétique. La densité des porteurs minoritaires de charge, la densité de photo courant, la vitesse de recombinaison à la face arrière de la base et la photo tension sont étudiées en fonction de l’intensité du champ électromagnétique elle-même fonction de la distance séparant la photopile de la source de production des ondes électromagnétiques. Afin de mieux caractériser la photopile, nous étudions la puissance électrique délivrée par la base de la photopile au circuit de charge extérieur en fonction de l’intensité du champ électromagnétique et nous déduisons le rendement de conversion de la photopile.

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Ly, Ibrahima, Ould Habiboulahy Lemrabott, Birane Dieng, Ibrahima Gaye, Serigne Gueye, Mame Sanou Diouf, and Grégoire Sissoko. "Techniques de détermination des paramètres de recombinaison et le domaine de leur validité d’une photopile bifaciale au silicium polycristallin sous éclairement multi spectral constant en régime statique." Journal of Renewable Energies 15, no. 2 (October 23, 2023). http://dx.doi.org/10.54966/jreen.v15i2.311.

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Анотація:

Nous présentons dans cet article, des techniques de détermination des paramètres de recombinaison et le domaine de leur validité d’une photopile bifaciale au silicium poly cristallin sous éclairement multi spectral constant en régime statique. Partant de l’équation de continuité et suivant différents modes d’éclairements (faces avant et arrière, puis simultanément sur les deux faces), nous avons obtenu un certain nombre d’expressions théoriques de la photopile. A partir des études théorique et expérimentale, on déduit trois techniques donnant la longueur de diffusion effective Leff, les vitesses de recombinaison intrinsèques à la jonction Sfa et à la face arrière Sba des porteurs minoritaires de charge pour les différents modes d’éclairement. Une étude des incertitudes sur la détermination de la longueur de diffusion effective a été présentée et elle a montré les limites d’applicabilité de ces techniques de caractérisation des photopiles.

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