Готові списки джерел за темами / Recombinaison des porteurs

Зміст

  1. Дисертації

Добірка наукової літератури з теми "Recombinaison des porteurs"

Автор: Grafiati
Опубліковано: 11 січня 2025

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Дисертації з теми "Recombinaison des porteurs"

1

Nemar, Noureddine. "Génération-recombinaison en régime de porteurs chauds dans le silicium de type P." Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20151.

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Анотація:
Dans la premiere partie de ce travail, nous avons etudie l'effet de prendre un modele inelastique d'interaction avec les phonons acoustiques (a temperature basse (77 k et 110 k) sur la fonction de distribution et les parametres de transport dans le silicium dope au bore (si-p). Une comparaison a ete faite avec des resultats theoriques (utilisant un modele elastique) et experimentaux (obtenus au laboratoire). Dans la seconde partie, nous avons introduit les termes de generation-recombinaison dans l'equation de boltzmann et formule une equation supplementaire donnant l'evolution du nombre de por
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2

LIU, HONG WU. "Etude optique des puits quantiques gaas/gaalas : transport vertical et recombinaison en presence de porteurs." Paris 6, 1990. http://www.theses.fr/1990PA066214.

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Анотація:
Les etudes optiques de transport vertical dans un systeme de double puits quantiques asymetrique sous champ electrique ga#0#. #7al#0#. #3as/gaas ont permis de mettre en evidence les resonances de transfert d'electrons, de trous et d'excitons a basse temperature. Ces resultats sont compares a des calculs des temps tunnel assistes par les defauts du systeme ou les phonons. Les etudes de puits quantiques a modulation de dopage ont montre la levee partielle des regles de selection en presence de porteurs ainsi que l'augmentation de la duree de vie radiative due aux effets a n corps
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3

Bensaid, Bachir. "Contribution à l'étude de l'influence des phénomènes d'auto-absorption sur la recombinaison des porteurs dans les semiconducteurs." Nice, 1989. http://www.theses.fr/1989NICE4329.

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Анотація:
Dans les semiconducteurs à largeur de bande interdite directe, les processus de réabsorption du photon émis, sont connus pour leur contribution à l'augmentation de la durée de vie et de la diffusion des porteurs minoritaires dans le cas d'une cellule solaire puisqu'ils contrôlent le rendement photovoltaïque. La réabsorption est liée à la structure de bande du semiconducteur de base utilisé dans la fabrication de photopiles. La mesure du déclin de photoluminescence est un des moyens qui permet d'évaluer la durée de vie des porteurs minoritaires. Il en résulte qu'une bonne modélisation du déclin
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4

Merk, Eric. "Etude des cinétiques de piègeage et de recombinaison des porteurs photogénérés par analyse de la photoluminescence dans le silicium amorphe hydrogène /." [S.l.] : [s.n.], 1986. http://library.epfl.ch/theses/?nr=620.

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5

Choueib, Nargess. "Matrices de commutation par effets d'injection de porteurs sur InP." Thesis, Lille 1, 2008. http://www.theses.fr/2008LIL10017/document.

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Анотація:
Partant d'une structure de commutateur électro-optique sur InP de type DOS (Digital Optical Switch) fonctionnant par injection des porteurs, de faible diaphotie (-40dB) à la longueur d'onde 1.55µm, le but de ce travail de thèse a été d'étudier la possibilité de réaliser en optique intégrée sur InP des matrices de commutation à 2 entrées et 2 sorties conservant les mêmes performances en diaphotie. Pour atteindre cet objectif, nous avons tout d'abord optimisé la géométrie d'une matrice purement passive à l'aide de la méthode des faisceaux propagés (BPM) 2D ou 3D. Nous avons ainsi défini sept mat
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6

Chapelon, Olivier. "Transport en régime de porteurs chauds dans le silicium de type n." Montpellier 2, 1993. http://www.theses.fr/1993MON20066.

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Анотація:
Il a ete mis au point un programme permettant de calculer les parametres de transport par resolution de l'equation de boltzmann dans le si-n. Une etude de l'influence de la degenerescence a montre que celle-ci jouait un role negligeable pour les dopages utilises au cours de cette etude. L'introduction de la generation recombinaison dans le programme a permis de calculer l'evolution de la fraction ionisee en regime de porteurs chauds et de mettre en evidence que le regime transitoire est fortement modifie. Dans une derniere partie, l'equation de boltzmann a ete resolue en tenant compte d'une di
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7

Affour, Bachar. "Mesure de la durée de vie des porteurs et de la vitesse de recombinaison à l'interface arrière métal-semiconducteur dans des photopiles en silicium." Perpignan, 1997. http://www.theses.fr/1997PERP0296.

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Анотація:
L'amelioration du rendement des photopiles industrielles necessite la maitrise des procedes technologiques conduisant a leur realisation. L'evaluation globale de l'impact de ces procedes sur le dispositif final passe par la mesure de la duree de vie des porteurs minoritaires dans la base et de leur vitesse de recombinaison sur la surface arriere. Nous avons developpe une nouvelle methode experimentale qui permet la mesure simultanee de ces deux grandeurs dans les conditions reelles de fonctionnement et pour n'importe quel niveau d'injection. Elle consiste en l'exploitation de la courbe de tens
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8

Bejar, Moez. "Cartographie de la vitesse de recombinaison en surface et de la durée de vie des porteurs dans les semi-conducteurs III-V et le silicium par imagerie de photoluminescence à température ambiante." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1998. http://www.theses.fr/1998ECDL0026.

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Анотація:
La recherche sur l'optimisation et le developpement de nouvelles technologies iii-v et si semble s'accelerer considerablement depuis quelques annees. En consequence, il apparait un besoin urgent de nouvelles techniques permettant l'expertise et le controle de ces materiaux d'une maniere rapide et non-destructive. Dans ce contexte, les objectifs de ce travail ont ete les suivants : - proposer des nouvelles techniques d'analyse quantitative et non-destructives de l'uniformite de la distribution de la duree de vie des porteurs, de la vitesse de recombinaison en surface et du dopage a partir de l'
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9

Zhao, Yunhai. "Interface engineering and absorber with composition gradient for high-efficiency Kesterite solar cells." Electronic Thesis or Diss., Université de Rennes (2023-....), 2024. http://www.theses.fr/2024URENS048.

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Анотація:
Dans cette thèse, les propriétés de transport des porteurs de charge, le processus de croissance des grains, le mécanisme de perte de VOC et les possibilités d'amélioration du rendement des cellules solaires de CZTSSe ont été étudiés. L'importante perte de VOC et le faible facteur de remplissage des cellules solaires CZTSSe sont les principaux défis pour l'amélioration du rendement. Cela est principalement dû à la mauvaise qualité de l'interface arrière, à l'alignement non optimisé des bandes et à la présence des phases secondaires dans l'absorbeur. Trois approaches ont été utilisées dans ce t
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10

Katoudi, Ruben Antonin. "Permittivités complexes dans certains charbons bruts et pyrolysés : utilisation d'un modèle fondé sur la notion de sites localisés." Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20078.

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Анотація:
Des mesures de transport de courant realisees sur des cokes d'anthracene ont montre qu'il apparait une conductivite de polarisation lorsque les echantillons sont soumis a une tension alternative variable. Cette loi d'evolution en #s a permis de rapprocher le concept d'etats localises utilise pour interpreter le comportement des cokes d'anthracene de la notion d'unites structurales de base (u. S. B. ). Des lors, l'energie potentielle des sites localises pouvait etre reliee au degre d'aromaticite des u. S. B. , donc a leur proche environnement. L'interpretation du comportement de la permittivite
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