Готові списки джерел за темами / Recombinaison des porteurs

Зміст

  1. Статті в журналах
  2. Дисертації

Добірка наукової літератури з теми "Recombinaison des porteurs"

Автор: Grafiati
Опубліковано: 11 січня 2025

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Статті в журналах з теми "Recombinaison des porteurs"

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Thiame, Moustapha, Moussa Camara, Mohamed Lemine Cheikh, Sega Gueye, Ousmane Sow, Mamadou Wade, and Gregoire Sissoko. "ETUDE DUNE PHOTOPILE BIFACIALE AU SILICIUM EN REGIME STATIQUE SOUMISE A UN CHAMP MAGNETIQUE SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE PAR LA FACE ARRIERE: DETERMINATION DE LEPAISSEUR OPTIMUM DE LA BASE." International Journal of Advanced Research 11, no. 06 (June 30, 2023): 889–901. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/17141.

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Анотація:
La photopile bifaciale au silicium, est eclairee par la face arriere par une lumiere monochromatique. Elle est placee dans un champ magnetique induisant un coefficient de diffusion Dn (B) des porteurs minoritaires. Lequation de magneto-transport relative à la densite des porteurs minoritaires dans la base de la photopile est resolue. Les conditions aux limites associees sont donnees à laide des vitesses de recombinaison des porteurs minoritaires (Sf) et (Sb), respectivement à la jonction (n+/p) et à la surface arriere (p/p+). Du profil de densite de courant en fonction de la vitesse de recombinaison (Sf) à la jonction, les expressions de la vitesse de recombinaison (Sb) des porteurs minoritaires sont deduites, en fonction du coefficient dabsorption (α(λ), du coefficient de diffusion et de lepaisseur (H). Dans ce travail, nous avons propose une etude graphique pour determiner lepaisseur optimum de la base de la photopile bifaciale au silicium par le concept de vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires à la surface arriere. Lepaisseur optimalum de la base est obtenue et modelisee en fonction du champ magnetique, pour les petites et grandes gammes de longueurs donde de la lumiere incidente.
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SARR, Mor, MohamedLemine CHEIKH, Sega GUEYE, M. Yacine BA, Khady LOUM, Malick NDIAYE, A. Mamour BA, Ousmane SOW, Senghane MBODJI, and Gregoire SISSOKO. "DETERMINATION DE LA RESISTANCE SHUNT DUNE PHOTOPILE IRRADIEE (N+/P/P+) AU SILICIUM PLACEE SOUS CHAMP MAGNETIQUE ET SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE EN MODULATION DE FREQUENCE." International Journal of Advanced Research 11, no. 06 (June 30, 2023): 783–95. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/17127.

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Анотація:
Lobjet de cette etude est de presenter une application de la technique de determination de la vitesse de recombinaison a la jonction initiant la situation de court-circuit dune photopile monofaciale au silicium, , sous eclairement polychromatique, sous irradiation et sous champ magnetique, en regime dynamique frequentiel. Apres la resolution de lequation de magneto-diffusion des porteurs minoritaires de charges en regime dynamique, les expressions de la densite des porteurs minoritaires de charge et de la densite de photocourant ont ete etablies. La densite des porteurs minoritaires de charge est etudiee en fonction de la profondeur dans la base de la photopile pour differentes valeurs de la frequence de modulation. La densite de photocourant est etudiee en fonction de la vitesse de recombinaison a la jonction pour differentes frequences de modulation. A partir du profil de variation de la densite de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison a la jonction, une technique de determination de la vitesse de recombinaison a la jonction initiant la situation de court-circuit est presentee. Les influences de la frequence de modulation, de lirradiation et du champ magnetique sur la vitesse de recombinaison a la jonction initiant la situation de court-circuit, sur le photocourant de court-circuit et sur la resistance shunt ont ete egalement etudiees.
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I. Ngom, Moussa, Mohamed Lemine Cheikh, Habiboula Lemrabott, Sega Gueye, Moustapha Thiame, and Gregoire Sissoko. "MAGNETORESISTANCE SERIE DUNE PHOTOPILE AU SILICIUM A JONCTIONS VERTICALES CONNECTEES EN PARALLELE EN REGIME STATIQUE SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE." International Journal of Advanced Research 11, no. 12 (December 31, 2023): 258–68. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/17982.

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Анотація:
Une etude theorique de la photopile au silicium polycristallin a jonction verticale parallele en regime statique sous eclairement polychromatique et sous champ magnetique est presentee. La resolution de lequation de magneto-transport relative a la densite des porteurs minoritaires dans la base a permis de deduire les expressions de la phototension, et de la resistance serie de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction et de la profondeur z de la photopile pour differentes valeurs du champ magnetique. A partir du profil de variation de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction, la methode graphique de determination de la vitesse de recombinaison a la jonction limitant le circuit-ouvert est appliquee. La determination de ce parametre phenomenologique a permis de deduire graphiquement la valeur de la resistance serie pour differentes valeurs du champ magnetique.
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Sow, Ousmane, Abdoulaye Diop, Khady Loum, Youssou Traore, Sega Gueye, Moustapha Thiame, and Gregoire Sissoko. "RESISTANCE SERIE DANS LA PHOTOPILE BIFACIALE (N+/P/P+) AU SILICIUM SOUS CHAMP MAGNETIQUE : EFFET DE LA RESONANCE EN TEMPERATURE DU COEFFICIENT DE DIFFUSION." International Journal of Advanced Research 12, no. 01 (January 31, 2024): 396–406. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/18135.

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Анотація:
Dans ce travail, laccent est mis sur letude de la caracteristique densite de courant - tension, obtenue de la photopile sous eclairement, en lien avec la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction, pour differentes valeurs de lepaisseur optimum obtenue pour chaque valeur du coefficient de diffusion optimum. Le paramètre electrique quest la resistance serie est alors deduit et etudie en fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction, imposant le point de fonctionnement a la photopile depaisseur optimum de la base induite par le coefficient de diffusion maximum.
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Niane, Matar, Mohamed Abderrahim Ould El Moujtaba, Khady Loum, Rasmane Simpore, Ibrahima Diatta, Youssou Traore, Moustapha Thiame, Sega Gueye, and Gregoire Sissoko. "ETUDE DUNE PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM CRISTALLIN SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE ENMODULATION DE FREQUENCE : EFFET DE LA VITESSE SURFACIQUE DE RECOMBINAISON, DE LA FREQUENCE ET DE LEPAISSEUR SUR LES PARAMETRES ELECTRIQUES." International Journal of Advanced Research 12, no. 05 (May 31, 2024): 276–89. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/18715.

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Анотація:
Letude de la photopile monofaciale (n+/p/p+) au silicium cristallin a travers la resolution de lequation de diffusion en regime dynamique relative a la densite de porteurs minoritaires de charge dans la base(p), munie des conditions aux limites associees aux vitesses de recombinaison a la jonction et en face arriere, conduit aux caracteristiques electriques, courant-tension, puissance-tension delivree et le facteur de forme. Ce travail montre et analyse sur ces quantites,les effetsde la frequence de modulation de la lumiere polychromatique incidente, de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge en face arriere et de lepaisseur de la base de la photopile.
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Niane, Matar, Mohamed Abderrahim Ould El Moujtaba, Khady Loum, Rasmane Simpore, Ibrahima Diatta, Youssou Traore, Moustapha Thiame, Sega Gueye, and Gregoire Sissoko. "VITESSE DE RECOMBINAISON DYNAMIQUE A LA JONCTION ET EN FACE ARRIERE : APPLICATION A LA DETERMINATION DE LEPAISSEUR OPTIMUM DE LA BASE (P) DUNE PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM CRISTALLIN SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE EN MODULATION DE FREQUENCE." International Journal of Advanced Research 12, no. 05 (May 31, 2024): 256–66. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/18713.

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Анотація:
Par resolution de lequation de diffusion en regime dynamique relative a la densite de porteurs minoritaires de charge dans la base(p), de la photopile sous eclairement polychromatique, munie des conditions aux limites associees aux vitesses de recombinaison a la jonction et en face arriere, lexpression de la densite du photocourant dynamique est etablie. Elle permet de deduire les expressions de la vitesse de recombinaison dynamiquedes porteurs minoritaires de charge a la jonction et en face arriere de la base, qui par comparaison graphique, conduisent a la determination de lepaisseur optimum de la base de la photopile, pour chaque valeur de la frequence de modulation de la lumiere incidente.
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Yacine BA, Mamadou, Mame Faty MBAY FALL, Mbi KABORE, Gora DIOP, Ibrahima DIATTA, Mor SARR, Mamadou SALL, Mamadou WADE, and Gregoire SISSOKO. "ETUDE DE LA CAPACITE DUNE PHOTOPILE AU SILICIUM A JONCTIONS VERTICALES SERIES SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE." International Journal of Advanced Research 9, no. 12 (December 31, 2021): 126–35. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/13884.

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Анотація:
Ce travail consiste a faire une etude de la capacite de la photopile a jonction verticale serie sous eclairement monochromatique en tenant compte de la longueur donde et de la profondeur. Lequation de continuite, traduisant, les phenomenes de generation, de diffusion et de recombinaison des porteurs de charge photogeneres dans la base de la photopile est resolue en tenant compte des vitesses de recombinaison a la jonction et en face arriere. Une etude de la capacite de diffusion en fonction des vitesses de recombinaison a la jonction base-emetteur mais aussi en fonction de la phototension a permis de determiner une capacite initiale Co, pour differentes longueurs donde de leclairement incident et pour differentes valeurs de la profondeur.
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Ndiaye, Malick, Ousmane Sow, Gora Diop, Ibrahima Diatta, Dibor Faye, Oulimata Mballo, Issa Diagne, and Gregoire Sissoko. "CAPACITE DE DIFFUSION DUNE PHOTOPILE AU SILICIUM A MULTI-JONCTIONS VERTICALES CONNECTEES EN SERIE SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE EN MODULATION DE FREQUENCE:EFFET DU TAUX DOPAGE DE LA BASE." International Journal of Advanced Research 10, no. 04 (April 30, 2022): 556–72. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/14584.

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Анотація:
La base de la photopile (n+/p/p+) au silicium a multi-jonctions verticalesconnactees en serie(MJVS) de dopage Nb, est placee sous illumination monochromatique (a(l)) en modulation de frequence(w). La resolution de lequation de diffusion relative a la densite des porteurs de charge photogeneresd(x, t) est constituee de termes tels que:-le coefficient de diffusion dynamique D(w, Nb) et les termes de recombinaison, fonction de la frequence de modulation de lexcitation lumineuse et du taux de dopage Nb-le taux de generation G(w, t)Les conditions aux limites despace prenant en compte les vitesses de recombinaison surfaciques (Sf) et Sb, respectivement a la jonction (n+/p) a la face arriere (p/p+), ont permis de completer la solution de lequation de diffusion des porteurs de charge photogeneres. De la densite des porteurs minoritaires d(x, t) solution de lequation de diffusion, obtenue dune base de taux de dopage Nb, la capacite de diffusion C(w, a(l), Sf, Sb, Nb) est deduite.La reponse capacitive a travers son amplitude et de sa phase, est etudiee lorsque la photopile est en mode de fonctionnement de court-circuit ou de circuit ouvert, a travers le diagramme de Bode et de Niquyst, pour differents cas de taux de dopage de la base.
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Thiaw, Cheikh, Habiboula Lemrabott, Moustapha Thiame, Khady Loum, Sega Gueye, Issa Diagne, and Gregoire Sissoko. "MAGNETO RESISTANCE SERIE DANS LA PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE PAR LA FACE (N+)." International Journal of Advanced Research 12, no. 03 (March 31, 2024): 1025–39. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/18488.

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Анотація:
Dans ce travail, la photopile (n+/p/p+) au silicium cristallin est sous eclairement polychromatique par la face (n+) et placee dans un champ magnetique (B) constant. Letude de la caracteristique de la densite de courant en fonction de la tension, pour chaque valeur du coefficient de diffusion (D(B))des porteurs minoritaires de charge dans la base (p), depaisseur optimum (Hopt(B)) requise, permet detablir lexpression de la resistance serie (Rs(Hot(B)).De sa courbe de calibaration en fonction de la vitesse de recombinaison (Sf) des porteurs minoritaire de charge à la jonction, la resistance serie est extraite en fonction du champ magnetique applique et de lepaisseur optimum de la base.
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Simpore, R., Khady Loum, Sega Gueye, Hamet Y. B.A, Emanuel Nanema, Frederic Ouattara, and G. Sissoko. "DETERMINATION DE LEPAISSEUR OPTIMUM DE LA COUCHE (P) CZTS, SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE, PAR LANALYSE DES VITESSES SURFACIQUES DE RECOMBAISON." International Journal of Advanced Research 12, no. 04 (April 30, 2024): 394–405. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/18565.

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Анотація:
Dans ce travail, la cellule solaire mono-faciale a couche mince a base de CZTS a ete etudiee a partir de lequation de continuite relative a la densite de porteurs minoritaires de charge en exces dans la base. Les effets des parametres de structure tel que lepaisseur et du coefficient dabsorption de la cellule sur les vitesses de recombinaison ont ete analyses. La representation graphique sur echelle bi axesen fonction de lepaisseur (H), des expressions de la vitesse de recombinaison Sb1 et Sb2 ont permis dextraire les valeurs de lepaisseur optimum puis, les representer pour differentes valeurs du coefficient dabsorption. Leffet du coefficient dabsorption sur le fonctionnement de la cellule a montre que plus le coefficient dabsorption augmente plus lepaisseur optimum diminue. Ce travail ainsi presente un interet car il contribue a comprendre le fonctionnement de la cellule CZTS et permet de fabriquer des cellules solaires a couches minces avec un contrôle precis des parametres du processus delaboration.
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Дисертації з теми "Recombinaison des porteurs"

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Nemar, Noureddine. "Génération-recombinaison en régime de porteurs chauds dans le silicium de type P." Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20151.

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Анотація:
Dans la premiere partie de ce travail, nous avons etudie l'effet de prendre un modele inelastique d'interaction avec les phonons acoustiques (a temperature basse (77 k et 110 k) sur la fonction de distribution et les parametres de transport dans le silicium dope au bore (si-p). Une comparaison a ete faite avec des resultats theoriques (utilisant un modele elastique) et experimentaux (obtenus au laboratoire). Dans la seconde partie, nous avons introduit les termes de generation-recombinaison dans l'equation de boltzmann et formule une equation supplementaire donnant l'evolution du nombre de porteurs pieges (sur les impuretes non ionisees). Nous avons resolu ce systeme d'equations couplees d'une maniere directe par la methode transitoire et par la methode stationnaire. Une comparaison des resultats obtenus a ete faite avec des resultats theoriques donnes dans la litterature et experimentaux (obtenus au laboratoire) toujours dans le cas du si-p
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LIU, HONG WU. "Etude optique des puits quantiques gaas/gaalas : transport vertical et recombinaison en presence de porteurs." Paris 6, 1990. http://www.theses.fr/1990PA066214.

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Анотація:
Les etudes optiques de transport vertical dans un systeme de double puits quantiques asymetrique sous champ electrique ga#0#. #7al#0#. #3as/gaas ont permis de mettre en evidence les resonances de transfert d'electrons, de trous et d'excitons a basse temperature. Ces resultats sont compares a des calculs des temps tunnel assistes par les defauts du systeme ou les phonons. Les etudes de puits quantiques a modulation de dopage ont montre la levee partielle des regles de selection en presence de porteurs ainsi que l'augmentation de la duree de vie radiative due aux effets a n corps
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Bensaid, Bachir. "Contribution à l'étude de l'influence des phénomènes d'auto-absorption sur la recombinaison des porteurs dans les semiconducteurs." Nice, 1989. http://www.theses.fr/1989NICE4329.

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Анотація:
Dans les semiconducteurs à largeur de bande interdite directe, les processus de réabsorption du photon émis, sont connus pour leur contribution à l'augmentation de la durée de vie et de la diffusion des porteurs minoritaires dans le cas d'une cellule solaire puisqu'ils contrôlent le rendement photovoltaïque. La réabsorption est liée à la structure de bande du semiconducteur de base utilisé dans la fabrication de photopiles. La mesure du déclin de photoluminescence est un des moyens qui permet d'évaluer la durée de vie des porteurs minoritaires. Il en résulte qu'une bonne modélisation du déclin de cette photoluminescence est nécessaire pour évaluer de façon précise la durée de vie et les paramètres de transport. Ainsi, nous nous sommes intéressés à une étude théorique détaillée des mécanismes reliés a la structure de bande de ces matériaux et pouvant influencer la décroissance de luminescence, en particulier la réabsorption qui jusqu'ici n'a pas bien été prise en compte dans toutes les configurations expérimentales. Nous avons résolu le problème pour les deux cas pratiques d'injection : le cas linéaire, lié aux faibles niveaux d'injection et le cas non linéaire, lié aux fortes injections. Ce modèle dynamique tient compte des conditions expérimentales notamment des caractéristiques géométriques et optiques de l'échantillon ainsi que des caractéristiques temporelles de l'excitation. Les résultats ainsi obtenus ont montré que notre modèle améliore l'analyse des données expérimentales fournies par la caractérisation. L’ajustement global entre les expériences et le calcul permet de déterminer les paramètres de transport tels le coefficient de diffusion, les vitesses de recombinaison interfaciales aussi bien que la durée de vie non-radiative des porteurs minoritaires, et ce bien que l'expérience soit purement optique
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Merk, Eric. "Etude des cinétiques de piègeage et de recombinaison des porteurs photogénérés par analyse de la photoluminescence dans le silicium amorphe hydrogène /." [S.l.] : [s.n.], 1986. http://library.epfl.ch/theses/?nr=620.

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Choueib, Nargess. "Matrices de commutation par effets d'injection de porteurs sur InP." Thesis, Lille 1, 2008. http://www.theses.fr/2008LIL10017/document.

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Анотація:
Partant d'une structure de commutateur électro-optique sur InP de type DOS (Digital Optical Switch) fonctionnant par injection des porteurs, de faible diaphotie (-40dB) à la longueur d'onde 1.55µm, le but de ce travail de thèse a été d'étudier la possibilité de réaliser en optique intégrée sur InP des matrices de commutation à 2 entrées et 2 sorties conservant les mêmes performances en diaphotie. Pour atteindre cet objectif, nous avons tout d'abord optimisé la géométrie d'une matrice purement passive à l'aide de la méthode des faisceaux propagés (BPM) 2D ou 3D. Nous avons ainsi défini sept matrices 2X2 passives que nous avons réalisées et caractérisées dont certaines atteignent une diaphotie d'environ -40dB. Nous avons ensuite adapté ces matrices passives à une nouvelle géométrie de commutateur compatible avec les courbes de forme sinusoïdale de nos matrices, dont nous prévoyons pour certaines une diaphotie avoisinant -40dB. Les cinq matrices actives optimisées ont été réalisées et caractérisées en terme de pertes, consommation et diaphotie, Nous obtenons une forte sensibilité à la polarisation optique avec une diaphotie qui peut atteindre presque -30dB pour la matrice la plus performante
Starting from a Digital Optical Switch based on carrier injection and InP optical integrated circuit techniques, which achieved high crosstalk performance (around -40dB), the aim of this thesis is to design and fabricate 2X2 optical switching matrixes keeping the same crosstalk performance. To reach such a goal, we first analyzed and designed, thanks to 2D and 3D Beam Propagation Method, passive matrixes that we fabricated and characterized. We obtained crosstalk close to -40dB in agreement with our theoretical predictions. We then matched our passive matrixes to a new structure of DOS which geometry fits better withsinusoidal shape of our matrix waveguides. We optimized five active matrixes that we fabricated and characterized to deduce the propagation and coupling losses, the consumption and the crosstalk. Which were found as a low as -30dB for the best matrix with the good optical polarization state
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Chapelon, Olivier. "Transport en régime de porteurs chauds dans le silicium de type n." Montpellier 2, 1993. http://www.theses.fr/1993MON20066.

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Анотація:
Il a ete mis au point un programme permettant de calculer les parametres de transport par resolution de l'equation de boltzmann dans le si-n. Une etude de l'influence de la degenerescence a montre que celle-ci jouait un role negligeable pour les dopages utilises au cours de cette etude. L'introduction de la generation recombinaison dans le programme a permis de calculer l'evolution de la fraction ionisee en regime de porteurs chauds et de mettre en evidence que le regime transitoire est fortement modifie. Dans une derniere partie, l'equation de boltzmann a ete resolue en tenant compte d'une dimension dans l'espace reel, ce qui permet d'etudier, de maniere precise, l'etalement d'un paquet de porteurs et d'en deduire le coefficient de diffusion. Les comparaisons avec l'experience ont permis de valider les differentes parties de ce programme
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Affour, Bachar. "Mesure de la durée de vie des porteurs et de la vitesse de recombinaison à l'interface arrière métal-semiconducteur dans des photopiles en silicium." Perpignan, 1997. http://www.theses.fr/1997PERP0296.

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Анотація:
L'amelioration du rendement des photopiles industrielles necessite la maitrise des procedes technologiques conduisant a leur realisation. L'evaluation globale de l'impact de ces procedes sur le dispositif final passe par la mesure de la duree de vie des porteurs minoritaires dans la base et de leur vitesse de recombinaison sur la surface arriere. Nous avons developpe une nouvelle methode experimentale qui permet la mesure simultanee de ces deux grandeurs dans les conditions reelles de fonctionnement et pour n'importe quel niveau d'injection. Elle consiste en l'exploitation de la courbe de tension aux bornes de la photopile enregistree durant le regime transitoire resultant du passage de la photopile d'une configuration de charge proche du circuit ouvert a la configuration du circuit ouvert proprement dite. Ce passage etant effectue sous illumination permanente provenant d'un simulateur du spectre solaire. La mise a l'epreuve de cette methode a travers plusieurs structures etalons (photopiles irradiees par un faisceau de protons, contacts arrieres ohmiques et differents niveaux d'injection) a demontre sa capacite pratique a evaluer la qualite d'une fabrication et a determiner l'origine des defauts eventuels. L'automatisation complete de la mesure permet son insertion dans n'importe quelle chaine de fabrication.
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Bejar, Moez. "Cartographie de la vitesse de recombinaison en surface et de la durée de vie des porteurs dans les semi-conducteurs III-V et le silicium par imagerie de photoluminescence à température ambiante." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1998. http://www.theses.fr/1998ECDL0026.

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Анотація:
La recherche sur l'optimisation et le developpement de nouvelles technologies iii-v et si semble s'accelerer considerablement depuis quelques annees. En consequence, il apparait un besoin urgent de nouvelles techniques permettant l'expertise et le controle de ces materiaux d'une maniere rapide et non-destructive. Dans ce contexte, les objectifs de ce travail ont ete les suivants : - proposer des nouvelles techniques d'analyse quantitative et non-destructives de l'uniformite de la distribution de la duree de vie des porteurs, de la vitesse de recombinaison en surface et du dopage a partir de l'imagerie de photoluminescence. La cartographie quantitative de la vitesse de recombinaison en surface, pratiquement inexistante auparavant, est d'une importance capitale pour l'optimisation des etapes technologiques qui peuvent affecter aussi bien le volume que la surface des composants a semi-conducteurs. - introduire l'imagerie de photoluminescence a temperature ambiante dans la technologie silicium. Nous avons non seulement montre la faisabilite des mesures de pl sur si a temperature ambiante mais aussi adapte nos nouvelles techniques de determination des differents parametres electriques au cas du silicium. De plus, nous avons montre que l'imagerie de photoluminescence peut etre utile au controle de fabrication de mosfets. - appliquer notre savoir-faire a l'optimisation de recuits apres la croissance des substrats d'inp semi-isolant dope avec une tres faible concentration de fer. Les techniques developpees ont ete validees grace aux mesures comparatives telles que la photoluminescence transitoire, l'absorption optique sur les porteurs excedentaires, l'absorption micro-onde en regime transitoire, sims, l'effet hall et la caracterisation electrique des structures de test.
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Zhao, Yunhai. "Interface engineering and absorber with composition gradient for high-efficiency Kesterite solar cells." Electronic Thesis or Diss., Université de Rennes (2023-....), 2024. http://www.theses.fr/2024URENS048.

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Анотація:
Dans cette thèse, les propriétés de transport des porteurs de charge, le processus de croissance des grains, le mécanisme de perte de VOC et les possibilités d'amélioration du rendement des cellules solaires de CZTSSe ont été étudiés. L'importante perte de VOC et le faible facteur de remplissage des cellules solaires CZTSSe sont les principaux défis pour l'amélioration du rendement. Cela est principalement dû à la mauvaise qualité de l'interface arrière, à l'alignement non optimisé des bandes et à la présence des phases secondaires dans l'absorbeur. Trois approaches ont été utilisées dans ce travail pour améliorer le rendement de ce cellules PV. Premièrement, une couche intermédiaire de WO3 a été introduite dans l'interface arrière pour inhiber la réaction indésirable entre la couche d'tungsten et l'absorbeur. Deuxièmement, l'alignement des bandes et la présence de phases secondaires à l'interface avant ont été améliorés en même temps par un traitement de sulfuration à basse température. Enfin, la conception et la réalisation d'une couche absorbeure à double gradient de band-gap en CZTSSe ont facilité la séparation et l'extraction des porteurs de charge. Des cellules solaires en CZTSSe avec un rendement de conversion photovoltaïque de 13,7% ont été obtenues. Ces très bons résultats, obtenus grâce à une meilleure comprehnsion du mécanisme de pertes, pourraient être une excellente base pour des améliorations futures
In this thesis, the transport properties of charge carriers, grain growth process, VOC loss mechanism and efficiency improvement possibilities of CZTSSe solar cells were investigated. The large VOC loss and low FF of CZTSSe solar cells are the main challenges for efficiency improvement. This is mainly due to the poor quality of the rear interface, the non-optimized alignment of the bandgaps and the secondary phases in the absorber. Three approaches were used in this work to improve the performance of this type of PV cells. First, an interlayer of WO3 was introduced into the back interface to inhibit the unwanted reaction between the WO3 layer and the absorber. Second, the alignment of the bands and the presence of secondary phases at the front interface have been improved at the same time by a low temperature sulfurization treatment. Finally, the design and production of a double band-gap gradient absorber layer in CZTSSe facilitated the separation and extraction of charge carriers. CZTSSe solar cells with a photovoltaic conversion efficiency of 13.7% were obtained. These very good results, obtained thanks to a better understanding of the loss mechanism, could be an excellent basis for future improvements
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Katoudi, Ruben Antonin. "Permittivités complexes dans certains charbons bruts et pyrolysés : utilisation d'un modèle fondé sur la notion de sites localisés." Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20078.

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Анотація:
Des mesures de transport de courant realisees sur des cokes d'anthracene ont montre qu'il apparait une conductivite de polarisation lorsque les echantillons sont soumis a une tension alternative variable. Cette loi d'evolution en #s a permis de rapprocher le concept d'etats localises utilise pour interpreter le comportement des cokes d'anthracene de la notion d'unites structurales de base (u. S. B. ). Des lors, l'energie potentielle des sites localises pouvait etre reliee au degre d'aromaticite des u. S. B. , donc a leur proche environnement. L'interpretation du comportement de la permittivite reelle en fonction de la frequence et de la temperature nous a suggere de determiner simplement la fraction du volume total occupe par les u. S. B. L'evolution des charbons au cours de la pyrolyse donne lieu a une transformation entre 400 et 500c lorsque les resines sont eliminees. L'evolution des cokes dont les temperatures de traitement sont comprises entre 550c et 800c fait apparaitre une pseudo-transition isolant-semi conducteur qui modifie profondement la conductivite des materiaux. L'utilisation d'un modele faisant correspondre l'existence de sites localises dans les charbons a la presence d'usb permet donc de rendre compte d'une part du comportement des phenomenes de polarisation dans ces materiaux et d'autre part, de l'evolution de ces composes durant des pyrolyses a des temperatures superieures a 650c. Cette representation est le reflet coherent a l'echelle microscopique des processus observes au niveau macroscopique
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