Статті в журналах з теми "Printed Oxide TFTs"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-20 статей у журналах для дослідження на тему "Printed Oxide TFTs".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Chen, Siting, Yuzhi Li, Yilong Lin, Penghui He, Teng Long, Caihao Deng, Zhuo Chen, et al. "Inkjet-Printed Top-Gate Thin-Film Transistors Based on InGaSnO Semiconductor Layer with Improved Etching Resistance." Coatings 10, no. 4 (April 24, 2020): 425. http://dx.doi.org/10.3390/coatings10040425.
Повний текст джерелаLi, Yuzhi, and Shengdong Zhang. "Fully Inkjet-Printed Short-Channel Metal-Oxide Thin-Film Transistors Based on Semitransparent ITO/Au Source/Drain Electrodes." Coatings 10, no. 10 (September 30, 2020): 942. http://dx.doi.org/10.3390/coatings10100942.
Повний текст джерелаScheideler, William J., and Vivek Subramanian. "How to print high-mobility metal oxide transistors—Recent advances in ink design, processing, and device engineering." Applied Physics Letters 121, no. 22 (November 28, 2022): 220502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0125055.
Повний текст джерелаChoi, Seungbeom, Kyung-Tae Kim, Sung Park, and Yong-Hoon Kim. "High-Mobility Inkjet-Printed Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Using Sr-Doped Al2O3 Gate Dielectric." Materials 12, no. 6 (March 13, 2019): 852. http://dx.doi.org/10.3390/ma12060852.
Повний текст джерелаChoi, Woon-Seop. "Preparation of Li-Doped Indium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor at Relatively Low Temperature Using Inkjet Printing Technology." Korean Journal of Metals and Materials 59, no. 5 (May 5, 2021): 314–20. http://dx.doi.org/10.3365/kjmm.2021.59.5.314.
Повний текст джерелаLee, S. H., Y. J. Kwack, J. S. Lee, and W. S. Choi. "Inkjet-Printed Oxide TFTs with Solution-Processed Dual Semiconductors." ECS Transactions 75, no. 10 (September 23, 2016): 127–31. http://dx.doi.org/10.1149/07510.0127ecst.
Повний текст джерелаYe, Heqing, Hyeok-Jin Kwon, Xiaowu Tang, Dong Yun Lee, Sooji Nam, and Se Hyun Kim. "Direct Patterned Zinc-Tin-Oxide for Solution-Processed Thin-Film Transistors and Complementary Inverter through Electrohydrodynamic Jet Printing." Nanomaterials 10, no. 7 (July 3, 2020): 1304. http://dx.doi.org/10.3390/nano10071304.
Повний текст джерелаChang, Yeoungjin, Ravindra Naik Bukke, Jinbaek Bae, and Jin Jang. "Low-Temperature Solution-Processed HfZrO Gate Insulator for High-Performance of Flexible LaZnO Thin-Film Transistor." Nanomaterials 13, no. 17 (August 25, 2023): 2410. http://dx.doi.org/10.3390/nano13172410.
Повний текст джерелаLee, Yong Gu, and Woon-Seop Choi. "Electrohydrodynamic Jet-Printed Zinc–Tin Oxide TFTs and Their Bias Stability." ACS Applied Materials & Interfaces 6, no. 14 (July 15, 2014): 11167–72. http://dx.doi.org/10.1021/am5009826.
Повний текст джерелаChandra, Aditi, Mao Takashima, and Arvind Kamath. "Silicon and Dopant Ink-Based CMOS TFTs on Flexible Steel Foils." MRS Advances 2, no. 23 (2017): 1259–65. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.227.
Повний текст джерелаJang, Hye-Ryun, Young-Jin Kwack, and Woon-Seop Choi. "Inkjet-printed zinc-tin-oxide TFTs with a solution-processed hybrid dielectric layer." Journal of the Korean Physical Society 65, no. 9 (November 2014): 1435–40. http://dx.doi.org/10.3938/jkps.65.1435.
Повний текст джерелаHamlin, Andrew Bradford, Youxiong Ye, Julia Elizabeth Huddy, and William Joseph Scheideler. "Modulation Doped 2D InOx/GaOx Heterostructure Tfts Via Liquid Metal Printing." ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no. 31 (July 7, 2022): 1326. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01311326mtgabs.
Повний текст джерелаSykora, Benedikt, Di Wang, and Heinz von Seggern. "Multiple ink-jet printed zinc tin oxide layers with improved TFT performance." Applied Physics Letters 109, no. 3 (July 18, 2016): 033501. http://dx.doi.org/10.1063/1.4958701.
Повний текст джерелаChoi, Woon-Seop, and Yoonsu Kim. "Inkjet-printed ZTO TFT with a combustion-processed aluminum oxide (Al2O3) gate dielectric." Molecular Crystals and Liquid Crystals 679, no. 1 (January 22, 2019): 111–18. http://dx.doi.org/10.1080/15421406.2019.1597554.
Повний текст джерелаLiang, Kun, Dingwei Li, Huihui Ren, Momo Zhao, Hong Wang, Mengfan Ding, Guangwei Xu, et al. "Fully Printed High-Performance n-Type Metal Oxide Thin-Film Transistors Utilizing Coffee-Ring Effect." Nano-Micro Letters 13, no. 1 (August 3, 2021). http://dx.doi.org/10.1007/s40820-021-00694-4.
Повний текст джерелаLiu, Fei, Asko Matti Sneck, Ari T. Alastalo, and Jaakko H. Leppaniemi. "Oxide TFTs with S/D-contacts patterned by high-resolution reverse-offset printed resist layers." Flexible and Printed Electronics, February 27, 2023. http://dx.doi.org/10.1088/2058-8585/acbf65.
Повний текст джерела"Inkjet-Printed Oxide TFTs with Solution-Processed Dual Semiconductors." ECS Meeting Abstracts, 2016. http://dx.doi.org/10.1149/ma2016-02/33/2170.
Повний текст джерелаPark, Sung Kyu, Jeong In Han, Dae Gyu Moon, Won Keun Kim, and Yong Hoon Kim. "High Performance Polymer Thin Film Transistors Array Printed on a Flexible Polycarbonate Substrate." MRS Proceedings 736 (2002). http://dx.doi.org/10.1557/proc-736-d7.3.
Повний текст джерелаDevabharathi, Nehru, Jyoti Ranjan Pradhan, Sushree Sangita Priyadarsini, Torsten Brezesinski, and Subho Dasgupta. "Inkjet‐Printed Narrow‐Channel Mesoporous Oxide‐Based n‐Type TFTs and All‐Oxide CMOS Electronics." Advanced Materials Interfaces, August 9, 2022, 2200949. http://dx.doi.org/10.1002/admi.202200949.
Повний текст джерелаLiang, Kelly, Xin Xu, Yuchen Zhou, Xiao Wang, Calla M. McCulley, Liang Wang, Jaydeep Kulkarni, and Ananth Dodabalapur. "Nanospike electrodes and charge nanoribbons: A new design for nanoscale thin-film transistors." Science Advances 8, no. 4 (January 28, 2022). http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.abm1154.
Повний текст джерела