Книги з теми "Power semicondutor"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Power semicondutor.

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Power semicondutor".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

International, Semiconductor Data, ed. Power modules. Rolling Hills Estates, CA: SDI, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Dace, Andrea. Power management: IC components. Norwalk, CT: Business Communications Co., 1999.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Baliga, B. Jayant. Modern power devices. Malabar, Fla: Krieger, 1992.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Baliga, B. Jayant. Modern power devices. New York: Wiley, 1987.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Baliga, B. Jayant. Modern power devices. New York: Wiley, 1987.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Linder, Stefan. Power semiconductors. Lausanne, Switzerland: EPFL Press, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Rectifier, International. Power semiconductors. El Segundo, CA: International Rectifier, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Hoft, R. G. Semiconductor power electronics. Malabar, Fla: Krieger, 1991.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Hoft, Richard G. Semiconductor Power Electronics. Dordrecht: Springer Netherlands, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-7015-4.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Lutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann, and Rik De Doncker. Semiconductor Power Devices. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-70917-8.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Lutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann, and Rik De Doncker. Semiconductor Power Devices. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-11125-9.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Semiconductor power electronics. New York: Van Nostrand Reinhold, 1986.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Power semiconductor devices. Boston: PWS Pub. Co., 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

Ramshaw, Raymond. Power electronics semiconductor switches. 2nd ed. London: Chapman & Hall, 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Perret, Robert, ed. Power Electronics Semiconductor Devices. London, UK: ISTE, 2009. http://dx.doi.org/10.1002/9780470611494.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Ramshaw, R. S. Power Electronics Semiconductor Switches. Boston, MA: Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-6219-8.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Robert, Perret, ed. Power electronics semiconductor devices. London: ISTE, 2009.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Dubey, G. K. Power semiconductor controlled drives. London: Prentice-Hall, 1989.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Dubey, G. K. Power semiconductor controlled drives. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1989.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

Taylor, B. E. Power Mosfet design. Chichester, W. Sussex, England: Wiley, 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

service), SpringerLink (Online, ed. Fundamentals of power semiconductor devices. New York: Springer, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

Baliga, B. Jayant. Advanced power MOSFET concepts. New York: Springer, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

Semiconductors, Philips. Power semiconductors applications handbook. Eindhoven: Philips Semiconductors, 1995.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
24

Panasonic. Discrete semiconductors, power transistors. Kyoto: Matsushita Electronics Corp., 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
25

Korec, Jacek. Low voltage power MOSFETs: Design, performance and applications. New York: Springer, 2011.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
26

Gachovska, Tanya K., Jerry L. Hudgins, Enrico Santi, Angus Bryant, and Patrick R. Palmer. Modeling Bipolar Power Semiconductor Devices. Cham: Springer International Publishing, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-02498-6.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
27

Tayal, Shubham, Abhishek Kumar Upadhyay, Deepak Kumar, and Shiromani Balmukund Rahi. Emerging Low-Power Semiconductor Devices. Boca Raton: CRC Press, 2022. http://dx.doi.org/10.1201/9781003240778.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
28

Baliga, B. Jayant. Fundamentals of Power Semiconductor Devices. Cham: Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-93988-9.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
29

Baliga, B. Jayant. Fundamentals of Power Semiconductor Devices. Boston, MA: Springer US, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-47314-7.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
30

Jaecklin, André A., ed. Power Semiconductor Devices and Circuits. Boston, MA: Springer US, 1992. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3322-1.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
31

A, Jaecklin André, and International Symposium on Power Semiconductor Devices and Circuits (1991 : Baden, Switzerland, and Dättwil, Switzerland), eds. Power semiconductor devices and circuits. New York: Plenum Press, 1992.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
32

Jaecklin, André A. Power Semiconductor Devices and Circuits. Boston, MA: Springer US, 1992.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
33

F, Ren, Electrochemical Society Electronics Division, Electrochemical Society Meeting, Compound Semiconductor Power Transistors Symposium (1998 : Boston, Mass.), and State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (29th : 1998 : Boston, Mass.), eds. Compound semiconductor power transistors and: State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXIX). Pennington, New Jersey: Electrochemical Society, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
34

W, Smith Marvin, ed. Smart power economics, technology, and applications: A reference book of collected and original papers. Ventura, CA, USA: Intertec Communications, 1988.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
35

J, Mawst Luke, Martinelli Ramon U, and Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., eds. In-plane semiconductor lasers IV: 24-25 January, 2000, San Jose, California. Bellingham, Washington: SPIE, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
36

F, Gmachl Claire, Bour David P. 1961-, and Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., eds. Novel in-plane semiconductor lasers III: 26-28 January 2004, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash., USA: SPIE, 2004.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
37

Kyun, Choi Hong, Zory Peter S. 1936-, Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., and United States. Defense Advanced Research Projects Agency., eds. In-plane semiconductor lasers: From ultraviolet to midinfrared : 10-13 February 1997, San Jose, California. Bellingham, Wash., USA: SPIE, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
38

R, Meyer Jerry, Gmachl Claire F, and Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., eds. Novel in-plane semiconductor lasers: 21-23 January 2002, San Jose, USA. Bellingham, Wash., USA: SPIE, 2002.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
39

Mack, Raymond A. Demystifying switching power supplies. Amsterdam: Elsevier/Newnes, 2005.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
40

B, Walker John L., ed. High-power GaAs FET amplifiers. Boston: Artech House, 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
41

F, Kopf R., Electrochemical Society Electronics Division, Electrochemical Society Meeting, Compound Semiconductor Power Transistors Symposium (2nd : 2000 : Toronto, Ontario), and State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (32nd : 2000 : Toronto, Ontario), eds. Compound semiconductor power transistors II and: State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXII). Pennington, New Jersey: Electrochemical Society, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
42

Lutz, Josef. Semiconductor power devices: Physics, characteristics, reliability. Berlin: Springer-Verlag, 2011.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
43

Liu, Xingsheng, Wei Zhao, Lingling Xiong, and Hui Liu. Packaging of High Power Semiconductor Lasers. New York, NY: Springer New York, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-9263-4.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
44

Benda, Vítězslav. Power semiconductor devices: Theory and applications. Chichester: Wiley, 1999.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
45

A, Neugebauer C., ed. The Packaging of power semiconductor devices. New York: Gordon and Breach Science Publishers, 1986.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
46

Brown, Marty. Practical switching power supply design. San Diego: Academic Press, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
47

Center, Goddard Space Flight, ed. Modulation characteristics of a high-power semiconductor master oscillator power amplifier (MOPA). Greenbelt, Md: National Aeronautics and Space Administration, Goddard Space Flight Center, 1992.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
48

Center, Goddard Space Flight, ed. Modulation characteristics of a high-power semiconductor master oscillator power amplifier (MOPA). Greenbelt, Md: National Aeronautics and Space Administration, Goddard Space Flight Center, 1992.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
49

Fisher, Marvin J. Power electronics. Boston: PWS-Kent Pub. Co., 1991.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
50

Zhao, Wei, Hui Liu, Xingsheng Liu, and Lingling Xiong. Packaging of High Power Semiconductor Lasers. Springer, 2014.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії