Книги з теми "Power semicondutor"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Power semicondutor".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
International, Semiconductor Data, ed. Power modules. Rolling Hills Estates, CA: SDI, 1990.
Знайти повний текст джерелаDace, Andrea. Power management: IC components. Norwalk, CT: Business Communications Co., 1999.
Знайти повний текст джерелаBaliga, B. Jayant. Modern power devices. Malabar, Fla: Krieger, 1992.
Знайти повний текст джерелаBaliga, B. Jayant. Modern power devices. New York: Wiley, 1987.
Знайти повний текст джерелаBaliga, B. Jayant. Modern power devices. New York: Wiley, 1987.
Знайти повний текст джерелаLinder, Stefan. Power semiconductors. Lausanne, Switzerland: EPFL Press, 2006.
Знайти повний текст джерелаRectifier, International. Power semiconductors. El Segundo, CA: International Rectifier, 1990.
Знайти повний текст джерелаHoft, R. G. Semiconductor power electronics. Malabar, Fla: Krieger, 1991.
Знайти повний текст джерелаHoft, Richard G. Semiconductor Power Electronics. Dordrecht: Springer Netherlands, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-7015-4.
Повний текст джерелаLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann, and Rik De Doncker. Semiconductor Power Devices. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-70917-8.
Повний текст джерелаLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann, and Rik De Doncker. Semiconductor Power Devices. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-11125-9.
Повний текст джерелаSemiconductor power electronics. New York: Van Nostrand Reinhold, 1986.
Знайти повний текст джерелаPower semiconductor devices. Boston: PWS Pub. Co., 1996.
Знайти повний текст джерелаRamshaw, Raymond. Power electronics semiconductor switches. 2nd ed. London: Chapman & Hall, 1993.
Знайти повний текст джерелаPerret, Robert, ed. Power Electronics Semiconductor Devices. London, UK: ISTE, 2009. http://dx.doi.org/10.1002/9780470611494.
Повний текст джерелаRamshaw, R. S. Power Electronics Semiconductor Switches. Boston, MA: Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-6219-8.
Повний текст джерелаRobert, Perret, ed. Power electronics semiconductor devices. London: ISTE, 2009.
Знайти повний текст джерелаDubey, G. K. Power semiconductor controlled drives. London: Prentice-Hall, 1989.
Знайти повний текст джерелаDubey, G. K. Power semiconductor controlled drives. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1989.
Знайти повний текст джерелаTaylor, B. E. Power Mosfet design. Chichester, W. Sussex, England: Wiley, 1993.
Знайти повний текст джерелаservice), SpringerLink (Online, ed. Fundamentals of power semiconductor devices. New York: Springer, 2008.
Знайти повний текст джерелаBaliga, B. Jayant. Advanced power MOSFET concepts. New York: Springer, 2010.
Знайти повний текст джерелаSemiconductors, Philips. Power semiconductors applications handbook. Eindhoven: Philips Semiconductors, 1995.
Знайти повний текст джерелаPanasonic. Discrete semiconductors, power transistors. Kyoto: Matsushita Electronics Corp., 1990.
Знайти повний текст джерелаKorec, Jacek. Low voltage power MOSFETs: Design, performance and applications. New York: Springer, 2011.
Знайти повний текст джерелаGachovska, Tanya K., Jerry L. Hudgins, Enrico Santi, Angus Bryant, and Patrick R. Palmer. Modeling Bipolar Power Semiconductor Devices. Cham: Springer International Publishing, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-02498-6.
Повний текст джерелаTayal, Shubham, Abhishek Kumar Upadhyay, Deepak Kumar, and Shiromani Balmukund Rahi. Emerging Low-Power Semiconductor Devices. Boca Raton: CRC Press, 2022. http://dx.doi.org/10.1201/9781003240778.
Повний текст джерелаBaliga, B. Jayant. Fundamentals of Power Semiconductor Devices. Cham: Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-93988-9.
Повний текст джерелаBaliga, B. Jayant. Fundamentals of Power Semiconductor Devices. Boston, MA: Springer US, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-47314-7.
Повний текст джерелаJaecklin, André A., ed. Power Semiconductor Devices and Circuits. Boston, MA: Springer US, 1992. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3322-1.
Повний текст джерелаA, Jaecklin André, and International Symposium on Power Semiconductor Devices and Circuits (1991 : Baden, Switzerland, and Dättwil, Switzerland), eds. Power semiconductor devices and circuits. New York: Plenum Press, 1992.
Знайти повний текст джерелаJaecklin, André A. Power Semiconductor Devices and Circuits. Boston, MA: Springer US, 1992.
Знайти повний текст джерелаF, Ren, Electrochemical Society Electronics Division, Electrochemical Society Meeting, Compound Semiconductor Power Transistors Symposium (1998 : Boston, Mass.), and State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (29th : 1998 : Boston, Mass.), eds. Compound semiconductor power transistors and: State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXIX). Pennington, New Jersey: Electrochemical Society, 1998.
Знайти повний текст джерелаW, Smith Marvin, ed. Smart power economics, technology, and applications: A reference book of collected and original papers. Ventura, CA, USA: Intertec Communications, 1988.
Знайти повний текст джерелаJ, Mawst Luke, Martinelli Ramon U, and Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., eds. In-plane semiconductor lasers IV: 24-25 January, 2000, San Jose, California. Bellingham, Washington: SPIE, 2000.
Знайти повний текст джерелаF, Gmachl Claire, Bour David P. 1961-, and Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., eds. Novel in-plane semiconductor lasers III: 26-28 January 2004, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash., USA: SPIE, 2004.
Знайти повний текст джерелаKyun, Choi Hong, Zory Peter S. 1936-, Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., and United States. Defense Advanced Research Projects Agency., eds. In-plane semiconductor lasers: From ultraviolet to midinfrared : 10-13 February 1997, San Jose, California. Bellingham, Wash., USA: SPIE, 1997.
Знайти повний текст джерелаR, Meyer Jerry, Gmachl Claire F, and Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., eds. Novel in-plane semiconductor lasers: 21-23 January 2002, San Jose, USA. Bellingham, Wash., USA: SPIE, 2002.
Знайти повний текст джерелаMack, Raymond A. Demystifying switching power supplies. Amsterdam: Elsevier/Newnes, 2005.
Знайти повний текст джерелаB, Walker John L., ed. High-power GaAs FET amplifiers. Boston: Artech House, 1993.
Знайти повний текст джерелаF, Kopf R., Electrochemical Society Electronics Division, Electrochemical Society Meeting, Compound Semiconductor Power Transistors Symposium (2nd : 2000 : Toronto, Ontario), and State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (32nd : 2000 : Toronto, Ontario), eds. Compound semiconductor power transistors II and: State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXII). Pennington, New Jersey: Electrochemical Society, 2000.
Знайти повний текст джерелаLutz, Josef. Semiconductor power devices: Physics, characteristics, reliability. Berlin: Springer-Verlag, 2011.
Знайти повний текст джерелаLiu, Xingsheng, Wei Zhao, Lingling Xiong, and Hui Liu. Packaging of High Power Semiconductor Lasers. New York, NY: Springer New York, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-9263-4.
Повний текст джерелаBenda, Vítězslav. Power semiconductor devices: Theory and applications. Chichester: Wiley, 1999.
Знайти повний текст джерелаA, Neugebauer C., ed. The Packaging of power semiconductor devices. New York: Gordon and Breach Science Publishers, 1986.
Знайти повний текст джерелаBrown, Marty. Practical switching power supply design. San Diego: Academic Press, 1990.
Знайти повний текст джерелаCenter, Goddard Space Flight, ed. Modulation characteristics of a high-power semiconductor master oscillator power amplifier (MOPA). Greenbelt, Md: National Aeronautics and Space Administration, Goddard Space Flight Center, 1992.
Знайти повний текст джерелаCenter, Goddard Space Flight, ed. Modulation characteristics of a high-power semiconductor master oscillator power amplifier (MOPA). Greenbelt, Md: National Aeronautics and Space Administration, Goddard Space Flight Center, 1992.
Знайти повний текст джерелаFisher, Marvin J. Power electronics. Boston: PWS-Kent Pub. Co., 1991.
Знайти повний текст джерелаZhao, Wei, Hui Liu, Xingsheng Liu, and Lingling Xiong. Packaging of High Power Semiconductor Lasers. Springer, 2014.
Знайти повний текст джерела