Добірка наукової літератури з теми "Polymer Charge Trapping Memory"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Polymer Charge Trapping Memory".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "Polymer Charge Trapping Memory"
Prime, D., S. Paul, and P. W. Josephs-Franks. "Gold nanoparticle charge trapping and relation to organic polymer memory devices." Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 367, no. 1905 (October 28, 2009): 4215–25. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2009.0141.
Повний текст джерелаCasalbore-Miceli, Giuseppe, Nadia Camaioni, Alessandro Geri, Giovanni Ridolfi, Alberto Zanelli, Maria C. Gallazzi, Michele Maggini, and Tiziana Benincori. "“Solid state charge trapping”: Examples of polymer systems showing memory effect." Journal of Electroanalytical Chemistry 603, no. 2 (May 2007): 227–34. http://dx.doi.org/10.1016/j.jelechem.2007.02.007.
Повний текст джерелаMurari, Nishit M., Ye-Jin Hwang, Felix Sunjoo Kim, and Samson A. Jenekhe. "Organic nonvolatile memory devices utilizing intrinsic charge-trapping phenomena in an n-type polymer semiconductor." Organic Electronics 31 (April 2016): 104–10. http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2016.01.015.
Повний текст джерелаRajeev, V. R., та K. N. Narayanan Unni. "Polymer electret-based organic field-effect transistor memory with a solution-processable bilayer (PαMS/ cross-linked PVP) gate dielectric". European Physical Journal Applied Physics 97 (2022): 17. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2022210175.
Повний текст джерелаWu, Chao, Yongping Dan, Wei Wang, Xiangyang Lu, and Xinqiang Wang. "Solution processed nonvolatile polymer transistor memory with discrete distributing molecular semiconductor microdomains as the charge trapping sites." Semiconductor Science and Technology 33, no. 9 (July 30, 2018): 095003. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/aad2b9.
Повний текст джерелаHe, Dongwei, Hao Zhuang, Haifeng Liu, Hongzhang Liu, Hua Li, and Jianmei Lu. "Adjustment of conformation change and charge trapping in ion-doped polymers to achieve ternary memory performance." Journal of Materials Chemistry C 1, no. 47 (2013): 7883. http://dx.doi.org/10.1039/c3tc31759e.
Повний текст джерелаBaeg, Kang-Jun, Yong-Young Noh, and Dong-Yu Kim. "Charge transfer and trapping properties in polymer gate dielectrics for non-volatile organic field-effect transistor memory applications." Solid-State Electronics 53, no. 11 (November 2009): 1165–68. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2009.07.003.
Повний текст джерелаLing, Haifeng, Wen Li, Huanqun Li, Mingdong Yi, Linghai Xie, Laiyuan Wang, Yangxing Ma, Yan Bao, Fengning Guo, and Wei Huang. "Effect of thickness of polymer electret on charge trapping properties of pentacene-based nonvolatile field-effect transistor memory." Organic Electronics 43 (April 2017): 222–28. http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2017.01.017.
Повний текст джерелаZhang, Bo, Qihang Gao, Boping Wang, Hong Wang, Chao Lu, Jiashu Gao, Rui Zhao, and Xiaobing Yan. "Effects of oxygen conditions during deposition on memory performance of metal/HfO2/SiO2/Si structured charge trapping memory." Materials Research Express 6, no. 8 (May 10, 2019): 086306. http://dx.doi.org/10.1088/2053-1591/ab1df0.
Повний текст джерелаWang, Wei, Sun Kak Hwang, Kang Lib Kim, Ju Han Lee, Suk Man Cho, and Cheolmin Park. "Highly Reliable Top-Gated Thin-Film Transistor Memory with Semiconducting, Tunneling, Charge-Trapping, and Blocking Layers All of Flexible Polymers." ACS Applied Materials & Interfaces 7, no. 20 (May 15, 2015): 10957–65. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.5b02213.
Повний текст джерелаДисертації з теми "Polymer Charge Trapping Memory"
Tao, Qingbo, and 陶庆波. "A study on the dielectrics of charge-trapping flash memory devices." Thesis, The University of Hong Kong (Pokfulam, Hong Kong), 2013. http://hdl.handle.net/10722/196488.
Повний текст джерелаpublished_or_final_version
Electrical and Electronic Engineering
Doctoral
Doctor of Philosophy
Huang, Xiaodong, and 黄晓东. "A study on high-k dielectrics for discrete charge-trapping flash memory applications." Thesis, The University of Hong Kong (Pokfulam, Hong Kong), 2013. http://hub.hku.hk/bib/B5043438X.
Повний текст джерелаpublished_or_final_version
Electrical and Electronic Engineering
Doctoral
Doctor of Philosophy
Jakobsson, Fredrik Lars Emil. "Charge transport modulation in organic electronic diodes." Doctoral thesis, Linköpings universitet, Institutionen för teknik och naturvetenskap, 2008. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-14719.
Повний текст джерелаElektroniska komponenter har traditionellt sett tillverkats av kisel ellerandra liknande inorganiska material. Denna teknologi har förfinats intillperfektion sedan mitten av 1900-talet och idag har kiselkretsar mycket högprestanda. Tillverkningen av dessas kretsar är dock komplicerad och är därförkostsam. Under 1970-talet upptäcktes att organiska polymerer (dvs plast) kanleda ström under vissa förutsättningar. Genom att välja lämplig polymer ochbehandla den med vissa kemikalier (så kallad dopning) kan man varieraledningsförmågan från isolerande till nästintill metallisk. Det öppnarmöjligheten för att skapa elektroniska komponenter där dessa organiskamaterial utgör den aktiva delen istället för kisel. En av de stora fördelarna medorganiska material är att de vanligtvis är lösliga i vanliga lösningsmedel. Det göratt komponenter kan tillverkas mycket enkelt och billigt genom att användakonventionell tryckteknik, där bläcket har ersatts med lösningen av detorganiska materialet. Det gör också att komponenterna kan tillverkas påokonventionella ytor såsom papper, plast eller textil. En annan spännandemöjlighet med organiska material är att dess funktioner kan skräddarsys genomvälkontrollerad kemisk syntes på molekylär nivå. Inom forskningsområdetOrganisk Elektronik studerar man de elektroniska egenskaperna i de organiskamaterialen och hur man kan använda dessa material i elektroniskakomponenter. Vi omges idag av apparater och applikationer som kräver att data sparas,som till exempel digitala kameror, datorer och mobiltelefoner. Eftersom det finnsett stort intresse från konsumenter för nya smarta produkter ökar behovet avmobila lagringsmedia med stor lagringskapacitet i rasande fart. Detta harsporrat en intensiv utveckling av större och billigare fickminnen, hårddiskar ochminneskort. Många olika typer av minneskomponenter baserade på organiskamaterial har föreslagits de senaste åren. I vissa fall har dessa påståtts kunna erbjuda både billigare och större minnen än vad dagens kiselteknologi tillåter.En typ av organiska elektroniska minnen baseras på en reversibel ochkontrollerbar förändring av ledningsförmågan i komponenten. En informationsenhet – en så kallad bit – kan då lagras genom att till exempel koda en högledningsförmåga som en ”1” och en låg ledningsförmåga som en ”0”. Den härdoktorsavhandlingen är ett försök till att öka förståelsen för sådanaminneskomponenter. Minneskomponenter bestående av det organiska materialet Rose Bengalmellan metallelektroder har undersökts. Egenskaper för system bestående avmånga sådana komponenter har beräknats. Vidare visas att minnesfenomenetinte härstammar i det organiska materialet utan i metallelektroderna.Tillsammans med studier av andra forskargrupper har det här resultatetbidragit till en debatt om huruvida minnesmekanismerna i andra typer avkomponenter verkligen beror på det organiska materialet.Olika sätt att ändra transporten av laddningar i organiska elektroniskasystem har undersökts. Det visas experimentellt hur överföringen av laddningarmellan metallelektroder och det organiska materialet kan förbättras genom attmodifiera metallelektroderna på molekylär nivå. Vidare har det studeratsteoretiskt hur laddningar kan fastna (så kallad trapping) i organiska materialoch därmed påverka ledningsförmågan i materialet.En speciell typ av organiska molekyler ändrar sin struktur, och därmedegenskaper, reversibelt när de belyses av ljus av en viss våglängd, så kalladefotokroma molekyler. Denna förändring kan användas till att ändraledningsförmågan genom en komponent och därmed skulle man kunna användamolekylerna i en minneskomponent. I den sista delen av avhandlingen användskvantkemiska metoder för att beräkna egenskaperna hos dessa molekyler för attöka förståelsen för hur de kan användas i minneskomponenter.
Simon, Daniel. "Multistability, Ionic Doping, and Charge Dynamics in Electrosynthesized Polypyrrole, Polymer-Nanoparticle Blend Nonvolatile Memory, and Fixed p-i-n Junction Polymer Light-Emitting Electrochemical Cells." Doctoral thesis, University of California, Santa Cruz, USA, 2007. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-94587.
Повний текст джерелаGriffo, Michael S. "Charge dynamics in polymer-nanoparticle blends for nonvolatile memory : Surface enhanced fluorescence of a semiconducting polymer; surface plasmon assisted luminescent solar concentrator waveguides /." Diss., Digital Dissertations Database. Restricted to UC campuses, 2009. http://uclibs.org/PID/11984.
Повний текст джерелаSimon, Daniel Theodore. "Multistability, ionic doping, and charge dynamics in electrosynthesized polypyrrole, polymer-nanoparticle blend nonvolatile memory, and fixed P-I-N junction polymer light-emitting electrochemical cells /." Diss., Digital Dissertations Database. Restricted to UC campuses, 2007. http://uclibs.org/PID/11984.
Повний текст джерелаPrime, Dominic Charles. "Switching mechanisms, electrical characterisation and fabrication of nanoparticle based non-volatile polymer memory devices." Thesis, De Montfort University, 2010. http://hdl.handle.net/2086/3314.
Повний текст джерелаGebel, Thoralf. "Nanocluster-rich SiO2 layers produced by ion beam synthesis: electrical and optoelectronic properties." Forschungszentrum Dresden, 2010. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:d120-qucosa-29449.
Повний текст джерелаGebel, Thoralf. "Nanocluster-rich SiO2 layers produced by ion beam synthesis: electrical and optoelectronic properties." Forschungszentrum Rossendorf, 2002. https://hzdr.qucosa.de/id/qucosa%3A21773.
Повний текст джерелаGoh, Roland Ghim Siong. "Carbon nanotubes for organic electronics." Thesis, Queensland University of Technology, 2008. https://eprints.qut.edu.au/20849/1/Roland_Goh_Thesis.pdf.
Повний текст джерелаКниги з теми "Polymer Charge Trapping Memory"
Nanomaterials-Based Charge Trapping Memory Devices. Elsevier, 2020. http://dx.doi.org/10.1016/c2018-0-05519-x.
Повний текст джерелаNayfeh, Ammar, and Nazek El-Atab. Nanomaterials-Based Charge Trapping Memory Devices. Elsevier, 2020.
Знайти повний текст джерелаNayfeh, Ammar, and Nazek El-Atab. Nanomaterials-Based Charge Trapping Memory Devices. Elsevier, 2020.
Знайти повний текст джерелаЧастини книг з теми "Polymer Charge Trapping Memory"
Saranti, Konstantina, and Shashi Paul. "Charge-Trap-Non-volatile Memory and Focus on Flexible Flash Memory Devices." In Charge-Trapping Non-Volatile Memories, 55–89. Cham: Springer International Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-48705-2_2.
Повний текст джерелаFakher, S., A. Sleiman, A. Ayesh, A. AL-Ghaferi, M. C. Petty, D. Zeze, and Mohammed Mabrook. "Organic Floating Gate Memory Structures." In Charge-Trapping Non-Volatile Memories, 123–56. Cham: Springer International Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-48705-2_4.
Повний текст джерелаNayfeh, Ammar, and Nazek El-Atab. "Overview of charge trapping memory devices—charge trapping layer engineering." In Nanomaterials-Based Charge Trapping Memory Devices, 45–66. Elsevier, 2020. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-12-822342-0.00003-1.
Повний текст джерелаNayfeh, Ammar, and Nazek El-Atab. "Basics of memory devices." In Nanomaterials-Based Charge Trapping Memory Devices, 1–22. Elsevier, 2020. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-12-822342-0.00001-8.
Повний текст джерелаNayfeh, Ammar, and Nazek El-Atab. "Scalability of nano-island based memory devices." In Nanomaterials-Based Charge Trapping Memory Devices, 155–74. Elsevier, 2020. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-12-822342-0.00007-9.
Повний текст джерелаNayfeh, Ammar, and Nazek El-Atab. "Overview of charge trapping memory devices—Tunnel band engineering." In Nanomaterials-Based Charge Trapping Memory Devices, 23–44. Elsevier, 2020. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-12-822342-0.00002-x.
Повний текст джерелаNayfeh, Ammar, and Nazek El-Atab. "Atomic layer deposition based nano-island growth." In Nanomaterials-Based Charge Trapping Memory Devices, 67–106. Elsevier, 2020. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-12-822342-0.00004-3.
Повний текст джерелаNayfeh, Ammar, and Nazek El-Atab. "Laser ablated nanoparticles synthesis." In Nanomaterials-Based Charge Trapping Memory Devices, 107–31. Elsevier, 2020. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-12-822342-0.00005-5.
Повний текст джерелаNayfeh, Ammar, and Nazek El-Atab. "Agglomeration-based nanoparticle fabrication." In Nanomaterials-Based Charge Trapping Memory Devices, 133–53. Elsevier, 2020. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-12-822342-0.00006-7.
Повний текст джерела"Front matter." In Nanomaterials-Based Charge Trapping Memory Devices, iii. Elsevier, 2020. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-12-822342-0.00008-0.
Повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "Polymer Charge Trapping Memory"
Bory, Benjamin F., Paulo Rocha, Henrique L. Gomes, Dago M. de Leeuw, and Stefan C. J. Meskers. "Charge trapping at the polymer-metal oxide interface as a first step in the electroforming of organic-inorganic memory diodes." In SPIE Organic Photonics + Electronics, edited by Emil J. W. List Kratochvil. SPIE, 2015. http://dx.doi.org/10.1117/12.2186577.
Повний текст джерелаCampbell, Alasdair J., Michael S. Weaver, Donal D. C. Bradley, and David G. Lidzey. "Charge trapping in polymer electroluminescent devices." In Optical Science, Engineering and Instrumentation '97, edited by Zakya H. Kafafi. SPIE, 1997. http://dx.doi.org/10.1117/12.279320.
Повний текст джерелаTsukamoto, T., K. Matsumoto, A. Hirao, and H. Nishizawa. "Charge carrier trapping in the photorefractive polymer." In Photorefractive Effects, Materials, and Devices. Washington, D.C.: OSA, 2001. http://dx.doi.org/10.1364/pemd.2001.391.
Повний текст джерелаChin, Albert, C. Y. Tsai, and Hong Wang. "High performance charge-trapping flash memory with highly-scaled trapping layer." In 2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS). IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/nvmts.2011.6137106.
Повний текст джерелаBeug, M. F., T. Melde, M. Isler, L. Bach, M. Ackermann, S. Riedel, K. Knobloch, and C. Ludwig. "Anomalous Erase Behavior in Charge Trapping Memory Cells." In 2008 Joint Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop and International Conference on Memory Technology and Design. IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/nvsmw.2008.42.
Повний текст джерелаSong, Y. C., X. Y. Liu, K. Zhao, J. F. Kang, R. Q. Hant, Z. L. Xia, D. Kim, and K.-H. Lee. "Local accumulated free carriers in charge trapping memory." In 2008 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/snw.2008.5418392.
Повний текст джерелаLiu, X. Y., Y. C. Song, Gang Du, R. Q. Han, Z. L. Xia, D. Kim, and K. H. Lee. "Simulation of charge trapping memory with novel structures." In 2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT). IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/icsict.2008.4734582.
Повний текст джерелаRizk, Ayman, Feyza B. Oruc, Ali K. Okyay, and Ammar Nayfeh. "ZnO based charge trapping memory with embedded nanoparticles." In 2012 IEEE 12th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/nano.2012.6322033.
Повний текст джерелаLun, Zhiyuan, Taihuan Wang, Lang Zeng, Kai Zhao, Xiaoyan Liu, Yi Wang, Jinfeng Kang, and Gang Du. "Simulation on endurance characteristic of charge trapping memory." In 2013 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/sispad.2013.6650632.
Повний текст джерелаPeng, Y., F. Liu, X. Liu, G. Du, and J. Kang. "Improved Memory Characteristics of A Novel TATHOS-Structured Charge Trapping Memory." In 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2012. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2012.ps-4-4.
Повний текст джерела