Добірка наукової літератури з теми "Polissage CMP"

Walther, Sten M., Karen B. Domino, Robb W. Glenny, Nayak L. Polissar, and Michael P. Hlastala. Pulmonary blood flow distribution has a hilar-to-peripheral gradient in awake, prone sheep. J. Appl. Physiol. 82(2): 678–685, 1997.—We examined the pulmonary blood flow distribution with intravenous fluorescent microspheres (15 μm) in nine prone, unanesthetized, lambs. Lungs flushed free of blood were air-dried at total lung capacity and sectioned into ∼2-cm3 pieces. The pieces were weighed, identified by lobe, and assigned spatial coordinates. Fluorescence was read on a spectrophotometer, and signals were corrected for piece weight and normalized to mean flow. Pulmonary blood flow heterogeneity was assessed by using the coefficient of variation of the flow data. The number of pieces (±SD) analyzed were 1,249 ± 150/animal. Heterogeneity of blood flow was 29.5 ± 6.5% (coefficient of variation = SD/mean). Pulmonary blood flow decreased with distance from hilus ( P < 0.002) but did not change significantly with vertical height. Distance from the hilus was the best predictor of pulmonary blood flow ( R 2 = 0.201) and, together with spatial coordinates and lobe, accounted for 33.7 ± 12.0% of blood flow variability. We conclude that pulmonary blood flow in the awake, prone sheep is distributed with a hilar-to-peripheral gradient but no significant vertical gradient.

Le polissage mécano-chimique (CMP pour Chemical Mechanical Polishing) consiste à appliquer une suspension colloïdale contenant des particules abrasives sur une surface solide (le substrat) au travers d’une pression exercée par un disque de polymère (le pad) en rotation. Un substrat de silice et des particules d’oxyde de cérium ont été choisis comme système de référence pour aider à la compréhension du mécanisme de polissage CMP. Des études macroscopiques ont été réalisées sur ce système afin d'étudier les effets de la concentration ou de la taille des particules abrasives, ainsi que l’influence du pH ou de la force ionique de la suspension de polissage. Le mécanisme a également été étudié à un niveau microscopique, en se concentrant sur les interactions entre le substrat et les particules abrasives. Cela a été effectué par une approche multi-instrumentale (zêtamétrie, ATR-FTIR, MET, SAXS, dosages chimiques, AFM). L’étude du polissage implique une bonne connaissance des surfaces en jeu, l'acido-basicité et l'oxydo-réduction des surfaces de CeO2 ont donc été étudiés. A partir de la compréhension acquise, des modifications des particules abrasives ont été réalisées (synthèse de particules cœur-coquilles et de solutions solides), et des particules de CeO2 de morphologies différentes testées
Chemical Mechanical Polishing (CMP) consists in applying a slurry of colloidal particles onto a solid surface called substrate, through a pressure applied with a rotating polymeric pad. A silica substrate and CeO2 particles were chosen as reference system to study the mechanism of CMP. Macroscopic studies have shown the effect of the concentration and the size of abrasive particles, as well as the importance of pH and ionic strength. The mechanism was more thoroughly studied by recirculating the slurry in fixed conditions. Surface interactions between the substrate and the particles were studied thanks to a multi-instrumental approach (zeta potential, ATR-FTIR, TEM, SAXS, chemical analysis, AFM).A good understanding of the surfaces at stake is necessary to study the mechanism of polishing. Acid-basic and redox properties of the CeO2 surface were therefore investigated. Finally, the surface chemistry of the abrasive particles were modified (synthesis of core-shell particles and solid solutions), and different ceria morphologies were tested

Ce mémoire est le résultat d'un projet de fabrication de transistors monoélectroniques (SET). Ces dispositifs, fabriqués pour la première fois à la fin des années quatre-vingt, permettent d'observer le passage d'un nombre discret d'électrons entre deux électrodes. À température ambiante, le fonctionnement des transistors n'est pas garanti, et nécessite généralement des composantes de taille nanométriques. Autrefois vus comme de potentiels remplaçants aux transistors MOSFET dans les circuits intégrés, les SET ont vu le consensus général quant à leur application migrer vers les applications-niche, et vers une intégration hybride SET-CMOS. On présente ici une méthode de fabrication basée sur un procédé damascène développé par Dubuc et al .[10][l1]. Les résultats obtenus antérieurement ont démontré que des transistors ainsi fabriqués atteignent des températures maximales d'opération de 433K. Par contre, la fabrication fait appel exclusivement à la lithographie par faisceau d'électrons. Si cette technique permet de définir des motifs de très petite taille, elle est néanmoins relativement lente pour l'écriture de motifs de plus grande taille tels que des pistes de contact électrique. Les motifs sont lithographies directement dans le SiO[indice inférieur 2], qui est une électrorésine à très haute résolution, mais qui demande des doses d'expositions très élevées, ralentissant davantage le procédé. De plus, les transistors utilisent l'arrière de l'échantillon en lieu de grille de contrôle, ce qui fait qu'il est impossible de contrôler individuellement les transistors. Le projet de recherche propose une plateforme pour la fabrication de SET damascène par lithographie hybride. Le but est de prendre avantage à la fois de la rapidité et de la production en lot de la photolithographie, et de la capacité d'écriture de composantes de taille submicronique de l'électrolithographie. On propose également l'ajout d'une grille individuelle auto-alignée et la migration vers la gravure plasma du diélectrique SiO[indice inférieur 2] avec un masque d'électrorésine en PMMA. Ces changements demandent la conception d'un photomasque comprenant les parties des dispositifs qui sont d'assez grande taille pour être fabriquées en photolithographie. Le design de deux dispositifs-test est également proposé. Ces dispositifs servent à caractériser les couches métalliques employées, les caractéristiques électriques des transistors et les paramètres de fabrication. La réalisation de la plateforme a permis l'accélération du rythme de production des dispositifs, tout en établissant un point de départ pour des évolutions futures. Le procédé de fabrication incluant une grille de surface auto-alignée a également été montré avec succès. Des problèmes de polissage et de dépôt par soulèvement de couches métalliques ont empêché la réalisation de dispositifs complets et fonctionnels électriquement pendant la durée du projet.

L'objectif de ce travail de thèse a été d'évaluer, à partir d'outils de caractérisation électrique (spectroscopie d'impédance basse fréquence et courants thermo-stimulés), l'impact des étapes de polissage mécanochimique (CMP) et de recuits thermiques sur les propriétés diélectriques de matériaux utilisés pour les dernières générations de circuits intégrés. Une première partie est focalisée sur le matériau SiOCH poreux déposé par voie chimique " en phase vapeur " assisté par plasma (PECVD) suivant une approche porogène (p=26%, d=2nm et er=2,5). Son intégration dans les technologies 45nm nécessite l'utilisation d'un procédé de 'CMP directe' qui induit une dégradation des propriétés isolantes attribuée à l'adsorption de surfactants et de molécules d'eau. L'analyse diélectrique sur une large gamme de fréquence (10-1Hz- 105Hz) et de température (-120°C -200°C) a mis en évidence plusieurs mécanismes de relaxation diélectrique et de conduction liés à la présence de molécules nanoconfinées (eau et porogène) dans les pores du matériau. L'étude de ces mécanismes a permis d'illustrer le phénomène de reprise en eau du SiOCH poreux ainsi que d'évaluer la capacité de traitements thermiques à en restaurer les performances. Une seconde partie concerne l'étude d'une résine époxy chargée avec des nanoparticules de silice, utilisée en tant que 'wafer level underfill' dans les technologies d'intégration 3D. Les analyses en spectroscopie d'impédance ont montré que l'ajout de nanoparticules de silice s'accompagne d'une élévation de la température de transition vitreuse et de la permittivité diélectrique, ainsi que d'une diminution de la conductivité basse fréquence. L'autre contribution majeure des mesures diélectriques a été de montrer qu'un refroidissement trop rapide de la résine à l'issue de la réticulation était responsable d'une contrainte interne qui pourra occasionner des problèmes de fiabilité pour l'application.

Ce travail de thèse porte sur l’étude des mécanismes physico-chimiques mis en jeu lors du polissage mécano-chimique du Zerodur® (vitrocéramique) par un abrasif à base d’oxydes de cérium. Les défauts obtenus à l’issu du polissage ont été caractérisés en microscopie optique et par microscopie à force atomique (AFM). Il en ressort deux principales populations, à savoir des rayures de type « fines » (longitudinales et continues) causées par des débris de matière polie. La seconde est la typologie « rayure éclat » (fractures perpendiculaires au sens de la rayure) causées par des agglomérats d’abrasif. Des analyses en spectroscopie RX de l’abrasif montrent une augmentation du ratio Ce3+/Ce4+ après la phase de polissage, confirmant la part chimique du polissage du Zerodur®. Des analyses de potentiel zêta ont été menées sur ces mêmes abrasifs et montrent une évolution de la charge de surface des particules abrasives. Des observations AFM montrent que plus la part Ce4+ est importante et meilleure est la qualité finale de la surface polie. La surface polie a également été sondée en ToF-SIMS. Il en ressort la présence d’une couche enrichie en cérium de plusieurs dizaines de nanomètres, lieu de la réaction mécano-chimique de polissage. Plus précisément, cette réaction semble avoir lieu dans la phase vitreuse du Zerodur®
This PhD work focuses on the study of the physicochemical mechanisms involved in the chemical-mechanical polishing of Zerodur® (glass-ceramics) with an abrasive based on cerium oxides. The defects observed after polishing were characterized by optical microscopy and atomic force microscopy (AFM). Two main populations were observed, namely "fine" (longitudinal and continuous stripes) caused by debris of polished material. The second is called "scratch" (perpendicular fractures) caused by abrasive agglomerates. RX spectroscopic analyzes of the abrasive showed an increase in the Ce3+/ Ce4+ ratio after the polishing phase. This point confirms the chemical part of Zerodur® polishing. Zeta potential analyzes were carried out on these same abrasives and show an evolution of the abrasive surface charge. AFM observations show that the higher the Ce4+ concentration, the better the final polished surface quality. The polished surface was also probed with ToF-SIMS analyzes. This shows the presence of a cerium-enriched layer of several tens of nanometers, which may be a site for the chemical-mechanical polishing reaction. More precisely, this reaction seems to take place in the glassy phase of Zerodur®