Добірка наукової літератури з теми "Plasma Chemistry - SiH4"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Зміст
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Plasma Chemistry - SiH4".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "Plasma Chemistry - SiH4"
Orlicki, Dariusz, Vladimir Hlavacek, and Hendrik J. Viljoen. "Modeling of a–Si:H deposition in a dc glow discharge reactor." Journal of Materials Research 7, no. 8 (August 1992): 2160–81. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1992.2160.
Повний текст джерелаSchram, Daniel C. "Plasma processing and chemistry." Pure and Applied Chemistry 74, no. 3 (January 1, 2002): 369–80. http://dx.doi.org/10.1351/pac200274030369.
Повний текст джерелаNakayama, Yoshikazu, Kazuo Wakimura, Seiki Takahashi, Hideki Kita, and Takao Kawamura. "Plasma deposition of aSi:H:F films from SiH2F2 and SiF4SiH4." Journal of Non-Crystalline Solids 77-78 (December 1985): 797–800. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3093(85)90780-x.
Повний текст джерелаPark, Hwanyeol, and Ho Jun Kim. "Theoretical Analysis of Si2H6 Adsorption on Hydrogenated Silicon Surfaces for Fast Deposition Using Intermediate Pressure SiH4 Capacitively Coupled Plasma." Coatings 11, no. 9 (August 29, 2021): 1041. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11091041.
Повний текст джерелаKim, Ho Jun. "Importance of Dielectric Elements for Attaining Process Uniformity in Capacitively Coupled Plasma Deposition Reactors." Coatings 12, no. 4 (March 28, 2022): 457. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12040457.
Повний текст джерелаMilne, S. B., Y. Q. Fu, J. K. Luo, A. J. Flewitt, S. Pisana, A. Fasoli, and W. I. Milne. "Stress and Crystallization of Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Nanocrystalline Silicon Films." Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, no. 5 (May 1, 2008): 2693–98. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.629.
Повний текст джерелаYuuki, Akimasa, Takaaki Kawahara, Yasuji Matsui, and Kunihide Tachibana. "A Study of Film Precursors in SiH4 Plasma-Enhanced CVD." KAGAKU KOGAKU RONBUNSHU 17, no. 4 (1991): 758–67. http://dx.doi.org/10.1252/kakoronbunshu.17.758.
Повний текст джерелаJo, Sanghyun, Suik Kang, Kyungjun Lee, and Ho Jun Kim. "Helium Metastable Distributions and Their Effect on the Uniformity of Hydrogenated Amorphous Silicon Depositions in He/SiH4 Capacitively Coupled Plasmas." Coatings 12, no. 9 (September 15, 2022): 1342. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12091342.
Повний текст джерелаKim, Dong-Joo, and Kyo-Seon Kim. "Effect of pulse modulation on particle growth during SiH4 plasma process." Korean Journal of Chemical Engineering 25, no. 4 (July 2008): 939–46. http://dx.doi.org/10.1007/s11814-008-0153-8.
Повний текст джерелаThang, Doan Ha, Hiroshi Muta, and Yoshinobu Kawai. "Investigation of plasma parameters in 915 MHz ECR plasma with SiH4/H2 mixtures." Thin Solid Films 516, no. 13 (May 2008): 4452–55. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.10.099.
Повний текст джерела