Статті в журналах з теми "Photodiode avalanche"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "Photodiode avalanche".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Maleev N.A., Kuzmenkov A.G., Kulagina M.M., Vasyl’ev A. P., Blokhin S. A., Troshkov S.I., Nashchekin A.V., et al. "Mushroom mesa structure for InAlAs-InGaAs avalanche photodiodes." Technical Physics Letters 48, no. 14 (2022): 28. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.14.52106.18939.
Повний текст джерелаGiggenbach, Dirk. "Free-Space Optical Data Receivers with Avalanche Detectors for Satellite Downlinks Regarding Background Light." Sensors 22, no. 18 (September 7, 2022): 6773. http://dx.doi.org/10.3390/s22186773.
Повний текст джерелаАруев, П. Н., В. П. Белик, В. В. Забродский, Е. М. Круглов, А. В. Николаев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, В. В. Филимонов та Е. В. Шерстнев. "Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 120-170 nm". Журнал технической физики 90, № 8 (2020): 1386. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.08.49552.44-20.
Повний текст джерелаAruev P. N., Belik V. P., Blokhin A. A., Zabrodskii V. V., Nikolaev A. V., Sakharov V. I., Serenkov I. T., Filimonov V. V., and Sherstnev E. V. "In memoriam of E.M. Kruglov and V.V. Filimonov Quantum yield of an avalanche silicon photodiode in the 114-170 and 210-1100 nm wavelength ranges." Technical Physics Letters 48, no. 3 (2022): 3. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.03.52871.19026.
Повний текст джерелаDeeb, Hazem, Kristina Khomyakova, Andrey Kokhanenko, Rahaf Douhan, and Kirill Lozovoy. "Dependence of Ge/Si Avalanche Photodiode Performance on the Thickness and Doping Concentration of the Multiplication and Absorption Layers." Inorganics 11, no. 7 (July 15, 2023): 303. http://dx.doi.org/10.3390/inorganics11070303.
Повний текст джерелаSingh, Anand, and Ravinder Pal. "Infrared Avalanche Photodiode Detectors." Defence Science Journal 67, no. 2 (March 14, 2017): 159. http://dx.doi.org/10.14429/dsj.67.11183.
Повний текст джерелаPauchard, A., P. A. Besse, M. Bartek, R. F. Wolffenbuttel, and R. S. Popovic. "Ultraviolet-selective avalanche photodiode." Sensors and Actuators A: Physical 82, no. 1-3 (May 2000): 128–34. http://dx.doi.org/10.1016/s0924-4247(99)00326-x.
Повний текст джерелаHobbs, Matthew James, and Jon R. Willmott. "InGaAs avalanche photodiode thermometry." Measurement Science and Technology 31, no. 1 (October 25, 2019): 014005. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6501/ab41c6.
Повний текст джерелаLevi, Barbara Goss. "High‐Gain Avalanche Photodiode." Physics Today 50, no. 4 (April 1997): 21–22. http://dx.doi.org/10.1063/1.881723.
Повний текст джерелаCao, Ye, Tarick Blain, Jonathan D. Taylor-Mew, Longyan Li, Jo Shien Ng, and Chee Hing Tan. "Extremely low excess noise avalanche photodiode with GaAsSb absorption region and AlGaAsSb avalanche region." Applied Physics Letters 122, no. 5 (January 30, 2023): 051103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0139495.
Повний текст джерелаSousa, Ana, Rafael Pinto, Bruno Couto, Beltran Nadal, Hugo Onderwater, Paulo Gordo, Manuel Abreu, Rui Melicio, and Patrick Michel. "Breadboard of Microchip and Avalanche Photodiode in Linear and Geiger Mode for LiDAR Applications." Journal of Physics: Conference Series 2526, no. 1 (June 1, 2023): 012118. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2526/1/012118.
Повний текст джерелаRen, Min, Scott Maddox, Yaojia Chen, Madison Woodson, Joe C. Campbell, and Seth Bank. "AlInAsSb/GaSb staircase avalanche photodiode." Applied Physics Letters 108, no. 8 (February 22, 2016): 081101. http://dx.doi.org/10.1063/1.4942370.
Повний текст джерелаWoodson, Madison E., Min Ren, Scott J. Maddox, Yaojia Chen, Seth R. Bank, and Joe C. Campbell. "Low-noise AlInAsSb avalanche photodiode." Applied Physics Letters 108, no. 8 (February 22, 2016): 081102. http://dx.doi.org/10.1063/1.4942372.
Повний текст джерелаBatra, S., A. Lahiri, and P. Chakrabarti. "InP/Ga0.47In0.53As superlattice avalanche photodiode." Electronics Letters 24, no. 15 (1988): 964. http://dx.doi.org/10.1049/el:19880657.
Повний текст джерелаHuang, Mengyuan, Su Li, Pengfei Cai, Guanghui Hou, Tzung-I. Su, Wang Chen, Ching-yin Hong, and Dong Pan. "Germanium on Silicon Avalanche Photodiode." IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 24, no. 2 (March 2018): 1–11. http://dx.doi.org/10.1109/jstqe.2017.2749958.
Повний текст джерелаLi, Bin, Xiaohong Yang, Weihong Yin, Qianqian Lü, Rong Cui, and Qin Han. "A high-speed avalanche photodiode." Journal of Semiconductors 35, no. 7 (July 2014): 074009. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/35/7/074009.
Повний текст джерелаKagawa, T., Y. Kawamura, and H. Iwamura. "InGaAsP/InAlAs superlattice avalanche photodiode." IEEE Journal of Quantum Electronics 28, no. 6 (June 1992): 1419–23. http://dx.doi.org/10.1109/3.135291.
Повний текст джерелаBeck, J., C. Wan, M. Kinch, J. Robinson, P. Mitra, R. Scritchfield, F. Ma, and J. Campbell. "The HgCdTe electron avalanche photodiode." Journal of Electronic Materials 35, no. 6 (June 2006): 1166–73. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-006-0237-3.
Повний текст джерелаNada, Masahiro, Fumito Nakajima, Toshihide Yoshimatsu, Yasuhiko Nakanishi, Atsushi Kanda, Takahiko Shindo, Shoko Tatsumi, Hideaki Matsuzaki, and Kimikazu Sano. "Inverted p-down Design for High-Speed Photodetectors." Photonics 8, no. 2 (February 4, 2021): 39. http://dx.doi.org/10.3390/photonics8020039.
Повний текст джерелаGulakov, I. R., A. O. Zenevich, O. V. Kochergina, and T. A. Matkovskaia. "Study of the characteristics of germanium avalanche photodiodes in the photon counting mode." Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus, Physical-Technical Series 67, no. 2 (July 2, 2022): 222–29. http://dx.doi.org/10.29235/1561-8358-2022-67-2-222-229.
Повний текст джерелаBuchner, Andre, Stefan Hadrath, Roman Burkard, Florian M. Kolb, Jennifer Ruskowski, Manuel Ligges, and Anton Grabmaier. "Analytical Evaluation of Signal-to-Noise Ratios for Avalanche- and Single-Photon Avalanche Diodes." Sensors 21, no. 8 (April 20, 2021): 2887. http://dx.doi.org/10.3390/s21082887.
Повний текст джерелаde Sousa, Ana, Rafael Pinto, Bruno Couto, Beltran Nadal, Hugo Onderwater, Paulo Gordo, Manuel Abreu, Rui Melicio, and Patrick Michel. "Breadboard of Microchip Laser and Avalanche Photodiode in Geiger and Linear Mode for LiDAR Applications." Applied Sciences 13, no. 9 (May 3, 2023): 5631. http://dx.doi.org/10.3390/app13095631.
Повний текст джерелаSadigov, A. Z., F. I. Ahmadov, Z. Y. Sadygov, G. S. Ahmadov, D. Berikov, M. Holik, A. Mammadli, et al. "Improvement of parameters of micro-pixel avalanche photodiodes." Journal of Instrumentation 17, no. 07 (July 1, 2022): P07021. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/17/07/p07021.
Повний текст джерелаPham, Dinh Khang, Tien Hung Dinh, Kim Chien Dinh, Van Hiep Cao, Xuan Hai Nguyen, and Ngoc Anh Nguyen. "Designing and setting up the scintillationdetector using CsI(Tl) crystals and avalanche photodiode for gamma-ray measurement." Ministry of Science and Technology, Vietnam 63, no. 3 (March 30, 2021): 46–49. http://dx.doi.org/10.31276/vjst.63(3).46-49.
Повний текст джерелаYin Liju, 尹丽菊, 陈钱 Chen Qian, and 张灿林 Zhang Canlin. "Spectral Response Characterization of Avalanche photodiode." Laser & Optoelectronics Progress 47, no. 11 (2010): 111101. http://dx.doi.org/10.3788/lop47.111101.
Повний текст джерелаLi, Kejia, Han-Din Liu, Qiugui Zhou, Dion McIntosh, and Joe C. Campbell. "SiC avalanche photodiode array with microlenses." Optics Express 18, no. 11 (May 18, 2010): 11713. http://dx.doi.org/10.1364/oe.18.011713.
Повний текст джерелаMcIntyre, R. J. "Comment: InP/Ga0.47In0.53As superlattice avalanche photodiode." Electronics Letters 24, no. 22 (1988): 1399. http://dx.doi.org/10.1049/el:19880957.
Повний текст джерелаBatra, S., A. Lahiri, and P. Chakrabarti. "Reply: InP/Ga0.47In0.53As superlattice avalanche photodiode." Electronics Letters 24, no. 22 (1988): 1399. http://dx.doi.org/10.1049/el:19880958.
Повний текст джерелаBrennan, K. "Theory of the channeling avalanche photodiode." IEEE Transactions on Electron Devices 32, no. 11 (November 1985): 2467–78. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1985.22296.
Повний текст джерелаCadorette, J., S. Rodrigue, and R. Lecomte. "Tuning of avalanche photodiode PET camera." IEEE Transactions on Nuclear Science 40, no. 4 (August 1993): 1062–66. http://dx.doi.org/10.1109/23.256713.
Повний текст джерелаGramsch, E., M. Szawlowski, S. Zhang, and M. Madden. "Fast, high density avalanche photodiode array." IEEE Transactions on Nuclear Science 41, no. 4 (1994): 762–66. http://dx.doi.org/10.1109/23.322803.
Повний текст джерелаBlazej, Josef, Ivan Prochazka, Karel Hamal, Bruno Sopko, and Dominik Chren. "Gallium-based avalanche photodiode optical crosstalk." Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 567, no. 1 (November 2006): 239–41. http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2006.05.100.
Повний текст джерелаOlyaee, Saeed, Mohammad Soroosh, and Mahdieh Izadpanah. "Transfer matrix modeling of avalanche photodiode." Frontiers of Optoelectronics 5, no. 3 (July 31, 2012): 317–21. http://dx.doi.org/10.1007/s12200-012-0266-x.
Повний текст джерелаSingh, Anand, A. K. Shukla, and Ravinder Pal. "HgCdTe e-avalanche photodiode detector arrays." AIP Advances 5, no. 8 (August 2015): 087172. http://dx.doi.org/10.1063/1.4929773.
Повний текст джерелаRamirez, David A., Jiayi Shao, Majeed M. Hayat, and Sanjay Krishna. "Midwave infrared quantum dot avalanche photodiode." Applied Physics Letters 97, no. 22 (November 29, 2010): 221106. http://dx.doi.org/10.1063/1.3520519.
Повний текст джерелаMarshall, G. F., J. C. Jackson, J. Denton, P. K. Hurley, O. Braddell, and A. Mathewson. "Avalanche Photodiode-Based Active Pixel Imager." IEEE Transactions on Electron Devices 51, no. 3 (March 2004): 509–11. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2003.823051.
Повний текст джерелаAndo, H., and H. Kanbe. "Effect of avalanche build-up time on avalanche photodiode sensitivity." IEEE Journal of Quantum Electronics 21, no. 3 (March 1985): 251–55. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.1985.1072646.
Повний текст джерелаSuzuki, Shingo, Naoto Namekata, Kenji Tsujino, and Shuichiro Inoue. "Highly enhanced avalanche probability using sinusoidally-gated silicon avalanche photodiode." Applied Physics Letters 104, no. 4 (January 27, 2014): 041105. http://dx.doi.org/10.1063/1.4861645.
Повний текст джерелаAristin, P., A. Torabi, A. K. Garrison, H. M. Harris, and C. J. Summers. "New doped multiple‐quantum‐well avalanche photodiode: The doped barrier Al0.35Ga0.65As/GaAs multiple‐quantum‐well avalanche photodiode." Applied Physics Letters 60, no. 1 (January 6, 1992): 85–87. http://dx.doi.org/10.1063/1.107383.
Повний текст джерелаBlazej, J., and I. Prochazka. "Avalanche dynamics in silicon avalanche single- and few-photon sensitive photodiode." Journal of Physics: Conference Series 193 (November 1, 2009): 012041. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/193/1/012041.
Повний текст джерелаАруев, П. Н., В. П. Белик, А. А. Блохин, В. В. Забродский, А. В. Николаев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, В. В. Филимонов та Е. В. Шерстнев. "Памяти Е.М. Круглова и Филимонова В.В. Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазонах длин волн 114-170 и 210-1100 nm". Письма в журнал технической физики 48, № 5 (2022): 3. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2022.05.52146.19026.
Повний текст джерелаKang, Jong-Ik, Hyuk-Kee Sung, Hyungtak Kim, Eugene Chong, and Ho-Young Cha. "Diode quenching for Geiger mode avalanche photodiode." IEICE Electronics Express 15, no. 9 (2018): 20180062. http://dx.doi.org/10.1587/elex.15.20180062.
Повний текст джерелаBielecki, Z. "Photoreceiver with avalanche C-30645 E photodiode." IEE Proceedings - Optoelectronics 147, no. 4 (August 1, 2000): 234–36. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20000592.
Повний текст джерелаCsutak, S. M., J. Mogab, J. C. Campbell, S. Wang, and J. D. Schaub. "Integrated silicon optical receiver with avalanche photodiode." IEE Proceedings - Optoelectronics 150, no. 3 (June 1, 2003): 235–37. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20030391.
Повний текст джерелаLevine, B. F., R. N. Sacks, J. Ko, M. Jazwiecki, J. A. Valdmanis, D. Gunther, and J. H. Meier. "A New Planar InGaAs–InAlAs Avalanche Photodiode." IEEE Photonics Technology Letters 18, no. 18 (September 2006): 1898–900. http://dx.doi.org/10.1109/lpt.2006.881684.
Повний текст джерелаSadygov, Z., A. Ol’shevskii, N. Anfimov, T. Bokova, A. Dovlatov, V. Zhezher, Z. Krumshtein, et al. "Microchannel avalanche photodiode with broad linearity range." Technical Physics Letters 36, no. 6 (June 2010): 528–30. http://dx.doi.org/10.1134/s106378501006012x.
Повний текст джерелаLiu, Han-Din, Xiaoguang Zheng, Qiugui Zhou, Xiaogang Bai, Dion C. Mcintosh, and Joe C. Campbell. "Double Mesa Sidewall Silicon Carbide Avalanche Photodiode." IEEE Journal of Quantum Electronics 45, no. 12 (December 2009): 1524–28. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2009.2022046.
Повний текст джерелаAbautret, J., J. P. Perez, A. Evirgen, J. Rothman, A. Cordat, and P. Christol. "Characterization of midwave infrared InSb avalanche photodiode." Journal of Applied Physics 117, no. 24 (June 28, 2015): 244502. http://dx.doi.org/10.1063/1.4922977.
Повний текст джерелаSingh, Anand, A. K. Shukla, and Ravinder Pal. "Performance of Graded Bandgap HgCdTe Avalanche Photodiode." IEEE Transactions on Electron Devices 64, no. 3 (March 2017): 1146–52. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2017.2650412.
Повний текст джерелаKirn, Th, D. Schmitz, J. Schwenke, Th Flügel, D. Renker, and H. P. Wirtz. "Wavelength dependence of avalanche photodiode (APD) parameters." Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 387, no. 1-2 (March 1997): 202–4. http://dx.doi.org/10.1016/s0168-9002(96)00990-4.
Повний текст джерела