Статті в журналах з теми "P-type GaAs"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "P-type GaAs".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Fuyuki, Takuma, Shota Kashiyama, Kunishige Oe, and Masahiro Yoshimoto. "Interface States in p-Type GaAs/GaAs1-xBixHeterostructure." Japanese Journal of Applied Physics 51, no. 11S (November 1, 2012): 11PC02. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.51.11pc02.
Повний текст джерелаStichtenoth, D., K. Wegener, C. Gutsche, I. Regolin, F. J. Tegude, W. Prost, M. Seibt, and C. Ronning. "P-type doping of GaAs nanowires." Applied Physics Letters 92, no. 16 (April 21, 2008): 163107. http://dx.doi.org/10.1063/1.2912129.
Повний текст джерелаXie, Zhijian, and S. A. Lyon. "Ballistic transport in p-type GaAs." Applied Physics Letters 75, no. 14 (October 4, 1999): 2085–87. http://dx.doi.org/10.1063/1.124924.
Повний текст джерелаNathan, M. I., W. P. Dumke, K. Wrenner, S. Tiwari, S. L. Wright, and K. A. Jenkins. "Electron mobility in p‐type GaAs." Applied Physics Letters 52, no. 8 (February 22, 1988): 654–56. http://dx.doi.org/10.1063/1.99395.
Повний текст джерелаMoutonnet, D. "Photochemical pattern on p-type GaAs." Materials Letters 6, no. 1-2 (November 1987): 34–36. http://dx.doi.org/10.1016/0167-577x(87)90097-8.
Повний текст джерелаDong, Boqun, Andrei Afanasev, Rolland Johnson, and Mona Zaghloul. "Enhancement of Photoemission on p-Type GaAs Using Surface Acoustic Waves." Sensors 20, no. 8 (April 24, 2020): 2419. http://dx.doi.org/10.3390/s20082419.
Повний текст джерелаBagraev, Nikolai T. "Metastable Surface Defects in p-Type GaAs." Materials Science Forum 143-147 (October 1993): 543–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.543.
Повний текст джерелаIto, Hiroshi, and Tadao Ishibashi. "Surface Recombination Velocity in p-Type GaAs." Japanese Journal of Applied Physics 33, Part 1, No.1A (January 15, 1994): 88–89. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.33.88.
Повний текст джерелаLodha, Saurabh, and David B. Janes. "Metal/molecule/p-type GaAs heterostructure devices." Journal of Applied Physics 100, no. 2 (July 15, 2006): 024503. http://dx.doi.org/10.1063/1.2210569.
Повний текст джерелаKidalov, V. V. "Optical properties of p-type porous GaAs." Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics 8, no. 4 (December 15, 2005): 118–20. http://dx.doi.org/10.15407/spqeo8.04.118.
Повний текст джерелаSchmitz, K. M., K. L. Jiao, R. Sharma, W. A. Anderson, G. Rajeswaran, L. R. Zheng, M. W. Cole, and R. T. Lareau. "Microstructural analysis of Pd-based ohmic contacts to p-type GaAs." Journal of Materials Research 6, no. 3 (March 1991): 553–59. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1991.0553.
Повний текст джерелаSILVA-ANDRADE, F., F. CHÁVEZ, F. TENORIO, N. MORALES, J. I. BECERRA PONCE DE LEON, R. PEÑA-SIERRA, and Y. E. BRAVO-GARCÍA. "GROWTH AND CHARACTERIZATION OF p-Type GaAs LAYERS USING ATOMIC HYDROGEN AS A REAGENT." Modern Physics Letters B 15, no. 17n19 (August 20, 2001): 809–12. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984901002580.
Повний текст джерелаГалиев, Г. Б., Е. А. Климов, А. Н. Клочков, В. Б. Копылов та C. C. Пушкарев. "Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток \LT-GaAs/GaAs : Si\, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А". Физика и техника полупроводников 53, № 2 (2019): 258. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2019.02.47110.8918.
Повний текст джерелаFuyuki, Takuma, Shota Kashiyama, Kunishige Oe, and Masahiro Yoshimoto. "Interface States in p-Type GaAs/GaAs$_{1-x}$Bi$_{x}$ Heterostructure." Japanese Journal of Applied Physics 51 (November 20, 2012): 11PC02. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.51.11pc02.
Повний текст джерелаSharmin, Mehnaz, Shamima Choudhury, Nasrin Akhtar, and Tahmina Begum. "Optical and Transport Properties of p-Type GaAs." Journal of Bangladesh Academy of Sciences 36, no. 1 (June 17, 2012): 97–107. http://dx.doi.org/10.3329/jbas.v36i1.10926.
Повний текст джерелаJia, Y. Q., Hans Jürgen von Bardeleben, Didier Stiévenard, and Christian Delerue. "Intrinsic Defects in Electron Irradiated p-Type GaAs." Materials Science Forum 83-87 (January 1992): 965–70. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.83-87.965.
Повний текст джерелаTang, R‐S, S. B. Saban, J. S. Blakemore, and M. L. Gray. "Melt‐grown p‐type GaAs with iron doping." Journal of Applied Physics 73, no. 11 (June 1993): 7416–21. http://dx.doi.org/10.1063/1.354006.
Повний текст джерелаAboelfotoh, M. O., M. A. Borek, and J. Narayan. "Ohmic contact to p-type GaAs using Cu3Ge." Applied Physics Letters 75, no. 25 (December 20, 1999): 3953–55. http://dx.doi.org/10.1063/1.125505.
Повний текст джерелаAs, D. J., D. Schikora, A. Greiner, M. Lübbers, J. Mimkes, and K. Lischka. "p- andn-type cubic GaN epilayers on GaAs." Physical Review B 54, no. 16 (October 15, 1996): R11118—R11121. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.54.r11118.
Повний текст джерелаSalehzadeh, O., X. Zhang, B. D. Gates, K. L. Kavanagh, and S. P. Watkins. "p-type doping of GaAs nanowires using carbon." Journal of Applied Physics 112, no. 9 (November 2012): 094323. http://dx.doi.org/10.1063/1.4759368.
Повний текст джерелаLin, M. E., G. Xue, G. L. Zhou, J. E. Greene, and H. Morkoç. "p‐type zinc‐blende GaN on GaAs substrates." Applied Physics Letters 63, no. 7 (August 16, 1993): 932–33. http://dx.doi.org/10.1063/1.109848.
Повний текст джерелаJiang, H., R. G. Elliman, and J. S. Williams. "P-type doping of GaAs by carbon implantation." Journal of Electronic Materials 23, no. 4 (April 1994): 391–96. http://dx.doi.org/10.1007/bf02671219.
Повний текст джерелаReemtsma, J. H., K. Heime, W. Schlapp, and G. Weimann. "p-type ohmic contacts to AlGaAs/GaAs heterostructures." Superlattices and Microstructures 4, no. 2 (January 1988): 197–99. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(88)90035-3.
Повний текст джерелаLi, Jingqi, Xiaofeng Chen, Gheorghe Iordache, Nini Wei, and Husam N. Alshareef. "Characteristics of Vertical Carbon Nanotube Field-Effect Transistors on p-GaAs." Nanoscience and Nanotechnology Letters 11, no. 9 (September 1, 2019): 1239–46. http://dx.doi.org/10.1166/nnl.2019.2998.
Повний текст джерелаSong, Yue, Xin Yan, Xia Zhang, Xiao Long Lv, Jun Shuai Li, Yong Qing Huang, and Xiao Min Ren. "Growth and Characterization of Radial pn Junction Gaas Nanowire by MOCVD." Advanced Materials Research 457-458 (January 2012): 165–69. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.457-458.165.
Повний текст джерелаNozaki, Shinji, Ryuji Miyake, Takumi Yamada, Makoto Konagai, and Kiyoshi Takahashi. "GaAs PN Diodes with Heavily Carbon-Doped P-Type GaAs Grown by MOMBE." Japanese Journal of Applied Physics 29, Part 2, No. 10 (October 20, 1990): L1731—L1734. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.29.l1731.
Повний текст джерелаGfroerer, T. H., D. G. Hampton, P. R. Simov, and M. W. Wanlass. "AX-type defects in zinc-doped GaAs(1−x)P(x) on GaAs." Journal of Applied Physics 107, no. 12 (June 15, 2010): 123719. http://dx.doi.org/10.1063/1.3436590.
Повний текст джерелаHeuring, W., E. Bangert, K. Grötsch, G. Landwehr, G. Weimann, W. Schlapp, J. H. Reemtsma, and K. Heime. "Influence of warping on quantum oscillations in p-type GaAs-(GaAl)As heterostructures." Surface Science 229, no. 1-3 (April 1990): 76–79. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(90)90838-y.
Повний текст джерелаNaz, Nazir A., Umar S. Qurashi та M. Zafar Iqbal. "Deep levels in α-irradiated p-type MOCVD GaAs". Physica B: Condensed Matter 401-402 (грудень 2007): 503–6. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2007.09.009.
Повний текст джерелаLi, Bang, Xin Yan, Xia Zhang, and Xiaomin Ren. "Growth and characteristics of p-type doped GaAs nanowire." Journal of Semiconductors 39, no. 5 (April 18, 2018): 053004. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/39/5/053004.
Повний текст джерелаKraak, W., N. Ya Minina, A. M. Savin, A. A. Ilievsky, I. V. Berman, and C. B. Sorensen. "Persistent photoconductivity in p-type Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructures." Nanotechnology 12, no. 4 (November 28, 2001): 577–80. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/12/4/341.
Повний текст джерелаMajid, A., M. Zafar Iqbal, A. Dadgar, and D. Bimberg. "Deep levels in rhodium-doped p-type MOCVD GaAs." Physica B: Condensed Matter 340-342 (December 2003): 362–66. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.074.
Повний текст джерелаGrbić, Boris, Renaud Leturcq, Thomas Ihn, Klaus Ensslin, Dirk Reuter, and Andreas D. Wieck. "Aharonov–Bohm oscillations in p-type GaAs quantum rings." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 40, no. 5 (March 2008): 1273–75. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2007.08.129.
Повний текст джерелаBalkan, A. N., B. K. Ridley, and I. Goodridge. "Free and bound excitons in p-type GaAs MQW." Semiconductor Science and Technology 1, no. 5 (November 1, 1986): 338–42. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/1/5/009.
Повний текст джерелаLu, Yicheng, T. S. Kalkur, and C. A. Paz de Araujo. "Rapid Thermal Alloyed Ohmic Contacts to p‐Type GaAs." Journal of The Electrochemical Society 136, no. 10 (October 1, 1989): 3123–29. http://dx.doi.org/10.1149/1.2096412.
Повний текст джерелаCifuentes, N., H. Limborço, E. R. Viana, D. B. Roa, A. Abelenda, M. I. N. da Silva, M. V. B. Moreira, G. M. Ribeiro, A. G. de Oliveira, and J. C. González. "Electronic transport in p-type Mg-doped GaAs nanowires." physica status solidi (b) 253, no. 10 (June 23, 2016): 1960–64. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201600204.
Повний текст джерелаRamos, L. E., G. M. Sipahi, L. M. R. Scolfaro, R. Enderlein та J. R. Leite. "Minibands of p-type δ-doping superlattices in GaAs". Superlattices and Microstructures 22, № 4 (грудень 1997): 437–42. http://dx.doi.org/10.1006/spmi.1997.0467.
Повний текст джерелаGrbić, Boris, Renaud Leturcq, Klaus Ensslin, Dirk Reuter, and Andreas D. Wieck. "Single-hole transistor in p-type GaAs∕AlGaAs heterostructures." Applied Physics Letters 87, no. 23 (December 5, 2005): 232108. http://dx.doi.org/10.1063/1.2139994.
Повний текст джерелаDeenapanray, Prakash N. K., V. A. Coleman, and C. Jagadish. "Electrical Characterization of Impurity-Free Disordered p-Type GaAs." Electrochemical and Solid-State Letters 6, no. 3 (2003): G37. http://dx.doi.org/10.1149/1.1543335.
Повний текст джерелаZhou, Y., J. H. Jiang, and M. W. Wu. "Electron spin relaxation in p-type GaAs quantum wells." New Journal of Physics 11, no. 11 (November 20, 2009): 113039. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/11/11/113039.
Повний текст джерелаWen, X. M., L. V. Dao, J. A. Davis, P. Hannaford, S. Mokkapati, H. H. Tan, and C. Jagadish. "Carrier dynamics in p-type InGaAs/GaAs quantum dots." Journal of Materials Science: Materials in Electronics 18, S1 (April 7, 2007): 363–65. http://dx.doi.org/10.1007/s10854-007-9241-5.
Повний текст джерелаMacháč, P., and J. Náhlík. "Preparation of p-type GaAs layers for ohmic contact." Journal of Materials Science: Materials in Electronics 6, no. 2 (April 1995): 115–17. http://dx.doi.org/10.1007/bf00188195.
Повний текст джерелаKonagai, Makoto, Takumi Yamada, Takeshi Akatsuka, Shinji Nozaki, Ryuji Miyake, Koki Saito, Taichi Fukamachi, Eisuke Tokumitsu, and Kiyoshi Takahashi. "Metallic p-type GaAs and InGaAs grown by MOMBE." Journal of Crystal Growth 105, no. 1-4 (October 1990): 359–65. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(90)90386-y.
Повний текст джерелаTromans, Desmond, Gordon G. Liu, and Fred Weinberg. "The pitting corrosion of p-type GaAs single crystals." Corrosion Science 35, no. 1-4 (January 1993): 117–25. http://dx.doi.org/10.1016/0010-938x(93)90141-3.
Повний текст джерелаSapriel, J., J. Chavignon, F. Alexandre, R. Azoulay, B. Sermage, K. Rao, and M. Voos. "Above bandgap luminescence of p-type GaAs epitaxial layers." Solid State Communications 79, no. 6 (August 1991): 543–46. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(91)90048-z.
Повний текст джерелаGislason, H. P., B. H. Yang, J. Pétursson, and M. Linnarsson. "Radiative recombination in n‐type and p‐type GaAs compensated with Li." Journal of Applied Physics 74, no. 12 (December 15, 1993): 7275–87. http://dx.doi.org/10.1063/1.354993.
Повний текст джерелаChaqmaqchee, Faten A. "A Comparative Study of Electrical Characterization of P-Doped Distributed Bragg Reflectors Mirrors for 1300 nm Vertical Cavity Semiconductor Optical Amplifiers." ARO-THE SCIENTIFIC JOURNAL OF KOYA UNIVERSITY 9, no. 1 (June 3, 2021): 89–94. http://dx.doi.org/10.14500/aro.10741.
Повний текст джерелаButcher, KSA, D. Alexiev, and TL Tansley. "Minority Carrier Diffusion Lengths for High Purity Liquid Phase Epitaxial GaAs." Australian Journal of Physics 46, no. 2 (1993): 317. http://dx.doi.org/10.1071/ph930317.
Повний текст джерелаSin, Yong Kun, and Hideaki Horikawa. "High-Power InGaAs-GaAs-InGaP Strained Quantum Well Lasers on P-Type GaAs Substrate." Japanese Journal of Applied Physics 34, Part 1, No. 5A (May 15, 1995): 2318–23. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.34.2318.
Повний текст джерелаYang, Quan-kui, Ai-zhen Li, and Jian-xin Chen. "Investigation of Hole Mobility in GaInP/(In)GaAs/GaAs p-Type Modulation Doped Heterostructures." Chinese Physics Letters 16, no. 1 (January 1, 1999): 50–52. http://dx.doi.org/10.1088/0256-307x/16/1/018.
Повний текст джерела