Готові списки джерел за темами / Organic Field Effect TransistorsCompared / Статті в журналах

Статті в журналах з теми "Organic Field Effect TransistorsCompared"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Organic Field Effect TransistorsCompared.
Автор: Grafiati
Опубліковано: 10 грудня 2022
Оновлено: 28 січня 2023

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "Organic Field Effect TransistorsCompared".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Boudinov, Henry, and Gabriel Volkweis Leite. "Organic Field Effect Transistors." Journal of Integrated Circuits and Systems 17, no. 2 (September 17, 2022): 1–12. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v17i2.615.

Повний текст джерела
Анотація:
This article begins with a brief overview of the structure, physical characteristics, and peculiarities of organic field effect transistors. The main differences from the silicon MOSFET are emphasized. The results of poly 3-hexylthiophene and cross-linked polyvinyl alcohol top gate-bottom contact transistors with different channel lengths fabricated by standard photolithography and plasma etching are described. Transistors showed good charge mobility, high ION/IOFF and excellent environmental stability. The Shockley model and the Transmission Line Method (TLM) were applied to characterize the transistors. Mobility was extracted by both methods and differences were discussed. The shorter the channel length and the higher the conductivity of the semiconductor, the greater the impact of contact resistance. In these cases, the use of TLM for parameters extraction becomes essential. The transistors were submitted to extended current-voltage measurements and drain current degradation was observed. Drain current as a function of the integral charge passing through the channel was investigated. The strong decrease in current was found to be related to reduced mobility of charge carriers. Reasons for this behavior are suggested.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Horowitz, Gilles. "Organic Field-Effect Transistors." Advanced Materials 10, no. 5 (March 1998): 365–77. http://dx.doi.org/10.1002/(sici)1521-4095(199803)10:5<365::aid-adma365>3.0.co;2-u.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Yamashita, Yoshiro. "Organic semiconductors for organic field-effect transistors." Science and Technology of Advanced Materials 10, no. 2 (April 2009): 024313. http://dx.doi.org/10.1088/1468-6996/10/2/024313.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Wang, Haibo, and Donghang Yan. "Organic heterostructures in organic field-effect transistors." NPG Asia Materials 2, no. 2 (April 2010): 69–78. http://dx.doi.org/10.1038/asiamat.2010.44.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Dodabalapur, A., H. E. Katz, L. Torsi, and R. C. Haddon. "Organic field‐effect bipolar transistors." Applied Physics Letters 68, no. 8 (February 19, 1996): 1108–10. http://dx.doi.org/10.1063/1.115728.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Dodabalapur, A., H. E. Katz, L. Torsi, and R. C. Haddon. "Organic Heterostructure Field-Effect Transistors." Science 269, no. 5230 (September 15, 1995): 1560–62. http://dx.doi.org/10.1126/science.269.5230.1560.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Liu, Jie, Lang Jiang, Wenping Hu, Yunqi Liu, and Daoben Zhu. "Monolayer organic field-effect transistors." Science China Chemistry 62, no. 3 (January 30, 2019): 313–30. http://dx.doi.org/10.1007/s11426-018-9411-5.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Liu, Jinyu, Zhengsheng Qin, Haikuo Gao, Huanli Dong, Jia Zhu, and Wenping Hu. "Vertical Organic Field‐Effect Transistors." Advanced Functional Materials 29, no. 17 (February 28, 2019): 1808453. http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201808453.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Lüssem, Björn, Hans Kleemann, Daniel Kasemann, Fabian Ventsch, and Karl Leo. "Organic Junction Field-Effect Transistor." Advanced Functional Materials 24, no. 7 (October 24, 2013): 1011–16. http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201301417.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Guo, Yunlong, Gui Yu, and Yunqi Liu. "Functional Organic Field-Effect Transistors." Advanced Materials 22, no. 40 (September 17, 2010): 4427–47. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201000740.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Dhar, B. M., G. S. Kini, G. Xia, B. J. Jung, N. Markovic, and H. E. Katz. "Field-effect-tuned lateral organic diodes." Proceedings of the National Academy of Sciences 107, no. 9 (February 16, 2010): 3972–76. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.0910554107.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Aljada, Muhsen, Ajay K. Pandey, Marappan Velusamy, Paul L. Burn, Paul Meredith, and Ebinazar B. Namdas. "Structured-gate organic field-effect transistors." Journal of Physics D: Applied Physics 45, no. 22 (May 18, 2012): 225105. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/45/22/225105.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Shang, Liwei, Ming Liu, Zhouyu Ji, Ge Liu, Xinghua Liu, Jiang Liu, and Hong Wang. "Sub-micrometer Organic Field Effect Transistors." ECS Transactions 18, no. 1 (December 18, 2019): 895–900. http://dx.doi.org/10.1149/1.3096552.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

Schön, Jan Hendrik, and Christian Kloc. "Organic metal–semiconductor field-effect phototransistors." Applied Physics Letters 78, no. 22 (May 28, 2001): 3538–40. http://dx.doi.org/10.1063/1.1376666.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Liu, Shiyi, Max L. Tietze, Akram Al-Shadeedi, Vikash Kaphle, Changmin Keum, and Björn Lüssem. "Vertical Organic Tunnel Field-Effect Transistors." ACS Applied Electronic Materials 1, no. 8 (July 23, 2019): 1506–16. http://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.9b00305.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Reese, Colin, and Zhenan Bao. "Organic single-crystal field-effect transistors." Materials Today 10, no. 3 (March 2007): 20–27. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-7021(07)70016-0.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Irimia-Vladu, Mihai, Pavel A. Troshin, Melanie Reisinger, Guenther Schwabegger, Mujeeb Ullah, Reinhard Schwoediauer, Alexander Mumyatov, Marius Bodea, Jeffrey W. Fergus, and Vladimir F. Razumov. "Environmentally sustainable organic field effect transistors." Organic Electronics 11, no. 12 (December 2010): 1974–90. http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2010.09.007.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Yakuphanoglu, Fahrettin, and W. Aslam Farooq. "Flexible pentacene organic field-effect phototransistor." Synthetic Metals 161, no. 5-6 (March 2011): 379–83. http://dx.doi.org/10.1016/j.synthmet.2010.12.014.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Karimov, Kh S., M. Saleem, M. Mahroof-Tahir, T. A. Khan, and Adam Khan. "Pressure sensitive organic field effect transistor." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 43, no. 1 (November 2010): 547–51. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2010.09.013.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

Kim, Seong Hyun, Yong Suk Yang, Jung Hun Lee, Jeong-Ik Lee, Hye Yong Chu, Hyoyoung Lee, Jiyoung Oh, Lee-Mi Do, and Taehyoung Zyung. "Organic field-effect transistors using perylene." Optical Materials 21, no. 1-3 (January 2003): 439–43. http://dx.doi.org/10.1016/s0925-3467(02)00179-9.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

Karimov, Kh S., M. Saleem, M. Mahroof-Tahir, T. A. Qasuria, Adam Khan, and T. A. Khan. "Displacement-sensitive organic field effect transistor." International Journal of Electronics 99, no. 1 (January 2012): 91–101. http://dx.doi.org/10.1080/00207217.2011.609982.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

Morana, M., G. Bret, and C. Brabec. "Double-gate organic field-effect transistor." Applied Physics Letters 87, no. 15 (October 10, 2005): 153511. http://dx.doi.org/10.1063/1.2103403.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

Kitamura, Masatoshi, and Yasuhiko Arakawa. "Pentacene-based organic field-effect transistors." Journal of Physics: Condensed Matter 20, no. 18 (April 17, 2008): 184011. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/20/18/184011.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
24

Schön, J. H., and B. Batlogg. "Trapping in organic field-effect transistors." Journal of Applied Physics 89, no. 1 (January 2001): 336–42. http://dx.doi.org/10.1063/1.1329667.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
25

Murtaza, I., Kh S. Karimov, Zubair Ahmad, I. Qazi, M. Mahroof-Tahir, T. A. Khan, and T. Amin. "Humidity sensitive organic field effect transistor." Journal of Semiconductors 31, no. 5 (May 2010): 054001. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/31/5/054001.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
26

Wang, Haibo, Zengtao Liu, Ming Fai Lo, Tsz Wai Ng, Chun-Sing Lee, Donghang Yan, and Shuit-Tong Lee. "Organic-inorganic heterojunction field-effect transistors." Journal of Applied Physics 107, no. 2 (January 15, 2010): 024510. http://dx.doi.org/10.1063/1.3291135.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
27

Müllen, K., P. Gao, D. Beckmann, H. Tsao, X. Feng, V. Enkelmann, M. Baumgarten, and W. Pisula. "Heteroacenes for Organic Field-Effect Transistors." Synfacts 2009, no. 03 (February 19, 2009): 0265. http://dx.doi.org/10.1055/s-0028-1087765.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
28

Sun, Yanming, Yunqi Liu, and Daoben Zhu. "Advances in organic field-effect transistors." Journal of Materials Chemistry 15, no. 1 (2005): 53. http://dx.doi.org/10.1039/b411245h.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
29

Brown, A. R., D. M. de Leeuw, E. J. Lous, and E. E. Havinga. "Organic n-type field-effect transistor." Synthetic Metals 66, no. 3 (October 1994): 257–61. http://dx.doi.org/10.1016/0379-6779(94)90075-2.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
30

Braga, Daniele, and Gilles Horowitz. "High-Performance Organic Field-Effect Transistors." Advanced Materials 21, no. 14-15 (April 20, 2009): 1473–86. http://dx.doi.org/10.1002/adma.200802733.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
31

Sirringhaus, Henning. "Reliability of Organic Field-Effect Transistors." Advanced Materials 21, no. 38–39 (October 19, 2009): 3859–73. http://dx.doi.org/10.1002/adma.200901136.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
32

de Boer, R. W. I., M. E. Gershenson, A. F. Morpurgo, and V. Podzorov. "Organic single-crystal field-effect transistors." physica status solidi (a) 201, no. 6 (May 2004): 1302–31. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200404336.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
33

Tecklenburg, Rita, Gernot Paasch, and Susanne Scheinert. "Theory of organic field effect transistors." Advanced Materials for Optics and Electronics 8, no. 6 (November 1998): 285–94. http://dx.doi.org/10.1002/(sici)1099-0712(199811/12)8:6<285::aid-amo345>3.0.co;2-z.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
34

Lee, Yeongjun, Jin Young Oh, Taeho Roy Kim, Xiaodan Gu, Yeongin Kim, Ging-Ji Nathan Wang, Hung-Chin Wu, et al. "Deformable Organic Nanowire Field-Effect Transistors." Advanced Materials 30, no. 7 (January 8, 2018): 1704401. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201704401.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
35

Sakai, Masatoshi, Masakazu Nakamura, and Kazuhiro Kudo. "Organic nanochannel field-effect transistor with organic conductive wires." Applied Physics Letters 90, no. 6 (February 5, 2007): 062101. http://dx.doi.org/10.1063/1.2454286.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
36

Shukla, Deepak, Thomas R. Welter, Douglas R. Robello, David J. Giesen, Jerome R. Lenhard, Wendy G. Ahearn, Dianne M. Meyer, and Manju Rajeswaran. "Dioxapyrene-Based Organic Semiconductors for Organic Field Effect Transistors." Journal of Physical Chemistry C 113, no. 32 (July 16, 2009): 14482–86. http://dx.doi.org/10.1021/jp903472q.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
37

Shi, Yanjun, Jie Liu, Yuanyuan Hu, Wenping Hu, and Lang Jiang. "Effect of contact resistance in organic field‐effect transistors." Nano Select 2, no. 9 (March 24, 2021): 1661–81. http://dx.doi.org/10.1002/nano.202000059.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
38

Goto, Touichiro, Hiroshi Inokawa, and Keiichi Torimitsu. "Geometrical effect in submicrometer channel organic field effect transistors." Thin Solid Films 518, no. 2 (November 2009): 579–82. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2009.07.021.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
39

KAMATA, Toshihide, Manabu YOSHIDA, Takehito KODZASA, Makoto MATSUZAWA, and Takeshi KAWAI. "Effect of Interfacial Structure on Organic Field Effect Transistor." Hyomen Kagaku 24, no. 2 (2003): 69–76. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.24.69.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
40

Karimi-Alavijeh, Hamidreza, Farhad Panahi, and Alireza Gharavi. "Photo-switching effect in stilbene organic field effect transistors." Journal of Applied Physics 115, no. 9 (March 7, 2014): 093706. http://dx.doi.org/10.1063/1.4864019.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
41

Chen, Hang, Arun Rambhatla, Jiri Janata, and Karin Potje-Kamloth. "Study of Electric Field Modulation in Organic Field-Effect Transistors." Journal of The Electrochemical Society 154, no. 5 (2007): H354. http://dx.doi.org/10.1149/1.2667723.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
42

Vincze, Tomas, Michal Micjan, Juraj Nevrela, Martin Donoval, and Martin Weis. "Photoresponse Dimensionality of Organic Field-Effect Transistor." Materials 14, no. 23 (December 6, 2021): 7465. http://dx.doi.org/10.3390/ma14237465.

Повний текст джерела
Анотація:
Organic field-effect transistors have been envisioned for advanced photodetectors because the organic semiconductors provide unique absorption characteristics, low-cost fabrication, or compatibility with flexible substrates. However, the response time of organic phototransistors still does not reach the required application level. Here, we report the photoresponse of copper phthalocyanine phototransistor in a steady state and under pulsed illumination. The detailed analysis based on the random walk among a field of traps was used to evaluate the dimensionality of electron transport in a device.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
43

Zhang, Congcong, Penglei Chen, and Wenping Hu. "Organic field-effect transistor-based gas sensors." Chemical Society Reviews 44, no. 8 (2015): 2087–107. http://dx.doi.org/10.1039/c4cs00326h.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
44

Mas-Torrent, Marta, and Concepció Rovira. "Tetrathiafulvalene derivatives for organic field effect transistors." J. Mater. Chem. 16, no. 5 (2006): 433–36. http://dx.doi.org/10.1039/b510121b.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
45

Ha, Tae-Jun, Deji Akinwande, and Ananth Dodabalapur. "Hybrid graphene/organic semiconductor field-effect transistors." Applied Physics Letters 101, no. 3 (July 16, 2012): 033309. http://dx.doi.org/10.1063/1.4737939.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
46

Juška, Gytis, Nerijus Nekrašas, Kristijonas Genevičius, and Almantas Pivrikas. "Current transients in organic field effect transistors." Applied Physics Letters 102, no. 16 (April 22, 2013): 163306. http://dx.doi.org/10.1063/1.4803054.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
47

Hasegawa, Tatsuo, and Jun Takeya. "Organic field-effect transistors using single crystals." Science and Technology of Advanced Materials 10, no. 2 (April 2009): 024314. http://dx.doi.org/10.1088/1468-6996/10/2/024314.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
48

Xu, Yong, Mohamed Benwadih, Romain Gwoziecki, Romain Coppard, Takeo Minari, Chuan Liu, Kazuhito Tsukagoshi, Jan Chroboczek, Francis Balestra, and Gerard Ghibaudo. "Carrier mobility in organic field-effect transistors." Journal of Applied Physics 110, no. 10 (November 15, 2011): 104513. http://dx.doi.org/10.1063/1.3662955.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
49

Li, T., J. W. Balk, P. P. Ruden, I. H. Campbell, and D. L. Smith. "Channel formation in organic field-effect transistors." Journal of Applied Physics 91, no. 7 (April 2002): 4312–18. http://dx.doi.org/10.1063/1.1453509.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
50

Cheng, Chu‐Liang, Stephen R. Forrest, Martin L. Kaplan, Paul H. Schmidt, and Benjamin Tell. "Novel organic‐on‐InP field‐effect transistor." Applied Physics Letters 47, no. 11 (December 1985): 1217–19. http://dx.doi.org/10.1063/1.96333.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Також вас можуть зацікавити добірки на тему "Organic Field Effect TransistorsCompared" для інших типів джерел:
Дисертації Книги
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії