Книги з теми "Optoelectronic transistors"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-28 книг для дослідження на тему "Optoelectronic transistors".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (1997 London, England). 1997 Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, EDMO. [New York]: IEEE, 1997.
Знайти повний текст джерелаWorkshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (1993 London, UK). High performance electron devices for microwave and optoelectronic applications, EDMO '93, King's College London, 18th October, 1993: Announcement & programme for workshop. [London]: IEEE, 1993.
Знайти повний текст джерелаWorkshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (1996 University of Leeds). 1996 High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications Workshop, EDMO. [New York]: IEEE, 1996.
Знайти повний текст джерелаWorkshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (1995 London, England). 1995 Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications: EDMO. Piscataway, NJ: IEEE Service Center, 1995.
Знайти повний текст джерелаSimons, Rainee. Optoelectric gain control of a microwave single stage GaAs MESFET amplifier. [Washington, D.C.]: National Aeronautics and Space Administration, 1988.
Знайти повний текст джерелаWorkshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (1996 London, England). 1996 High performance electron devices for microwave and optoelectronic applications workshop: EDMO 96 : [Weetwood Hall, the University of Leeds, 25-26 November 1996]. Piscataway, N.J: IEEE Service Center, 1996.
Знайти повний текст джерелаSiGe heterojunction bipolar transistors. Chichester: Wiley, 2004.
Знайти повний текст джерелаTaiwan de jing tan hao: Tai Ri Han TFT shi ji zhi zheng. Taiabei Shi: Shi bao wen hua chu ban qi ye gu fen you xian gong si, 2004.
Знайти повний текст джерелаAdvanced, Workshop on Frontiers in Electronics (1997 Santa Cruz de Tenerife Spain). 1997 Advanced Workshop on Frontiers in Electronics: WOFE '97 proceedings : Puerto de la Cruz, Tenerife, Spain, 6-11 January 1997. New York: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1997.
Знайти повний текст джерелаIm, Seongil. Photo-Excited Charge Collection Spectroscopy: Probing the traps in field-effect transistors. Dordrecht: Springer Netherlands, 2013.
Знайти повний текст джерела1995 Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications: EDMO. IEEE Service Center, 1995.
Знайти повний текст джерелаForrest, Stephen R. Organic Electronics. Oxford University Press, 2020. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198529729.001.0001.
Повний текст джерелаAshburn, Peter. SiGe Heterojunction Bipolar Transistors. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2007.
Знайти повний текст джерелаAshburn, Peter. SiGe Heterojunction Bipolar Transistors. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2004.
Знайти повний текст джерелаAshburn, Peter. Sige Heterojunction Bipolar Transistors. John Wiley & Sons Inc 01/1//2003, 2003.
Знайти повний текст джерелаAshburn, Peter. SiGe Heterojunction Bipolar Transistors. Wiley, 2003.
Знайти повний текст джерелаAshburn, P., and Peter Ashburn. Sige Heterojunction Bipolar Transistors. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2004.
Знайти повний текст джерелаNanoscale Mos Transistors Semiclassical Transport And Applications. Cambridge University Press, 2011.
Знайти повний текст джерелаNanostructured Energy Devices: Principles of Photovoltaics and Optoelectronics. Taylor & Francis Group, 2017.
Знайти повний текст джерелаIm, Seongil, Youn-Gyoung Chang, and Jae Hoon Kim. Photo-Excited Charge Collection Spectroscopy: Probing the traps in field-effect transistors. Springer, 2013.
Знайти повний текст джерелаTaur, Yuan, and Tak H. Ning. Fundamentals of Modern VLSI Devices. Cambridge University Press, 2015.
Знайти повний текст джерелаFundamentals of Modern VLSI Devices. Cambridge University Press, 2013.
Знайти повний текст джерелаTaur, Yuan, and Tak H. Ning. Fundamentals of Modern VLSI Devices. Cambridge University Press, 2018.
Знайти повний текст джерелаTaur, Yuan, and Tak H. Ning. Fundamentals of Modern VLSI Devices. University of Cambridge ESOL Examinations, 2021.
Знайти повний текст джерелаFundamentals of Modern VLSI Devices. University of Cambridge ESOL Examinations, 2021.
Знайти повний текст джерелаFundamentals of Ultra-Thin-Body MOSFETs and FinFETs. Cambridge University Press, 2013.
Знайти повний текст джерелаFossum, Jerry G., and Vishal P. Trivedi. Fundamentals of Ultra-Thin-Body MOSFETs and FinFETs. Cambridge University Press, 2013.
Знайти повний текст джерелаAdvanced Technologies for Next Generation Integrated Circuits. Institution of Engineering & Technology, 2020.
Знайти повний текст джерела