Статті в журналах з теми "Ohmic and injection barrier transitions"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-26 статей у журналах для дослідження на тему "Ohmic and injection barrier transitions".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Bae, Geun Yeol, Jinsung Kim, Junyoung Kim, Siyoung Lee, and Eunho Lee. "MoTe2 Field-Effect Transistors with Low Contact Resistance through Phase Tuning by Laser Irradiation." Nanomaterials 11, no. 11 (October 22, 2021): 2805. http://dx.doi.org/10.3390/nano11112805.
Повний текст джерелаHamui, Leon, Maria Elena Sánchez-Vergara, Ricardo Corona-Sánchez, Omar Jiménez-Sandoval, and Cecilio Álvarez-Toledano. "Innovative Incorporation of Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate) as Hole Carrier Transport Layer and as Anode for Organic Solar Cells Performance Improvement." Polymers 12, no. 12 (November 27, 2020): 2808. http://dx.doi.org/10.3390/polym12122808.
Повний текст джерелаHuang, Yaren, Jonas Buettner, Benedikt Lechner, and Gerhard Wachutka. "The Impact of Non-Ideal Ohmic Contacts on the Performance of High-Voltage SiC MPS Diodes." Materials Science Forum 963 (July 2019): 553–57. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.553.
Повний текст джерелаXu, Hongyi, Na Ren, Jiupeng Wu, Zhengyun Zhu, Qing Guo, and Kuang Sheng. "The Impact of Process Conditions on Surge Current Capability of 1.2 kV SiC JBS and MPS Diodes." Materials 14, no. 3 (January 31, 2021): 663. http://dx.doi.org/10.3390/ma14030663.
Повний текст джерелаLópez-Galán, Oscar A., Manuel Ramos, John Nogan, Alejandro Ávila-García, Torben Boll, and Martin Heilmaier. "The electronic states of ITO–MoS2: Experiment and theory." MRS Communications 12, no. 2 (December 16, 2021): 137–44. http://dx.doi.org/10.1557/s43579-021-00126-9.
Повний текст джерелаPérez, R., Narcis Mestres, Dominique Tournier, Xavier Jordá, Phillippe Godignon, and Miquel Vellvehi. "Temperature Dependence of 4H-SiC JBS and Schottky Diodes after High Temperature Treatment of Contact Metal." Materials Science Forum 483-485 (May 2005): 945–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.945.
Повний текст джерелаCha, Jung-Suk, Da-hoon Lee, Kee-Baek Sim, Tae-Ju Lee, Tae-Yeon Seong, and Hiroshi Amano. "Inhomogeneous Barrier Height Characteristics of n-Type AlInP for Red AlGaInP-Based Light-Emitting Diodes." ECS Journal of Solid State Science and Technology 11, no. 3 (March 1, 2022): 035007. http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/ac5d66.
Повний текст джерелаSqueo, Benedetta Maria, Wojciech Mróz, Umberto Giovanella, and Mariacecilia Pasini. "Anionic Low Band Gap-Conjugated Polyelectrolytes as Hole-Transporting Layer in Optoelectronics Devices." Chemistry Proceedings 3, no. 1 (November 14, 2020): 18. http://dx.doi.org/10.3390/ecsoc-24-08406.
Повний текст джерелаFatahi, Negin, Arash Boochani, Shahram Solaymani, Elmira Sartipi, and Farzad Ahmadian. "The band offset barrier and optical properties calculation of Co2VGa/GaAs(001) interfaces: A DFT study." International Journal of Modern Physics B 32, no. 01 (January 8, 2018): 1750270. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979217502708.
Повний текст джерелаVermare, L., P. Hennequin, C. Honoré, M. Peret, G. Dif-Pradalier, X. Garbet, J. Gunn, et al. "Formation of the radial electric field profile in the WEST tokamak." Nuclear Fusion 62, no. 2 (December 16, 2021): 026002. http://dx.doi.org/10.1088/1741-4326/ac3c85.
Повний текст джерелаCoda, S., A. Merle, O. Sauter, L. Porte, F. Bagnato, J. Boedo, T. Bolzonella, et al. "Enhanced confinement in diverted negative-triangularity L-mode plasmas in TCV." Plasma Physics and Controlled Fusion 64, no. 1 (December 13, 2021): 014004. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6587/ac3fec.
Повний текст джерелаBoikov, K. A., M. S. Kostin, and G. V. Kulikov. "Radiosensory diagnostics of signal integrity in-circuit and peripheral architecture of microprocessor devices." Russian Technological Journal 9, no. 4 (August 26, 2021): 20–27. http://dx.doi.org/10.32362/2500-316x-2021-9-4-20-27.
Повний текст джерелаPark, Sang-Joon, and Tae-Jun Ha. "Improved electric contact of recessed source and drain electrodes for sol–gel-based thin-film transistors consisting of amorphous ZrO2 and IGZO fabricated by microwave-annealing." Applied Physics Letters 120, no. 15 (April 11, 2022): 153301. http://dx.doi.org/10.1063/5.0086833.
Повний текст джерелаKranjec, Andrej, Petr Karpov, Yevhenii Vaskivskyi, Jaka Vodeb, Yaroslav Gerasimenko, and Dragan Mihailovic. "Electronic Dislocation Dynamics in Metastable Wigner Crystal States." Symmetry 14, no. 5 (May 1, 2022): 926. http://dx.doi.org/10.3390/sym14050926.
Повний текст джерелаDONG, Z. C., X. L. GUO, Y. WAKAYAMA, and J. G. HOU. "MOLECULAR-SCALE ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE FROM TUNNEL JUNCTIONS." Surface Review and Letters 13, no. 02n03 (April 2006): 143–47. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x06008207.
Повний текст джерелаCarpenter, Joseph, Jillian S. Catalanotti, Melissa Notis, Christopher J. Brokus, Timothy P. Moran, Irene Kuo, Hana Akselrod, et al. "1362. Adding Insult to Injury: Association of Stigmatizing Language and Suboptimal Outcomes in People Who Inject Drugs." Open Forum Infectious Diseases 8, Supplement_1 (November 1, 2021): S767—S768. http://dx.doi.org/10.1093/ofid/ofab466.1554.
Повний текст джерелаKanicki, Jerzy. "Metal / Hydrogenated Amorphous Silicon Interfaces." MRS Proceedings 95 (1987). http://dx.doi.org/10.1557/proc-95-399.
Повний текст джерелаCai, Xiangbin, Zefei Wu, Xu Han, Yong Chen, Shuigang Xu, Jiangxiazi Lin, Tianyi Han, et al. "Bridging the gap between atomically thin semiconductors and metal leads." Nature Communications 13, no. 1 (April 1, 2022). http://dx.doi.org/10.1038/s41467-022-29449-4.
Повний текст джерелаSohn, K., H. Lee, and D. A. Hensley. "I-V Characteristics and Interface Properties of Al-Si(P) Contacts by the Krf Excimer Laser Induced Recrystallization." MRS Proceedings 283 (1992). http://dx.doi.org/10.1557/proc-283-733.
Повний текст джерелаMatsuda, Shofu, Chikara Itagaki, Kyoya Tatsuguchi, Masamichi Ito, Hiroto Sasaki, and Minoru Umeda. "Highly efficient hole injection from Au electrode to fullerene-doped triphenylamine derivative layer." Scientific Reports 12, no. 1 (May 4, 2022). http://dx.doi.org/10.1038/s41598-022-10983-6.
Повний текст джерелаWang, Hong, Zhuoyu Ji, Liwei Shang, Yingping Chen, Congyan Lu, Dongmei Li, Yingquan Peng, and Ming Liu. "Low-cost 13.56MHz Rectifier Based on Organic Diode." MRS Proceedings 1402 (2012). http://dx.doi.org/10.1557/opl.2012.145.
Повний текст джерелаAbkowitz, M., J. S. Facci, and J. Rehm. "Injection Efficiency from Various Metals into Trap Free Molecularly Doped Polymers Evaluated from Combined Analysis of Current-Voltage and Time-of-Flight Drift Mobility Data." MRS Proceedings 488 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-488-629.
Повний текст джерелаGass, Richard G., Howard E. Jackson, P. J. Hughes, and Bernard L. Weiss. "Interdiffusion in Quantum Wells: Mixing Mechanisms and Energy Levels." MRS Proceedings 450 (1996). http://dx.doi.org/10.1557/proc-450-365.
Повний текст джерелаMcInally, Shane G., Jane Kondev, and Scott C. Dawson. "Length-dependent disassembly maintains four different flagellar lengths in Giardia." eLife 8 (December 19, 2019). http://dx.doi.org/10.7554/elife.48694.
Повний текст джерелаEl-Metwally, Essam Gamal, Mervat Ismail Mohammed, and A. M. Ismail. "Promising naphthol green B dye doped (PVOH-PEG) composite films as a multifunctional material with engineered optical band gap, tunable dielectric properties and nonlinear J–E characteristics." Physica Scripta, April 22, 2022. http://dx.doi.org/10.1088/1402-4896/ac6990.
Повний текст джерелаStoleru, Valeria Gabriela, Elias Towe, Chaoying Ni, and Debdas Pal. "Quantum-Dot Molecules for Potential Applications in Terahertz Devices." MRS Proceedings 829 (2004). http://dx.doi.org/10.1557/proc-829-b1.3.
Повний текст джерела