Книги з теми "Nitrides of the III group"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Nitrides of the III group".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Bayerl, Martin W. Magnetic resonance investigatons of group III-nitrides. München: Walter-Schottky-Inst., 2000.
Знайти повний текст джерелаRussell, D. The preparation and characterisation of gallium nitride and group III-V related compounds. Leicester: De Montfort University, 2003.
Знайти повний текст джерелаRazeghi, M. Optoelectronic devices: III-nitrides. Amsterdam: Elsevier, 2004.
Знайти повний текст джерелаLi, Jinmin, Junxi Wang, Xiaoyan Yi, Zhiqiang Liu, Tongbo Wei, Jianchang Yan, and Bin Xue. III-Nitrides Light Emitting Diodes: Technology and Applications. Singapore: Springer Singapore, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-7949-3.
Повний текст джерелаRare earth doped III-nitrides for optoelectronic and spintronic applications. Dordrecht, the Netherlands: Springer, 2010.
Знайти повний текст джерелаO’Donnell, Kevin, and Volkmar Dierolf, eds. Rare Earth Doped III-Nitrides for Optoelectronic and Spintronic Applications. Dordrecht: Springer Netherlands, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-90-481-2877-8.
Повний текст джерелаRoesky, Herbert W., and David A. Atwood, eds. Group 13 Chemistry III. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2003. http://dx.doi.org/10.1007/3-540-46110-8.
Повний текст джерелаErol, Ayşe. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems: Physics and technology. Berlin: Springer, 2008.
Знайти повний текст джерелаSymposium on III-V Nitride Materials and Processes (3rd 1998 Boston, Mass.). Proceedings of the Third Symposium on III-V Nitride Materials and Processes. Edited by Moustakas T. D, Mohney S. E, Pearton S. J, Electrochemical Society. Dielectric Science and Technology Division., Electrochemical Society Electronics Division, and Electrochemical Society. High Temperature Materials Division. Pennington, N.J: Electrochemical Society, Inc., 1999.
Знайти повний текст джерелаSymposium, on III-V. Nitride Materials and Processes (2nd 1997 Paris France). Proceedings of the Second Symposium on III-V Nitride Materials and Processes. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 1998.
Знайти повний текст джерелаSymposium, on III-V. Nitride Materials and Processes (1st 1996 Los Angeles Calif ). Proceedings of the First Symposium on III-V Nitride Materials and Processes. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 1996.
Знайти повний текст джерелаReynolds, George Allen. The 458th Bombardment Group (Heavy) III. 3rd ed. Birmingham, Ala. (416 River Haven Circle, Birmingham 35244): G.A. Reynolds, 1988.
Знайти повний текст джерелаSymposium, L. on III-V. Nitrides Semiconductors and Ceramics (1997 Strasbourg France). III-V nitrides, semiconductors, and ceramics: From material growth to device applications : proceedings of Symposium L on III-V Nitrides, Semiconductors, and Ceramics : from material growth to device applications of the 1997 ICAM/E-MRS Spring Conference, Strasbourg, France, June 16-20, 1997. Amsterdam: Elsevier, 1997.
Знайти повний текст джерела1954-, Shea Eugene, ed. Creative therapy III: 52 more exercises for groups. Sarasota, Fla: Professional Resource Press, 1995.
Знайти повний текст джерелаMeeting, Cornwallis Group. The Cornwallis Group III: Analysis for peace operations. Cornwallis Park, NS: Canadian Peacekeeping Press, 1998.
Знайти повний текст джерелаMadelung, O. Semiconductors: Group IV Elements and III-V Compounds. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1991.
Знайти повний текст джерелаSymposium on III-Nitride Based Semiconductor Electronic and Optical Devices (2001 Washington, D.C.). III-nitride based semiconductor electronics and optical devices: And, thirty-fourth state-of-the-art-program on compound semiconductors (SOTAPOCS XXXIV) : proceedings of the international symposia. Edited by Ren F, Electrochemical Society Meeting, and State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (34th : 2001 : Washington, D.C.). Pennington, NJ: Electrochemical society, 2001.
Знайти повний текст джерелаShangjr, Gwo, ed. III-nitride materials for sensing, energy conversion and controlled light-matter interactions: Symposium held November 29-December 3, 2009, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Penn: Materials Research Society, 2010.
Знайти повний текст джерелаMadelung, O., U. Rössler, and M. Schulz, eds. Impurities and Defects in Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b: Group IV-IV and III-V Compounds. Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag, 2003. http://dx.doi.org/10.1007/b83098.
Повний текст джерелаAdachi, Sadao. Properties of Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2005. http://dx.doi.org/10.1002/0470090340.
Повний текст джерелаHornby, Geoffrey. Radioligand binding analyses of the group III metabotropic glutamate receptors. Ottawa: National Library of Canada, 1999.
Знайти повний текст джерелаGarba, Abdu. Reverse-phase high performance liquid chromatography of some group (III) oxinates. Salford: University of Salford, 1985.
Знайти повний текст джерелаMadelung, O., U. Rössler, and M. Schulz, eds. Impurities and Defects in Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part a: Group IV Elements. Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag, 2002. http://dx.doi.org/10.1007/b71128.
Повний текст джерелаAdachi, Sadao. Properties of semiconductor alloys: Group-IV, III-V and II-VI semiconductors. Chichester, West Sussex, U.K: Wiley, 2009.
Знайти повний текст джерелаProperties of semiconductor alloys: Group-IV, III-V and II-VI semiconductors. Chichester, West Sussex, U.K: Wiley, 2009.
Знайти повний текст джерелаMadelung, O., U. Rössler, and M. Schulz, eds. Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part a - Lattice Properties. Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/b60136.
Повний текст джерелаNaples, Mark. Determinants of high affinity ligand binding to the group III metabotropic glutamate receptors. Ottawa: National Library of Canada, 2001.
Знайти повний текст джерелаPritchett, Price. Team reconstruction: Building a high performance work group during change. Dallas, Tex: Pritchett & Associates, 1994.
Знайти повний текст джерелаKavun, V. I︠A︡. Diffuzionnai︠a︡ podvizhnostʹ i ionnyĭ transport v kristallicheskikh i amorfnykh ftoridakh ėlementov IV gruppy i surʹmy (III). Vladivostok: Dalʹnauka, 2004.
Знайти повний текст джерелаMadelung, O., U. Rössler, and M. Schulz, eds. Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties. Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag, 2002. http://dx.doi.org/10.1007/b80447.
Повний текст джерелаNiemiecka pamięć: Współczesne spory w Niemczech o miejsce III Rzeszy w historii, polityce i tożsamości (1989-2001). Kraków: Wydawn. Uniwersytetu Jagiellońskiego, 2002.
Знайти повний текст джерелаColoquio Paul Kirchhoff (3rd 1992 Universidad Nacional Autónoma de México. Instituto de Investigaciones Antropológicas). Identidad: Análisis y teoría, simbolismo, sociedades complejas, nacionalismo y etnicidad : III Coloquio Paul Kirchhoff. México: Universidad Nacional Autónoma de México, Instituto de Investigaciones Antropológicas, Dirección General de Asuntos del Personal Académico, 1996.
Знайти повний текст джерелаMummendey, Amelie. Better of different III: The impact of importance of comparison dimension and relative in-group size upon intergroup discrimination. Bielefeld: Universitat Bielefeld, 1987.
Знайти повний текст джерелаH, Edgar James, and INSPEC (Information service), eds. Properties of group III nitrides. London: INSPEC, Institution of Electrical Engineers, 1994.
Знайти повний текст джерелаFriedhelm, Bechstedt, Meyer B. K, Stutzmann M, and Deutsche Forschungsgemeinschaft, eds. Group III-nitrides and their heterostructures: Growth, characterization and applications. Weinheim: Wiley-VCH, 2003.
Знайти повний текст джерелаEdgar, James H. Properties of Group III Nitrides (E M I S Datareviews Series). Institution of Electrical Engineers, 1994.
Знайти повний текст джерела(Editor), Friedhelm Bechstedt, Bruno K. Meyer (Editor), and Martin Stutzmann (Editor), eds. Priority Programme of the Deutsche Forschungsgemeinschaft: Group III-Nitrides and Their Heterostructures: Growth, Characterization and Applications. Wiley-VCH, 2003.
Знайти повний текст джерелаGroup III nitride semiconductor compounds: Physics and applications. Oxford: Clarendon Press, 1998.
Знайти повний текст джерелаGil, Bernard. Group III Nitride Semiconductor Compounds: Physics and Applications (Series on Semiconductor Science and Technology, 6). Oxford University Press, USA, 1998.
Знайти повний текст джерелаHenini, Mohamed, and M. Razeghi. Optoelectronic Devices: III Nitrides. Elsevier Science, 2005.
Знайти повний текст джерелаHenini, Mohamed, and M. Razeghi. Optoelectronic Devices: III Nitrides. Elsevier Science, 2005.
Знайти повний текст джерелаOptoelectronic Devices: III Nitrides. Elsevier, 2005. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-08-044426-0.x5000-7.
Повний текст джерелаNitrides and Oxynitrides III. Stafa: Trans Tech Publications Ltd., 2007. http://dx.doi.org/10.4028/0-87849-439-1.
Повний текст джерелаChuan, Feng Zhe, ed. III-nitride: Semiconductor materials. London: Imperial College Press, 2006.
Знайти повний текст джерелаOmar, Manasreh Mahmoud, and Ferguson Ian T, eds. III-nitride semiconductor: Growth. New York: Taylor & Francis, 2003.
Знайти повний текст джерелаMandal, H. Nitrides and Oxynitrides III (Materials Science Forum). Trans Tech Pubn, 2007.
Знайти повний текст джерелаT, Yu E., and Manasreh Mahmoud Omar, eds. III-V nitride semiconductors: Applications & devices. New York: Taylor & Francis, 2003.
Знайти повний текст джерелаOmar, Manasreh Mahmoud, and Jiang H. X, eds. III-nitride semiconductors: Optical properties. New York: Taylor & Francis, 2002.
Знайти повний текст джерелаMoustakas, T. D. Iii-V Nitride Materials & Processes III (Electrochemical Society Proceedings). Electrochemical Society, 1998.
Знайти повний текст джерелаAyşe, Erol, ed. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems: Physics and technology. Berlin: Springer, 2008.
Знайти повний текст джерела