Книги з теми "Nitrides of the III group"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Nitrides of the III group.

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Nitrides of the III group".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Bayerl, Martin W. Magnetic resonance investigatons of group III-nitrides. München: Walter-Schottky-Inst., 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Russell, D. The preparation and characterisation of gallium nitride and group III-V related compounds. Leicester: De Montfort University, 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Razeghi, M. Optoelectronic devices: III-nitrides. Amsterdam: Elsevier, 2004.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Li, Jinmin, Junxi Wang, Xiaoyan Yi, Zhiqiang Liu, Tongbo Wei, Jianchang Yan, and Bin Xue. III-Nitrides Light Emitting Diodes: Technology and Applications. Singapore: Springer Singapore, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-7949-3.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Rare earth doped III-nitrides for optoelectronic and spintronic applications. Dordrecht, the Netherlands: Springer, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

O’Donnell, Kevin, and Volkmar Dierolf, eds. Rare Earth Doped III-Nitrides for Optoelectronic and Spintronic Applications. Dordrecht: Springer Netherlands, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-90-481-2877-8.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Roesky, Herbert W., and David A. Atwood, eds. Group 13 Chemistry III. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2003. http://dx.doi.org/10.1007/3-540-46110-8.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Erol, Ayşe. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems: Physics and technology. Berlin: Springer, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Symposium on III-V Nitride Materials and Processes (3rd 1998 Boston, Mass.). Proceedings of the Third Symposium on III-V Nitride Materials and Processes. Edited by Moustakas T. D, Mohney S. E, Pearton S. J, Electrochemical Society. Dielectric Science and Technology Division., Electrochemical Society Electronics Division, and Electrochemical Society. High Temperature Materials Division. Pennington, N.J: Electrochemical Society, Inc., 1999.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Symposium, on III-V. Nitride Materials and Processes (2nd 1997 Paris France). Proceedings of the Second Symposium on III-V Nitride Materials and Processes. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Symposium, on III-V. Nitride Materials and Processes (1st 1996 Los Angeles Calif ). Proceedings of the First Symposium on III-V Nitride Materials and Processes. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Reynolds, George Allen. The 458th Bombardment Group (Heavy) III. 3rd ed. Birmingham, Ala. (416 River Haven Circle, Birmingham 35244): G.A. Reynolds, 1988.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Symposium, L. on III-V. Nitrides Semiconductors and Ceramics (1997 Strasbourg France). III-V nitrides, semiconductors, and ceramics: From material growth to device applications : proceedings of Symposium L on III-V Nitrides, Semiconductors, and Ceramics : from material growth to device applications of the 1997 ICAM/E-MRS Spring Conference, Strasbourg, France, June 16-20, 1997. Amsterdam: Elsevier, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

1954-, Shea Eugene, ed. Creative therapy III: 52 more exercises for groups. Sarasota, Fla: Professional Resource Press, 1995.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Meeting, Cornwallis Group. The Cornwallis Group III: Analysis for peace operations. Cornwallis Park, NS: Canadian Peacekeeping Press, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Madelung, O. Semiconductors: Group IV Elements and III-V Compounds. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1991.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Symposium on III-Nitride Based Semiconductor Electronic and Optical Devices (2001 Washington, D.C.). III-nitride based semiconductor electronics and optical devices: And, thirty-fourth state-of-the-art-program on compound semiconductors (SOTAPOCS XXXIV) : proceedings of the international symposia. Edited by Ren F, Electrochemical Society Meeting, and State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (34th : 2001 : Washington, D.C.). Pennington, NJ: Electrochemical society, 2001.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Shangjr, Gwo, ed. III-nitride materials for sensing, energy conversion and controlled light-matter interactions: Symposium held November 29-December 3, 2009, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Penn: Materials Research Society, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Madelung, O., U. Rössler, and M. Schulz, eds. Impurities and Defects in Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b: Group IV-IV and III-V Compounds. Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag, 2003. http://dx.doi.org/10.1007/b83098.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

Adachi, Sadao. Properties of Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2005. http://dx.doi.org/10.1002/0470090340.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

Hornby, Geoffrey. Radioligand binding analyses of the group III metabotropic glutamate receptors. Ottawa: National Library of Canada, 1999.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

Garba, Abdu. Reverse-phase high performance liquid chromatography of some group (III) oxinates. Salford: University of Salford, 1985.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

Madelung, O., U. Rössler, and M. Schulz, eds. Impurities and Defects in Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part a: Group IV Elements. Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag, 2002. http://dx.doi.org/10.1007/b71128.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
24

Adachi, Sadao. Properties of semiconductor alloys: Group-IV, III-V and II-VI semiconductors. Chichester, West Sussex, U.K: Wiley, 2009.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
25

Properties of semiconductor alloys: Group-IV, III-V and II-VI semiconductors. Chichester, West Sussex, U.K: Wiley, 2009.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
26

Madelung, O., U. Rössler, and M. Schulz, eds. Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part a - Lattice Properties. Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/b60136.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
27

Naples, Mark. Determinants of high affinity ligand binding to the group III metabotropic glutamate receptors. Ottawa: National Library of Canada, 2001.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
28

Pritchett, Price. Team reconstruction: Building a high performance work group during change. Dallas, Tex: Pritchett & Associates, 1994.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
29

Kavun, V. I︠A︡. Diffuzionnai︠a︡ podvizhnostʹ i ionnyĭ transport v kristallicheskikh i amorfnykh ftoridakh ėlementov IV gruppy i surʹmy (III). Vladivostok: Dalʹnauka, 2004.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
30

Madelung, O., U. Rössler, and M. Schulz, eds. Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties. Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag, 2002. http://dx.doi.org/10.1007/b80447.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
31

Niemiecka pamięć: Współczesne spory w Niemczech o miejsce III Rzeszy w historii, polityce i tożsamości (1989-2001). Kraków: Wydawn. Uniwersytetu Jagiellońskiego, 2002.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
32

Coloquio Paul Kirchhoff (3rd 1992 Universidad Nacional Autónoma de México. Instituto de Investigaciones Antropológicas). Identidad: Análisis y teoría, simbolismo, sociedades complejas, nacionalismo y etnicidad : III Coloquio Paul Kirchhoff. México: Universidad Nacional Autónoma de México, Instituto de Investigaciones Antropológicas, Dirección General de Asuntos del Personal Académico, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
33

Mummendey, Amelie. Better of different III: The impact of importance of comparison dimension and relative in-group size upon intergroup discrimination. Bielefeld: Universitat Bielefeld, 1987.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
34

H, Edgar James, and INSPEC (Information service), eds. Properties of group III nitrides. London: INSPEC, Institution of Electrical Engineers, 1994.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
35

Friedhelm, Bechstedt, Meyer B. K, Stutzmann M, and Deutsche Forschungsgemeinschaft, eds. Group III-nitrides and their heterostructures: Growth, characterization and applications. Weinheim: Wiley-VCH, 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
36

Edgar, James H. Properties of Group III Nitrides (E M I S Datareviews Series). Institution of Electrical Engineers, 1994.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
37

(Editor), Friedhelm Bechstedt, Bruno K. Meyer (Editor), and Martin Stutzmann (Editor), eds. Priority Programme of the Deutsche Forschungsgemeinschaft: Group III-Nitrides and Their Heterostructures: Growth, Characterization and Applications. Wiley-VCH, 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
38

Group III nitride semiconductor compounds: Physics and applications. Oxford: Clarendon Press, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
39

Gil, Bernard. Group III Nitride Semiconductor Compounds: Physics and Applications (Series on Semiconductor Science and Technology, 6). Oxford University Press, USA, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
40

Henini, Mohamed, and M. Razeghi. Optoelectronic Devices: III Nitrides. Elsevier Science, 2005.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
41

Henini, Mohamed, and M. Razeghi. Optoelectronic Devices: III Nitrides. Elsevier Science, 2005.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
42

Optoelectronic Devices: III Nitrides. Elsevier, 2005. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-08-044426-0.x5000-7.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
43

Nitrides and Oxynitrides III. Stafa: Trans Tech Publications Ltd., 2007. http://dx.doi.org/10.4028/0-87849-439-1.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
44

Chuan, Feng Zhe, ed. III-nitride: Semiconductor materials. London: Imperial College Press, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
45

Omar, Manasreh Mahmoud, and Ferguson Ian T, eds. III-nitride semiconductor: Growth. New York: Taylor & Francis, 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
46

Mandal, H. Nitrides and Oxynitrides III (Materials Science Forum). Trans Tech Pubn, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
47

T, Yu E., and Manasreh Mahmoud Omar, eds. III-V nitride semiconductors: Applications & devices. New York: Taylor & Francis, 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
48

Omar, Manasreh Mahmoud, and Jiang H. X, eds. III-nitride semiconductors: Optical properties. New York: Taylor & Francis, 2002.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
49

Moustakas, T. D. Iii-V Nitride Materials & Processes III (Electrochemical Society Proceedings). Electrochemical Society, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
50

Ayşe, Erol, ed. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems: Physics and technology. Berlin: Springer, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії