Книги з теми "Nanostructured Oxide Semiconductors"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Nanostructured Oxide Semiconductors.

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Nanostructured Oxide Semiconductors".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Teherani, Ferechteh Hosseini. Oxide-based materials and devices: 24-27 January 2010, San Francisco, California, United States. Bellingham, WA: SPIE, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

J, Rogers David, Ferechteh Hosseini Teherani, and D. C. Look. Oxide-based materials and devices III: 22-25 January 2012, San Francisco, California, United States. Edited by SPIE (Society). Bellingham, Wash: SPIE, 2012.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

C, Jagadish, and Pearton S. J, eds. Zinc oxide bulk, thin films and nanostructures: Processing, properties and applications. Amsterdam: Elsevier, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Tsu-Jae, King, Materials Research Society Meeting, and Symposium on CMOS Front-End Materials and Process Technology (2003 : San Francisco, Calif.), eds. CMOS front-end materials and process technology: Symposium held April 22-24, 2003, San Francisco, California, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

I, Gardner Mark, and Materials Research Society, eds. Novel materials and processes for advanced CMOS: Symposium held December 2-4, 2002, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Sudipta, Seal, Materials Research Society Meeting, and Symposium on Semiconductor Materials for Sensing (2004 : Boston, Mass.), eds. Semiconductor materials for sensing: Symposium held November 29-December 2, 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2005.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

CMOS nanoelectronics: Analog and RF VLSI circuits. New York: McGraw-Hill, 2011.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Nano-semiconductors: Devices and technology. Boca Raton, FL: CRC Press, 2012.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Nano-CMOS gate dielectric engineering. Boca Raton: CRC Press, 2012.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

International, Symposium on Advanced Materials (11th 2009 Islamabad Pakistan), and International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (2010 Tokyo Institute of Technology). Advanced materials XI: Selected, peer reviewed papers from the 11th International Symposium on Advanced Materials, 08-12 August, 2009, Islamabad, Pakistan. Stafa-Zurich, Switzerland: Trans Tech Publications, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Uchida, Ken, Nobuyuki Sugii, Kiyoshi Takeuchi, and Toshirō Hiramoto. Shūseki nanodebaisu. Tōkyō: Maruzen, 2009.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Katsutoshi, Komeya, Matsuo Yohtaro, Goto Takashi, Nihon Seramikkusu Kyōkai, and Nihon Gakujutsu Shinkōkai. Kōbutsu Shinkatsuyō Dai 124 Iinkai., eds. Innovation in ceramic science and engineering: Selected, peer reviewed papers from the 3rd International Symposium on Advanced Ceramics, Grand Copthorne Waterfront Hotel, December 11-15, 2006, Singapore. Stafa-Zurich, Switzerland: Trans Tech Publications, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Zhuiykov, Serge. Nanostructured Semiconductors. Elsevier Science & Technology, 2018.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

Nanostructured Semiconductors. Elsevier Science & Technology, 2018.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Rogers, David, Ferechteh Teherani, and David Look. Oxide-Based Materials and Devices VIII. SPIE, 2018.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Zhuiykov, Serge. Nanostructured Semiconductor Oxides for the Next Generation of Electronics and Functional Devices: Properties and Applications. Elsevier Science & Technology, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Zhuiykov, Serge. Nanostructured Semiconductor Oxides for the Next Generation of Electronics and Functional Devices: Properties and Applications. Elsevier Science & Technology, 2014.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Nanostructured Semiconductors in Porous Alumina Matrices. Taylor & Francis Group, 2019.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Vakhrushev, Alexander V., Rishat G. Valeev, Aleksey Yu Fedotov, and Dmitrii I. Petukhov. Nanostructured Semiconductors in Porous Alumina Matrices. Taylor & Francis Group, 2021.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

Scalise, Emilio. Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices: Insights from First-Principles Simulations. Springer London, Limited, 2014.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

Tabata, Hitoshi, and Seiichi Miyazaki. Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics. Trans Tech Publications, Limited, 2011.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

Tabata, Hitoshi, and Seiichi Miyazaki. Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics. Trans Tech Publications, Limited, 2011.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

Guo, Jing, and Mark Lundstrom. Nanoscale Transistors: Device Physics, Modeling and Simulation. Springer London, Limited, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
24

Jing, Guo, ed. Nanoscale Transistors: Device Physics, Modeling and Simulation. Gardners Books, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
25

Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures: Processing, Properties, and Applications. Elsevier Science, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
26

(Editor), Chennupati Jagadish, and Stephen J. Pearton (Editor), eds. Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures: Processing, Properties, and Applications. Elsevier Science, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
27

Yang, Yi, and Sun Xiaowei. ZnO Nanostructures and Their Applications. Jenny Stanford Publishing, 2016.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
28

Yang, Yi, and Sun Xiaowei. ZnO Nanostructures and Their Applications. Jenny Stanford Publishing, 2016.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
29

ZnO Nanostructures and Their Applications. Taylor & Francis Group, 2011.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
30

Vakhrushev, Alexander V., Rishat G. Valeev, Aleksey Yu Fedotov, and Dmitrii I. Petukhov. Nanostructured Semiconductors in Porous Alumina Matrices: Modeling, Synthesis, and Properties. Apple Academic Press, Incorporated, 2019.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
31

CMOS Front-End Materials and Process Technology: Volume 765. Materials Research Society, 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
32

Lockwood, David J., Leonid Tsybeskov, Christophe Delerue, Masakazu Ichikawa, and Anthony W. van Buuren. Group IV Semiconductor Nanostructures - 2006. University of Cambridge ESOL Examinations, 2014.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
33

McGlynn, E., M. O. Henry, and J. P. Mosnier. ZnO wide-bandgap semiconductor nanostructures: Growth, characterization and applications. Edited by A. V. Narlikar and Y. Y. Fu. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199533053.013.14.

Повний текст джерела
Анотація:
This article describes the growth, characterization and applications of zinc oxide (ZnO) wide-bandgap semiconductor nanostructures. It first introduces the reader to the basic physics and materials science of ZnO, with particular emphasis on the crystalline structure, electronic structure, optical properties and materials properties of ZnO wide-bandgap semiconductors. It then considers some of the commonly used growth methods for ZnO nanostructures, including vapor-phase transport, chemical vapor deposition, molecular beam epitaxy, pulsed-laser deposition, sputtering and chemical solution methods. It also presents the results of characterization of ZnO nanostructures before concluding with a discussion of some promising areas of application of ZnO nanostructures, such as field emission applications; electrical, optical/photonic applications; and applications in sensing, energy production, photochemistry, biology and engineering.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
34

Wong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
35

Wong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
36

Wong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
37

Wong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
38

Wong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
39

Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices: Insights from First-Principles Simulations. Springer, 2014.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
40

Scalise, Emilio. Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices: Insights from First-Principles Simulations. Springer International Publishing AG, 2016.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
41

Analog Filters in Nanometer CMOS Springer Series in Advanced Microelectronics. Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH &, 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
42

Light, Water, Hydrogen: The Solar Generation of Hydrogen by Water Photoelectrolysis. Springer, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
43

Group IV Semiconductor Nanostructures: 2006: Symposium Held November 27-December 1, 2006, Boston, Massachusetts, U.S.A. (Materials Research Society Symposium Proceedings). Materials Research Society, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
44

Zinc Oxide and Related Materials: Symposium Held November 27-30, 2006. Boston, Massachusetts, U.S.A. (Materials Research Society Symposium Proceedings). Materials Research Society, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
45

Nanostructured Semiconductor Oxides for the Next Generation of Electronics and Functional Devices. Elsevier, 2014. http://dx.doi.org/10.1016/c2013-0-16486-0.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
46

Zimmermann, Horst, and Mohamed Atef. Optoelectronic Circuits in Nanometer CMOS Technology. Springer London, Limited, 2016.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
47

Zimmermann, Horst, and Mohamed Atef. Optoelectronic Circuits in Nanometer CMOS Technology. Springer, 2016.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
48

Zimmermann, Horst, and Mohamed Atef. Optoelectronic Circuits in Nanometer CMOS Technology. Springer, 2018.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
49

Fundamentals Of Nanoscaled Field Effect Transistors. Springer-Verlag New York Inc., 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
50

Guo, Jing, and Mark Lundstrom. Nanoscale Transistors: Device Physics, Modeling and Simulation. Springer, 2005.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії