Увійти

Готові списки джерел за темами / Nanoelectronic device / Книги

Книги з теми "Nanoelectronic device"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Nanoelectronic device.

Автор: Grafiati

Опубліковано: 14 березня 2023

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Nanoelectronic device".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Chen, An, James Hutchby, Victor Zhirnov, and George Bourianoff, eds. Emerging Nanoelectronic Devices. Chichester, United Kingdom: John Wiley & Sons Ltd, 2014. http://dx.doi.org/10.1002/9781118958254.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Evtukh, Anatoliy, Hans Hartnagel, Oktay Yilmazoglu, Hidenori Mimura, and Dimitris Pavlidis. Vacuum Nanoelectronic Devices. Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2015. http://dx.doi.org/10.1002/9781119037989.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Sarkar, Angsuman, and Arpan Deyasi. Low-Dimensional Nanoelectronic Devices. Boca Raton: Apple Academic Press, 2022. http://dx.doi.org/10.1201/9781003277378.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Labbé, Christophe, Subhananda Chakrabarti, Gargi Raina, and B. Bindu, eds. Nanoelectronic Materials and Devices. Singapore: Springer Singapore, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-10-7191-1.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Nanoelectronics: Principles and devices. Boston, MA: Artech House, 2005.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Dragoman, Mircea. Nanoelectronics: Principles and devices. 2nd ed. Boston: Artech House, 2009.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Dragoman, Mircea. Nanoelectronics: Principles and devices. Boston, MA: Artech House, 2005.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Joodaki, Mojtaba. Selected Advances in Nanoelectronic Devices. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-31350-9.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Microelectronics to nanoelectronics: Materials, devices & manufacturability. Boca Raton, FL: Taylor & Francis, 2012.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

Raj, Balwinder, and Arun Kumar Singh. Nanoelectronic Devices for Hardware and Software Security. Boca Raton: CRC Press, 2021. http://dx.doi.org/10.1201/9781003126645.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

Yu, Jaeeun. New Layered Materials and Functional Nanoelectronic Devices. [New York, N.Y.?]: [publisher not identified], 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Lenka, Trupti Ranjan, Durgamadhab Misra, and Arindam Biswas, eds. Micro and Nanoelectronics Devices, Circuits and Systems. Singapore: Springer Singapore, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-16-3767-4.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

Lenka, Trupti Ranjan, Durgamadhab Misra, and Lan Fu, eds. Micro and Nanoelectronics Devices, Circuits and Systems. Singapore: Springer Nature Singapore, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-19-2308-1.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

R, Fahrner W., ed. Nanotechnology and nanoelectronics: Materials, devices, measurement techniques. Berlin: Springer-Verlag, 2005.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

Querlioz, Damien, Philippe Dollfus, and Mireille Mouis, eds. The Wigner Monte Carlo Method for Nanoelectronic Devices. Hoboken, NJ USA: John Wiley & Sons, Inc., 2013. http://dx.doi.org/10.1002/9781118618479.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

Evtukh, Anatoliy. Vacuum nanoelectronic devices: Novel electron sources and applications. Chichester, West Sussex, United Kingdom: John Wiley & Sons, Inc., 2015.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

Joodaki, Mojtaba. Selected Advances in Nanoelectronic Devices: Logic, Memory and RF. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2013.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Jones, Alexander Thomas. Cooling Electrons in Nanoelectronic Devices by On-Chip Demagnetisation. Cham: Springer International Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-51233-0.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

Morris, James E., and Krzysztof Iniewski, eds. Nanoelectronic Device Applications Handbook. CRC Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/b15035.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Morris, James E., and Krzysztof Iniewski. Nanoelectronic Device Applications Handbook. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Morris, James E., and Krzysztof Iniewski. Nanoelectronic Device Applications Handbook. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

Morris, James E., and Krzysztof Iniewski. Nanoelectronic Device Applications Handbook. Taylor & Francis Group, 2013.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

Morris, James E., and Krzysztof Iniewski. Nanoelectronic Device Applications Handbook. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

Morris, James E., and Krzysztof Iniewski. Nanoelectronic Device Applications Handbook. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Morris, James E., and Krzysztof Iniewski. Nanoelectronic Device Applications Handbook. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

Nanoelectronic Device Applications Handbook. Taylor & Francis Group, 2013.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

27

Paul, Douglas J. Si/SiGe heterostructures in nanoelectronics. Edited by A. V. Narlikar and Y. Y. Fu. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199533060.013.5.

Повний текст джерела

Анотація:

This article describes the applications of Si/SiGe heterostructures in nanoelectronics. Silicon-germanium is now a mature field with heterojunction bipolar transistors (HBTs) and complementary metal oxide semiconductors (CMOS) products in the market place. In the research field there are many areas where Si/SiGe heterostructures are being used to bandgap engineer nanoelectronic devices resulting in significant improvements in device performance. A number of these areas have good potential for eventually reaching production, while thereare also many that allow fundamental research on the physics of materials anddevices. This article begins with an overview of the growth of silicon-germanium alloys, followed by a discussion of the effect of strain on the band structure and properties of Si/SiGe devices. It then considers two mainstream nanoelectronic applications of Si/SiGe heterostructures, namely HBTs and CMOS. It also looks at resonant tunnelling diodes and SiGe quantum cascade emitters.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

28

Park, Byung-Gook, Sung Woo Hwang, and Young June Park. Nanoelectronic Devices. Jenny Stanford Publishing, 2012. http://dx.doi.org/10.1201/b11661.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

29

Park, Young June, Byung-Gook Park, and Sung Woo Hwang. Nanoelectronic Devices. Jenny Stanford Publishing, 2012.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

30

Nanoelectronic Devices. Taylor & Francis Group, 2012.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

31

Park, Young June, Byung-Gook Park, and Sung Woo Hwang. Nanoelectronic Devices. Jenny Stanford Publishing, 2012.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

32

Emerging Nanoelectronic Devices. Wiley, 2015.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

33

Chen, An, James Hutchby, Victor Zhirnov, and George Bourianoff. Emerging Nanoelectronic Devices. Wiley & Sons, Limited, John, 2014.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

34

Chen, An, James Hutchby, Victor Zhirnov, and George Bourianoff. Emerging Nanoelectronic Devices. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2014.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

35

Chen, An, James Hutchby, Victor Zhirnov, and George Bourianoff. Emerging Nanoelectronic Devices. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2014.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

36

MICRO- AND NANOELECTRONICS - 2021. LCC MAKS Press, 2021. http://dx.doi.org/10.29003/m2433.icmne-2021.

Повний текст джерела

Анотація:

The Book of Abstracts contains the abstracts of the papers presented at the biannual International Conference “Micro- and Nanoelectronics - 2021” (ICMNE-2021) including the extended Session “Quantum Informatics” (QI-2021). The Conference topics cover the most of the areas dedicated to the physics of integrated micro- and nanoelectronic devices and related micro- and nanotechnologies. The Conference is focused on recent progress in those areas. It continues the series of the AllRussian Conferences (since 1994) and the International Conferences (since 2003).

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

37

Knoch, Joachim. Nanoelectronics: Device Physics, Fabrication, Simulation. de Gruyter GmbH, Walter, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

38

Knoch, Joachim. Nanoelectronics: Device Physics, Fabrication, Characterisation. de Gruyter GmbH, Walter, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

39

Knoch, Joachim. Nanoelectronics: Device Physics, Fabrication, Simulation. de Gruyter GmbH, Walter, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

40

Saini, K. K. Nanoscale Device Technology. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

41

Datta, Supriyo. Nanoelectronic devices: A unified view. Edited by A. V. Narlikar and Y. Y. Fu. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199533046.013.1.

Повний текст джерела

Анотація:

This article describes the conceptual framework that provides a unified description for all kinds of nanoelectronic devices covering different transport regimes from the diffusive to the ballistic limit, including molecular conductors, carbon nanotubes, and silicon transistors. More specifically, it presents a unified bottom-up viewpoint to the subject of electrical conduction of particular relevance to nanoelectronic devices and highlights the important role played by contacts. It also discusses the basic inputs that define the NEGF–Landauer model, along with its relevant equations, including those that provide a general approach to the problem of quantum transport. A few examples are given to illustrate how these equations are applied.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

42

Nanoelectronic Materials, Devices and Modeling. MDPI, 2019. http://dx.doi.org/10.3390/books978-3-03921-226-2.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

43

Konofaos, Nikos. Nanoelectronics: Devices, Circuits, and Systems. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

44

De, Debashis, Chandan Kumar Sarkar, Arpan Deyasi, Angsuman Sarkar, and Arezki Benfdila. Nanoelectronics -: Physics, Materials and Devices. Elsevier, 2023.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

45

Nanoelectronics: Physics, Materials and Devices. Elsevier, 2023.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

46

Kaushik, Brajesh Kumar. Nanoelectronics: Devices, Circuits and Systems. Elsevier, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

47

Kaushik, Brajesh Kumar. Nanoelectronics: Devices, Circuits and Systems. Elsevier, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

48

Lakshmanan, Shanmugamurthy, and Michael R. Hamblin. Nanoscopic Electrofocusing for Bio-Nanoelectronic Devices. Morgan & Claypool Publishers, 2014.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

49

Lakshmanan, Shanmugamurthy, and Michael R. Hamblin. Nanoscopic Electrofocusing for Bio-Nanoelectronic Devices. Morgan & Claypool Publishers, 2014.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

50

Electronic device architectures for the nano-CMOS era: From ultimate CMOS scaling to beyond CMOS devices. Singapore: Pan Stanford, 2009.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!