Книги з теми "Metal oxide semiconductors"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Metal oxide semiconductors".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Nicollian, E. H. MOS (metal oxide semiconductor) physics and technology. Hoboken, N.J: Wiley-Interscience, 2003.
Знайти повний текст джерелаJ, Dumin D., ed. Oxide reliability: A summary of silicon oxide wearout, breakdown, and reliability. [River Edge, NJ]: World Scientific, 2002.
Знайти повний текст джерелаSato, Norio. Electrochemistry at metal and semiconductor electrodes. Amsterdam: Elsevier, 1998.
Знайти повний текст джерелаZhao, Yi. Wafer level reliability of advanced CMOS devices and processes. New York: Nova Science Publishers, 2008.
Знайти повний текст джерелаLancaster, Don. CMOS cookbook. 2nd ed. Indianapolis, Ind: H.W. Sams, 1988.
Знайти повний текст джерелаPfaffli, Paul. Characterisation of degradation and failure phenomena in MOS devices. Konstanz [Germany]: Hartung-Gorre, 1999.
Знайти повний текст джерелаT, Andre Noah, and Simon Lucas M, eds. MOSFETS: Properties, preparations to performance. New York: Nova Science Publishers, 2008.
Знайти повний текст джерелаKorec, Jacek. Low voltage power MOSFETs: Design, performance and applications. New York: Springer, 2011.
Знайти повний текст джерелаPaul, Reinhold. MOS-Feldeffekttransistoren. Berlin: Springer-Verlag, 1994.
Знайти повний текст джерелаShoji, Masakazu. CMOS digital circuit technology. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1988.
Знайти повний текст джерелаHelms, Harry L. High-speed (HC/HCT) CMOS guide. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1989.
Знайти повний текст джерелаKwon, Min-jun. CMOS technology. Hauppauge, N.Y: Nova Science Publishers, 2010.
Знайти повний текст джерелаSaijets, Jan. MOSFET RF characterization using bulk and SOI CMOS technologies. [Espoo, Finland]: VTT Technical Research Centre of Finland, 2007.
Знайти повний текст джерела1951-, Walsh M. J., ed. Choosing and using CMOS. London: Collins, 1985.
Знайти повний текст джерела(Firm), Signetics. High-speed CMOS data manual. Sunnyvale, Calif: Signetics Corp., 1988.
Знайти повний текст джерела(Firm), Signetics. High-speed CMOS data manual. Sunnyvale, Calif: Signetics Corp., 1988.
Знайти повний текст джерелаPeluso, Vincenzo. Design of low-voltage low-power CMOS Delta-Sigma A/D converters. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.
Знайти повний текст джерелаInternational, Symposium on Advanced Gate Stack Source/Drain and Channel Engineering for Si-based CMOS (2nd 2006 Cancún Mexico). Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS 2: New materials, processes and equipment. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2006.
Знайти повний текст джерелаMinoru, Fujishima, ed. Design and modeling of millimeter-wave CMOS circuits for wireless transceivers: Era of sub-100nm technology. Dordrecht: Springer Science+Business Media, 2008.
Знайти повний текст джерелаBehzad, Razavi, ed. High-speed CMOS circuits for optical receivers. Boston: Kluwer Academic Publishers, 2001.
Знайти повний текст джерелаBallan, Hussein. High voltage devices and circuits in standard CMOS technologies. Boston: Kluwer Academic, 1999.
Знайти повний текст джерелаShoji, Masakazu. CMOS digital circuit technology. New Jersey: Prentice-Hall International, 1988.
Знайти повний текст джерелаPaul, Vande Voorde, and Hewlett-Packard Laboratories, eds. Extension of bandgap broadening model for quantum mechanical correction in sub-quarter micron MOS devices to accumulation layer. Palo Alto, CA: Hewlett-Packard Laboratories, Technical Publications Department, 1996.
Знайти повний текст джерелаG, Einspruch Norman, and Gildenblat Gennady Sh, eds. Advanced MOS device physics. San Diego: Academic Press, 1989.
Знайти повний текст джерела1948-, Gautier Jacques, ed. Physics and operation of silicon devices in integrated circuits. London: ISTE, 2009.
Знайти повний текст джерелаMajkusiak, Bogdan. Bardzo cienki tlenek bramkowy w tranzystorze MOS--konsekwencje dla działania i modelowania. Warszawa: Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, 1991.
Знайти повний текст джерела1948-, Gautier Jacques, ed. Physics and operation of silicon devices in integrated circuits. London: ISTE, 2009.
Знайти повний текст джерела1948-, Gautier Jacques, ed. Physics and operation of silicon devices in integrated circuits. London: ISTE, 2009.
Знайти повний текст джерелаSymposium, MM "Transparent Conducting Oxides and Applications." Transparent conducting oxides and applications: Symposium held November 29-December 3 [2010], Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2012.
Знайти повний текст джерелаRumak, N. V. Sistema kremniĭ--dvuokisʹ kremnii͡a︡ v MOP-strukturakh. Minsk: "Nauka i tekhnika", 1986.
Знайти повний текст джерелаKursun, Volkan. Multiple supply and threshold voltage CMOS circuits. Chichester, England: John Wiley, 2006.
Знайти повний текст джерелаL, Helms Harry, ed. CMOS devices: 1987 source book. Englewood Cliffs, N.J: Technipubs, 1987.
Знайти повний текст джерелаKlar, Heinrich. Integrierte digitale Schaltungen MOS/BICMOS. 2nd ed. Berlin: Springer, 1996.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2010.
Знайти повний текст джерелаJürgen, Mattausch Hans, and Ezaki Tatsuya, eds. The physics and modeling of MOSFETS: Surface-potential model HiSIM. Singapore: World Scientific, 2008.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2010.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2011.
Знайти повний текст джерелаJosʹe M. de la Rosa. Systematic design of CMOS switched-current bandpass sigma-delta modulators for digital communication chips. Boston: Kluwer Academic, 2002.
Знайти повний текст джерелаSialm, Gion. VCSEL modeling and CMOS transmitters up to 40 Gb/s for high-density optical links. Konstanz: Hartung-Gorre, 2007.
Знайти повний текст джерелаPearton, Stephen J., Chennupati Jagadish, and Bengt G. Svensson. Oxide Semiconductors. Elsevier Science & Technology Books, 2013.
Знайти повний текст джерелаPearton, Stephen, Chennupati Jagadish, and Bengt G. Svensson. Oxide Semiconductors. Elsevier Science & Technology Books, 2013.
Знайти повний текст джерелаOxide Reliability: A Summary of Silicon Oxide Wearout, Breakdown, and Reliability. World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2002.
Знайти повний текст джерелаNanostructured Semiconductors. Elsevier Science & Technology, 2018.
Знайти повний текст джерелаZhuiykov, Serge. Nanostructured Semiconductors. Elsevier Science & Technology, 2018.
Знайти повний текст джерелаOxide Semiconductors: Volume 1633. Materials Research Society, 2014.
Знайти повний текст джерелаZang, Z. Metal Oxide Semiconductors - Synthesis, Properties, and Devices. Wiley & Sons, Limited, John, 2023.
Знайти повний текст джерелаZang, Zhigang, and Wensi Cai. Metal Oxide Semiconductors: Synthesis, Properties, and Devices. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2024.
Знайти повний текст джерелаZang, Zhigang, and Wensi Cai. Metal Oxide Semiconductors: Synthesis, Properties, and Devices. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2023.
Знайти повний текст джерелаZang, Zhigang, and Wensi Cai. Metal Oxide Semiconductors: Synthesis, Properties, and Devices. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2023.
Знайти повний текст джерелаSato, Norio. Electrochemistry at Metal and Semiconductor Electrodes. Elsevier Science & Technology Books, 1998.
Знайти повний текст джерела