Книги з теми "Metal oxide semiconductor field-effect transistors"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Metal oxide semiconductor field-effect transistors".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Pierret, Robert F. Field effect devices. 2nd ed. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1990.
Знайти повний текст джерелаBaliga, B. Jayant. Advanced power MOSFET concepts. New York: Springer, 2010.
Знайти повний текст джерелаSoclof, Sidney. Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETS): Principles and applications. Boston: Artech House, 1996.
Знайти повний текст джерелаPhysics of semiconductor devices. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1990.
Знайти повний текст джерелаT, Andre Noah, and Simon Lucas M, eds. MOSFETS: Properties, preparations to performance. New York: Nova Science Publishers, 2008.
Знайти повний текст джерелаKorec, Jacek. Low voltage power MOSFETs: Design, performance and applications. New York: Springer, 2011.
Знайти повний текст джерелаPaul, Reinhold. MOS-Feldeffekttransistoren. Berlin: Springer-Verlag, 1994.
Знайти повний текст джерелаShur, Michael. Physics of semiconductor devices: Software and manual. London: Prentice-Hall, 1990.
Знайти повний текст джерелаOktyabrsky, Serge, and Peide D. Ye. Fundamentals of III-V semiconductor MOSFETs. New York: Springer, 2010.
Знайти повний текст джерелаAmara, Amara, and Rozeau Olivier, eds. Planar double-gate transistor: From technology to circuit. [Dordrecht?]: Springer, 2009.
Знайти повний текст джерелаTaylor, B. E. Power Mosfet design. Chichester, W. Sussex, England: Wiley, 1993.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2010.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2010.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2011.
Знайти повний текст джерелаBaliga, Jayant. Silicon RF power MOSFETs. Singapore: World Scientific, 2005.
Знайти повний текст джерелаSilicon RF power MOSFETS. Singapore: World Scientific, 2005.
Знайти повний текст джерелаCherem, Schneider Márcio, ed. MOSFET modeling for circuit analysis and design. Singapore: World Scientific, 2007.
Знайти повний текст джерелаQuantum-mechanical modeling of transport parameters for MOS devices. Konstanz: Hartnung-Gorre, 2006.
Знайти повний текст джерелаJürgen, Mattausch Hans, and Ezaki Tatsuya, eds. The physics and modeling of MOSFETS: Surface-potential model HiSIM. Singapore: World Scientific, 2008.
Знайти повний текст джерелаSchroder, Dieter K. Advanced MOS devices. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1987.
Знайти повний текст джерелаSchroder, Dieter K. Advanced MOS devices. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1990.
Знайти повний текст джерелаWarner, R. M. MOSFET theory and design. New York: Oxford University Press, 1999.
Знайти повний текст джерела1952-, Chattopadhyay Swapan, and Bera L. K, eds. Strained-Si heterostructure field effect devices. New York: Taylor & Francis, 2007.
Знайти повний текст джерелаSaijets, Jan. MOSFET RF characterization using bulk and SOI CMOS technologies. [Espoo, Finland]: VTT Technical Research Centre of Finland, 2007.
Знайти повний текст джерелаHänsch, W. The drift diffusion equation and its applications in MOSFET modeling. Wien: Springer-Verlag, 1991.
Знайти повний текст джерелаHänsch, W. The drift diffusion equation and its applications in MOSFET modeling. Wien: Springer-Verlag, 1991.
Знайти повний текст джерелаCenter, Lewis Research, ed. Analog synthesized fast-variable linear load. Brook Park, Ohio: Sverdrup Technology, Inc., Lewis Research Center Group, 1991.
Знайти повний текст джерелаCenter, Lewis Research, ed. Analog synthesized fast-variable linear load. Brook Park, Ohio: Sverdrup Technology, Inc., Lewis Research Center Group, 1991.
Знайти повний текст джерелаWikström, Mats Olaf Tobias. MOS-controlled switches for high-voltage application. Konstanz: Hartung-Gorre, 2001.
Знайти повний текст джерелаWilson, C. L. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Знайти повний текст джерелаHisham, Haddara, ed. Characterization methods for submicron MOSFETs. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1995.
Знайти повний текст джерелаL, Blue J., ed. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Знайти повний текст джерелаL, Wilson C. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, MD: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.
Знайти повний текст джерелаCMOS: Circuit design, layout, and simulation. 3rd ed. Piscataway, NJ: IEEE Press, 2010.
Знайти повний текст джерелаLinder, Stefan. Power semiconductors. Lausanne, Switzerland: EPFL Press, 2006.
Знайти повний текст джерела1960-, Li Harry W., Boyce David E. 1940-, and Institute of Electrical and Electronics Engineers, eds. CMOS circuit design, layout, and simulation. New Delhi: Prentice-Hall of India, 2004.
Знайти повний текст джерелаFoty, D. MOSFET modeling with SPICE: Principles and practice. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall PTR, 1997.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 2nd ed. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1999.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987.
Знайти повний текст джерелаTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 2nd ed. New York: Oxford University Press, 1999.
Знайти повний текст джерелаChaudhry, Amit. Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors. New York, NY: Springer New York, 2013.
Знайти повний текст джерелаBufler, Fabian M. Full-band Monte Carlo simulation of nanoscale strained silicon MOSFETs. Konstanz: Hartung-Gorre, 2003.
Знайти повний текст джерелаWarner, R. M. Transistors: Fundamentals for the integrated-circuit engineer. Malabar, Fla: R.E. Krieger Pub. Co., 1990.
Знайти повний текст джерелаEl-Khatib, Ziad. Distributed CMOS bidirectional amplifiers: Broadbanding and linearization techniques. New York: Springer, 2012.
Знайти повний текст джерелаFleetwood, Daniel. Defects in microelectronic materials and devices. Boca Raton, FL: CRC Press, 2008.
Знайти повний текст джерелаMadrid, Philip E. Device design and process window analysis of a deep submicron CMOS VLSI technology. Reading, Mass: Addison-Wesley, 1992.
Знайти повний текст джерелаCheng, Yuhua. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. New York: Kluwer Academic Publishers, 2002.
Знайти повний текст джерелаCheng, Yuhua. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.
Знайти повний текст джерелаChenming, Hu, ed. MOSFET modeling & BSIM3 user's guide. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.
Знайти повний текст джерелаMaeda, Shigenobu. Teishōhi denryoku kōsoku MOSFET gijutsu: Takesshō shirikon TFT fukagata SRAM to SOI debaisu. Tōkyō: Sipec, 2002.
Знайти повний текст джерела