Книги з теми "Metal oxide semiconductor field-effect transistors"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Metal oxide semiconductor field-effect transistors.

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Metal oxide semiconductor field-effect transistors".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Pierret, Robert F. Field effect devices. 2nd ed. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Soclof, Sidney. Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETS): Principles and applications. Boston: Artech House, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Baliga, B. Jayant. Advanced power MOSFET concepts. New York: Springer, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Croon, Jeroen A. Matching properties of deep sub-micron MOS transistors. New York: Springer, 2005.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Shur, Michael. Physics of semiconductor devices. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Korec, Jacek. Low voltage power MOSFETs: Design, performance and applications. New York: Springer, 2011.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Paul, Reinhold. MOS-Feldeffekttransistoren. Berlin: Springer-Verlag, 1994.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

T, Andre Noah, and Simon Lucas M, eds. MOSFETS: Properties, preparations to performance. New York: Nova Science Publishers, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Shur, Michael. Physics of semiconductor devices: Software and manual. London: Prentice-Hall, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Oktyabrsky, Serge, and Peide D. Ye. Fundamentals of III-V semiconductor MOSFETs. New York: Springer, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Tsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Tsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2011.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Tsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 3rd ed. New York: Oxford University Press, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

Taylor, B. E. Power Mosfet design. Chichester, W. Sussex, England: Wiley, 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Amara, Amara, and Rozeau Olivier, eds. Planar double-gate transistor: From technology to circuit. [Dordrecht?]: Springer, 2009.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Kang, Baowei. Chang xiao ying jing ti guan li lun ji chu. 8th ed. Beijing: Ke xue chu ban she, 1985.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Baliga, Jayant. Silicon RF power MOSFETs. Singapore: World Scientific, 2005.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Baliga, B. Jayant. Silicon RF power MOSFETS. Singapore: World Scientific, 2005.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Amara, Amara, and Rozeau Olivier, eds. Planar double-gate transistor: From technology to circuit. [Dordrecht?]: Springer, 2009.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

Höhr, Timm. Quantum-mechanical modeling of transport parameters for MOS devices. Konstanz: Hartnung-Gorre, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

Kano, Kanaan. Semiconductor devices. Upper Saddle River, N.J: Prentice Hall, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

Schroder, Dieter K. Advanced MOS devices. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1987.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

Schroder, Dieter K. Advanced MOS devices. Reading, Mass: Addison-Wesley Pub. Co., 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
24

Warner, R. M. MOSFET theory and design. New York: Oxford University Press, 1999.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
25

Maiti, C. K. Strained-Si heterostructure field effect devices. New York: Taylor & Francis, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
26

Enz, Christian. Charge-based MOS transistor modelling: The EKV model for low-power and RF IC design. Chichester, UK: John Wiley & Sons, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
27

Saijets, Jan. MOSFET RF characterization using bulk and SOI CMOS technologies. [Espoo, Finland]: VTT Technical Research Centre of Finland, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
28

Hänsch, W. The drift diffusion equation and its applications in MOSFET modeling. Wien: Springer-Verlag, 1991.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
29

Galup-Montoro, Carlos. MOSFET modeling for circuit analysis and design. Singapore: World Scientific, 2007.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
30

Center, Lewis Research, ed. Analog synthesized fast-variable linear load. Brook Park, Ohio: Sverdrup Technology, Inc., Lewis Research Center Group, 1991.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
31

Grant, Duncan A. Power MOSFETS: Theory and applications. New York: Wiley, 1989.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
32

Center, Lewis Research, ed. Analog synthesized fast-variable linear load. Brook Park, Ohio: Sverdrup Technology, Inc., Lewis Research Center Group, 1991.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
33

Hänsch, W. The drift diffusion equation and its applications in MOSFET modeling. Wien: Springer-Verlag, 1991.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
34

Miura-Mattausch, Mitiko. The physics and modeling of MOSFETS: Surface-potential model HiSIM. Singapore: World Scientific, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
35

P, Severns Rudolf, and Armijos Jack 1949-, eds. MOSPOWER applications handbook. Santa Clara, Calif: Siliconix, 1985.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
36

Wikström, Mats Olaf Tobias. MOS-controlled switches for high-voltage application. Konstanz: Hartung-Gorre, 2001.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
37

Wilson, C. L. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
38

L, Blue J., ed. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, Md: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
39

L, Wilson C. MOS1: A program for two-dimensional analysis of Si MOSFETs. Gaithersburg, MD: U.S. Dept. of Commerce, National Bureau of Standards, 1985.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
40

Hisham, Haddara, ed. Characterization methods for submicron MOSFETs. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1995.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
41

Baker, R. Jacob. CMOS: Circuit design, layout, and simulation. 3rd ed. Piscataway, NJ: IEEE Press, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
42

Linder, Stefan. Power semiconductors. Lausanne, Switzerland: EPFL Press, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
43

Baker, R. Jacob. CMOS circuit design, layout, and simulation. New Delhi: Prentice-Hall of India, 2004.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
44

Foty, D. MOSFET modeling with SPICE: Principles and practice. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall PTR, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
45

R, Fossum Eric, and Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., eds. Infrared readout electronics II: 7-8 April 1994, Orlando, Florida. Bellingham, Wash., USA: SPIE, 1994.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
46

Tsividis, Yannis P. Operation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
47

Chaudhry, Amit. Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors. New York, NY: Springer New York, 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
48

Tsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 2nd ed. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
49

Tsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. 2nd ed. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1999.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
50

Tsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

До бібліографії