Дисертації з теми "Malédiction de la dimensionnalité"
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Chapel, Laëtitia. "Maintenir la viabilité ou la résilience d'un système : les machines à vecteurs de support pour rompre la malédiction de la dimensionnalité ?" Phd thesis, Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00499465.
Chapel, Laetitia. "Maintenir la viabilité ou la résilience d'un système : les machines à vecteurs de support pour rompre la malédiction de la dimensionnalité." Clermont-Ferrand 2, 2007. http://www.theses.fr/2007CLF21774.
Massaoudi, Imane. "Domain Decomposition Approach for Deterministic/Stochastic EMC Time-Domain Numerical and Experimental Applications. Alleviating the Curse of Dimensionality." Electronic Thesis or Diss., Université Clermont Auvergne (2021-...), 2023. http://www.theses.fr/2023UCFA0150.
This thesis introduces a novel domain decomposition (DD) method to solve linear stochastic electromagnetic problems in time-domain. Temporal decomposition approaches are already widely used to manage models' complexity by performing computations at a local level, however, they often require the exchange of information and simulation results for each time iteration. The proposed technique consists of splitting a global linear systeminto non-overlapping sub-systems via one or several one-point exchange interfaces. It is based on the evaluation of impulse responses of each sub-system independently (partial solutions) and their linear combination through convolution products. As no sensitive or proprietary information of each sub-system is required for exchange, the confidentiality of the models is preserved. The method was extensively applied for several configurations oftransmission line networks based on computational simulations and experimental set-ups to assess its performance and limitations. This comprehensive validation demonstrated the method's efficiency and potential for more complex linear EMC problems. However, another level of complexity, translated by the uncertainty dimension, adds to real-world problems. Although the efficiency of the DD technique is demonstrated forstochastic analysis by propagating the uncertainty in the sub-models, the computational cost grows exponentially with the increasing number of random variables in the system. To tackle this challenge, known as the curse of dimensionality, the stochastic collocation method was associated with the domain decomposition approach, based on an offline-online strategy motivated by the asynchronous nature of the DD technique allowing random variable separation. Numerical validations obtained for transmission line networkapplications highlight the interest of this original approach with the dramatic reduction of the evaluation cost of the model
Slama, Marie-Gabrielle. "Malédiction de Baudelaire." Paris 4, 2007. http://www.theses.fr/2007PA040105.
This study analyses the initial critical response to Baudelaire’s works during his lifetime, in the period running from the publication of the Salons in 1845 and 1846 to the days following his death in September 1867. Based on a body of 271 texts - many of which were hitherto unknown - this study aims to debunk the Baudelairean myth of the cursed poet. In undertaking this process of demolition, this study first considers the poet’s detractors and then his supporters, before assessing the importance of the theme of the cursed artist in his works themselves. For Baudelaire deliberately created a cliché – linked to dandyism and anti-modernity – that was so compelling that it ultimately came to distort the reception of his work
Brissette, Pascal. "La malédiction littéraire : constitution et transformation d'un mythe." Thesis, McGill University, 2003. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=84481.
Kauffmann, Matthieu. "Structure, dimensionnalité et magnétisme de nouvelles halogéno-cobaltites." Phd thesis, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00198765.
Orignac, Edmond. "Magnétisme Quantique, Bosons en interaction et basse dimensionnalité." Habilitation à diriger des recherches, Ecole normale supérieure de lyon - ENS LYON, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00964641.
Willemin, Stéphanie. "Organisation et dimensionnalité de composés à propriétés magnétiques." Montpellier 2, 2004. http://www.theses.fr/2004MON20137.
Crepin, François. "Phases désordonnées dans des gaz d'atomes froids de basse dimensionnalité." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00647322.
Anoufa, Mickaël. "Nanocomposites et effet de dimensionnalité pour le stockage de l'énergie." Phd thesis, Ecole Centrale Paris, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00832356.
Cartarius, Florian. "Phases classiques et quantiques des systèmes dipolaires de basse dimensionnalité." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016GREAY049.
In this work, the classical and quantum phases of low-dimensional atomic or molecular systems is studied with a particular focus on the regime where a system goes over from a strictly one-dimensional to a two dimensional system.The first part of the thesis is dedicated to atoms interacting via contact interactions. In particular, we study the dynamical depinning following a sudden turn off of an optical lattice for a gas of impenetrable bosons in a tight atomic waveguide. We use an exact solution, which is based on an equivalence between strongly interacting bosons and noninteraction fermions, in order to derive the exact quantum dynamical evolution. At long times, in the thermodynamic limit, we observe the approach to a nonequilibrium steady state, characterized by the absence of quasi-long-range order and a reduced visibility in the momentum distribution. Similar features are found in a finite-size system at times corresponding to half the revival time, where we find that the system approaches a quasisteady state with a power-law behavior.In the second part, we study the effect of additional dipolar interactions on the ground state of the system. The inclusion of dipole-dipole interaction leads to new quantum phases of the one-dimensional system, but can also lead to a transverse instability.This instability is first analyzed in the classical regime. We study classical particles with dipolar interactions, that are confined on a chain by a harmonic potential. The dipoles are polarised perpendicular to the plane of confinement. Classical particles with repulsive power-law interactions undergo a transition from a single to a double chain (zigzag) by decreasing the confinement in the transverse direction. We theoretically characterize this transition when the particles are classical dipoles, polarized perpendicularly to the plane in which the motion occurs, and argue that this transition is of first order, even though weakly. The nature of the transition is determined by the coupling between transverse and axial modes of the chain and contrasts with the behavior found in Coulomb systems, where the linear-zigzag transition is continuous and belongs to the universality class of the ferromagnetic transition. Our results hold for classical dipolar systems and Rydberg atoms, which can offer a test bed for simulating the critical behavior of magnets with lattice coupling.In the quantum regime, we consider dipolar bosons in an optical lattice, tightly confined by an anisotropic harmonic potential. In the regime where a single chain becomes unstable, we show that the system can be mapped onto an extended multi-mode Bose-Hubbard model, where the coefficients can be determined by means of a low energy theory. A path integral Monte Carlo method, exact diagonalization and TEBD are used to determine the ground state of the extended Bose-Hubbard models. and show that the model captures the linear to zigzag transition
Crépin, François. "Phases désordonnées dans des gaz d'atomes froids de basse dimensionnalité." Thesis, Paris 11, 2011. http://www.theses.fr/2011PA112148/document.
In this thesis we study two distinct problems related to the physics of quantum gases in one dimension. After writing a low-energy Hamiltonian, we address the question of localization by considering the pinning of density waves by weak disorder. Using the Renormalization Group and a variationnal method in replica space, we find that the phase diagram is adequately plotted as a function of two parameters: the strength of Bose-Bose and Bose-Fermi interactions. The position and properties of the various phases depend on an additional third parameter, the ratio of the phonon velocities of each component of the gas. Whatever the value of this ratio, we identify -- using the Renormalization Group and a variational calculation -- three types of phases, (i) a fully delocalized phase, that is a two-component Luttinger, (ii) a fully localized phase where both components are pinned by disorder and (iii) an intermediate phase where fermions are localized and bosons are superfluid. The second system is a two-leg ladder lattice of hardcore bosons. Three parameters control the physics: transverse and longitudinal tunneling and the filling. Using several analytical methods (perturbation theory, bosonization, RG) we give an interpretation of new numerical results obtained by our collaborators, namely on the Luttinger parameter of the symmetric mode. We deduce a phase diagram for weak disorder
Richard, Audrey. "Conception, synthèse et caractérisation de semi-conducteurs moléculaires à dimensionnalité élevée." Doctoral thesis, Universite Libre de Bruxelles, 2017. http://hdl.handle.net/2013/ULB-DIPOT:oai:dipot.ulb.ac.be:2013/256602.
Doctorat en Sciences
info:eu-repo/semantics/nonPublished
Khoder, Jihan. "Nouvel Algorithme pour la Réduction de la Dimensionnalité en Imagerie Hyperspectrale." Phd thesis, Université de Versailles-Saint Quentin en Yvelines, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00939018.
Sellami, Akrem. "Interprétation sémantique d'images hyperspectrales basée sur la réduction adaptative de dimensionnalité." Thesis, Ecole nationale supérieure Mines-Télécom Atlantique Bretagne Pays de la Loire, 2017. http://www.theses.fr/2017IMTA0037/document.
Hyperspectral imagery allows to acquire a rich spectral information of a scene in several hundred or even thousands of narrow and contiguous spectral bands. However, with the high number of spectral bands, the strong inter-bands spectral correlation and the redundancy of spectro-spatial information, the interpretation of these massive hyperspectral data is one of the major challenges for the remote sensing scientific community. In this context, the major challenge is to reduce the number of unnecessary spectral bands, that is, to reduce the redundancy and high correlation of spectral bands while preserving the relevant information. Therefore, projection approaches aim to transform the hyperspectral data into a reduced subspace by combining all original spectral bands. In addition, band selection approaches attempt to find a subset of relevant spectral bands. In this thesis, firstly we focus on hyperspectral images classification attempting to integrate the spectro-spatial information into dimension reduction in order to improve the classification performance and to overcome the loss of spatial information in projection approaches.Therefore, we propose a hybrid model to preserve the spectro-spatial information exploiting the tensor model in the locality preserving projection approach (TLPP) and to use the constraint band selection (CBS) as unsupervised approach to select the discriminant spectral bands. To model the uncertainty and imperfection of these reduction approaches and classifiers, we propose an evidential approach based on the Dempster-Shafer Theory (DST). In the second step, we try to extend the hybrid model by exploiting the semantic knowledge extracted through the features obtained by the previously proposed approach TLPP to enrich the CBS technique. Indeed, the proposed approach makes it possible to select a relevant spectral bands which are at the same time informative, discriminant, distinctive and not very redundant. In fact, this approach selects the discriminant and distinctive spectral bands using the CBS technique injecting the extracted rules obtained with knowledge extraction techniques to automatically and adaptively select the optimal subset of relevant spectral bands. The performance of our approach is evaluated using several real hyperspectral data
Durupt, Emilien. "Fluides polaritoniques de basse dimensionnalité : propriétés de corrélations spatiale et thermodynamique." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAY094/document.
This work is devoted to the study of the interaction of a Bose gas of polariton with its environment it aims to determine the impact of the gas density, the dimensionality of the confinement, the experienced potential and the surrounding phonon bath on the polariton Bose gas characteristics.In the first chapter, we study a one dimensional polariton condensate in Zinc Oxide microwires that features a quasi excitonic nature.By determining the spatial correlation properties of the gas, and using a mean field driven dissipative model developed by our colleagues of the Laboratoire de Physique et de Mod'elisation des Milieux Condens'es we were able to determine the influence of the combined quasi excitonic nature, disordered one dimensional confining potential and density on the coherence properties of the gas. The end of the chapter describes an application of those highly excitonic polaritons to a novel subwavelength imaging technic based on the Solid Immersion Lens concept.In the second part we address the interactions of the polariton field with an intrinsic characteristic of the solid state environment : the thermal excitations of the lattice called phonons.In this part, we use angle resolved Raman spectroscopy to study Anti-Stokes Fluorescence (ASF) which consists in the the absorption of a phonon by an excited states to cool down the studied microcavity. The state of the art technics are using ion doped materials or bare excitons in semiconductors as emitters.The study performed exploited the polaritons as emitters, using respectively their very short lifetime and their very light mass to access a faster cooling dynamics and an energy range going from 150K to 4K
Mizokuchi, Raisei. "Hétérostructures de silicium-germanium à dimensionnalité réduite pour la spintronique quantique." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAY013/document.
Aiming towards largely integrated quantum bits (qubits) requires thedevelopment of solid-state, two-level quantum systems, such as spins inquantum dots or Majorana fermions in one-dimensional wires. Holes confinedin low-dimensional, germanium-based heterostructures are good candidatesfor such qubits because they offer i) large spin-orbit interaction(SOI), leading to conveniently large g factors, ii) reduced hyperfine coupling,which is important for long spin coherence, and iii) relatively loweffective masses, favoring quantum confinement. In this thesis, I have investigatedhole transport in one- and two-dimensional systems made fromcompressively strained Ge/Si_0.2Ge_0.8 heterostructures. An important partof my research work has been devoted to developing the recipes for devicefabrication. I have started from the fabrication of gated Hall bardevices from nominally undoped Ge/SiGe heterostructures. I have studiedtwo types of the heterostructures embedding a strained Ge quantumwell: one where the Ge well is at the surface, hence easily accessible tometal contacts, and one where it is buried 70 nm below the surface, aconfiguration resulting in higher hole mobility. The electronic propertiesof the two-dimensional hole gas confined to the Ge well were studied bymeans of magneto-transport measurements down to 0.3 K. My measurementsrevealed a dominant heavy-hole character, which is expected fromthe presence of a compressive strain in combination with two-dimensionalconfinement. The surface-Ge devices showed diffusive transport and a weakanti-localization effect, which is due to SOI in combination with quantuminterference. The fact that the Ge quantum well is located at the surfaceallows for relatively large perpendicular electric fields and hence enhancedRashba-type SOI. I was able to estimate a spin splitting of around 1 meV.For the realization of quantum nano-devices, I used the heterostructure witha buried Ge well where the hole mobility approaches 2×105 cm2/Vs. Usinge-beam lithography, sub-micron metal gates were defined on sample surfacein order to create one-dimensional constrictions in the two-dimensional holegas. I succeeded in observing conductance quantization in hole quantum wires with a length up to ~ 600 nm. In these wires I investigated the Zeemansplitting of the one-dimensional subbands, finding large perpendicularg-factors as opposed to small in-plane g-factors. This strong anisotropyindicates a prevailing heavy-hole character, which is expected in the caseof a dominant confinement in the perpendicular direction. The large g factorsand the ballistic one-dimensional character are favorable properties forthe realization of Majorana fermions. Finally, I have begun to explore thepotential of Ge-based heterostructures for the realization of quantum-dotdevices, having in mind applications in spin-based quantum computing.During the last months, I was able to observe clear evidence of single-holetransport, laying the ground for more in-depth studies of hole quantumdots
Fournel, André. "Etude de conducteurs de basse dimensionnalité à l'aide de l'effet tunnel." Aix-Marseille 1, 1991. http://www.theses.fr/1991AIX11349.
Khoder, Jihan Fawaz. "Nouvel algorithme pour la réduction de la dimensionnalité en imagerie hyperspectrale." Versailles-St Quentin en Yvelines, 2013. http://www.theses.fr/2013VERS0037.
In hyperspectral imaging, the volumes of data acquired often reach the gigabyte for a single scene observed. Therefore, the analysis of these data complex physical content must go with a preliminary step of dimensionality reduction. Therefore, the analyses of these data of physical content complex go preliminary with a step of dimensionality reduction. This reduction has two objectives, the first is to reduce redundancy and the second facilitates post-treatment (extraction, classification and recognition) and therefore the interpretation of the data. Automatic classification is an important step in the process of knowledge extraction from data. It aims to discover the intrinsic structure of a set of objects by forming groups that share similar characteristics. In this thesis, we focus on dimensionality reduction in the context of unsupervised classification of spectral bands. Different approaches exist, such as those based on projection (linear or nonlinear) of high-dimensional data in a representation subspaces or on the techniques of selection of spectral bands exploiting of the criteria of complementarity-redundant information do not allow to preserve the wealth of information provided by this type of data
David, Rénald. "Oxydes et ferromagnétisme de basse-dimensionnalité : nouvelles topologies à propriétés remarquables." Thesis, Lille 1, 2014. http://www.theses.fr/2014LIL10006/document.
Low-dimensional oxides with disconnected magnetic units are of increasing interest due the peculiar properties and the versatile interplay between individual magnetic moments into an external magnetic field: metamagnetic transition, magnetization steps…. In addition to understanding these phenomena, the importance of this type of compounds is also emerging properties indirectly related to the specific magnetization of these systems that can be part of the field of "spintronic". Our work, upstream, is the synthesis and study of new compounds, mainly low dimensional oxides, which bring a new vision on such properties, due to their particular magnetic behaviors. The aim of this thesis was therefore to prepare and characterize novel compounds, but also to solve the structure-properties relationship. The results obtained through a work of reflected synthesis, have identified chemical systems favorable to the realization of low-dimensional magnetic materials. Several new phases with specific properties have been identified. It is clear that all the observed behaviors: 2D Ising-FM, SCM, magnetization step, reversible extrusion are relatively original and have led to important advances in the understanding of magnetism of weakly interacting subunits
David, Rénald. "Oxydes et ferromagnétisme de basse-dimensionnalité : nouvelles topologies à propriétés remarquables." Electronic Thesis or Diss., Lille 1, 2014. http://www.theses.fr/2014LIL10006.
Low-dimensional oxides with disconnected magnetic units are of increasing interest due the peculiar properties and the versatile interplay between individual magnetic moments into an external magnetic field: metamagnetic transition, magnetization steps…. In addition to understanding these phenomena, the importance of this type of compounds is also emerging properties indirectly related to the specific magnetization of these systems that can be part of the field of "spintronic". Our work, upstream, is the synthesis and study of new compounds, mainly low dimensional oxides, which bring a new vision on such properties, due to their particular magnetic behaviors. The aim of this thesis was therefore to prepare and characterize novel compounds, but also to solve the structure-properties relationship. The results obtained through a work of reflected synthesis, have identified chemical systems favorable to the realization of low-dimensional magnetic materials. Several new phases with specific properties have been identified. It is clear that all the observed behaviors: 2D Ising-FM, SCM, magnetization step, reversible extrusion are relatively original and have led to important advances in the understanding of magnetism of weakly interacting subunits
Tonguino, Emmanuel. "Destinée d' une légende : malédiction de Canaan par Noé dans la Bible." Paris 8, 1986. http://www.theses.fr/1986PA080020.
Tonguino, Emmanuel. "La malédiction de Canaan et le mythe chamitique dans la tradition juive." Paris 1, 1991. http://www.theses.fr/1991PA010581.
How a man cloud be both and peaceably Jewish and black (i. E. Falacha) if Noah has cursed Cham through Canaan ? 1. A description of the "Hamitic myth" (chiefly in Judaism, but a bit also in Christianity and Islam) i. E. Of the malediction of Canaan in the book of genesis and the progress of its misinterpretations from the beginnings till our time. That Ham and his descendants have been cursed by the Noachian malediction of Canaan in the hard core of the Hamitic myth. 2. Understanstanding of the interpretations of this malediction and the reasons why the biblical text has been turned into racialism. 3. Finally, a call to a true world-wide brotherhood
Dumoulin, Benoît. "Étude théorique des fluctuations structurales dans les composés organiques à dimensionnalité réduite." Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 1998. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk2/tape15/PQDD_0014/NQ35769.pdf.
Dumoulin, Benoît. "Étude théorique des fluctuations structurales dans les composés organiques à dimensionnalité réduite." Thèse, Université de Sherbrooke, 1997. http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/4966.
Leprévost, Alexandre. "Ordres non conventionnels et entrelacés du modèle de Hubbard à basse dimensionnalité." Caen, 2015. http://www.theses.fr/2015CAEN2063.
The understanding of superconductivity exhibited at high critical temperature by certain transition metal oxides remains a central issue in theoretical condensed matter physics. In this context, and since the historical proposal by P. W. Anderson, the repulsive Hubbard model in two dimensions became a paradigm in an attempt to capture the essential properties of non-conventional superconducting materials. However, the determination of the exact ground state encounters the exponential complexity of the quantum many-body problem. The main purpose of this thesis is to develop a variational scheme free of any hypothesis concerning magnetic, charge or superconducting orders likely to emerge from the Hamiltonian at low energy. The originality of the approach is found in the introduction of correlations by restoring, before variation, symmetries deliberately broken in a trial state given by a superposition of versatile wavefunctions of Hartree-Fock and Bogoliubov–de Gennes types. For small clusters of two and four sites, we show analytically that this symmetry entangled mean field method allows to find the exact ground state regardless of the strength of the on-site interaction. For larger hole-doped clusters and in the strongly correlated regime, we highlight an arrangement of magnetic moments in a spiral or in a spin density wave that is then accompanied by inhomogeneities in the form of regularly distributed stripes. Moreover, such orders are intertwined with long range d-wave pairing correlations, which, in the thermodynamic limit, sign superconductivity. These results are obtained through systematic simulations in a four-leg tube geometry that can be realized experimentally using cold atoms trapped in optical lattices
Torelli, Piero. "Propriétés magnétiques de sytèmes à basse dimensionnalité : le dichroi͏̈sme en rayonnement synchrotron." Paris 11, 2002. http://www.theses.fr/2002PA112009.
The subject of the thesis is the study of magnetic proprieties of the Fe(100) surface and of the Mn/Fe(100) surface and of the Mn/Fe(100) interface. The experiments were performed using X ray absorption and X ray photoelectron spectroscopy. An important part of my research activity was dedicated to the construction of a new experimental setup. On the clean Fe(100) surface I studied in particular the photoelectron diffraction effects which are observed at normal emission on the iron 2p and 3p core levels when these are observed with kinetic energies ranging between 100eV and 160eV. Our experiments represents a detailed characterization of the photoelectron diffraction intensity and of the corresponding modification of the Linear Magnetic Dichroism in the Angular Distribution of Photoelectrons. We compared the photoelectron emitted intensity with the calculation of multiple scattering diffraction. .
Pradem-Sarinic, Marianne. "Les malédictions en Dalmatie." Paris, EHESS, 2002. http://www.theses.fr/2002EHES0103.
Lee, Jae Woo. "Caractérisation électrique et modélisation des transistors à effet de champ de faible dimensionnalité." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00666486.
La réduction des dimensions des composants microélectroniques a été le principal moteur pour l'amélioration des performances, en particulier l'augmentation de la vitesse de commutation et la réduction de la consommation. Actuellement les technologies dites 32 nm sont utilisées dans la production de masse. D'après la loi de Moore, des longueurs de grille de quelques nanomètres, qui représentent une limitation physique pour les transistors MOS, devraient être utilisées dans quelques années. Cependant la simple réduction des dimensions est actuellement en train d'atteindre ses limites car elle soulève divers problèmes.
- La fabrication devient plus difficile. Par exemple, les circuits deviennent plus denses et plus complexes. Des difficultés apparaissent pour la lithographie, les interconnexions et les procédés de fabrication.
- Dans les transistors à canal long, les équipotentielles sont parallèles à la grille de sorte que le canal est confiné de façon efficace à l'interface. Quand la longueur de grille décroît, la distribution du potentiel est modifiée. Les équipotentielles se déforment en direction du substrat de sorte que le canal n'est plus contrôlé uniquement par la grille. Ce phénomène est à l'origine des effets de canal courts qui se traduisent par le décalage de la tension de seuil, une réduction de la barrière de potentiel source-canal sous l'effet de la tension de drain (DIBL), un percement éventuel, des effets de transport non stationnaire ou de saturation de la vitesse, des effets de porteurs chuads, etc. De ce fait, un changement de perspective est nécessaire pour poursuivre l'augmentation de la densité d'intégration et l'amélioration des performances anticipées par la loi de Moore. De nouveaux concepts sont nécessaires. Ils peuvent être classés de la façon suivante: empilement de grille, substrats silicium sur isolant (SOI), et ingénierie du canal. Sous cette dernière dénomination, nous incluons l'architecture du canal, le choix du matériau et l'ingénierie de la contrainte mécanique.
- L'épaisseur de l'oxyde de grille doit décroître pour maintenir un champ électrique suffisant à l'interface. En 2009, la feuille de route ITRS prévoyait à terme une épaisseur effective d'oxyde inférieure à 1 nm. A cette épaisseur, l'oxyde de silicium SiO2 n'assure plus une isolation suffisante et une fuite de grille apparaît par couplage quantique entre la grille et le canal. SiO2 doit donc être remplacé par un diélectrique à plus haute permittivité (diélectrique dit high-k). Par exemple, avec une épaisseur physique de 5nm, un diélectrique dont la permittivité relative vaut 20 peut remplacer 1 nm de SiO2. L'augmentation de l'épaisseur de diélectrique permet alors d'éviter les fuites par effet tunnel à travers la grille. Cependant, ces diélectriques peuvent sont fréquemment sujets à un piégeage du niveau de Fermi à l'interface avec le métal de grille. Intrinsèquement, ils génèrent également des phonons optiques de faible énergie qui peuvent interagir avec les électrons du canal. Avec une grille métallique la forte concentration d'électrons peut cependant écranter ces vibrations dipolaires. Enfin, les tensions de seuil du PMOS et du NMOS dépendent directement des travaux de sortie des matériaux utilisés pour la grille et le choix de l'empilement high-k/métal doit donc être fait en intégrant cette contrainte.
- Les substrats SOI sont constitués d'un film de silicium (body), séparé du substrat proprement dit par une couche enterrée de silice (BOX). Les composants sont isolés verticalement ce qui assure un premier niveau de protection contre certains effets parasites qui peuvent apparaître dans les substrats massifs, tels que courant de fuite par le substrat, photo-courant ou déclenchement parasite (latch-up) sous irradiation. L'utilisation d'un substrat SOI permet également de réduire la profondeur des jonctions, le courant de fuite et la capacité de jonction. Selon leur épaisseur, les substrats SOI sont de deux types: partiellement désertés (PD-SOI) ou totalement désertés (FD-SOI).
Les substrats PD-SOI utilisent un film silicium relativement épais (tSi > 45 nm). La charge de déplétion sous le canal ne s'étend pas jusqu'au BOX de sorte qu'une partie du film reste neutre et peut collecter les porteurs majoritaires. Si un contact supplémentaire n'est pas introduit pour les évacuer, ce type de substrat est sujet aux effets de body flottant. En effet, lorsqu'un mécanisme tel que l'ionisation par impact génère des porteurs majoritaires, ces derniers sont susceptibles de s'accumuler dans la zone neutre du body et d'induire une polarisation parasite de la jonction source qui provoque l'injection d'un courant en excès, une variation transitoire de la tension de seuil et du potentiel de body. Les substrats FD-SOI on tune épaisseur de silicium plus faible, typiquement inférieure à 20 nm. De ce fait, le film est entièrement déserté et la charge de déplétion est constante. L'excellent couplage entre la grille et le canal améliore els performances en termes de courant de drain, de pente sous le seuil et de temps de réponse à une variation de commande de grille. L'utilisation du substrat comme grille arrière est également plus efficace que pour les substrats PD-SOI. Cette propriété peut par exemple être utilisée pour contrôler électriquement la tension de seuil. Les effets de body flottant sont fortement réduits. La faible épaisseur du body et son isolation thermique par le BOX peuvent toutefois conduire à un auto-échauffement du composant et à un couplage éventuel entre les défauts des deux interfaces. Malgré ces quelques inconvénients, la technologie SOI apporte toutefois un net bénéfice en termes de performances.
- L'immunité aux effets de canal court peut être encore améliorée par rapport à celle des composants planaires grâce à l'utilisation de structures à grilles multiples qui renforcent le contrôle électrostatique du canal. Intel a annoncé récemment que sa prochaine génération de microprocesseurs, dénommée Ivy Bridge, utilisera une technologie 22 nm en remplacement de la technologie 32 nm de Sandy Bridge. Ivy Bridge utilisera des transistors de type Tri-gate FinFET pour éviter les effets de canal court. Cette architecture rend possible la réduction des dimensions du transistor, et en conséquence une réduction de la consommation et une augmentation de la fréquence d'horloge. Intel prévoit que cette technologie FinFET 22 nm sera 37% plus rapide et économisera 50% de la puissance active par rapport à la technologie 32 nm actuelle. Au-delà, les architectures à grille complètement enrobante (GAA, pour Gate-All-Around) constituent l'architecture optimale en termes de contrôle électrostatique du canal. Ce sont des architectures 3D dans lesquelles la grille entoure complètement le canal. Pour les sections les plus faibles, le canal tend vers une structure de nanofil pseudo-1D. On parle alors de NW-FET (Nanowire FET).
Pour résumer ce qui vient d'être dit, la première amélioration qui peut être apportée pour repousser l'apparition des effets de canal court, et permettre ainsi une réduction des dimensions, consiste à réduire l'épaisseur du body en utilisant un substrat FD-SOI. Le contrôle électrostatique est encore amélioré grâce à l'utilisation de grilles multiples, ce qui permet de relâcher un peu les contraintes sur les épaisseurs de diélectrique de grille et du body, réduisant de ce fait le risque de dispersion technologique. Les premières mises en œuvre industrielles utilisent l'architecture FinFET. Outre son excellente résistance aux effets de canal court, celle-ci présente l'atout de ne pas nécessiter de prise de contact enterrée. Dans le FinFET, la largeur de l'aileron joue le même rôle que l'épaisseur du body et son ajustement permet d'obtenir une pente sous le seuil élevée, un coefficient de body faible et une vitesse de commutation élevée, ce qui le rend très attractif. Certaines étapes de fabrication restent toutefois délicates. C'est le cas de la structuration des ailerons. Par exemple, le parfait contrôle de la largeur des ailerons et de la forme des flancs qui doivent être parfaitement verticaux impose de faire appel à une gravure ionique réactive (RIE). Ce n'est pas gênant pour la face supérieure de l'aileron, qui est protégée par un masque dur, mais cela peut dégrader les faces verticales et les rendre rugueuses. Or l'interaction avec la rugosité de surface est le mécanisme principal qui limite la mobilité des porteurs en forte inversion. Il y a donc un risque de dégrader les propriétés de transport et, dans le pire des cas, de réduire le courant Ion en régime passant. C'est ce que nous avons voulu étudier. Comme la rugosité a un impact direct sur le transport, elle peut en principe être extraite d'une analyse détaillée de la mobilité. Ceci permet d'obtenir une information directe sur l'état des interfaces dans le transistor réel, information précieuse pour guider l'optimisation technologique. Nous présentons ici une méthode expérimentale qui fournit une évaluation quantitative de la contribution de la rugosité. Elle est basée sur une analyse détaillée de l'influence de la largeur de l'aileron sur les caractéristiques électriques en fonction de la polarisation de grille et de la température. Les FinFETs utilisés pour cette étude ont été fabriqués par l'IMEC (Leuven) sur substrat SOI, avec une épaisseur de BOX de 145 nm. Ils n'utilisent pas de technique de contrainte mécanique intentionnelle. Le canal est non dopé, avec une concentration résiduelle de bore de 10^15 cm^-3, de façon à éviter les interactions avec les impuretés ionisées et à atteindre une mobilité plus élevée. Le diélectrique de grille, HfSiON, est déposé par MOCVD, pour une épaisseur équivalente d'oxyde de 1.7 nm. Une couche de TiN, déposée par PVD est utilisée comme métal de grille. Elle est recouverte de 100 nm de silicium polycristallin. Les plots de source et de drain sont fortement dopés, à 2x10^20 cm^-3, et sont séparés de la grille de 0.2 µm. La zone d'accès sous les espaceurs verticaux est longue de 50 nm, avec un dopage de 5x10^19 cm-3. La hauteur de l'aileron est constante sur la plaque, avec une valeur de 65 nm, et le masque intègre des transistors de largeur d'aileron variable de 10 nm à 10 µm. Notez que la pente des courbes ID-VG, la transconductance, est nettement plus faible à 77 K qu'à température ambiante. Dans les transistors NMOS, le courant de drain décroît même à forte tension de grille (au dessus de 1.3 V). Il est possible de décorréler les composantes associées à la surface supérieure et aux flancs de l'aileron en analysant la variation du courant avec la largeur Wfin de l'aileron. On obtient une variation linéaire dont l'extrapolation à largeur nulle fournit la composante IDside du courant associée aux parois latérales, avec une largeur de grille équivalente égale à 2xHfin. Ce courant ne représente bien entendu pas le courant qui circulerait dans un aileron de largeur nulle, mais la composante du courant qui circule le long des flancs dans les ailerons de largeur suffisante pour que les effets de couplages entre faces soient négligeables. Le courant qui circule le long de la face supérieure de l'aileron est obtenu par différence de IDside avec le courant total. Pour analyser ces courbes il faut se rappeler des caractéristiques des principaux processus d'interaction qui sont susceptibles de limiter la mobilité: les interactions Coulombiennes sont d'autant plus efficaces qu'on est en plus faible inversion, elles sont écrantées en forte inversion et varient peu avec la température ; l'interaction avec les phonons décroît fortement quand la température décroît, du fait du gel des phonons ; enfin, l'interaction avec la rugosité de surface prend progressivement le pas sur les autres mécanismes d'interaction en forte inversion, du fait de sa variation en carré du champ effectif Eeff, elle dépend peu de la température. On retrouve ces différents comportements sur les courbes mesurées. On observe en premier lieu que les courbes µeff(Ninv) présentent en faible inversion une pente positive caractéristique d'une interaction Coulombienne. Cette contribution Coulombienne est encore plus visible à basse température dans la mesure où elle devient le mécanisme d'interaction dominant du fait du gel des phonons. En forte inversion, l'interaction avec la rugosité de surface prend progressivement le pas sur les autres mécanismes d'interaction, du fait de sa variation en carré du champ effectif Eeff. Or en forte inversion (Ninv>5x10^12 cm^-2), on observe que la mobilité associée aux flancs décroît plus fortement que celle de la face supérieure, ce qui indiquerait donc que les flancs sont plus rugueux que la face supérieure. En ce qui concerne les flancs, l'analyse qualitative de ces courbes indique donc que la mobilité μeffside est dominée par la rugosité en forte inversion, tandis qu'en faible inversion on est en présence d'interactions avec les phonons et les impuretés Coulombiennes. En ce qui concerne la face supérieure, on observe un comportement général similaire mais μefftop reste sensible à la température même en forte inversion ce qui montre que l'interaction avec les phonons n'est pas complètement masquée par l'interaction avec la rugosité de surface ce qui correspondrait bien à une rugosité moindre pour la face supérieure. Cette différence de rugosité se traduit par une mobilité maximum plus faible sur les flancs (μeffside=600 cm2/Vs and μefftop=650 cm2/Vs at 77K). Dans PMOS, μeffside ne présente pas une aussi forte dégradation en forte inversion que pour les NMOS et elle reste sensible à la température, ce qui indique que la mobilité le long des flancs n'est pas autant dégradée par la rugosité dans le PMOS que dans le NMOS. Ceci ne signifie pas que les caractéristiques physiques de la rugosité sont différentes dans les deux types de composants. C'est son influence sur la mobilité qui est différente. Ce résultat est à rapprocher de résultats antérieurs obtenus dans des transistors sur substrat massif pour expliquer pourquoi les mobilités de trous et d'électrons présentent une dépendance différente avec le champ effectif dans le régime de forte inversion dominé par l'interaction avec la rugosité de surface. Il a été montré par simulation que cette différence de comportement pouvait s'expliquer en tenant compte du fait que, du fait de la différence des structures de bandes, le vecteur d'onde des trous à l'énergie de Fermi, kF, est plus grand pour les trous que pour les électrons, de sorte que les deux types de porteurs ne sont pas sensibles aux mêmes longueurs d'ondes dans la statistique de distribution spatiale de la rugosité. Afin de quantifier la contribution de l'interaction avec la rugosité de surface au courant pour les deux types d'interface, nous avons extrait directement le paramètre de dégradation de la mobilité par le champ effectif, θ2. Ce paramètre traduit le terme de dégradation de second degré, associé à la présence d'une rugosité de surface. Pour obtenir une information quantitative, il faut cependant le normaliser par rapport μ0. Il ne peut pas être utilisé directement car il dépend de la température alors que l'interaction avec la rugosité n'en dépend pas. Cette dépendance est en réalité un reflet de la dépendance en température de μ0. Le paramètre adéquat pour caractériser l'influence de la rugosité est donc θ2/μ0. Ce paramètre peut être également extrait directement de la dérivée par rapport à VG de l'inverse de la mobilité effective. Pour les NMOS, l'interaction avec la rugosité d'interface est environ trois fois plus élevée pour les flancs que pour la face supérieure. Cela correspond à une augmentation d'un facteur 1.7 du coefficient Δ*λ, où Δ est l'écart-type de la rugosité et λ la longueur d'auto-corrélation. Pour les PMOS, on n'observe pas de différence significative entre les valeurs de θ2/μ0 obtenues pour les flancs et pour la face supérieure. Ceci indiquerait que, comme pour les transistors sur substrat massif, les trous sont moins affectés par la rugosité d'interface ou, du moins, sont affectés par une rugosité à plus grande longueur d'onde pour laquelle le procédé RIE joue un rôle négligeable. Il n'en reste pas moins que la rugosité des flancs dégrade la mobilité des NMOS de façon significative, ce qui confère toute leur importance aux études menées actuellement pour améliorer la gravure et mettre au point des procédés de post-traitement.
Avec la technologie CMOS conventionnelle, les MOSFET de type P présentent une mobilité plus faible que les MOSFET de type N, du fait des différences dans les structures des bandes de valence et de conduction et, en particulier, des différences de masse effective, plus grande pour les trous que pour les électrons. L'ingénierie de la contrainte et l'utilisation de germanium ou d'alliages SiGe dans les PMOS permet de compenser ce handicap. L'application d'une contrainte mécanique se traduit par une modification de la masse effective et par une levée de dégénérescence des bandes de trous lourds et de trous légers. En particulier, l'application d'une contrainte compressive uniaxiale se traduit par une diminution de la masse effective des trous et par une réduction des interactions inter-vallées qui améliorent toutes deux la mobilité. Avec l'amélioration des technologies de fabrication des substrats SOI, il est désormais possible de réaliser des substrats de silicium contraint sur isolant (s-SOI, pour strained SOI). Ceux-ci sont obtenus en transférant sur isolant une couche de silicium contraint épitaxié sur un substrat SiGe relaxé. Le silicium ainsi transféré est en contrainte biaxiale en tension. L'amélioration de la mobilité des trous est moins importante que pour la contrainte uniaxiale et le décalage de tension de seuil est plus grand. Les PMOS SiGe à nanofils que nous avons caractérisés ont été fabriqués au CEA/LETI sur des substrats de type SOI d'orientation (100). Deux types de substrats ont été utilisés: un substrat standard et un substrat en tension biaxiale (1.3 GPa) qui ont été utilisés pour réaliser des nanofils SiGe respectivement en compression (sur substrat SOI) et non contraints (sur substrat s-SOI). Ils intègrent dans les deux cas une grille high-k/metal. Les détails du processus de fabrication sont décrits dans la référence. Les caractéristiques sont mesurées dans le régime linéaire de fonctionnement, avec une polarisation de drain VD faible, fixée à 10 mV, et pour une tension de grille variant de 0.3 V à 2 V. Ces mesures sont faites à température ambiante. On constate que les différentes structures présentent un bon contrôle de grille à l'exception notable des composants non contraints et courts pour lesquels la pente sous le seuil atteint 580 mV/dec. Les dispositifs longs présentent des pentes sous le seuil (SS) de 67 mV/dec et 65 mV/dec, donc proches de leur valeur idéale à cette température (60 mV/dec), pour les canaux non contraints et contraints. En revanche, la pente sous le seuil ne reste maîtrisée en canal court que dans le cas où SiGe est contraint en compression (100 mV/dec). Nous avons analysé également la dépendance en température de la tension de seuil Vth. La dérivée dVth/dT peut en effet être utilisée pour extraire le dopage moyen dans le canal. Nous en déduisons que le dopage moyen dans le canal des transistors à canal SiGe non contraint est environ 25 fois plus élevé que dans les transistors contraints en compression, bien que le procédé de fabrication soit identique. Les courbes µeff(Ninv) ainsi extraites ont été tracées, pour les transistors non contraints et contraints en compression, pour des canaux courts et longs, et pour des températures allant de 77 K à 300 K. Avec SiGe contraint, les transistors courts et longs se comportent de façon similaire, avec une augmentation de la mobilité à basse température. Ce comportement est typique d'un transport dominé par les phonons (gel des phonons à basse température). On retrouve ce comportement pour SiGe non contraint, mais seulement pour les canaux longs. Pour les canaux longs, on trouve que la mobilité est améliorée d'un facteur 3,5 environ pour les transistors à canal SiGe contraint en compression. Cette amélioration attendue théoriquement montre que la contrainte en compression est bien présente, même pour les canaux de 600 nm, malgré le début de relaxation que peut produire le flambage des fils pour cette longueur. Par opposition, les canaux courts non contraints montrent un comportement opposé avec les autres cas, avec une diminution de mobilité à basse température, particulièrement en faible inversion. Ce type de comportement est normalement observé lorsque les interactions Coulombiennes prennent le pas sur les interactions avec les phonons. La mobilité est alors dégradée. De façon cohérente, on observe de fait que la mobilité apparente des transistors à canal court est environ 6.5 fois plus faible pour les canaux non contraints que pour les canaux contraints, au lieu du facteur 3.5 observé pour les canaux plus longs. Dans une deuxième étape, de façon à décorréler les différents types d'interaction présentes de façon plus quantitative, nous avons extrait des courbes µeff(Ninv) la mobilité en champ faible µ0 qui permet d'obtenir un bon accord entre la courbe expérimentale et le modèle classique. Dans ce modèle, θ1 est le facteur d'atténuation de premier ordre de la mobilité. Il intègre tous les effets participant à la dégradation de mobilité sous l'effet d'un champ transverse et, par conséquent, l'influence de la rugosité de surface. Au premier ordre, la mobilité à faible champ µ0 résulte donc des rôles combinés des interactions avec les phonons et avec les défauts, neutres ou chargés. La mobilité faible champ augmente à basse température dans tous les cas, sauf pour les transistors à canal SiGe non contraint les plus courts. Les dépendances en température pour les interactions avec les phonons, les défauts neutres et les défauts chargés étant connues, il est possible de reconstituer ces courbes µ0(T) expérimentales par une combinaison linéaire de ces trois types d'interactions. C'est ce qui a été fait dans une troisième étape. Les trois types d'interactions sont nécessaires pour obtenir un bon accord. Il n'est pas possible de négliger les interactions avec les défauts neutres. Les interactions avec les défauts neutres et avec les défauts chargés (centres Coulombiens) ont été regroupées entre elles sous le terme interaction avec les défauts. On constate bien que l'interaction avec les phonons est prépondérante pour tous les transistors contraints en compression ainsi que pour les transistors non contraints les plus longs (600 nm). L'interaction avec les défauts est prépondérante sur toute la gamme de température pour les transistors non contraints les plus courts (40 nm). Les canaux de 100 nm représentent un cas intermédiaire où les interactions avec les défauts sont prépondérantes à basse température tandis que l'interaction avec les phonons reprend le dessus à température ambiante. Pour les transistors à canal SiGe contraint, le raccourcissement du canal ne modifie pas significativement le poids relatif des interactions avec les défauts. Pour les transistors à canal non contraint, la contribution relative des défauts est beaucoup plus importante. Elle peut atteindre 98% du total pour les canaux les plus courts. Nous proposons d'interpréter l'ensemble de ces résultats de façon cohérente en considérant d'une part que le dopant utilisé pour implanter les source et drain du transistor diffuse vers le canal par un processus de diffusion assistée par les défauts ponctuels d'implantation (lacunes, interstitiels et amas neutres ou chargés) et, d'autre part, que cette diffusion assistée est moins rapide lorsque SiGe est contraint en compression. La première hypothèse est cohérente avec de nombreuses études sur la diffusion accélérée du bore des source et drain pendant les recuits d'activation, aussi bien dans les transistors bipolaires que dans les transistors MOS. La seconde est cohérente avec des conclusions proposées dans la littérature dans le cas de films SiGe. C'est cependant la première fois qu'un tel effet serait mis en évidence dans des nanofils. Avec ces hypothèses, une zone perturbée comportant des défauts neutres et chargés serait présente près des source et drain du transistor. Cette zone d'étendrait sur une distance plus importante dans les canaux SiGe non contraints. Elle expliquerait que ces dispositifs soient moins résistants aux effets de canal court puisque leur longueur effective de canal serait plus courte. Elle expliquerait également que le dopage moyen dans le canal paraisse plus élevé dans les transistors non contraints. Elle expliquerait enfin l'importance des interactions avec les défauts dans les dispositifs SiGe non contraints les plus courts. Notons que du point de vue des applications, ces résultats sont également importants en ce qu'ils montrent que l'utilisation de SiGe contraint en compression a en réalité un intérêt double: il permet d'augmenter la mobilité et permet en outre d'atteindre des longueurs de canal plus faibles en limitant la diffusion latérale des zones dopées de source et drain.
Le transistor sans jonction est un transistor dans lequel le dopage est de même type de la source au drain. Dans les versions les plus simples d'un point de vue technologique, les implantations de source et drain sont même supprimées et le dopage est entièrement uniforme. C'est donc un dispositif dans lequel la conduction est bloquée par désertion de ce canal dopé et dans lequel il est possible de créer un canal d'accumulation à forte tension de grille. Ce dispositif n'est devenu intéressant qu'avec la capacité à maîtriser des films semi-conducteurs très minces sur isolant. Ce n'est qu'à cette condition qu'il est possible d'obtenir un dispositif normalement bloqué (composant bloqué à tension de grille nulle, propriété nécessaire au fonctionnement normal d'une porte CMOS) avec des matériaux de grille présentant des valeurs usuelles de travail de sortie. Le fonctionnement du JLT est déterminé par deux tensions de référence: la tension de grille Vfb permettant d'obtenir des bandes plates à l'interface semi-conducteur / oxyde de grille et la tension de seuil Vth permettant de déserter le film dopé. En dessous de Vth le canal est complètement déserté ; entre Vth et Vfb il est partiellement déserté, avec une conduction en volume ; au dessus de Vfb un canal d'accumulation se forme en outre à l'interface avec l'oxyde de grille. De par son principe de fonctionnement, le JLT est en principe moins sensible aux défauts d'interface. Dans un MOS à inversion classique, ces défauts sont en partie écrantés en forte inversion. Ils se font sentir principalement en faible inversion, lorsqu'on passe du régime de déplétion au régime d'inversion: le niveau de Fermi au voisinage de l'interface balaye alors la totalité de la bande interdite, ce qui n'est pas le cas dans le JLT. Il est également possible d'obtenir une même charge surfacique avec des champs transverses plus faibles que dans les MOS à inversion, un canal moins confiné en surface et par conséquent une moindre dégradation des propriétés de transport par la rugosité de surface. En contrepartie, l'interaction avec les dopants est toutefois plus importante. Le JLT présente par rapport au MOS à inversion un certain nombre d'avantages, qui motivent les recherches actuelles sur ce composant: (i) il est plus facile à fabriquer puisqu'il n'est plus nécessaire d'assurer l'auto-alignement des source et drain par rapport à la grille (le dopage est uniforme), (ii) les effets de canal court sont en principe réduits ce qui permet de contrôler le DIBL et la pente sous le seuil jusqu'à des longueurs de grille très agressives, (iii) la dégradation de mobilité avec le champ transverse est en principe réduite, (iv) la résistance aux effets de canal court permet de relaxer les contraintes sur l'épaisseur du diélectrique de grille. Cependant ce dispositif demande à être étudié plus en détail. Au cours de cette thèse nous avons pu vérifier sur des composants de Tyndall le rôle important des impuretés ionisées sur la mobilité de canal qui est de ce fait très faible par rapport à ce qui peut être obtenu dans un MOS à inversion.
Dans le dernier chapitre de cette thèse, nous nous intéressons enfin à l'utilisation des nanofils de silicium pour la réalisation de capteurs. La structuration du matériau sous forme de nanofils permet en effet d'augmenter le rapport surface/volume. Une modification minime de la charge sur la surface externe peut modifier le niveau de Fermi dans la section entière du nanofil, ce qui ouvre la voie à une détection électrique de cette modification de charge. Cette dernière peut résulter par exemple d'une transition entre deux états rédox d'une molécule ou d'une hybridation d'ADN. La possibilité de faire croître ces nanofils par des techniques de type "bottom-up" permet d'envisager des techniques de fabrication faible coût où le capteur est réalisé au niveau du "back-end of line" ou en "above-IC", au dessus du circuit d'adressage et de contrôle qui pourrait être intégré à l'étage CMOS. Avant d'envisager une fabrication, nous avons abordé ce sujet de façon théorique pour disposer dans un premier temps d'ordres de grandeur concernant les sensibilités qui peuvent être espérées en fonction des dimensions et du niveau de dopage des nanofils. Nous avons établi un modèle analytique simplifié, validé par des simulations par éléments finis réalisées sous FlexPDE. Pour cette approche simplifiée, nous avons supposé que la charge externe est répartie de façon homogène à la surface du nanofil. Les effets de discrétisation de la charge ne sont pas pris en compte. On calcule la variation relative de conductance G/G0, G0 étant la conductance en l'absence de charge externe, qui résulte d'une variation de la densité surfacique de charges externe Next en résolvant l'équation de Poisson dans une section transverse et une équation de dérive-diffusion selon l'axe du nanofil. Dans la plupart des publications, c'est cette variation relative de conductance qui est utilisée pour caractériser la sensibilité du nanofil en tant que capteur. Par définition, la sensibilité d'un capteur ne devrait pas dépendre de la valeur particulière de la valeur d'entrée. Dans la suite, nous considérons en fait G/G0 comme la réponse du capteur et nous définissons la sensibilité par le paramètre G/G0/Next. Ce paramètre est bien indépendant au premier ordre de la valeur particulière de Next et permet donc de comparer des dispositifs entre eux sans ambiguïté. Une légère dépendance avec Next est cependant introduite si l'on tient compte de l'atténuation de mobilité avec le champ transverse. La sensibilité maximale est alors obtenue près du seuil et décroît progressivement en accumulation. Ceci signifie qu'il est nécessaire d'adapter le type de dopage selon le signe des charges que l'on veut détecter. Par ailleurs, la sensibilité est d'autant plus grande que le diamètre des nanofils est petit. Pour un nanofil de rayon rSi, de dopage Nd (type N), recouvert d'un diélectrique d'épaisseur tox. Cependant, avec la réduction du volume actif, on s'attend également à une augmentation des fluctuations de courant associées au piégeage / dépiégeage des porteurs du canal par des pièges d'interface. Ces fluctuations sont une des causes du bruit basse fréquence dans les composants. Elles risquent de limiter le seuil de détection des capteurs à nanofils. C'est ce que nous avons voulu évaluer. Là encore, nous avons supposé que les pièges d'interface étaient répartis uniformément, avec une densité surfacique Nit à l'interface Si/SiO2 entre le canal semi-conducteur et le diélectrique entourant le nanofil. Les charges externes sont réparties avec la densité Next sur la face externe de ce diélectrique. En supposant que les phénomènes de piégeage/dépiégeage sont poissonniens, nous avons calculé l'écart-type des fluctuations de conductance qui en résultent. Nous avons défini le seuil de détection Next_th comme la densité de charge externe limite pour laquelle la variation de conductance apportée par Next_th est égale à la variation de conductance du au bruit de piégeage dépiégeage. Au premier ordre, Next_th décroît en raison inverse de la racine carrée du diamètre externe et de la longueur du nanofil. La limitation par le bruit basse fréquence peut donc être surmontée par une augmentation de la surface active du capteur. Ceci peut s'obtenir en augmentant la longueur et le diamètre du nanofil, mais au détriment de la sensibilité du capteur et de la valeur nominale de la conductance G0. Le seul degré de liberté permettant d'ajuster ces deux derniers paramètres est alors le dopage. Cette modélisation qui décrit les corrélations entre leur sensibilité et leur seuil de détection permet donc de déterminer une stratégie d'optimisation pour les capteurs à nanofils.
Cette thèse m'a permis d'aborder des sujets variés allant de la fabrication des composants à leur modélisation. Au début de ce résumé, j'écrivais que la réduction des dimensions est en train d'atteindre ses limites. On pourrait en déduire qu'il n'y a plus moyen d'améliorer le transistor. En réalité, ainsi que je l'ai expérimenté au cours de ce travail, il reste une multitude de pistes à explorer et la recherche sur le transistor est très loin de la fin de son histoire.
Jenart, Maud. "Synthèse d'oligo- et polythiophènes pontés pour augmenter la dimensionnalité du transport de charges." Doctoral thesis, Universite Libre de Bruxelles, 2014. http://hdl.handle.net/2013/ULB-DIPOT:oai:dipot.ulb.ac.be:2013/209218.
Au cours du présent travail, nous nous sommes intéressés à l’amélioration du transport de charges en augmentant la dimensionnalité de ce dernier. Cette approche est basée sur les études théoriques du Dr Antoine Van Vooren relevant du couplage électronique par un pont covalent, mais non conjugué entre des systèmes π tels que les oligothiophènes. En effet, selon ces travaux, le couplage électronique entre deux systèmes π est plus important lorsqu’ils sont reliés par un pont éthylène que lorsqu’ils sont isolés. Le pont permet dès lors le transport de charges dans une nouvelle dimension, favorisant ainsi le transport de charges. L’objectif principal de cette thèse consiste à réaliser la synthèse d’oligo- et polythiophènes pontés par des liens éthylènes et d’en étudier les propriétés afin de contribuer à la démonstration expérimentale qu’un pont covalent entre systèmes π aide au transfert de charges. L’étude a porté sur deux systèmes :le système 1 dans lequel le noyau aromatique est un 2,2’:5’,2’’:5’’,2’’’-quaterthiophène et le système 2 dans lequel le noyau aromatique est un 2,5-bis(thiophèn-2-yl)thiéno[3,2-b]thiophène. Les dimères D1 et D2, servant de systèmes modèles, sont étudiés dans le deuxième chapitre tandis que les polymères P1 et P2, permettant de conclure sur l’effet du pont, sont étudiés dans le chapitre trois.
Une stratégie de synthèse menant au dimère D1, à l’échelle du gramme, a été développée et les quantités recueillies ont permis d’étudier les propriétés de ce dimère. Cependant, nous n’avons pas pu obtenir de monocristaux D1, faillant ainsi à l’étude de la conformation du pont. Une stratégie de synthèse menant au dimère D2 a été développée bien que les quantités recueillies fussent faibles. Le peu de dimère D2 obtenu rendit l’étude des propriétés de ce dernier compliquée et lacunaire. Suite à l’absence d’information sur la conformation du pont des systèmes modèles, d’autres systèmes pontés, présentant une structure chimique proche, de celle des dimères ont été développés. L’efficacité des voies de synthèse imaginées pour obtenir ces composés ainsi que leurs capacités à cristalliser ont permis d’étudier la conformation du pont de ces nouveaux systèmes pontés. Nous avons pu en conclure que de faibles changements de la structure chimique engendrent des changements significatifs sur la structure cristalline ;rendant difficile la prédiction des structures cristallines des molécules cibles.
Une voie de synthèse menant au polymère P1 a été développée par couplage de Stille en guise de polymérisation, suite à d’infructueux essais via le couplage de Yamamoto. Les quantités recueillies ont permis d’étudier les propriétés de ce polymère. Nous avons ainsi pu constater que le polymère P1 présente un large domaine de stabilité thermique, mais qu’il est complètement amorphe. Néanmoins, le niveau de la HOMO fait de lui un bon candidat pour le transport de trous. Le polymère P2 a été synthétisé selon la même voie de synthèse et nous avons pu observer les mêmes propriétés que celles du polymère P1.
L’analyse des propriétés spectroscopiques des polymères P1 et P2 ne nous a pas apporté de preuve de la délocalisation des charges le long de la chaine de polymère. En effet, nous avons mis en évidence un effet d’agrégation et un effet de couplage excitonique des polymères qui a pour conséquence de modifier les propriétés caractéristiques des spectres d’absorption et d’émission dans le domaine UV-vis. Nous avons ensuite étudié leurs propriétés de transport de charges dans des transistors. Cependant, les résultats furent décevants en raison de l’absence d’un ordre cristallin au sein des polymères, ceci indépendamment de la méthode de déposition utilisée. Au final, nous n’avons pas de preuve définitive de l’effet du pont sur le transport de charges. Nous espérons que les tentatives de cristallisation des polymères porteront leurs fruits afin qu’une conclusion sur l’effet du pont éthylène entre deux systèmes π puisse être tirée dans un avenir proche.
Doctorat en Sciences
info:eu-repo/semantics/nonPublished
Lee, Jae woo. "Caractérisation électrique et modélisation des transistors à effet de champ de faible dimensionnalité." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00767413.
Bounoua, Dalila. "Synthèse et études de cuprates de basse dimensionnalité à propriétés thermiques fortement anisotropes." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017SACLS502/document.
This manuscript deals with the study of low dimensional cuprates, namely, the spin chains systems SrCuO₂ and Sr₂CuO₃. These two compounds exhibit highly anisotropic thermal conduction properties along the spin-chains direction, where magnetic thermal conduction contributes to the heat transport process via spinon excitations. Our study aims to highlight the mechanisms that govern the heat transport properties, particularly through the study of the scattering channels involving spinon, phonon and defects. The spinon (phonon)–defect scattering was probed by the intentional introduction of nonmagnetic dopants (1-2%) on the copper site, by: Mg²⁺, Zn²⁺, Pd²⁺ or Ni²⁺, or by the introduction of elements carrying different oxidation level on the strontium site, by: La³⁺ or K⁺. Single crystals of the pure and doped materials have been grown by the travelling solvent floating zone method. The structural, magnetic and thermal characterizations of the pure and doped compounds were performed. The magnetic excitation spectra of the compounds were determined by inelastic neutron scattering, NMR spectroscopy, and angle resolved photoemission spectroscopy to reveal the impact of the substitution on the spin dynamics of the doped compounds. The study of phonon spectra has also been performed by inelastic neutron scattering. Results from inelastic neutron scattering have been correlated to the heat transport properties of the pristine and substituted materials
Mbangare, Mobe Milaiti. "La richesse pétrolière : une malédiction pour les pays d'Afrique de l'Ouest ? Une étude comparative." Master's thesis, Université Laval, 2006. http://hdl.handle.net/20.500.11794/18551.
Goze, Frédéric. "Etude sous champ magnétique intense des états fondamentaux de conducteurs organiques de basse dimensionnalité." Toulouse 3, 1996. http://www.theses.fr/1996TOU30198.
Fauchard, Mélissa. "Intercalation d'alliages or-potassium et calcium-lithium dans des structures carbonées de basse dimensionnalité." Thesis, Université de Lorraine, 2014. http://www.theses.fr/2014LORR0140/document.
Since the discovery in 1926 of the first graphite intercalation compounds containing alkali metals, numerous binary and ternary compounds have been synthesized. In this work, solid-liquid method in alkali metal based molten alloys has been employed to intercalate gold into graphite using potassium as an intercalation vector for opening the van der Waals’s gaps and decreasing the reaction temperature. Then, lithium has been used to assist the intercalation of calcium into B-C-N compounds. X-ray diffraction, ion beam analysis, electron microscopy and associated spectroscopy techniques have been performed to characterize the as-prepared compounds. In the case of graphite-potassium-gold system, three novel ternary first stage intercalation compounds with very different repeat distances (1311, 953 and 500 pm) have been synthesized. The K1.3Au1.5C4 compound, isolated in a reproducible fashion, presents a K-Au-Au-Au-K c-axis stacking sequence for the intercalated sheets. The study of its intercalation mechanism evidenced an intermediate product which chemical formula is K1.6Au0.7C4, with three-layered intercalated sheets. The third compound KAu0.7C4 is metastable and contains in each van der Waals‘s gap two successive layers containing a mixture of gold and potassium. Elsewhere, the intercalation of a Li-Ca alloy into B-C-N host material has been successfully carried out. The ion beam analysis of the pristine B-C-N lead to determine on a same sample the amount of boron, carbon and nitrogen with the corresponding B2C5N formula. The experiments realized on the intercalated compound showed the preservation of the host lattice and the intercalation of 0.6 lithium per calcium atom
Jang, Do Young. "Propriétés de transport et de bruit à basse fréquence dans les structures à faible dimensionnalité." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00691655.
Flayac, Hugo. "Nouvelles tendances dans les condensats d'exciton-polaritons spineurs : défauts topologiques et structures de basse dimensionnalité." Phd thesis, Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00822148.
Jang, Do young. "Propriétés de transport et de bruit à basse fréquence dans les structures à faible dimensionnalité." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00767284.
Daanoune, Mehdi. "Mesure de durée de vie de porteurs minoritaires dans les structures semiconductrices de basse dimensionnalité." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT024.
The minority carrier lifetime is one of the main parameters used to analyse the semiconductors quality and photoconductivity decay (PCD) is one of the most widely used lifetime characterization method. Thanks to the variety of automated equipment that has developed, lifetime measurement has become a routine technique to assess the quality of semiconductors. However, the micro and nano materials used in the photovoltaic and microelectronics industry require an adaptation of the existing methods (PCD, photoluminescence etc.). Indeed, with reduced dimensions (epitaxial layers, SOI “Silicon on Insulator”, nanostructures and nanowires), the influence of the surface (interface states density, traps, etc.) becomes predominant. The presence of the substrates used for the material growth or for the layer transfer can also influence the measures. Consequently traditional methods of lifetime measurement are difficult to apply to low dimensional materials. This thesis is focused on the measurement of minority carrier lifetime in micro and nano materials (bulk, epitaxial layer, silicon on insulator and nanowires) with a special emphasis on the adaptation of the characterization tools to the material thickness. We have studied first bulk samples and epitaxial layers (with thicknesses around 50µm) by photoluminescence. We have developed a method to determine simultaneously the bulk lifetime and the surface recombination velocity using room temperature photoluminescence measurement. The procedure consists in measuring the photoluminescence intensity ratio at different incident laser wavelengths and power. These photoluminescence ratios are then compared with analytical simulations, which allow us to evaluate the surface recombination velocity and the bulk lifetime. We have then investigated SOI (Silicon on insulator) structures with ultrathin semiconductor layers of the order of 100 nanometers. After a brief description of the manufacturing methods and of some of their uses, we have analyzed the existing electrical methods used to evaluate the quality of SOI substrates. This led us to propose a new characterization method to overcome the limitations of these techniques. This method is based on a current-voltage measurement in the dark and under illumination called PSEUDO-MOSFET (the substrate of the SOI structure serves as the transistor gate and the two contact points deposited on the silicon film are used as the source and drain). We applied this new method to characterize the lifetime of a SOI substrate and with the help of numerical simulation, we were able to explain the recombination mechanism associated with interfaces and extract the parameters. Finally, the last chapter concerns the study of nanowires for photovoltaic applications. In the nanowires, the surface to volume ratio greatly increases leading to a decrease of the effective lifetime due to the increased influence of the surfaces. In this chapter, we have studied the minority carrier lifetime in core-shell nanowire-based solar cells under dark conditions with a purely electrical approach called reverse recovery transient (RRT). This method is based on storage time measurement which depends essentially on the amount of stored charges in the biased junction and can be used to calculate the minority carrier lifetime. Numerical simulations have also been done to explain the measurements and to validate the theory and the hypotheses used for parameter extraction
Hneda, Marlon Luiz. "Effets de basse dimensionnalité et de la frustration magnétique dans les composés du type AB2O6." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2016. http://hdl.handle.net/10183/143196.
Esta tese compreende um estudo sobre os compostos AB2O6 que chamaram a atenção nos últimos anos graças às suas propriedades de magnetismo de baixa dimensionalidacle. Para melhor entender as propriedades magnéticas e os parâmetros que as influenciam, nos apoiamos no conhecimento da estrutura cristalina. Todas as amostras foram estudadas por difração de raios X (pressão ambiente e sob altas pressões) e de nêutrons (em baixa e em alta temperatura). Também fizemos outras caractetizações como medidas ele susceptibilidade magnética, calorespecífico e espectroscopia Mossbauer. A sé ti e MnNb2_6 V 60 6 foi produzida a fim de variar as distâncias entre as cadeias magnéticas e, com isso, a natureza das interações de troca. Estes compostos são interessantes por apresentarem baixa anisotropia, um acoplamento dos momentos magnéticos nas cadeias em zig-zag ao longo elo eixo c, conferindo-lhe o caráter unidimensional, e ainda um acoplamento antiferromagnético mais fraco entre as cadeias. É feita uma comparação com o modelo teórico de cadeia de Heisenberg clássica e são obtidas as constantes ele troca intra e intercadeias, J e J', e sua dependência em relação à ó. Em seguida, foi feito um estudo das séries MnxAt-xNb20 6 com A = Fe, Co e Ni, com o objetivo de verificar como a natureza e a diferença dos raios atômicos podem influenciar o comportamento estrutural e magnético destes compostos. Para aqueles que não apresentaram ordem magnética à l ,5 K, foi feito um estudo das conelações ele curta distância utilizando o modelo de Bertaut. Graças a síntese AP e AT conseguimos estabilizar o MnV 20 6 em simetria ortorrômbica e determinar suas propriedades físicas. Fizemos então uma comparação com o polimorfo monoclínico Mn V 206 e também com o composto ortonômbico MnNb20 6 . Os comportamentos magnéticos macroscópicos dos compostos isoestruturais são muito similares, porém no caso ela fase MnNb20 6, os momentos magnéticos formam cadeias elo tipo +- + - e na fase Mn V 20 6, as cadeias são do tipo + + - -, estrutura inédita, até então não observada nestes compostos.
This thesis comprises a study of tbe compounds of AB20 6 type that have attracted wide interest in recent years due to tbeir low-dimensional magnetism properties. To better understand tbeir magnetic properties and tbe parameters lhat influence it, we have relied on a good knowledge of lhe crystal stmcture. Ali samples were studied by X-ray diffraction (ambient pressure or under hlgh pressure) and neutron diffraction (low and/or high temperature). We also performed other cbaracterizations, such as magnetic susceptibility, specific heat and Mbssbauer spectroscopy measurements. We have produced tbe MnNb2_6 V 60 6 serie in order to vary the distances between magnetic interchains and thus the nature of lhe excbange interactions. Tbese compounds are interesting due to tbe presence of Jow anisotropy and a coupling of magnetic moments in zigzag cbains along the c-axis, whlch gives lhem a one-dimensional character, and ao antiferromagnetic coupling between cbains. We made a comparison wilh the theoretical modei of the classical Heisenberg chain and obtained the exchange constants intra- and inter-cbain, J and J', and its dependency on the content b. Then we made a study o f MnxA1_.,Nb20 6 series with A = Fe, Co and Ni. Our aim was to check how the nature and tbe difference in atomic radii can influence the stmctural and magnetic properties of tbese compounds. For those whlcb sbowed no magnetic ordering at 1.5 K we made a study of correlations at short distances using Bertaut's model. Thanks to tbe use of HP and HT synthesis we managed to stabilize MnV20 6 in orthorbombic symetry and determine its physical properties. We then performed a comparison witb the monoclinic MnV20G and with tbe 011horbombic MnNb206 compound as well. Macroscopic magnetic behaviour o f isostructural compounds are ve1y similar but in the case of MnNb20 6, the magnetic moments form + - + - type chains while the Mn V 20 6 presents cbains of + + - - type, a structure never observed before in tbis family o f compounds.
Jouffret, Laurent. "Synthèse hydrothermale d’uranyle-vanadates et d’uranyle-phosphates : influence des amines et dimensionnalité des arrangements inorganiques." Electronic Thesis or Diss., Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10065.
Solid state chemistry of hybrid organic-inorganic compounds containing uranium has been enriched recently by a multiplication of papers dealing with two and three dimensional inorganic materials. This work deals with hydrothermal synthesis of compounds in the uranyl-phosphate-amine and uranyl-vanadate-amine systems. Determination of their structure was done by X-ray diffraction on single crystals. Their thermal stability was also studied. According to the pH of the initial solutions, and nature of the amine used, different families of compounds appear. With a basic pH, the obtained compounds are two dimensional with the layers corresponding to those found in naturally occurring phases, such as carnotite type layer for the uranyl-vanadate system and autunite for the uranyl-phosphate system. With an acidic pH, compounds with three dimensional frameworks are stabilized by the presence of the amines. The frameworks result from uranophane type uranyl-vanadate or uranyl-phosphate layers connected by uranyl pillars. They display different U/V or U/P ratios depending on the geometric isomer of the uranophane layer. Identification of new geometric isomers has led to a simple classification of the isomers which helps to their comparison and to the understanding of their formation. Finally, using ethylene diamine in the uranyl-phosphate system reduces in situ uranium (VI) into uranium (IV) and forms a uranium (IV) phosphate in which the uranium-phosphate layers alternate with diprotonated ethylene diamine layers
Jouffret, Laurent. "Synthèse hydrothermale d’uranyle-vanadates et d’uranyle-phosphates : influence des amines et dimensionnalité des arrangements inorganiques." Thesis, Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10065/document.
Solid state chemistry of hybrid organic-inorganic compounds containing uranium has been enriched recently by a multiplication of papers dealing with two and three dimensional inorganic materials. This work deals with hydrothermal synthesis of compounds in the uranyl-phosphate-amine and uranyl-vanadate-amine systems. Determination of their structure was done by X-ray diffraction on single crystals. Their thermal stability was also studied. According to the pH of the initial solutions, and nature of the amine used, different families of compounds appear. With a basic pH, the obtained compounds are two dimensional with the layers corresponding to those found in naturally occurring phases, such as carnotite type layer for the uranyl-vanadate system and autunite for the uranyl-phosphate system. With an acidic pH, compounds with three dimensional frameworks are stabilized by the presence of the amines. The frameworks result from uranophane type uranyl-vanadate or uranyl-phosphate layers connected by uranyl pillars. They display different U/V or U/P ratios depending on the geometric isomer of the uranophane layer. Identification of new geometric isomers has led to a simple classification of the isomers which helps to their comparison and to the understanding of their formation. Finally, using ethylene diamine in the uranyl-phosphate system reduces in situ uranium (VI) into uranium (IV) and forms a uranium (IV) phosphate in which the uranium-phosphate layers alternate with diprotonated ethylene diamine layers
Abou, Samra Gaby. "Bénédictions et malédictions dans les inscriptions phénico-puniques." Paris, EPHE, 2002. http://www.theses.fr/2002EPHE4021.
This thesis is a research on the blessings and curses in Phoenician and Punic inscriptions in Phoenicia, the region of the Ancient Near East, the islands in the Mediterranean Sea and North Africa. The inscriptions are classified by their literal genre from which are taken: funeral, commemorative, votive and dedicative. The first part treats a research on the blessing and curse formulae in the Phoenician inscriptions, which are found in Phoenicia, Anatolia, Ur, Egypt and Cyprus. The second part treats a research on the Punic inscriptions from the islands in the Mediterranean Sea and North of Africa: Malta, Sardaigna, Sicily. . . Carthage, Constantine, Sousse. . . The third part treats a synthetical and thematical studies: research on subjects which are found in the Phoenician and Punic blessing and curse formulae. The thesis finish by a conclusion in which is tried to give a definition of tow verbs: "to bless" and "to curse" as used by the Phoenicians. At the end, several general indexes and a bibliography of ancient and recent references can be found
Hneda, Marlon Luiz. "Effets de basse dimensionnalité et de la frustration magnétique dans les composés du type AB₂O₆." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016GREAY100.
This thesis comprises a study of the compounds of AB₂O₆ type that have attracted wide interest in recent years due to their low-dimensional magnetism properties. To better understand their magnetic properties and the parameters that influence it, we have relied on a good knowledge of the crystal structure. All samples were studied by X-ray diffraction (ambient pressure or under high pressure) and neutron diffraction (low and/or high temperature). We also performed other characterisations, such as magnetic susceptibility, specific heat and Mössbauer spectroscopy measurements. We have produced the MnNb2-xVx O6 serie in order to vary the distances between magnetic interchains and thus the nature of the exchange interactions. These compounds are interesting due to the presence of low anisotropy and a coupling of magnetic moments in zigzag chains along the c-axis, which gives them a one-dimensional character, and an antiferromagnetic coupling between chains. We made a comparison with the theoretical model of the classical Heisenberg chain and obtained the exchange constants intra- and interchain, J and J', and its dependency on the content x. Then we made a study of MnxA1-xNb2O6 compounds with A = Fe, Co and Ni. Our aim was to check how the nature and the difference in atomic radii can influence the structural and magnetic properties of these compounds. For compounds which showed no magnetic ordering at 1.5 K we made a study of correlations at short distances using Bertaut’s model. Thanks to the use of HP and HT synthesis we manage to stabilized MnV2O6 in orthorhombic symetry and determine its physical properties. We then perfomed a comparison with the monoclinic MnV2O6 and with the orthorhombic MnNb2O6 compound as well. Macroscopic magnetic behaviour of isostructural compounds are very similar but in the case of MnNb2O6, the magnetic moments form + - + - type chains while the MnV2O6 presents chains of + + - - type, a structure never observed before in this family of compounds
Boujida, Mohamed. "Contribution à l'étude des propriétés de transport de quelques oxydes métalliques et supraconducteurs de basse dimensionnalité." Grenoble 1, 1988. http://www.theses.fr/1988GRE10157.
Sutrisno, Hari. "Synthèse et caractérisation d'oxyde de titane (TiO2) micro-mésostructuré à dimensionnalité contrôlée (0D, 1D, 2D et 3D)." Nantes, 2001. http://www.theses.fr/2001NANT2098.
Gogu, Christian. "Faciliter l'identification bayesienne des propriétés élastiques par réduction de dimensionnalité et la méthode des surfaces de réponse." Saint-Etienne, EMSE, 2009. http://www.theses.fr/2009EMSE0033.
The Bayesian method is a powerful approach to identification since it allows to account for uncertainties that are present in the problem as well as to estimate the uncertainties in the identified properties. Due to computational cost, previous applications of the Bayesian approach to material properties identification required simplistic uncertainty models and/or made only partial use of the Bayesian capabilities. We propose the use of response surface methodology, dimensionality reduction methods including nondimensionalization, global sensitivity analysis and proper orthogonal decomposition to alleviate computational cost and allow full use of the Bayesian approach. We apply the proposed Bayesian approach to two identification problems of orthotropic elastic constants: first from natural frequencies of a vibrating composite plate, then from full field displacement measurements on a plate with a hole
Sirat, Jacques-Ariel. "Etude expérimentale de la localisation faible dans GaAs : dimensionnalité, régime haute température, et effet de champ électrique." Grenoble 1, 1986. http://www.theses.fr/1986GRE10128.
Nayak, Goutham. "Amélioration des propriétés physiques de matériaux de basse-dimensionnalité par couplage dans des hétérostructures Van der Waals." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAY084/document.
The extraordinary intrinsic properties of low dimensional materials depend highly on the environment they are subjected to. Hence they need to be prepared, processed and characterized without defects. In this thesis, I discuss about how to control the environment of low dimensional nanomaterials such as graphene, MoS2 and carbon nanotubes to preserve their intrinsic physical properties. Novel solutions for property enhancements are discussed in depth. In the first part, we fabricate state-of-the-art, edge-contacted, graphene Van der Waals(VdW) heterostructuredevices encapsulated in hexagonal-boron nitride(hBN), to obtain ballistic transport. We use a technique based on 1/f-noise measurements to probe bulk and edge transport during integer and fractional Quantum Hall regimes. In the second part, the same fabrication concept of VdW heterostructures has been extended to encapsulate monolayer MoS2 in hBN to improve optical properties. In this regard we present an extensive study about the origin and characterization of intrinsic and extrinsic defects and their affect on optical properties. Further, we describe a technique to probe the interlayer coupling along with the generation of light with spatialresolution below the diffraction limit of light. Finally, we discuss a natural systemic process to enhance the mechanical properties of natural polymer silk using HipCO-made single walled carbon nanotubes as a food for silkworm
Kangandio, José Watunda. "Les ressources du discours polémique dans La Malédiction, Les Etoiles écrasées et Le Doyen marri de Pius Ngandu Nkashama." Lyon 2, 2008. http://www.theses.fr/2008LYO20088.
The analysis of the resources devoted to controversial speech (polemic discourse) is part of human communication. The study was apprehended in connection with the dynamism of discurvive practice in a rhetorical and enunciative perspective. Violent speech that justifies the esthétique of the corpus is based on historical and existential phenomena. The three novels paint a society that is both abnormal and anomic. Through conflictual language filled in by hyperboles, duplication, metaphors (especially red), ironies, vocabulary from the regional home to the author, and other strategies for appealing to emotion, writer arises in giving lesson to restore the (real) peace in his country and the dignity of his compatriots. At the unprecedented violence of the ‘political animal’, ie one that has social values collapse of a people, opposes another: didactic violence. It is both liberating and constructive. By presenting a grim picture of leaders who sow terror in their own people, and by describing the people excessively, violent speech carries out the perlocutoire function: it compels the virtual public to react in accordance with the author’s expectations