Добірка наукової літератури з теми "Low effective mass channel material transistors"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Low effective mass channel material transistors".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "Low effective mass channel material transistors"
van Fraassen, Niels C. A., Sanggil Han, Kham Niang, and Andrew J. John Flewitt. "(Invited) Achieving Lower Power Logic Using P-Type Metal Oxide Thin Film Transistors." ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no. 35 (October 9, 2022): 1267. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02351267mtgabs.
Повний текст джерелаYen, Te Jui, Albert Chin, Weng Kent Chan, Hsin-Yi Tiffany Chen, and Vladimir Gritsenko. "Remarkably High-Performance Nanosheet GeSn Thin-Film Transistor." Nanomaterials 12, no. 2 (January 14, 2022): 261. http://dx.doi.org/10.3390/nano12020261.
Повний текст джерелаPooja, Pheiroijam, Chun Che Chien, and Albert Chin. "Superior High Transistor’s Effective Mobility of 325 cm2/V-s by 5 nm Quasi-Two-Dimensional SnON nFET." Nanomaterials 13, no. 12 (June 20, 2023): 1892. http://dx.doi.org/10.3390/nano13121892.
Повний текст джерелаLee, Dong Hun, Yuxuan Zhang, Kwangsoo No, Han Wook Song, and Sunghwan Lee. "(Digital Presentation) Multimodal Encapsulation of p-SnOx to Engineer the Carrier Density for Thin Film Transistor Applications." ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no. 15 (October 9, 2022): 821. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-0215821mtgabs.
Повний текст джерелаTong, Shi Wun, and Man-Fai Ng. "(Digital Presentation) Scalable Growth of Transition Metal Dichalcogenides for Next-Generation Nanoelectronics." ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no. 36 (October 9, 2022): 1343. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02361343mtgabs.
Повний текст джерелаChoy, JUN-HO, Valeriy Sukharev, Armen Kteyan, Stephane Moreau, and Catherine Brunet-Manquat. "(Invited, Digital Presentation) Advanced Methodology for Assessing Chip Package Interaction Induced Stress Effects on Chip Performance and Reliability." ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no. 17 (October 9, 2022): 846. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-0217846mtgabs.
Повний текст джерелаWulf, Ulrich, and Hans Richter. "Scaling in Quantum Transport in Silicon Nano-Transistors." Solid State Phenomena 156-158 (October 2009): 517–21. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.156-158.517.
Повний текст джерелаZhu, Yan, and Mantu K. Hudait. "Low-power tunnel field effect transistors using mixed As and Sb based heterostructures." Nanotechnology Reviews 2, no. 6 (December 1, 2013): 637–78. http://dx.doi.org/10.1515/ntrev-2012-0082.
Повний текст джерелаPakmehr, Mehdi, B. D. McCombe, Olivio Chiatti, S. F. Fischer, Ch Heyn, and W. Hansen. "Characterization of High Mobility InAs/InGaAs/InAlAs Composite Channels by THz Magneto-Photoresponse Spectroscopy." International Journal of High Speed Electronics and Systems 24, no. 01n02 (March 2015): 1520004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156415200049.
Повний текст джерелаJohn Chelliah, Cyril R. A., and Rajesh Swaminathan. "Current trends in changing the channel in MOSFETs by III–V semiconducting nanostructures." Nanotechnology Reviews 6, no. 6 (November 27, 2017): 613–23. http://dx.doi.org/10.1515/ntrev-2017-0155.
Повний текст джерелаДисертації з теми "Low effective mass channel material transistors"
Chakraborty, Ananda Sankar. "Quantum-Drift-Diffusion Formalism Based Compact Model For Low Effective Mass Channel MOSFET." Thesis, 2018. http://etd.iisc.ac.in/handle/2005/4338.
Повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "Low effective mass channel material transistors"
Gupta, Amratansh, Mohit Ganeriwala, and Nihar Ranjan Mohapatra. "An Unified Charge Centroid Model for Silicon and Low Effective Mass III-V Channel Double Gate MOS Transistors." In 2019 32nd International Conference on VLSI Design and 2019 18th International Conference on Embedded Systems (VLSID). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/vlsid.2019.00047.
Повний текст джерелаHerschbein, Steven B., Kyle M. Winter, Carmelo F. Scrudato, Brian L. Yates, Edward S. Hermann, and John Carulli. "FinFET Transistor Output Drive Performance Modification by Focused Ion Beam (FIB) Chip Circuit Editing." In ISTFA 2020. ASM International, 2020. http://dx.doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2020p0122.
Повний текст джерелаDattoli, Eric N., Kevin Baler, and Wei Lu. "Nanowire-Based High Speed Transparent and Flexible Thin-Film Transistor Devices." In 2008 Second International Conference on Integration and Commercialization of Micro and Nanosystems. ASMEDC, 2008. http://dx.doi.org/10.1115/micronano2008-70328.
Повний текст джерелаEason, Cormac, Tara Dalton, Cian O’Mathu´na, Mark Davies, and Orla Slattery. "Direct Comparison Between a Variety of Microchannels: Part 1 — Channel Manufacture and Measurement." In ASME 2004 2nd International Conference on Microchannels and Minichannels. ASMEDC, 2004. http://dx.doi.org/10.1115/icmm2004-2329.
Повний текст джерела