Увійти

Готові списки джерел за темами / LED APPLICATIONS / Статті в журналах

Статті в журналах з теми "LED APPLICATIONS"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: LED APPLICATIONS.

Автор: Grafiati

Опубліковано: 11 вересня 2023

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "LED APPLICATIONS".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Shintaku, Fumihiro. "LED - Applications in Marine Equipments." Journal of The Japan Institute of Marine Engineering 49, no. 5 (2014): 603–6. http://dx.doi.org/10.5988/jime.49.603.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Chervinsky, M. "New NX LEDS from CREE. NX LED assemblies applications." ELECTRONICS: Science, Technology, Business 170, no. 9 (2017): 86–90. http://dx.doi.org/10.22184/1992-4178.2017.170.9.86.90.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Wood, Jonathan. "Ultraviolet LED promises new applications." Materials Today 9, no. 7-8 (July 2006): 16. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-7021(06)71568-1.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Lee, Vincent W., Nancy Twu, and Ioannis Kymissis. "Micro-LED Technologies and Applications." Information Display 32, no. 6 (November 2016): 16–23. http://dx.doi.org/10.1002/j.2637-496x.2016.tb00949.x.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Hatakoshi, Gen-ichi. "LED and LED Lighting." Journal of The Institute of Image Information and Television Engineers 66, no. 4 (2012): 281–86. http://dx.doi.org/10.3169/itej.66.281.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Lee, Tsung-Wen, and Janice H. Nickel. "Memristor Resistance Modulation for Analog Applications." IEEE Electron Device Letters 33, no. 10 (October 2012): 1456–58. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2207429.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Shih, Ju Yi, Shu Ling Lai, and Huai Tzu Cheng. "Design and Applications of LED Textiles." Advanced Materials Research 821-822 (September 2013): 453–58. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.821-822.453.

Повний текст джерела

Анотація:

As a new and efficient light source, LED has the advantages of long service life, low power consumption, small volume, light weight, rich color and fast response. Therefore, LED seems apparently quite suitable for functional apparel design, and becomes an important item of development, exhibition and promotion for research institutions and the clothing industry. In the recent years, the development trend of textile application of LED is changed from simple light bulb and light bar to the emergence of new material, including soft packaging, optical fiber, LED yarn, and organic light emitting diode. This paper describes components and systems of LED, textile application material and using method, concept illustration and design idea of some selected application cases. The purpose of this paper is to spread the knowledge of function, esthetics and practical value which displayed by the LED application in clothing, and improve both customer acceptance and market potential of luminous dresses in the clothing market.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Titkov, I. E., L. A. Delimova, A. S. Zubrilov, N. V. Seredova, I. A. Liniichuk, and I. V. Grekhov. "ZnO/GaN heterostructure for LED applications." Journal of Modern Optics 56, no. 5 (March 10, 2009): 653–60. http://dx.doi.org/10.1080/09500340902737051.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Tan, Siew Li, Shiyong Zhang, Wai Mun Soong, Yu Ling Goh, Lionel J. J. Tan, Jo Shien Ng, John P. R. David, et al. "GaInNAsSb/GaAs Photodiodes for Long-Wavelength Applications." IEEE Electron Device Letters 32, no. 7 (July 2011): 919–21. http://dx.doi.org/10.1109/led.2011.2145351.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

Wang, Han, Thiti Taychatanapat, Allen Hsu, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Pablo Jarillo-Herrero, and Tomas Palacios. "BN/Graphene/BN Transistors for RF Applications." IEEE Electron Device Letters 32, no. 9 (September 2011): 1209–11. http://dx.doi.org/10.1109/led.2011.2160611.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

Liao, Yu-An, Wei-Hsun Lin, Yi-Kai Chao, Wen-Hao Chang, Jen-Inn Chyi, and Shih-Yen Lin. "In-Plane Gate Transistors for Photodetector Applications." IEEE Electron Device Letters 34, no. 6 (June 2013): 780–82. http://dx.doi.org/10.1109/led.2013.2258456.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Park, Bong-Ryeol, and Ho-Young Cha. "Thermal consideration in LED array design for LCD backlight unit applications." IEICE Electronics Express 7, no. 1 (2010): 40–46. http://dx.doi.org/10.1587/elex.7.40.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

Wang, Chih-Lin, Yuan-Jung Yao, Ruei-Teng Lin, Ming-Lun Chen, and Sheng-Lung Su. "P-77: Some Requirements on LED Characteristics for LCD TV Applications." SID Symposium Digest of Technical Papers 41, no. 1 (2010): 1536. http://dx.doi.org/10.1889/1.3500003.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

Jaeseok Jeon, V. Pott, Hei Kam, R. Nathanael, E. Alon, and Tsu-Jae King Liu. "Perfectly Complementary Relay Design for Digital Logic Applications." IEEE Electron Device Letters 31, no. 4 (April 2010): 371–73. http://dx.doi.org/10.1109/led.2009.2039916.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

Lee, Yi-Chia, Ming-Huang Li, Y. T. Cheng, Wensyang Hsu, and Sheng-Shian Li. "Electroplated Ni-CNT Nanocomposite for Micromechanical Resonator Applications." IEEE Electron Device Letters 33, no. 6 (June 2012): 872–74. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2190131.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

Salcedo, Javier A., Jean-Jacques Hajjar, Slavica Malobabic, and Juin J. Liou. "Bidirectional Devices for Automotive-Grade Electrostatic Discharge Applications." IEEE Electron Device Letters 33, no. 6 (June 2012): 860–62. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2190261.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

Yun, Yang-Hun, Te-Yu J. Kao, and Kenneth K. O. "Variable Inductors in CMOS for Millimeter-Wave Applications." IEEE Electron Device Letters 33, no. 7 (July 2012): 1081–83. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2196966.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Sun Jung Kim, Byung Jin Cho, Ming Fu Li, Xiongfei Yu, Chunxiang Zhu, A. Chin, and Dim-Lee Kwong. "PVD HfO2 for high-precision MIM capacitor applications." IEEE Electron Device Letters 24, no. 6 (June 2003): 387–89. http://dx.doi.org/10.1109/led.2003.813381.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

Bonderover, E., and S. Wagner. "A Woven Inverter Circuit for e-Textile Applications." IEEE Electron Device Letters 25, no. 5 (May 2004): 295–97. http://dx.doi.org/10.1109/led.2004.826537.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Passlack, M., R. Droopad, Z. Yu, N. Medendorp, D. Braddock, X. W. Wang, T. P. Ma, and T. Buyuklimanli. "Screening of Oxide/GaAs Interfaces for MOSFET Applications." IEEE Electron Device Letters 29, no. 11 (November 2008): 1181–83. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.2004569.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Yagi, Takaaki. "High Power LED products and its applications." JOURNAL OF THE ILLUMINATING ENGINEERING INSTITUTE OF JAPAN 85, Appendix (2001): 289–90. http://dx.doi.org/10.2150/jieij1980.85.appendix_289.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

Park, Seo-Jun, Sung-Hwan Byeon, Sun-Jae Kim, Kyoung-Soo Park, and Gyung-Suk Kil. "Economic analysis on the applications of shipboard LED luminaires." Journal of the Korean Society of Marine Engineering 40, no. 4 (May 31, 2016): 342–47. http://dx.doi.org/10.5916/jkosme.2016.40.4.342.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

SHATALOV, M., A. LUNEV, X. HU, O. BILENKO, I. GASKA, W. SUN, J. YANG, et al. "PERFORMANCE AND APPLICATIONS OF DEEP UV LED." International Journal of High Speed Electronics and Systems 21, no. 01 (March 2012): 1250011. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156412500115.

Повний текст джерела

Анотація:

We discuss physics, design, fabrication, performance, and selected applications of Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes (DUV LEDs). Our analysis reveals the relative contributions of electrical injection, internal quantum efficiency, and light extraction efficiency to the overall DUV LED performance. Our calculations show that the reduction of the dislocation density at least below value of 2×108 1/cm3 is necessary for reaching high DUV LED efficiency. Better light extraction has been achieved using an innovative p-type transparent sub-contact layer and reflecting ohmic p-type contact resulting in nearly tripling DUV LED power. At high power dissipation, temperature rise might be significant, and we present data showing the power degradation with temperature increase and the results of the detailed 1D and 3D analysis of thermal impedance of DUV LEDs. As an example of DUV LED application, we report on microbial disinfection using 19 watt 275 nanometer DUV LED.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

Liu, W. F., J. I. Oh, and W. Z. Shen. "Light Trapping in Single Coaxial Nanowires for Photovoltaic Applications." IEEE Electron Device Letters 32, no. 1 (January 2011): 45–47. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2086428.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Moon, J. S., D. Curtis, D. Zehnder, S. Kim, D. K. Gaskill, G. G. Jernigan, R. L. Myers-Ward, et al. "Low-Phase-Noise Graphene FETs in Ambipolar RF Applications." IEEE Electron Device Letters 32, no. 3 (March 2011): 270–72. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2100074.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

Dong, Shurong, Jian Wu, Meng Miao, Jie Zeng, Yan Han, and Juin J. Liou. "High-Holding-Voltage Silicon-Controlled Rectifier for ESD Applications." IEEE Electron Device Letters 33, no. 10 (October 2012): 1345–47. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2208934.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

27

Singh, Pushpapraj, Chua Geng Li, Prakash Pitchappa, and Chengkuo Lee. "Tantalum-Nitride Antifuse Electromechanical OTP for Embedded Memory Applications." IEEE Electron Device Letters 34, no. 8 (August 2013): 987–89. http://dx.doi.org/10.1109/led.2013.2262918.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

28

Can Zheng, R. Coffie, D. Buttari, J. Champlain, and U. K. Mishra. "Oxidation control of GaAs pHEMTs for high efficiency applications." IEEE Electron Device Letters 23, no. 7 (July 2002): 380–82. http://dx.doi.org/10.1109/led.2002.1015203.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

29

Levenets, V. V., R. E. Amaya, N. G. Tarr, T. J. Smy, and J. W. M. Rogers. "Characterization of silver CPWs for applications in silicon MMICs." IEEE Electron Device Letters 26, no. 6 (June 2005): 357–59. http://dx.doi.org/10.1109/led.2005.848120.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

30

Palacios, T., A. Chakraborty, S. Rajan, C. Poblenz, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra. "High-power AlGaN/GaN HEMTs for Ka-band applications." IEEE Electron Device Letters 26, no. 11 (November 2005): 781–83. http://dx.doi.org/10.1109/led.2005.857701.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

31

Quoc Ngo, A. M. Cassell, A. J. Austin, Jun Li, S. Krishnan, M. Meyyappan, and C. Y. Yang. "Characteristics of aligned carbon nanofibers for interconnect via applications." IEEE Electron Device Letters 27, no. 4 (April 2006): 221–24. http://dx.doi.org/10.1109/led.2006.870865.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

32

Ventrice, D., P. Fantini, Andrea Redaelli, A. Pirovano, A. Benvenuti, and F. Pellizzer. "A Phase Change Memory Compact Model for Multilevel Applications." IEEE Electron Device Letters 28, no. 11 (November 2007): 973–75. http://dx.doi.org/10.1109/led.2007.907288.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

33

Chu, Rongming, Likun Shen, Nicholas Fichtenbaum, David Brown, Zhen Chen, Stacia Keller, Steven P. DenBaars, and Umesh K. Mishra. "V-Gate GaN HEMTs for X-Band Power Applications." IEEE Electron Device Letters 29, no. 9 (September 2008): 974–76. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.2001639.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

34

Sung-Min Yoon, Soon-Won Jung, Seung-Yun Lee, Young-Sam Park, and Byoung-Gon Yu. "Phase-Change-Driven Programmable Switch for Nonvolatile Logic Applications." IEEE Electron Device Letters 30, no. 4 (April 2009): 371–73. http://dx.doi.org/10.1109/led.2009.2013879.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

35

Chowdhury, Sk F., Maruthi N. Yogeesh, Sanjay K. Banerjee, and Deji Akinwande. "Black Phosphorous Thin-Film Transistor and RF Circuit Applications." IEEE Electron Device Letters 37, no. 4 (April 2016): 449–51. http://dx.doi.org/10.1109/led.2016.2536102.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

36

Zhang, Kai, Yuechan Kong, Guangrun Zhu, Jianjun Zhou, Xinxin Yu, Cen Kong, Zhonghui Li, and Tangsheng Chen. "High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications." IEEE Electron Device Letters 38, no. 5 (May 2017): 615–18. http://dx.doi.org/10.1109/led.2017.2687440.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

37

Syamsul, Mohd, Nobutaka Oi, Satoshi Okubo, Taisuke Kageura, and Hiroshi Kawarada. "Heteroepitaxial Diamond Field-Effect Transistor for High Voltage Applications." IEEE Electron Device Letters 39, no. 1 (January 2018): 51–54. http://dx.doi.org/10.1109/led.2017.2774290.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

38

Luo, Shijiang, Nuo Xu, Zhe Guo, Yue Zhang, Jeongmin Hong, and Long You. "Voltage-Controlled Skyrmion Memristor for Energy-Efficient Synapse Applications." IEEE Electron Device Letters 40, no. 4 (April 2019): 635–38. http://dx.doi.org/10.1109/led.2019.2898275.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

39

Du, Feibo, Shiyu Song, Fei Hou, Wenqiang Song, Long Chen, Jizhi Liu, Zhiwei Liu, and Juin J. Liou. "An Enhanced Gate-Grounded NMOSFET for Robust ESD Applications." IEEE Electron Device Letters 40, no. 9 (September 2019): 1491–94. http://dx.doi.org/10.1109/led.2019.2926103.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

40

Javeed, Patan, Lochan Krishna Yadav, P. Venkatesh Kumar, Ranjit Kumar, and Shakti Swaroop. "SEPIC Converter for Low Power LED Applications." Journal of Physics: Conference Series 1818, no. 1 (March 1, 2021): 012220. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1818/1/012220.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

41

Kirm, M., E. Feldbach, H. Mägi, V. Nagirnyi, E. Tõldsepp, S. Vielhauer, T. Jüstel, T. Jansen, N. M. Khaidukov, and V. N. Makhov. "Silicate apatite phosphors for pc-LED applications." Proceedings of the Estonian Academy of Sciences 66, no. 4 (2017): 383. http://dx.doi.org/10.3176/proc.2017.4.14.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

42

Luo, Xiaobing, and Run Hu. "THERMAL MANAGEMENT IN LED PACKAGING AND APPLICATIONS." Annual Review of Heat Transfer 18 (2015): 371–414. http://dx.doi.org/10.1615/annualrevheattransfer.2015011154.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

43

Haladejová, K., A. Prnová, R. Klement, W. H. Tuan, S. J. Shih, and D. Galusek. "Aluminate glass based phosphors for LED applications." Journal of the European Ceramic Society 36, no. 12 (September 2016): 2969–73. http://dx.doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2015.11.027.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

44

Breidenassel, Nicole, Stefan Grötsch, and Wolfgang Schnabel. "61.3: LED Light Source for RPTV Applications." SID Symposium Digest of Technical Papers 37, no. 1 (2006): 1816. http://dx.doi.org/10.1889/1.2433393.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

45

Nakane, Hiroki, Mio Kumai, Masayoshi Hagi, and Kiyofumi Nagai. "Advanced LED UV inks for industrial applications." NIP & Digital Fabrication Conference 31, no. 1 (January 1, 2015): 448–51. http://dx.doi.org/10.2352/issn.2169-4451.2015.31.1.art00099_1.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

46

Yang, Guomao, Sheng Peng, Andrew Ridyard, and John Kuta. "UV LED Curing in Inkjet Printing Applications." NIP & Digital Fabrication Conference 24, no. 1 (January 1, 2008): 535–37. http://dx.doi.org/10.2352/issn.2169-4451.2008.24.1.art00020_2.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

47

Ko, Young-Seok, and Shi-Hong Park. "A Study of White-LED Driver IC for Mobile Applications." Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 22, no. 7 (July 1, 2009): 572–75. http://dx.doi.org/10.4313/jkem.2009.22.7.572.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

48

Chang, S. Z., H. Y. Yu, A. Veloso, A. Lauwers, A. Delabie, J.-L. Everaert, C. Kerner, P. Absil, T. Hoffmann, and S. Biesemans. "The Application of an Ultrathin ALD HfSiON Cap Layer on SiON Dielectrics for Ni-FUSI CMOS Technology Targeting at Low-Power Applications." IEEE Electron Device Letters 28, no. 7 (July 2007): 634–36. http://dx.doi.org/10.1109/led.2007.899331.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

49

Jeong, Duk Young, Mohammad Masum Billah, and Jin Jang. "Amorphous InGaZnO/Poly-Si Coplanar Heterojunction TFT for Memory Applications." IEEE Electron Device Letters 42, no. 8 (August 2021): 1172–75. http://dx.doi.org/10.1109/led.2021.3090785.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

50

Xue, Mei, Sanaz Kabehie, Adam Z. Stieg, Ekaterina Tkatchouk, Diego Benitez, William A. Goddard, Jeffrey I. Zink, and Kang L. Wang. "A Molecular-Rotor Device for Nonvolatile High-Density Memory Applications." IEEE Electron Device Letters 31, no. 9 (September 2010): 1047–49. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2052018.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!