Добірка наукової літератури з теми "Iron phosphorus trisulfide"

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Iron phosphorus trisulfide".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "Iron phosphorus trisulfide"

1

Bernasconi, M., G. Benedek, and L. Miglio. "Phonon dispersion curves and densities of lithium-intercalated iron phosphorus trisulfide." Il Nuovo Cimento D 12, no. 8 (August 1990): 1061–78. http://dx.doi.org/10.1007/bf02451950.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Budniak, Adam K., Szymon J. Zelewski, Magdalena Birowska, Tomasz Woźniak, Tatyana Bendikov, Yaron Kauffmann, Yaron Amouyal, Robert Kudrawiec, and Efrat Lifshitz. "Spectroscopy and Structural Investigation of Iron Phosphorus Trisulfide—FePS 3." Advanced Optical Materials 10, no. 7 (February 12, 2022): 2102489. http://dx.doi.org/10.1002/adom.202102489.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Wang, Xingzhi, Kezhao Du, Yu Yang Fredrik Liu, Peng Hu, Jun Zhang, Qing Zhang, Man Hon Samuel Owen, et al. "Raman spectroscopy of atomically thin two-dimensional magnetic iron phosphorus trisulfide (FePS 3 ) crystals." 2D Materials 3, no. 3 (August 31, 2016): 031009. http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/3/3/031009.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Lenus, Syama, Pallavi Thakur, Sai Smruti Samantaray, Tharangattu N. Narayanan, and Zhengfei Dai. "Two-Dimensional Iron Phosphorus Trisulfide as a High-Capacity Cathode for Lithium Primary Battery." Molecules 28, no. 2 (January 5, 2023): 537. http://dx.doi.org/10.3390/molecules28020537.

Повний текст джерела
Анотація:
Metal phosphorus trichalcogenide (MPX3) materials have aroused substantial curiosity in the evolution of electrochemical storage devices due to their environment-friendliness and advantageous X-P synergic effects. The interesting intercalation properties generated due to the presence of wide van der Waals gaps along with high theoretical specific capacity pose MPX3 as a potential host electrode in lithium batteries. Herein, we synthesized two-dimensional iron thio-phosphate (FePS3) nanoflakes via a salt-template synthesis method, using low-temperature time synthesis conditions in single step. The electrochemical application of FePS3 has been explored through the construction of a high-capacity lithium primary battery (LPB) coin cell with FePS3 nanoflakes as the cathode. The galvanostatic discharge studies on the assembled LPB exhibit a high specific capacity of ~1791 mAh g−1 and high energy density of ~2500 Wh Kg−1 along with a power density of ~5226 W Kg−1, some of the highest reported values, indicating FePS3’s potential in low-cost primary batteries. A mechanistic insight into the observed three-staged discharge mechanism of the FePS3-based primary cell resulting in the high capacity is provided, and the findings are supported via post-mortem analyses at the electrode scale, using both electrochemical- as well as photoelectron spectroscopy-based studies.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Wang, Han, Zhongjian Li, Yan Li, Bin Yang, Jian Chen, Lecheng Lei, Shaobin Wang, and Yang Hou. "An exfoliated iron phosphorus trisulfide nanosheet with rich sulfur vacancy for efficient dinitrogen fixation and Zn-N2 battery." Nano Energy 81 (March 2021): 105613. http://dx.doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.105613.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Ahmad, H., M. K. A. Zaini, M. Z. Samion та N. Yusoff. "Generation of Mode-Locked Thulium-Doped Fiber Laser in 2.0-μm Wavelength Operation by Polymer-Coated Iron Phosphorus Trisulfide (FePS3)-Based Saturable Absorber". IEEE Journal of Quantum Electronics 58, № 2 (квітень 2022): 1–8. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2022.3141388.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Kuzminskii, Y. V., B. M. Voronin, and N. N. Redin. "Iron and nickel phosphorus trisulfides as electroactive materials for primary lithium batteries." Journal of Power Sources 55, no. 2 (June 1995): 133–41. http://dx.doi.org/10.1016/0378-7753(94)02177-5.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Yao-Dong, Dai, Wang Lin, Yang Ya-Xin, He Yun, Huang Hong-Bo, and Xia Yuan-Fu. "A M ssbauer study of the magnetic coupling in iron phosphorous trisulfides." Chinese Physics 13, no. 10 (September 28, 2004): 1652–56. http://dx.doi.org/10.1088/1009-1963/13/10/013.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Chang, Aldrin G., Liang-Wei Lan, Yao-Jui Chan, Chia-Nung Kuo, Ting Chen, Chih-Heng Huang, Tzu-Hung Chuang, Der-Hsin Wei, Chin-Shan Lue, and Chien-Cheng Kuo. "Trigonal distortion in zigzag-antiferromagnet iron phosphorus trisulfide." Physical Review B 106, no. 12 (September 13, 2022). http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.106.125412.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Ahmad, H., M. K. A. Zaini, and M. Z. Samion. "Enhanced four-wave mixing with polymer-coated Iron phosphorus trisulfide (FePS3) arc-shaped fiber." Optical and Quantum Electronics 55, no. 1 (November 14, 2022). http://dx.doi.org/10.1007/s11082-022-04172-y.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Дисертації з теми "Iron phosphorus trisulfide"

1

Das, Subhadip. "Raman Study of gated devices in two-dimensional materials and pressure effects." Thesis, 2021. https://etd.iisc.ac.in/handle/2005/5312.

Повний текст джерела
Анотація:
This thesis presents Raman study of 2D materials of contemporary interests: 2H-MoTe_2, type-II Weyl semimetal (T_d-MoTe_2), structurally anisotropic semiconductors (1T'-ReX_2 (X=S, Se)) and Mott insulator (FePS_3) under different conditions such of, high-pressure (up to 19 GPa), low-temperature (80 K), and electron/hole doping at carrier concentration of ∼ 10^13/cm^2. In-situ Raman measurements were carried out on electrochemically top-gated field-effect transistor (FET) devices with few-layer 2H-MoTe_2 as a channel, to probe the asymmetry of phonon coupling between electrons and holes. We also showed that the doped holes are localized in the top two layers of the nanocrystal. In addition, temperature-dependent Raman measurements were performed in few-layer 1T'-MoTe_2 to look for the Raman signatures of semiconductor to Weyl semimetallic transition. Phonon renormalization with electron doping in isostructural bilayer ReS_2 and trilayer ReSe_2 were done to highlight their different EPC. We showed that bilayer ReS_2 exhibits doping tunable Fano resonance as a result of its high EPC. In the last part of the thesis, high-pressure Raman experiments on bulk FePS_3 were carried out to gain insight into the Mott insulator to metal transition.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії