Статті в журналах з теми "InGaN/Si"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "InGaN/Si".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Gridchin V. O., Reznik R. R., Kotlyar K. P., Dragunova A. S., Kryzhanovskaya N. V., Serov A. Yu., Kukushkin S. A., and Cirlin G. E. "MBE growth of InGaN nanowires on SiC/Si(111) and Si(111) substrates: comparative analysis." Technical Physics Letters 48, no. 14 (2022): 24. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.14.52105.18894.
Повний текст джерелаBuryi, M., T. Hubáček, F. Hájek, V. Jarý, V. Babin, K. Kuldová, and T. Vaněk. "Luminescence and scintillation properties of the Si doped InGaN/GaN multiple quantum wells." Journal of Physics: Conference Series 2413, no. 1 (December 1, 2022): 012001. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2413/1/012001.
Повний текст джерелаNoh, Siyun, Jaehyeok Shin, Yeon-Tae Yu, Mee-Yi Ryu, and Jin Soo Kim. "Manipulation of Photoelectrochemical Water Splitting by Controlling Direction of Carrier Movement Using InGaN/GaN Hetero-Structure Nanowires." Nanomaterials 13, no. 2 (January 16, 2023): 358. http://dx.doi.org/10.3390/nano13020358.
Повний текст джерелаTuan, Thi Tran Anh, Dong-Hau Kuo, Phuong Thao Cao, Van Sau Nguyen, Quoc-Phong Pham, Vinh Khanh Nghi, and Nguyen Phuong Lan Tran. "Electrical Characterization of RF Reactive Sputtered p–Mg-InxGa1−xN/n–Si Hetero-Junction Diodes without Using Buffer Layer." Coatings 9, no. 11 (October 25, 2019): 699. http://dx.doi.org/10.3390/coatings9110699.
Повний текст джерелаHan, Ji Sheng, Sima Dimitrjiev, Li Wang, Alan Iacopi, Qu Shuang, and Xian Gang Xu. "InGaN/GaN Multiple Quantum Well Blue LEDs on 3C-SiC/Si Substrate." Materials Science Forum 679-680 (March 2011): 801–3. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.801.
Повний текст джерелаWang, Xingyu, Peng Wang, Hongjie Yin, Guofu Zhou, and Richard Nötzel. "An InGaN/SiNx/Si Uniband Diode." Journal of Electronic Materials 49, no. 6 (March 13, 2020): 3577–82. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-020-08038-5.
Повний текст джерелаAger, Joel W., Lothar A. Reichertz, Yi Cui, Yaroslav E. Romanyuk, Daniel Kreier, Stephen R. Leone, Kin Man Yu, William J. Schaff, and Wladyslaw Walukiewicz. "Electrical properties of InGaN-Si heterojunctions." physica status solidi (c) 6, S2 (January 26, 2009): S413—S416. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200880967.
Повний текст джерелаALBERT, S., A. BENGOECHEA-ENCABO, M. A. SANCHEZ-GARCÍA, F. BARBAGINI, E. CALLEJA, E. LUNA, A. TRAMPERT, et al. "ORDERED GAN/INGAN NANORODS ARRAYS GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY FOR PHOSPHOR-FREE WHITE LIGHT EMISSION." International Journal of High Speed Electronics and Systems 21, no. 01 (March 2012): 1250010. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156412500103.
Повний текст джерелаYamamoto, Akio, Kazuki Kodama, Md Tanvir Hasan, Naoteru Shigekawa, and Masaaki Kuzuhara. "MOVPE growth of thick (∼1 µm) InGaN on AlN/Si substrates for InGaN/Si tandem solar cells." Japanese Journal of Applied Physics 54, no. 8S1 (July 21, 2015): 08KA12. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.08ka12.
Повний текст джерелаCho, ll-Wook, Bom Lee, Kwanjae Lee, Jin Soo Kim, and Mee-Yi Ryu. "Luminescence Properties of InGaN/GaN Green Light-Emitting Diodes with Si-Doped Graded Short-Period Superlattice." Journal of Nanoscience and Nanotechnology 21, no. 11 (November 1, 2021): 5648–52. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2021.19460.
Повний текст джерелаMi, Zetian. "(Invited) Artificial Photosynthesis on III-Nitride Nanowire Arrays." ECS Meeting Abstracts MA2018-01, no. 31 (April 13, 2018): 1850. http://dx.doi.org/10.1149/ma2018-01/31/1850.
Повний текст джерелаRAZEGHI, MANIJEH. "GaN-BASED LASER DIODES." International Journal of High Speed Electronics and Systems 09, no. 04 (December 1998): 1007–80. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156498000415.
Повний текст джерелаРезник, Р. Р., К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов та Г. Э. Цырлин. "Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке". Письма в журнал технической физики 45, № 21 (2019): 48. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.21.48475.17975.
Повний текст джерелаKukushkin S. A., Osipov A. V., Redkov A. V., Stozharov V. M., Ubiyvovk E. V., and Sharofidinov Sh. Sh. "Peculiarities of nucleation and growth of InGaN nanowires on SiC/Si substrates by HVPE." Technical Physics Letters 48, no. 2 (2022): 66. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.02.53584.19056.
Повний текст джерелаCho, Yong-Hoon, T. J. Schmidt, S. Bidnyk, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars. "Influence of Si-Doping on Carrier Localization of Mocvd-grown InGaN/GaN Multiple Quantum Wells." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 715–20. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300003306.
Повний текст джерелаRabinovich, O. I., and V. P. Sushkov. "Quantum efficiency simulation of InGaN/Si LED." Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering, no. 3 (March 15, 2015): 50. http://dx.doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-50-53.
Повний текст джерелаHsu, L., and W. Walukiewicz. "Modeling of InGaN/Si tandem solar cells." Journal of Applied Physics 104, no. 2 (July 15, 2008): 024507. http://dx.doi.org/10.1063/1.2952031.
Повний текст джерелаHsu, Y. P., S. J. Chang, Y. K. Su, S. C. Chen, J. M. Tsai, W. C. Lai, C. H. Kuo, and C. S. Chang. "InGaN-GaN MQW LEDs with Si treatment." IEEE Photonics Technology Letters 17, no. 8 (August 2005): 1620–22. http://dx.doi.org/10.1109/lpt.2005.851989.
Повний текст джерелаMatsuura, Haruka, Takeyoshi Onuma, Masatomo Sumiya, Tomohiro Yamaguchi, Bing Ren, Meiyong Liao, Tohru Honda, and Liwen Sang. "MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template." Applied Sciences 9, no. 9 (April 27, 2019): 1746. http://dx.doi.org/10.3390/app9091746.
Повний текст джерелаDvoretckaia, Liliia, Vladislav Gridchin, Alexey Mozharov, Alina Maksimova, Anna Dragunova, Ivan Melnichenko, Dmitry Mitin, Alexandr Vinogradov, Ivan Mukhin, and Georgy Cirlin. "Light-Emitting Diodes Based on InGaN/GaN Nanowires on Microsphere-Lithography-Patterned Si Substrates." Nanomaterials 12, no. 12 (June 10, 2022): 1993. http://dx.doi.org/10.3390/nano12121993.
Повний текст джерелаLendyashova, V. V., K. P. Kotlyar, V. O. Gridchin, R. R. Reznik, A. I. Lihachev, K. Yu Shubina, T. N. Berezovskaya, E. V. Nikitina, I. P. Soshnikov, and G. E. Cirlin. "Separation of III-N partially-coalesced nanowire arrays from Si substrate." Journal of Physics: Conference Series 2086, no. 1 (December 1, 2021): 012191. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012191.
Повний текст джерелаKim, Sung-Un, and Yong-Ho Ra. "Modeling and Epitaxial Growth of Homogeneous Long-InGaN Nanowire Structures." Nanomaterials 11, no. 1 (December 23, 2020): 9. http://dx.doi.org/10.3390/nano11010009.
Повний текст джерелаTong, Y. Z., F. Li, G. Y. Zhang, Z. J. Yang, S. X. Jin, X. M. Ding, and Z. Z. Gan. "Silicon and Zinc Co-Doped InGaN Films with High Luminuous Efficiency Grown by LP-MOVCD at High Growth Temperature." Modern Physics Letters B 12, no. 28 (December 10, 1998): 1185–90. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984998001396.
Повний текст джерелаРезник, Р. Р., В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов та Г. Э. Цырлин. "Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства". Физика и техника полупроводников 54, № 9 (2020): 884. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.09.49826.18.
Повний текст джерелаEbaid, Mohamed, Jung-Wook Min, Chao Zhao, Tien Khee Ng, Hicham Idriss, and Boon S. Ooi. "Water splitting to hydrogen over epitaxially grown InGaN nanowires on a metallic titanium/silicon template: reduced interfacial transfer resistance and improved stability to hydrogen." Journal of Materials Chemistry A 6, no. 16 (2018): 6922–30. http://dx.doi.org/10.1039/c7ta11338b.
Повний текст джерелаNakamura, Shuji, Takashi Mukai, and Masayuki Senoh. "Si-Doped InGaN Films Grown on GaN Films." Japanese Journal of Applied Physics 32, Part 2, No.1A/B (January 15, 1993): L16—L19. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.32.l16.
Повний текст джерелаWang, Peng, Hedong Chen, Hao Wang, Xingyu Wang, Hongjie Yin, Lujia Rao, Guofu Zhou, and Richard Nötzel. "Multi-wavelength light emission from InGaN nanowires on pyramid-textured Si(100) substrate grown by stationary plasma-assisted molecular beam epitaxy." Nanoscale 12, no. 16 (2020): 8836–46. http://dx.doi.org/10.1039/d0nr00071j.
Повний текст джерелаLee, Moonsang, Hyunkyu Lee, Keun Song, and Jaekyun Kim. "Investigation of Forward Tunneling Characteristics of InGaN/GaN Blue Light-Emitting Diodes on Freestanding GaN Detached from a Si Substrate." Nanomaterials 8, no. 7 (July 18, 2018): 543. http://dx.doi.org/10.3390/nano8070543.
Повний текст джерелаChristian, George, Menno Kappers, Fabien Massabuau, Colin Humphreys, Rachel Oliver, and Philip Dawson. "Effects of a Si-doped InGaN Underlayer on the Optical Properties of InGaN/GaN Quantum Well Structures with Different Numbers of Quantum Wells." Materials 11, no. 9 (September 15, 2018): 1736. http://dx.doi.org/10.3390/ma11091736.
Повний текст джерелаZheng, Changda, Li Wang, Chunlan Mo, Wenqing Fang, and Fengyi Jiang. "Effect of Same-Temperature GaN Cap Layer on the InGaN/GaN Multiquantum Well of Green Light-Emitting Diode on Silicon Substrate." Scientific World Journal 2013 (2013): 1–4. http://dx.doi.org/10.1155/2013/538297.
Повний текст джерелаHirayama, H., and Y. Aoyagi. "Optical Properties of Si-DOPED AlxGa1−xN/AlyGa1−yN (x=0.24−0.53, y=0.11) Multi-Quantum-Well Structures." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 405–10. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300002805.
Повний текст джерелаNötzel, Richard. "InN/InGaN quantum dot electrochemical devices: new solutions for energy and health." National Science Review 4, no. 2 (January 7, 2017): 184–95. http://dx.doi.org/10.1093/nsr/nww101.
Повний текст джерелаUchida, Kenji, Tao Tang, Shigeo Goto, Tomoyoshi Mishima, Atsuko Niwa, and Jun Gotoh. "Spiral growth of InGaN/InGaN quantum wells due to Si doping in the barrier layers." Applied Physics Letters 74, no. 8 (February 22, 1999): 1153–55. http://dx.doi.org/10.1063/1.123471.
Повний текст джерелаNi, X., J. Lee, M. Wu, X. Li, R. Shimada, Ü. Özgür, A. A. Baski, et al. "Internal quantum efficiency of c-plane InGaN and m-plane InGaN on Si and GaN." Applied Physics Letters 95, no. 10 (September 7, 2009): 101106. http://dx.doi.org/10.1063/1.3224192.
Повний текст джерелаJung, Soon Il, Ilgu Yun, Chang Myung Lee, and Joo In Lee. "Photoluminescence study of InGaN/GaN multiple-quantum-well with Si-doped InGaN electron-emitting Layer." Current Applied Physics 9, no. 5 (September 2009): 943–45. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2008.08.055.
Повний текст джерелаWu, L. W., S. J. Chang, Y. K. Su, T. Y. Tsai, T. C. Wen, C. H. Kuo, W. C. Lai, et al. "InGaN/GaN LEDs with a Si-doped InGaN/GaN short-period superlattice tunneling contact layer." Journal of Electronic Materials 32, no. 5 (May 2003): 411–14. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-003-0168-1.
Повний текст джерелаJohar, Muhammad Ali, Hyun-Gyu Song, Aadil Waseem, Jin-Ho Kang, Jun-Seok Ha, Yong-Hoon Cho, and Sang-Wan Ryu. "Ultrafast carrier dynamics of conformally grown semi-polar (112̄2) GaN/InGaN multiple quantum well co-axial nanowires on m-axial GaN core nanowires." Nanoscale 11, no. 22 (2019): 10932–43. http://dx.doi.org/10.1039/c9nr02823d.
Повний текст джерелаJohar, Muhammad Ali, Taeyun Kim, Hyun-Gyu Song, Aadil Waseem, Jin-Ho Kang, Mostafa Afifi Hassan, Indrajit V. Bagal, Yong-Hoon Cho, and Sang-Wan Ryu. "Three-dimensional hierarchical semi-polar GaN/InGaN MQW coaxial nanowires on a patterned Si nanowire template." Nanoscale Advances 2, no. 4 (2020): 1654–65. http://dx.doi.org/10.1039/d0na00115e.
Повний текст джерелаBouzid, F., and L. Hamlaoui. "Investigation of InGaN/Si double junction tandem solar cells." Journal of Fundamental and Applied Sciences 4, no. 2 (September 3, 2015): 108. http://dx.doi.org/10.4314/jfas.v4i2.1.
Повний текст джерелаSoto Rodriguez, P. E. D., Praveen Kumar, V. J. Gómez, N. H. Alvi, J. M. Mánuel, F. M. Morales, J. J. Jiménez, R. García, E. Calleja, and R. Nötzel. "Spontaneous formation of InGaN nanowall network directly on Si." Applied Physics Letters 102, no. 17 (April 29, 2013): 173105. http://dx.doi.org/10.1063/1.4803017.
Повний текст джерелаLi, Da-Bing, Yu-Huai Liu, Takuya Katsuno, Keisuke Nakao, Kazuya Nakamura, Masakazu Aoki, Hideto Miyake, and Kazumasa Hiramatsu. "Enhanced emission efficiency of InGaN films with Si doping." physica status solidi (c) 3, no. 6 (June 2006): 1944–48. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200565286.
Повний текст джерелаHonda, Y., Y. Yanase, M. Yamaguchi, and N. Sawaki. "Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si." physica status solidi (c) 3, no. 6 (June 2006): 1915–18. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200565326.
Повний текст джерелаDadgar, A., A. Alam, T. Riemann, J. Bl�sing, A. Diez, M. Poschenrieder, M. Strassburg, M. Heuken, J. Christen, and A. Krost. "Crack-Free InGaN/GaN Light Emitters on Si(111)." physica status solidi (a) 188, no. 1 (November 2001): 155–58. http://dx.doi.org/10.1002/1521-396x(200111)188:1<155::aid-pssa155>3.0.co;2-p.
Повний текст джерелаPoschenrieder, M., K. Fehse, F. Schulz, J. Bläsing, H. Witte, A. Krtschil, A. Dadgar, A. Diez, J. Christen, and A. Krost. "MOCVD-Grown InGaN/GaN MQW LEDs on Si(111)." physica status solidi (c), no. 1 (2003): 267–71. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200390040.
Повний текст джерелаCho, Sung Nae, and Kyu Sang Kim. "Characteristics of InGaN light emitting diode depending on Si-doping on InGaN layers below quantum wells." Current Applied Physics 13, no. 7 (September 2013): 1321–24. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2013.04.008.
Повний текст джерелаWang, Cheng-Jie, Ying Ke, Guo-Yi Shiu, Yi-Yun Chen, Yung-Sen Lin, Hsiang Chen, and Chia-Feng Lin. "InGaN Resonant-Cavity Light-Emitting Diodes with Porous and Dielectric Reflectors." Applied Sciences 11, no. 1 (December 22, 2020): 8. http://dx.doi.org/10.3390/app11010008.
Повний текст джерелаJiménez, J. J., J. M. Mánuel, P. Aseev, P. E. D. Soto Rodríguez, R. Nötzel, Ž. Gačević, E. Calleja, R. García, and F. M. Morales. "(S)TEM methods contributions to improve the fabrication of InGaN thin films on Si, and InN nanostructures on flat Si and rough InGaN." Journal of Alloys and Compounds 783 (April 2019): 697–708. http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2018.12.319.
Повний текст джерелаLiu Zhan-Hui, Zhang Li-Li, Li Qing-Fang, Zhang Rong, Xiu Xiang-Qian, Xie Zi-Li, and Shan Yun. "InGaN/GaN blue light emitting diodes grown on Si(110) and Si(111) substrates." Acta Physica Sinica 63, no. 20 (2014): 207304. http://dx.doi.org/10.7498/aps.63.207304.
Повний текст джерелаСередин, П. В., А. С. Леньшин, Д. С. Золотухин, Д. Л. Голощапов, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев та А. Н. Бельтюков. "Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A-=SUP=-III-=/SUP=-N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии". Физика и техника полупроводников 53, № 7 (2019): 1010. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2019.07.47882.9084.
Повний текст джерелаXie, Lingyun, Peng Wang, Hongjie Yin, Guofu Zhou, and Richard Nötzel. "All InN/InGaN solid-state potentiometric chloride sensor with super Nernstian sensitivity." Applied Physics Express 13, no. 2 (January 21, 2020): 027003. http://dx.doi.org/10.35848/1882-0786/ab67d3.
Повний текст джерела