Добірка наукової літератури з теми "Impuretés ioniques"

Interprétation de l'absorption IR par un modèle base sur les fonctions de green et nécessitant la connaissance de la dynamique du cristal et de la perturbation due à l'impureté. Les spectres raman de BAF::(2) : DY**(3+) et SRF::(2) : DY**(3+) comportent des raies à des fréquences voisines ; leur position est identique dans un repère de fréquence absolu pour les raies laser différentes. Cette étude a permis l'interprétation des courbes de thermo-courant ionique par l'intermédiaire de constantes diélectriques

Les équipements électriques et électroniques (EEE) sont devenus un élément essentiel de notre vie quotidienne. Une grande partie de la population mondiale bénéficie d’un niveau de vie plus élevé, grâce à leur disponibilité, leur utilisation généralisée et leur accès facile. Cependant, la façon dont nous produisons, consommons et traitons les déchets d’équipements électriques et électroniques (DEEE) n'est pas durable sur le long terme. En Europe, malgré l’instauration de la législation la plus avancée au monde en matière de déchets moins de 50% d’entre eux sont convenablement collectés et recyclés. Depuis quelques années l’entreprise ENVIE2E du Nord, filiale du groupe Vitamine T, en partenariat avec l’Unité des Matériaux et Transformations (UMET), s’est engagée à réaliser des travaux expérimentaux visant la récupération et le retraitement de certains DEEE. Dans ce cadre, l’objectif général de cette thèse se focalise sur la valorisation des cristaux liquides (CLs) ainsi que d’autres matériaux de valeur comme l’oxyde d’indium/étain (ITO) et les feuilles polymériques présents dans les écrans d’affichage à cristaux liquides (LCD pour Liquid Crystal Display) en fin de vie. Une ligne de démantèlement ordonnée et manuelle des écrans LCD est mise en place chez ENVIE 2E pour le recyclage différencié des cartes électroniques, des lampes à cathode froide pouvant contenir du mercure, des polymères, des métaux et d’autres matériaux de valeur. Il existe également une ligne d’extraction de CLs où les panneaux LCD sont ouverts et exposés à un bain de solvant organique activé par ultrasons. La solution obtenue contient les CLs, le solvant ainsi que des impuretés organiques et inorganiques. La première partie de cette étude consiste à purifier et caractériser les CLs en utilisant des techniques chimiques, thermiques, optiques et diélectriques. Une étude sur l’influence de l’ajout de nanoparticules de diamant aux CLs purifiés a également été effectuée. La deuxième partie consiste à récupérer l’indium des panneaux LCD. Le procédé d’extraction est basé sur leur réduction de taille et leur lixiviation. Finalement, la caractérisation des feuilles polymériques est effectuée afin de connaitre leur composition et donc leur éventuel recyclage
Electrical and electronic equipment (EEE) has become an essential part of our daily lives. Much of the world's population enjoys a higher standard of living, thanks to their availability, widespread use, and easy access. However, the way we produce, consume, and treat waste electrical and electronic equipment (WEEE) is not sustainable in the long term. In Europe, despite having the most advanced waste legislation in the world, less than 50% of WEEE is properly collected and recycled. For several years, the company ENVIE2E du Nord, a subsidiary of the Vitamine T group, in partnership with l’Unité des Matériaux et Transformations (UMET), has been engaged in experimental work aimed at the recovery and reprocessing of certain WEEE. In this context, the general objective of this thesis focuses on the recovery of liquid crystals (LCs) as well as other valuable materials such as indium/tin oxide (ITO) and optical foils present in end-of-life liquid crystal displays (LCDs). An orderly, manual LCD dismantling line is in place at ENVIE 2E for differentiated recycling of electronic boards, cold cathode lamps that may contain mercury, polymers, metals, and other valuable materials. There is also an extraction line where LCD panels are opened and exposed to an ultrasonically activated organic solvent bath to recover LCs. The resulting solution contains the LCs, the solvent, and organic and inorganic impurities. The first part of this study consists in purifying and characterizing the LCs using chemical, thermal, optical, and dielectric techniques. A study on the influence of adding diamond nanoparticles to purified LCs was also performed. The second part consists in recovering indium from LCD panels. The extraction process is based on their size reduction and leaching. Finally, the characterization of the optical foils is carried out to know their composition and thus their recyclability

L’utilisation de germes Si pour l’épitaxie du SiC-3C génère de nombreux défauts dans les couches en raison du désaccord de maille et de la dilatation thermique. Le SiC-3C peut aussi être déposé sur substrats SiC-α(0001) en s’affranchissant des problèmes rencontré sur substrat Si. La difficulté de contrôler la germination initiale génère cependant des macles qui sont difficiles à éviter ou éliminer ensuite. L'utilisation de l'épitaxie en phase vapeur comme technique de croissance n'a pas permis de s'affranchir de ces macles malgré l'optimisation de la préparation de surface des germes SiC- α. En revanche, des couches de SiC-3C exemptes de macle ont été obtenues en utilisant une technique de croissance originale, les mécanismes vapeur-liquid-solide, qui consiste à alimenter un bain Si-Ge avec du propane. La caractérisation des couches ainsi élaborées a montré une excellente qualité cristalline avec toutefois une incorporation non négligeable d'impuretés. Les éléments Al, Ge, B et Sn ont été dosés avec succès en utilisant des analyses par faisceaux d’ions accélérés, techniques peu conventionnelles pour SiC et présentant un challenge analytique
Using silicon as substrate for growing 3C-SiC monocrystalline material generates too many defects in the layers due to lattice and thermal expansion mismatch. Though these difficulties are avoided by using hexagonal SiC substrates, the random formation of 60° rotated domains in the 3C layers generate a high density of twins. The use of vapour phase epitaxy for the growth did not allow reducing significantly the twin density despite the optimization of the in situ surface preparation of the seeds. On the other hand, these defects were eliminated by using Vapor-Liquid-Solid mechanism which consists in feeding a Si-Ge melt with propane. The characterization of these twin-free layers showed excellent crystalline quality. Some of the impurities incorporated during growth (Ge, Al, B, Sn) were successfully analysed using accelerated ion beam techniques though the detection and quantification of these elements inside SiC thin films are challenging

Nous etudions la structure locale de solutions d'electrolytes comportant des impuretes parama/gnetiques par des mesures des temps de relaxation nucleaire en rmn. Grace aux equations integrales de la theorie des liquides et au modele de debye-huckel d'ecrantage du potentiel coulombien, nous avons obtenu des potentiels de force moyenne, puis des fonctions de correlation de paire pour des ions attractifs en solution. Nous expliquons ainsi les taux de relaxation intermoleculaires d'origine dipolaire magnetique des protons des cations tetramethylphosphonium couples aux spins electroniques des anions radicalaires nitrosodisulfonate en solution dans l'eau lourde. Nous avons ensuite developpe un modele permettant d'evaluer l'amplitude de la forte interaction hyperfine scalaire du spin electronique avec les noyaux de phosphore dont nous etudions les deplacements des raies de resonance en fonction de la concentration en ions paramagnetiques. Nous avons pu interpreter remarquablement le rapport anormal des temps de relaxation longitudinale et transverse intermoleculaires voisin de 1. 5 des noyaux de phosphore du tetramethylphosphonium en presence de radicaux nitrosodisulfonate a diverses concentrations ioniques. Nous confirmons ainsi la validite de notre modele decrivant les proprietes dynamiques d'ions attractifs dilues dans l'eau. Pour les valeurs absolues des taux de relaxation des phosphores, nos calculs conduisent a des valeurs un peu trop faibles. Notons cependant que notre modele ne dispose d'aucun parametre ajustable. Il convient de tenir compte egalement des effets d'anisotropie dans les processus diffusionnels a courte distance dus a la forme non spherique des ions. L'importance de ces effets d'anisotropie vient d'etre prouve sur un systeme plus simple constitue par une solution de radicaux tempol dans l'eau. L'introduction d'un potentiel effectif electrostatique anisotrope de paire donne alors un tres bon accord avec l'experience

Dosage des impuretes contenues dans l'acide amino-11-undecanoique, puis diminution de la teneur en silice des eaux utilisees dans les centrales thermiques ou nucleaires par deux types de procedes differents : copolymerisation en billes poreuses du formol et du pyrocatechol et impregnation de polymeres hydrophobes par un derive du catechol

Cette étude des mécanismes d’oxydation à hautes températures d’alliages métalliques, en relation avec le rôle des impuretés (C, Mn, Zr, Si. . ) et des dopants (C, S, Y) a été abordée sur deux types d’alliages : - des alliages binaires NiCr qui, selon la teneur en chrome, développent soit une couche unique de Cr2O₃ (cas des alliages Ni66Cr34), soit trois strates d’oxyde NiO, NiCr₂O₄ et Cr₂O₃ en position interne (cas de l’alliage Ni80Cr20). – des alliages ternaires FeCr23Al₅ qui forment par oxydation une couche d’Al₂O₃. En plus de l’approche classique (cinétique et analytique) de l’étude de l’oxydation, ce travail a mis en œuvre des méthodes spécifiques pour : - définir avec une excellente résolution spatiale (quelques Angströms) la localisation et l’état d’oxydation des impuretés dans les strates d’oxyde (Spectrométrie à Décharge Luminescente, Spectrométrie des Photoélectrons X). – Préciser, dans le cas spécifique du soufre, la relations impuretés ségrégée-microstructure (Micro empreinte Baumann). Une procédure de mesures électrochimiques et de diffusion sous champ électrique a été développée dans le cadre de ce travail. Elle a été adaptée à l’étude des couches d’alumine. Son application à l’étude des couches développées par oxydation des alliages FeCrAl, complété par l’étude du sens de croissance de ces couches, a permis de définir leurs propriétés de transport (nombre de transport et conductivité ionique) en relation avec les mécanismes de croissance et d’adhérence des couches d’oxyde.

La presente etude porte sur la gravure seche de differents materiaux utilises pour la microelectronique. Nous avons etudie l'interaction entre un plasma rf de sf, a basse pression, et les couches minces de tantale et de tungstene. Pour cela nous avons effectue une analyse du plasma de sf::(6) avec une sonde de langmuir et un analyseur d'energie, et une analyse des surfaces apres gravure par spectrometrie de photoelectrons (esca ou xps), spectrometrie auger (aes) et spectrometrie de masse des ions secondaires emis par la surface (sims). Pour les deux regimes de frequences d'excitation utilises au cours de cette etude (25-125 khz) a basse frequence, et 13,56 mhz a haute frequence, on a trouve que le plasma de sf::(6) etait tres electronegatif (n>0,9 n::(+), n::(e) equiv. A 0,02 a 0,07 n::(+)). A basse frequence, l'energie des ions positifs est distribuee entre 0 et qv::(rf). La composante de basse energie (0-600 ev) a basse pression (10 mtorr) depend de la nature des electrodes. Une comparaison avec les distributions obtenues dans ar et cf, pour lesquelles l'influence des parametres "pression" et "puissance" est interpretee en considerant la decharge comme quasi continue, nous permet d'attribuer cette composante de basse energie aux ions crees dans la gaine par les electrons secondaires emis par les electrodes lorsqu'elles sont soumises au flux d'ions. A haute frequence, l'energie des ions positifs qui atteignent l'electrode-masse du reacteur est distribuee entre 0 et 50 ev. A basse pression, l'energie moyenne de la distribution est determinee par le potentiel plasma moyen v::(p). L'analyse in-situ des surfaces de ta et w, effectuee par spectrometrie auger et sims, apres gravure dans sf::(6), indique la presence d'une quantite notable de soufre sur la surface, quantite qui diminue lorsque l'echantillon est au contact de l'atmosphere ambiant. L'analyse de ces surfaces par spectrometrie de photoelectrons montre que les especes wf::(m)(m