Увійти

Готові списки джерел за темами / III-V technology / Книги

Книги з теми "III-V technology"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: III-V technology.

Автор: Grafiati

Опубліковано: 15 червня 2024

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "III-V technology".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Ayşe, Erol, ed. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems: Physics and technology. Berlin: Springer, 2008.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Erol, Ayşe. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems: Physics and technology. Berlin: Springer, 2008.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Ayşe, Erol, ed. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems: Physics and technology. Berlin: Springer, 2008.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Li, Tingkai, Michael A. Mastro, and Armin Dadgar. III-V compound semiconductors: Integration with silicon-based microelectronics. Boca Raton: Taylor & Francis, 2010.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Conference on Semi-insulating III-V Materials (5th 1988 Malmö, Sweden). Semi-insulating III-V materials: Malmö, 1988 : proceedings of the 5th Conference on Semi-insulating III-V Materials held in Malmö, Sweden, 1-3 June 1988. Bristol, England: A. Hilger, 1988.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Ekaterinburg, Russia) Mezhdunarodnyĭ nauchno-prakticheskiĭ seminar "Intellektualʹnye informat︠s︡ionnye tekhnologii v. upravlencheskoĭ dei︠a︡telʹnosti" (3rd 2001. Intellektualʹnye informat︠s︡ionnye tekhnologii v upravlencheskoĭ dei︠a︡telʹnosti: III Mezhdunarodnyĭ nauchno-prakticheskiĭ seminar, 23-24 i︠a︡nvari︠a︡ 2001 g. : materialy. Ekaterinburg: Uralʹskiĭ gos. tekhn. universitet, 2001.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Mezhdunarodnai︠a︡, nauchnai︠a︡ konferent︠s︡ii︠a︡ "Chelovek kulʹtura i. obshchestvo v. kontekste globalizat︠s︡ii sovremennogo mira" (3rd 2004 Moscow Russia). Chelovek, kulʹtura i obshchestvo v kontekste globalizat︠s︡ii sovremennogo mira: Ėlektronnai︠a︡ kulʹtura i novye gumanitarnye tekhnologii XXI veka : materialy III Mezhdunarodnoĭ nauchnoĭ konferent︠s︡ii. Moskva: Izd-vo "Nezavisimyĭ in-t grazhdanskogo ob-va", 2004.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Soldatkina, I͡A V., and Elena I͡Urʹevna Lazareva. Mediĭnye prot︠s︡essy v sovremennom gumanitarnom prostranstve: Podkhody k izuchenii︠u︡, ėvoli︠u︡t︠s︡ii︠a︡, perspektivy : materialy III nauchno-prakticheskoĭ konferent︠s︡ii. Moskva: MPGU, 2017.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Belarus) Mezhdunarodnai︠a︡ konferent︠s︡ii︠a︡ "Informat︠s︡ionnye sistemy i tekhnologii" (3nd 2006 Minsk. Informat︠s︡ionnye sistemy i tekhnologii (IST'2006): Tretʹi︠a︡ Mezhdunarodnai︠a︡ konferent︠s︡ii︠a︡ (Minsk, 1--3 noi︠a︡bri︠a︡ 2006 g.) : materialy : v 2 chasti︠a︡kh = Information systems and technologies (IST'2006) : proceedings of the III International conference (Minsk, November 1--3, 2006) In two parts. Minsk: Akademii︠a︡ upravlenii︠a︡ pri Prezidente Respubliki Belarusʹ, 2006.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

United States. National Aeronautics and Space Administration., ed. Growth and characterization of binary and pseudo-binary III-V compounds exhibiting non-linear optical behavior and undergraduate research opportunities in microgravity science and technology. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1992.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

Conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors (2nd 1986 Budapest, Hungary). Gallium arsenide: Proceedings of the Second Conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors, held in Budapest, Hungary, September 8-11, 1986. Edited by Lendvay E and Magyar Tudományos Akadémia. [Aedermannsdorf], Switzerland: Trans Tech Publications, 1987.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Prost, Werner. Technologie der III/V-Halbleiter. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

Tiku, Shiban, and Dhrubes Biswas. III-V Integrated Circuit Fabrication Technology. Jenny Stanford Publishing, 2016.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

Tiku, Shiban, and Dhrubes Biswas. III-V Integrated Circuit Fabrication Technology. Taylor & Francis Group, 2016.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

Tiku, Shiban, and Dhrubes Biswas. III-V Integrated Circuit Fabrication Technology. Jenny Stanford Publishing, 2016.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

Li, Tingkai, Armin Dadgar, and Michael Mastro. III V Compound Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2011.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

Tomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Tomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

Tomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Tomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2021.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Tomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

Tomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

Properties of Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. New York: John Wiley & Sons, Ltd., 2005.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

Erol, Ayse. Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems: Physics and Technology. Springer, 2010.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Nirmal, D., and J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

Nirmal, D., and J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

27

Nirmal, D., and J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

28

Nirmal, D., and J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

29

Li, Tingkai, Armin Dadgar, and Michael Mastro. III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics. Taylor & Francis Group, 2016.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

30

Li, Tingkai, Armin Dadgar, and Michael Mastro. III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics. Taylor & Francis Group, 2016.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

31

Tomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

32

Tomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

33

Tomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

34

Tomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

35

Tomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

36

Tomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

37

Madelung, Otfried. Semiconductors: Group IV Elements and Iii-V Compounds (Data in Science and Technology). Springer-Verlag, 1991.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

38

Grossman. Semi-insulating III-V Materials, Malmo 1988, Proceedings of the 5th Conference on Semi-insulating III-V Materials, Malmo, Sweden, 1-3 June 1988. Taylor & Francis, 1988.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

39

Madelung, Otfried. Semiconductors: Others Than Group IV Elements and Iii-V Compounds (Data in Science and Technology). Springer, 1992.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

40

Heime, Klaus. Indium Gallium Arsenide Field-effect Transistors (Electronic & Electrical Engineering Research Studies - III-V Compound Technology Series). Research Studies Press, 1989.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

41

Rössler, U., and W. von der Osten. Intrinsic Properties of Group IV Elements and III-V, II-VI and I-VII Compounds / Intrinsische Eigenschaften von Elementen der IV. Gruppe und von III-V-, ... Relationships in Science & Technology). Springer, 1986.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

42

Pearton, S. J., C. R. Abernathy, and F. Ren. Topics in Growth and Device Processing of Iii-V Semiconductors (International Series on Advances in Solid State Electronics and Technology). World Scientific Publishing Company, 1996.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

43

(Contributor), T. Dalibor, R. P. Devaty (Contributor), P. Giannozzi (Contributor), W. Kulisch (Contributor), B. Meyer (Contributor), R. Murray (Contributor), R. C. Newman (Contributor), L. Pavesi (Contributor), G. Pensl (Contributor), and A. Willoughby (Contributor), eds. Impurities and Defects in Group IV-IV and III-V Compounds: Supplement to Vol. III/22b (Print Version), Revised and Updated Edition of Vol. III/22b (CD-ROM) ... in Science and Technology - New Series, B). Springer, 2003.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

44

Growth and characterization of binary and pseudo-binary III-V compounds exhibiting non-linear optical behavior and undergraduate research opportunities in microgravity science and technology. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1992.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

45

Hepp, A. F. Covalent Ceramics III: Science and Technology of Non-Oxides : Symposium Held November 27-29, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A (Materials Research Society Symposia Proceedings, V. 410.). Materials Research Society, 1996.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

46

Conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors (2nd 1986 Budapest, Hungary). Gallium arsenide: Proceedings of the second conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors, held in Budapest, Hungary, September 8-11, 1986. Edited by Lendvay E and Magyar Tudoma nyos Akade mia. Switzerland ; Distributed in North America by Trans Tech Publications, Brookfield, VT, 1987.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

47

Brownsword, Roger, Eloise Scotford, and Karen Yeung, eds. The Oxford Handbook of Law, Regulation and Technology. Oxford University Press, 2016. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199680832.001.0001.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

This book brings together leading scholars from law and other disciplines to explore the relationship between law, technological innovation, and regulatory governance. It is organized into five parts. Part I provides an overview of the volume, identifies its aims, explains its organization, locates it within existing scholarship, and identifies major themes that emerge from the individual chapter contributions. Part II examines core normative values that are implicated or affected by technological developments and which recur in attempts to ground the legitimacy of emerging technologies within liberal democratic societies. Part III focuses on the challenges that technological development poses for law, legal doctrine, and legal institutions, and the constraints that these legal frameworks pose for the development of technologies. Part IV provides a critical exploration of the implications for regulatory governance of technological development, and considers both attempts to regulate new technologies (typically with the aim of managing risks associated with their emergence while seeking to promote their potential benefits) and the way in which new technologies may be utilized as instruments of regulatory governance with the aim of restraining and managing social risks. Part V explores the interface between law, regulatory governance, and emerging technologies in specific policy sectors, namely: medicine and health; population, reproduction, and the family; trade and commerce; public security; communications, media and culture; and food, water, energy, and the environment.

48

Technologie der III/V-Halbleiter: III/V-Heterostrukturen und elektronische Höchstfrequenz-Bauelemente. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1997.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

49

Prost, Werner. Technologie der III/V-Halbleiter. III/V-Heterostrukturen und elektronische Höchstfrequenz-Bauelemente. Springer Verlag, 1997.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

50

Solymar, L., D. Walsh, and R. R. A. Syms. Semiconductors. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198829942.003.0008.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Анотація:

Both intrinsic and extrinsic semiconductors are discussed in terms of their band structure. The acceptor and donor energy levels are introduced. Scattering is discussed, from which the conductivity of semiconductors is derived. Some mathematical relations between electron and hole densities are derived. The mobilities of III–V and II–VI compounds and their dependence on impurity concentrations are discussed. Band structures of real and idealized semiconductors are contrasted. Measurements of semiconductor properties are reviewed. Various possibilities for optical excitation of electrons are discussed. The technology of crystal growth and purification are reviewed, in particular, molecular beam epitaxy and metal-organic chemical vapour deposition.